JP6121386B2 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は半導体装置の製造方法、及び、半導体装置に関する。
半導体集積回路、特にMOSトランジスタを用いた集積回路は、高集積化の一途を辿っている。この高集積化に伴って、その中で用いられているMOSトランジスタはナノ領域まで微細化が進んでいる。このようなMOSトランジスタの微細化が進むと、リーク電流の抑制が困難であり、必要な電流量確保の要請から回路の占有面積をなかなか小さくできない、といった問題があった。このような問題を解決するために、基板に対してソース、ゲート、ドレインが垂直方向に配置され、ゲート電極が柱状半導体層を取り囲む構造のSurrounding Gate Transistor(以下、「SGT」という。)が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3を参照)。
従来のSGTの製造方法では、シリコン柱を描画するためのマスクを用いて窒化膜ハードマスクが柱状に形成されたシリコン柱を形成し、平面状シリコン層を描画するためのマスクを用いてシリコン柱底部に平面状シリコン層を形成し、ゲート配線を描画するためのマスクを用いてゲート配線を形成している(例えば特許文献4を参照)。
すなわち、3つのマスクを用いてシリコン柱、平面状シリコン層、ゲート配線を形成している。
また、従来のMOSトランジスタにおいて、メタルゲートプロセスと高温プロセスを両立させるために、高温プロセス後にメタルゲートを作成するメタルゲートラストプロセスが実際の製品で用いられている(非特許文献1)。ポリシリコンでゲートを作成し、その後、層間絶縁膜を堆積後、化学機械研磨によりポリシリコンゲートを露出し、ポリシリコンゲートをエッチング後、メタルを堆積している。そのためSGTにおいてもメタルゲートプロセスと高温プロセスを両立させるために、高温プロセス後にメタルゲートを作成するメタルゲートラストプロセスを用いる必要がある。
また、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減するために、従来のMOSトランジスタでは、第1の絶縁膜を用いている。例えばFINFET(非特許文献2)では、1つのフィン状半導体層の周囲に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜をエッチバックし、フィン状半導体層を露出し、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減している。そのためSGTにおいてもゲート配線と基板間の寄生容量を低減するために第1の絶縁膜を用いる必要がある。SGTではフィン状半導体層に加えて、柱状半導体層があるため、柱状半導体層を形成するための工夫が必要である。
特開平2−71556号公報 特開平2−188966号公報 特開平3−145761号公報 特開2009−182317号公報
IEDM2007 K.Mistry et.al, pp 247-250 IEDM2010 CC.Wu, et. al, 27.1.1-27.1.4.
そこで、2個のマスクで、フィン状半導体層、柱状半導体層、ゲート電極とゲート配線を形成し、ゲートラストプロセスであるSGTの製造方法とその結果得られるSGTの構造を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にフィン状半導体層を形成し、前記フィン状半導体層の周囲に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、前記第1工程の後、前記フィン状半導体層の周囲に第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の上に第1のポリシリコンを堆積し平坦化し、ゲート配線と柱状半導体層を形成するための第2のレジストを、前記フィン状半導体層の方向に対して垂直の方向に形成し、前記第1のポリシリコンと前記第2の絶縁膜と前記フィン状半導体層をエッチングすることにより、柱状半導体層と前記第1のポリシリコンによる第1のダミーゲートを形成する第2工程と、を有することを特徴とする。
また、前記第2の絶縁膜の上に第1のポリシリコンを堆積し平坦化後、前記第1のポリシリコン上に第3の絶縁膜を形成することをさらに含むことを特徴とする。
また、前記第2工程の後、前記柱状半導体層と前記第1のダミーゲートの周囲に第4の絶縁膜を形成し、前記第4の絶縁膜の周囲に第2のポリシリコンを堆積し、エッチングをすることにより、前記第1のダミーゲートと前記柱状半導体層の側壁に残存させ、第2のダミーゲートを形成する第3工程を有することを特徴とする。
また、前記柱状半導体層と前記第1のダミーゲートの周囲に第4の絶縁膜を形成後、第3のレジストを形成し、エッチバックを行い、前記柱状半導体層上部を露出し、前記柱状半導体層上部に第1の拡散層を形成することを特徴とする。
