JP6116598B2 - 物質中のひずみを高空間分解能で測定するためのシステムおよび方法 - Google Patents
物質中のひずみを高空間分解能で測定するためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6116598B2 JP6116598B2 JP2014561154A JP2014561154A JP6116598B2 JP 6116598 B2 JP6116598 B2 JP 6116598B2 JP 2014561154 A JP2014561154 A JP 2014561154A JP 2014561154 A JP2014561154 A JP 2014561154A JP 6116598 B2 JP6116598 B2 JP 6116598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction pattern
- pattern
- diffraction
- sample
- deflection coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 claims description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 claims 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 53
- 241000252073 Anguilliformes Species 0.000 description 13
- 238000000619 electron energy-loss spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 2
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20058—Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
102 ビーム偏向コイル
103 画像偏向コイル
104 電子ビームまたはプローブ
105 試料
106 透過ビーム
107 エネルギー分散X線検出器
108 回折パターン
109 カメラ
110 ビームコイル制御電気シグナル
111 画像偏向コイル電気シグナル、画像補正シグナル
112 歳差装置
114 EELS検出器
Claims (39)
- 物質試料を透過型電子顕微鏡内に検体として入れるステップと、
前記物質に対して入射角を有する電子ビームを作り出すために、透過型電子顕微鏡に電圧を加えるステップと、
透過型電子顕微鏡の複数のビーム偏向コイルを制御する電気ビーム偏向コイル制御シグナルを発生させるステップと、
透過型電子顕微鏡の複数の画像偏向コイルを制御する電気画像偏向コイル制御シグナルを発生させるステップと、
動力学的回折効果を有する、物質からの第1の回折パターンを見るステップと、
動力学的回折効果を軽減させるために、ビーム偏向コイル制御シグナルのうちの少なくとも1つを調節するステップと、
ビーム偏向コイル制御シグナルによって誘導された回折パターンの動きを停止させるために、画像偏向コイル制御シグナルのうちの少なくとも1つを調節するステップと、
最後の調節ステップの後に、既知のひずみを有する物質の領域から第2の回折パターンを収集するステップと、
未知のひずみを有する物質の領域から第3の回折パターンを収集するステップと
を含む、結晶性物質中のひずみを測定するための方法。 - ビーム偏向コイル制御シグナルが入射角を0.1〜2度の間で変更する、請求項1に記載の方法。
- ビーム偏向コイル制御シグナルが、ビームの入射角を、周期的な時間依存的な様式で、10〜1000Hzの間の周波数で変化させる、請求項1に記載の方法。
- 動力学的回折効果は、ビームの位置を変化させることによって観察され、入射ビームの位置が変化するにつれて第1の回折パターン中で軽微な変化のみしか記録されない場合に最小化される、請求項1に記載の方法。
- カメラを用いて第2の回折パターンを収集する、請求項1に記載の方法。
- 運動学的電子線回折理論を使用して第2の回折パターンを計算する、請求項1に記載の方法。
- 第2の回折パターンが記録ファイルから回復される、請求項1に記載の方法。
- カメラを用いて第3の回折パターンを収集することをさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- カメラを用いて第3の回折パターンを収集するステップと、第2または第3の回折パターンのいずれかのゆがみパターンを作成するために1つまたは複数のゆがみ係数を有する画像ワーピングアルゴリズムを使用するステップと、他方の回折パターンをゆがみのないまま残すステップとをさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- カメラを用いて第3の回折パターンを収集するステップと、第2または第3の回折パターンのいずれかのゆがみパターンを作成するために1つまたは複数のゆがみ係数を有する画像ワーピングアルゴリズムを使用するステップと、他方の回折パターンをゆがみのないまま残すステップとをさらに含み、画像ワーピングアルゴリズムがアフィン変換であり、ゆがみ係数がアフィン変換の係数である、請求項1に記載の方法。
- ゆがみパターンと非ゆがみパターンとの間の一致の品質を測定するステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- ゆがみパターンと非ゆがみパターンとの間の最高の品質一致を生じるゆがみ係数を見つけるステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- ゆがみ係数の値から試料中の1つまたは複数の方向の測定ひずみを決定するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 最良一致を見つけるためのアルゴリズムが、ゆがみパターンを非ゆがみパターンに当てはめるための非線形最小二乗当てはめアルゴリズムであり、アルゴリズムの当てはめパラメータがゆがみ係数である、請求項13に記載の方法。
- 一致の品質が、非ゆがみパターンとゆがみパターンとの間の画像相互相関係数によって定義され、最高の品質一致を見つけるためのアルゴリズムが、相互相関係数の最大値を見つけるための線形最適化アルゴリズムであり、最適化アルゴリズムの入力値がゆがみ係数である、請求項13に記載の方法。
