JP5977865B2 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Description
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第1の絶縁膜
105.第2の絶縁膜
106.第1のポリシリコン
106a.第1のダミーゲート
107.第3の絶縁膜
107a.第1のハードマスク
108.第2のレジスト
109.柱状シリコン層
110.第4の絶縁膜
111.第3のレジスト
112.第1の拡散層
113.第2のポリシリコン
113a.第2のダミーゲート
114.第6の絶縁膜
114a.第2のハードマスク
115.第5の絶縁膜
115a.サイドウォール
116.第2の拡散層
117.第1のエピタキシャル成長層
118.金属と半導体の化合物
119.コンタクトストッパ膜
120.層間絶縁膜
121.ゲート絶縁膜
122.金属
122a.ゲート電極
122b.ゲート配線
123.第7の絶縁膜
124.第4のレジスト
125.コンタクト孔
126.第5のレジスト
127.コンタクト孔
128.金属
128a.金属配線
128b.金属配線
128c.金属配線
129.コンタクト
130.コンタクト
131.第6のレジスト
132.第6のレジスト
133.第6のレジスト
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続された金属からなるゲート配線と、
前記フィン状半導体層上に形成された第1のエピタキシャル成長層と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線の上面の面積は、前記ゲート電極と前記ゲート配線の下面の面積より大きく、かつ、前記第1のエピタキシャル成長層の前記フィン状半導体層に直交する方向の幅は、前記フィン状半導体層の前記フィン状半導体層に直交する方向の幅より広いことを特徴とする半導体装置。
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