また、前記第2のダミーゲートの周囲に、第5の絶縁膜を形成し、エッチングをし、サイドウォール状に残存させ、前記第5の絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、前記フィン状半導体層上部と前記柱状半導体層下部に第2の拡散層を形成し、前記第2の拡散層上に金属と半導体の化合物を形成する第4工程を有することを特徴とする。
また、前記第4の工程の後、コンタクトストッパ膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積し化学機械研磨し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートの上部を露出し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートを除去し、前記第2の絶縁膜と前記第4の絶縁膜を除去し、ゲート絶縁膜を前記柱状半導体層の周囲と前記第5の絶縁膜の内側に形成し、金属膜を堆積し、エッチバックを行い、ゲート電極及びゲート配線を形成する第5工程を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、ここで前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅と同じであり、前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と、前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜と、ここで前記ゲート電極の外側の幅と前記ゲート配線の幅は同じであり、前記柱状半導体層の上部に形成された第1の拡散層と、前記フィン状半導体層の上部と前記柱状半導体層の下部に形成された第2の拡散層と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、2個のマスクで、フィン状シリコン層、柱状シリコン層、ゲート電極とゲート配線を形成し、ゲートラストプロセスであるSGTの製造方法とその結果得られるSGTの構造を提供することができる。
半導体基板上にフィン状半導体層を形成し、前記フィン状半導体層の周囲に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、前記第1工程の後、前記フィン状半導体層の周囲に第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の上に第1のポリシリコンを堆積し平坦化し、ゲート配線と柱状半導体層を形成するための第2のレジストを、前記フィン状半導体層の方向に対して垂直の方向に形成し、前記第1のポリシリコンと前記第2の絶縁膜と前記フィン状半導体層をエッチングすることにより、柱状半導体層と前記第1のポリシリコンによる第1のダミーゲートを形成する第2工程と、前記柱状半導体層と前記第1のダミーゲートの周囲に第4の絶縁膜を形成し、前記第4の絶縁膜の周囲に第2のポリシリコンを堆積し、エッチングをすることにより、前記第1のダミーゲートと前記柱状半導体層の側壁に残存させ、第2のダミーゲートを形成する第3工程を有することを特徴とすることにより、2個のマスクで、フィン状半導体層、柱状半導体層、後にゲート電極とゲート配線となる第1のダミーゲート及び第2のダミーゲートを形成することができ、工程数を削減することができる。
柱状半導体層と、ゲート配線との合わせずれをなくすことができる。
また、ポリシリコンで第1のダミーゲートと第2のダミーゲートを作成し、その後、層間絶縁膜を堆積後、化学機械研磨により第1のダミーゲートと第2のダミーゲートを露出し、ポリシリコンゲートをエッチング後、金属を堆積する従来のメタルゲートラストの製造方法を用いることができるため、メタルゲートSGTを容易に形成できる。
また、前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜により、ゲート電極とゲート配線とは、柱状半導体層とフィン状半導体層とから絶縁をすることができる。
(a)は本発明に係る半導体装置の平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。 (a)は本発明に係る半導体装置の製造方法に係る平面図である。(b)は(a)のX−X’線での断面図である。(c)は(a)のY−Y’線での断面図である。
以下に、本発明の実施形態に係るSGTの構造を形成するための製造工程を、図2〜図40を参照して説明する。
まず、半導体基板上にフィン状半導体層を形成し、前記フィン状半導体層の周囲に第1の絶縁膜を形成する第1工程を示す。本実施例では、シリコン基板としたが、他の半導体からなる基板とすることもできる。
図2に示すように、シリコン基板101上にフィン状シリコン層を形成するための第1のレジスト102を形成する。
図3に示すように、シリコン基板101をエッチングし、フィン状シリコン層103を形成する。今回はレジストをマスクとしてフィン状シリコン層を形成したが、酸化膜や窒化膜といったハードマスクを用いてもよい。