- 試料上の様々な位置から複数の第3の回折パターンを収集するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 試料上のそれぞれの位置での回折パターンからひずみを測定するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 試料にわたるひずみ分布の1つまたは複数のマップを作成するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記物質の化学組成を測定するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定が、第3の回折パターンを獲得した位置で起こる、請求項19に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定がエネルギー分散X線分光分析および/または電子エネルギー損失分光分析によるものである、請求項19に記載の方法。
- 回折パターンを獲得したそれぞれの位置で前記物質の化学組成を測定するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定がエネルギー分散X線分光分析および/または電子エネルギー損失分光分析によるものである、請求項22に記載の方法。
- 試料にわたる化学組成分布の1つまたは複数のマップを作成するステップをさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 試料上の様々な位置から複数の第3の回折パターンを収集するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 試料上のそれぞれの位置での回折パターンからひずみを測定するステップをさらに含む、請求項25に記載の方法。
- 試料にわたるひずみ分布の1つまたは複数のマップを作成するステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 前記物質の化学組成を測定するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定が、第3の回折パターンを獲得した位置で起こる、請求項28に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定がエネルギー分散X線分光分析および/または電子エネルギー損失分光分析によるものである、請求項28に記載の方法。
- 回折パターンを獲得したそれぞれの位置で前記物質の化学組成を測定するステップをさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記物質の化学組成の測定がエネルギー分散X線分光分析および/または電子エネルギー損失分光分析によるものである、請求項31に記載の方法。
- 試料にわたる化学組成分布の1つまたは複数のマップを作成するステップをさらに含む、請求項32に記載の方法。
- ビーム偏向コイルおよび画像偏向コイルと物質試料を受け取るステージとを備えており、電圧を加えられた際に電子ビームを発生し、電子ビームが試料に対して入射角を有する透過型電子顕微鏡と、
ビーム偏向コイルを制御する電気ビーム偏向コイル制御シグナルおよび画像偏向コイルを制御する電気画像偏向コイル制御シグナルを発生する歳差装置と、
ビーム偏向コイル制御シグナルおよび画像偏向コイル制御シグナルを制御して、試料から回折パターンのセットを収集するためのソフトウェアであって、
その際、前記ソフトウェアは、前記回折パターンのセットから動力学的回折効果を有する第1の回折パターンを分析し、当該分析に応答して、
動力学的回折効果を軽減させるために、前記ビーム偏向コイル制御シグナルのうちの少なくとも1つを調節し、
ビーム偏向コイル制御シグナルによって誘導された前記第1の回折パターンの動きを停止させるために、前記画像偏向コイル制御シグナルのうちの少なくとも1つを調節し、
前記回折パターンのセットから既知のひずみを有する物質の領域からの第2の回折パターンを収集し、
前記回折パターンのセットから未知のひずみを有する物質の領域からの第3の回折パターンを収集するものであり、
ここで、前記ソフトウェアは、前記分析に基づいてひずみ分布および空間的に登録されている元素組成分布を構築し、物質中のひずみを決定する、
前記ソフトウェアと
を備えた、物質中のひずみを測定するためのシステム。 - 前記物質から回折パターンを収集するために配置されたカメラをさらに備えた、請求項34に記載のシステム。
- 歳差装置によってビームの入射角を0.1〜2度の間で変化させる、請求項34に記載のシステム。
- 入射角を、周期的な時間依存的な様式で、10〜1000Hzの間の周期的な周波数で変化させる、請求項34に記載のシステム。
- エネルギー分散X線検出器と、
X線検出器からスペクトルを獲得して前記物質の組成を決定するためのソフトウェアとをさらに備えた、請求項34から37のいずれか一項に記載のシステム。 - 電子エネルギー損失分光計と、
電子エネルギー損失分光計からスペクトルを獲得して前記物質の組成を決定するためのソフトウェアと
をさらに備えた、請求項34から37のいずれか一項に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261608413P | 2012-03-08 | 2012-03-08 | |
US61/608,413 | 2012-03-08 | ||
PCT/US2013/029947 WO2013134680A1 (en) | 2012-03-08 | 2013-03-08 | System and process for measuring strain in materials at high spatial resolution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015514974A JP2015514974A (ja) | 2015-05-21 |
JP6116598B2 true JP6116598B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=49117394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014561154A Active JP6116598B2 (ja) | 2012-03-08 | 2013-03-08 | 物質中のひずみを高空間分解能で測定するためのシステムおよび方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9274070B2 (ja) |
EP (1) | EP2823290B1 (ja) |
JP (1) | JP6116598B2 (ja) |
KR (1) | KR101999988B1 (ja) |
CN (1) | CN104272096B (ja) |
WO (1) | WO2013134680A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2642279B1 (en) * | 2012-03-19 | 2015-07-01 | Universidad de Barcelona | Method and system for improving characteristic peak signals in analytical electron microscopy |
WO2014068689A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 株式会社日立製作所 | 分光素子、およびそれを用いた荷電粒子線装置 |
US9568442B2 (en) * | 2013-05-24 | 2017-02-14 | Drexel University | Strain mapping in TEM using precession electron diffraction |
US9279777B2 (en) * | 2013-08-06 | 2016-03-08 | International Business Machines Corporation | Analyzing strain distribution in semiconductor structures using nano-beam diffraction |
SG10201401046UA (en) | 2014-03-27 | 2015-10-29 | Nanyang Polytechnic | Real-time multi-point diffraction-based imaging system for strain measurement |
WO2016174707A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び当該装置を用いた試料の観察方法 |
TWI656339B (zh) * | 2015-10-30 | 2019-04-11 | 聯華電子股份有限公司 | 分析半導體通道區之應變的方法 |
US9978560B2 (en) | 2016-06-30 | 2018-05-22 | International Business Machines Corporation | System and method for performing nano beam diffraction analysis |
KR102512987B1 (ko) | 2016-07-08 | 2023-03-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 격자 스트레인 분석 방법 |
FR3055969B1 (fr) | 2016-09-14 | 2020-02-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Methode de determination de la deflexion d'un faisceau d'electrons resultant d'un champ electrique et/ou d'un champ magnetique |
EP3379236B1 (en) * | 2017-03-20 | 2019-09-11 | TESCAN Brno, s.r.o. | Scanning transmission electron microscope |
FR3074949B1 (fr) | 2017-12-11 | 2019-12-20 | Electricite De France | Procede, dispositif et programme de traitement d'images de diffraction d'un materiau cristallin |
FR3098641B1 (fr) * | 2019-07-08 | 2021-07-23 | Commissariat Energie Atomique | Procédé d'analyse par microscopie électronique |
CN113806760B (zh) * | 2021-04-09 | 2024-05-17 | 京东科技控股股份有限公司 | 获取特征间相关系数方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN114964590B (zh) * | 2022-05-26 | 2023-08-18 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | 一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3134853B2 (ja) | 1998-08-21 | 2001-02-13 | 日本電気株式会社 | 結晶歪み測定方法、結晶歪み測定装置及び記録媒体 |
JP3990983B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 微小領域物性計測方法及び装置 |
JP3867524B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2007-01-10 | 株式会社日立製作所 | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 |
JP3888980B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2007-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 物質同定システム |
AU2003270138A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-16 | Uranos | A method for measuring diffraction patterns from a transmission electron microscopy to determine crystal structures and a device therefor |