図4に示すように、第1のレジスト102を除去する。
図5に示すように、フィン状シリコン層103の周囲に第1の絶縁膜104を堆積する。第1の絶縁膜104として、高密度プラズマによる酸化膜や低圧CVD(Chemical Vapor Deposition)による酸化膜を用いてもよい。
図6に示すように、第1の絶縁膜104をエッチバックし、フィン状シリコン層103の上部を露出する。ここまでは、非特許文献2のフィン状シリコン層の製法と同じである。
以上によりシリコン基板101上にフィン状シリコン層103を形成し、前記フィン状シリコン層103の周囲に第一の絶縁膜104を形成する第1工程が示された。
次に、前記フィン状半導体層の周囲に第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の上に第1のポリシリコンを堆積し平坦化し、ゲート配線と柱状半導体層を形成するための第2のレジストを、前記フィン状半導体層の方向に対して垂直の方向に形成し、前記第1のポリシリコンと前記第2の絶縁膜と前記フィン状半導体層をエッチングすることにより、柱状半導体層と前記第1のポリシリコンによる第1のダミーゲートを形成する第2工程を示す。
図7に示すように、前記フィン状シリコン層103の周囲に第2の絶縁膜105を形成する。第2の絶縁膜105は、酸化膜が好ましい。
図8に示すように、前記第2の絶縁膜105の上に第1のポリシリコン106を堆積し平坦化する。
図9に示すように、前記第1のポリシリコン106上に第3の絶縁膜107を形成する。第3の絶縁膜107は、窒化膜が好ましい。
図10に示すように、ゲート配線と柱状シリコン層を形成するための第2のレジスト108を、前記フィン状シリコン層103の方向に対して垂直の方向に形成する。
図11に示すように、前記第3の絶縁膜107と前記第1のポリシリコン106と前記第2の絶縁膜105と前記フィン状シリコン層103をエッチングすることにより、柱状シリコン層109と前記第1のポリシリコンによる第1のダミーゲート106を形成する。このとき、第2のレジストがエッチング中に除去された場合、第3の絶縁膜107がハードマスクとして機能する。第2のレジストがエッチング中に除去されないとき、第3の絶縁膜を使用しなくてもよい。
図12に示すように、第2のレジスト108を除去する。
以上により、前記フィン状半導体層の周囲に第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の上に第1のポリシリコンを堆積し平坦化し、ゲート配線と柱状半導体層を形成するための第2のレジストを、前記フィン状半導体層の方向に対して垂直の方向に形成し、前記第1のポリシリコンと前記第2の絶縁膜と前記フィン状半導体層をエッチングすることにより、柱状半導体層と前記第1のポリシリコンによる第1のダミーゲートを形成する第2工程が示された。
次に、前記第2工程の後、前記柱状半導体層と前記第1のダミーゲートの周囲に第4の絶縁膜を形成し、前記第4の絶縁膜の周囲に第2のポリシリコンを堆積し、エッチングをすることにより、前記第1のダミーゲートと前記柱状半導体層の側壁に残存させ、第2のダミーゲートを形成する第3工程を示す。
図13に示すように、前記柱状シリコン層109と前記第1のダミーゲート106の周囲に第4の絶縁膜110を形成する。第4の絶縁膜110は、酸化膜が好ましい。
図14に示すように、第3のレジスト111を形成し、エッチバックを行い、前記柱状シリコン層109上部を露出する。
図15に示すように、不純物を導入し、前記柱状シリコン層109上部に第1の拡散層112を形成する。n型拡散層のときは、砒素やリンを導入することが好ましい。p型拡散層のときは、ボロンを導入することが好ましい。
図16に示すように、第3のレジスト111を除去する。
図17に示すように、前記第4の絶縁膜110の周囲に第2のポリシリコン113を堆積する。
図18に示すように、第2のポリシリコン113をエッチングし、第2のポリシリコン113の残りの部分を前記第1のダミーゲート106と前記柱状シリコン層109の側壁に残存させて、第2のダミーゲート113を形成する。
以上により、前記第2工程の後、前記柱状半導体層と前記第1のダミーゲートの周囲に第4の絶縁膜を形成し、前記第4の絶縁膜の周囲に第2のポリシリコンを堆積し、エッチングをすることにより、前記第1のダミーゲートと前記柱状半導体層の側壁に残存させ、第2のダミーゲートを形成する第3工程が示された。
次に、前記第2のダミーゲートの周囲に、第5の絶縁膜を形成し、エッチングをし、サイドウォール状に残存させ、前記第5の絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、前記フィン状半導体層上部と前記柱状半導体層下部に第2の拡散層を形成し、前記第2の拡散層上に金属と半導体の化合物を形成する第4工程を示す。
図19に示すように、前記第2のダミーゲート113の周囲に、第5の絶縁膜114を形成する。第5の絶縁膜114は、窒化膜が好ましい。
図20に示すように、第5の絶縁膜114をエッチングをし、サイドウォール状に残存させ、前記第5の絶縁膜からなるサイドウォール114を形成する。
図21に示すように、不純物を導入し、前記フィン状シリコン層103上部と前記柱状シリコン層109下部に第2の拡散層115を形成する。n型拡散層のときは、砒素やリンを導入することが好ましい。p型拡散層のときは、ボロンを導入することが好ましい。
図22に示すように、前記第2の拡散層115上に金属と半導体の化合物116を形成する。このとき、第2のダミーゲート113上部にも金属と半導体の化合物117が形成される。
以上により、前記第2のダミーゲートの周囲に、第5の絶縁膜を形成し、エッチングをし、サイドウォール状に残存させ、前記第5の絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、前記フィン状半導体層上部と前記柱状半導体層下部に第2の拡散層を形成し、前記第2の拡散層上に金属と半導体の化合物を形成する第4工程が示された。
次に、前記第4の工程の後、コンタクトストッパ膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積し化学機械研磨し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートの上部を露出し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートを除去し、前記第2の絶縁膜と前記第4の絶縁膜を除去し、ゲート絶縁膜を前記柱状半導体層の周囲と前記第5の絶縁膜の内側に形成し、金属を堆積し、エッチバックを行い、ゲート電極及びゲート配線を形成する第5工程を示す。
図23に示すように、コンタクトストッパ膜118を堆積し、層間絶縁膜119を堆積する。コンタクトストッパ膜118として、窒化膜が好ましい。
図24に示すように、化学機械研磨し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートの上部を露出する。このとき、第2のダミーゲート113上部に形成された金属と半導体の化合物117を除去する。
図25に示すように、前記第2のダミーゲート113と前記第1のダミーゲート106を除去する。
図26に示すように、前記第2の絶縁膜105と前記第4の絶縁膜110を除去する。
図27に示すように、ゲート絶縁膜120を前記柱状シリコン層109の周囲と前記第5の絶縁膜114の内側に形成し、金属121を堆積する。柱状シリコン層109の周囲にゲート電極121aが形成される。また、ゲート配線121bが形成される。前記ゲート電極121aと前記ゲート配線121bの周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜120により、ゲート電極121aとゲート配線121bとは、柱状シリコン層109とフィン状シリコン層103とから絶縁をすることができる。
図28に示すように、金属121のエッチバックを行い、柱状シリコン層109上部を露出する。
以上により、前記第4の工程の後、コンタクトストッパ膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積し化学機械研磨し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートの上部を露出し、前記第2のダミーゲートと前記第1のダミーゲートを除去し、前記第2の絶縁膜と前記第4の絶縁膜を除去し、ゲート絶縁膜を前記柱状半導体層の周囲と前記第5の絶縁膜の内側に形成し、金属を堆積し、エッチバックを行い、ゲート電極及びゲート配線を形成する第5工程が示された。
図29に示すように、酸化膜122を堆積する。
図30に示すように、コンタクト孔を形成するための第4のレジスト123を形成する。
図31に示すように、酸化膜122、ゲート絶縁膜120、層間絶縁膜119をエッチングすることにより、コンタクト孔124、125を形成する。
図32に示すように、第4のレジスト123を除去する。
図33に示すように、コンタクト孔を形成するための第5のレジスト126を形成する。
図34に示すように、酸化膜122、ゲート絶縁膜120をエッチングし、コンタクト孔127を形成する。
図35に示すように、第5のレジスト126を除去する。
図36に示すように、コンタクト孔124下のコンタクトストッパ膜118を除去する。
図37に示すように、金属128を堆積し、コンタクト129、130、131を形成する。
図38に示すように、金属配線を形成するため第6のレジスト132、133、134を形成する。
図39に示すように、金属128をエッチングし、金属配線135、136、137を形成する。
図40に示すように、第6のレジスト132、133、134を除去する。
以上により、2個のマスクで、フィン状半導体層、柱状半導体層、ゲート電極とゲート配線を形成し、ゲートラストプロセスであるSGTの製造方法が示された。
上記製造方法によって得られる半導体装置の構造を図1に示す。
シリコン基板101上に形成されたフィン状シリコン層103と、前記フィン状シリコン層103の周囲に形成された第1の絶縁膜104と、前記フィン状シリコン層103上に形成された柱状シリコン層109と、前記柱状シリコン層109のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状シリコン層103の自身に直交する方向の幅と同じであり、前記柱状シリコン層109の周囲に形成されたゲート絶縁膜120と、前記ゲート絶縁膜120の周囲に形成された金属からなるゲート電極121aと、前記ゲート電極121aに接続された前記フィン状シリコン層109に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線121bと、前記ゲート電極121aと前記ゲート配線121bの周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜120と、前記ゲート電極121aの外側の幅W1と前記ゲート配線121bの幅W2は同じであり、前記柱状シリコン層109の上部に形成された第1の拡散層112と、前記フィン状シリコン層103の上部と前記柱状シリコン層109の下部に形成された第2の拡散層115と、を有する。
セルフアラインで形成されるので、柱状シリコン層109と、ゲート配線121bとの合わせずれをなくすことができる。
また、前記ゲート電極121aと前記ゲート配線121bの周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜120により、ゲート電極121aとゲート配線121bとは、柱状シリコン層109とフィン状シリコン層103とから絶縁をすることができる。
なお、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
例えば、上記実施例において、p型(p+型を含む。)とn型(n+型を含む。)とをそれぞれ反対の導電型とした半導体装置の製造方法、及び、それにより得られる半導体装置も当然に本発明の技術的範囲に含まれる。
101.シリコン基板
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第1の絶縁膜
105.第2の絶縁膜
106.第1のポリシリコン、第1のダミーゲート
107.第3の絶縁膜
108.第2のレジスト
109.柱状シリコン層
110.第4の絶縁膜
111.第3のレジスト
112.第1の拡散層
113.第2のポリシリコン、第2のダミーゲート
114.第5の絶縁膜、第5の絶縁膜からなるサイドウォール
115.第2の拡散層
116.金属と半導体の化合物
117.金属と半導体の化合物
118.コンタクトストッパ膜
119.層間絶縁膜
120.ゲート絶縁膜
121.金属
121a.ゲート電極
121b.ゲート配線
122.酸化膜
123.第4のレジスト
124.コンタクト孔
125.コンタクト孔
126.第5のレジスト
127.コンタクト孔
128.金属
129.コンタクト
130.コンタクト
131.コンタクト
132.第6のレジスト
133.第6のレジスト
134.第6のレジスト
135.金属配線
136.金属配線
137.金属配線

Claims (1)

  1. 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
    前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、
    前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、ここで、前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅と同じであり、
    前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、
    前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と、
    前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜と、ここで、前記ゲート電極の外側の幅と前記ゲート配線の幅は同じであり、
    前記柱状半導体層の上部に形成された第1の拡散層と、
    前記フィン状半導体層の上部と前記柱状半導体層の下部に形成された第2の拡散層と、
    を有し、
    前記柱状半導体層の中心は、前記ゲート配線に沿って延びる中心線上に位置することを特徴とし、
    前記ゲート配線上にコンタクトを有し、
    前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚いことを特徴とする半導体装置。
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