JP2005032732A (ja) * | 2004-09-15 | 2005-02-03 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP4262184B2 (ja) | 2004-10-12 | 2009-05-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 透過型電子顕微鏡およびそれを用いた像観察方法 |
JP2007173132A (ja) | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査透過電子顕微鏡、および走査透過電子顕微鏡の調整方法 |
CN101206185A (zh) * | 2007-10-23 | 2008-06-25 | 湘潭大学 | 一种测量铁电膜残余应力的方法 |
WO2010052289A1 (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-14 | Nanomegas Sprl | Methods and devices for high throughput crystal structure analysis by electron diffraction |
EP2197018A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-16 | FEI Company | Method for determining distortions in a particle-optical apparatus |
JP5160520B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-03-13 | 株式会社東芝 | 結晶格子モアレパターン取得方法および走査型顕微鏡 |
JP5517584B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-06-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
EP2413345B1 (en) * | 2010-07-29 | 2013-02-20 | Carl Zeiss NTS GmbH | Charged particle beam system |
-
2013
- 2013-03-08 CN CN201380024099.2A patent/CN104272096B/zh active Active
- 2013-03-08 JP JP2014561154A patent/JP6116598B2/ja active Active
- 2013-03-08 US US14/383,713 patent/US9274070B2/en active Active
- 2013-03-08 EP EP13757134.5A patent/EP2823290B1/en active Active
- 2013-03-08 KR KR1020147028408A patent/KR101999988B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-08 WO PCT/US2013/029947 patent/WO2013134680A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9274070B2 (en) | 2016-03-01 |
EP2823290A4 (en) | 2015-11-18 |
KR20140143178A (ko) | 2014-12-15 |
US20150076346A1 (en) | 2015-03-19 |
EP2823290A1 (en) | 2015-01-14 |
CN104272096A (zh) | 2015-01-07 |
CN104272096B (zh) | 2016-12-14 |
JP2015514974A (ja) | 2015-05-21 |
EP2823290B1 (en) | 2017-09-13 |
WO2013134680A1 (en) | 2013-09-12 |
KR101999988B1 (ko) | 2019-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6116598B2 (ja) | 物質中のひずみを高空間分解能で測定するためのシステムおよび方法 | |
Lazić et al. | Phase contrast STEM for thin samples: Integrated differential phase contrast | |
Kammers et al. | Digital image correlation under scanning electron microscopy: methodology and validation | |
JP3867524B2 (ja) | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 | |
James et al. | Practical aspects of atomic resolution imaging and analysis in STEM | |
JP5562243B2 (ja) | ナノスケール変形を測定する方法、デバイス及びシステム | |
JP4587742B2 (ja) | 荷電粒子線顕微方法及び荷電粒子線応用装置 | |
Yuan et al. | Lattice strain mapping using circular Hough transform for electron diffraction disk detection | |
JP5990482B2 (ja) | 分析電子顕微鏡法における特性ピーク信号改良方法、特性ピーク信号改良システム、及び特性ピーク信号改良プログラム | |
CN104048979B (zh) | 多重图像度量 | |
JP5106627B2 (ja) | 回折像取得方法、及び荷電粒子線装置 | |
Maunders et al. | Practical methods for the measurement of spatial coherence—a comparative study | |
JP7228558B2 (ja) | 透過菊池回折パターンの改良方法 | |
JP2012255766A (ja) | 結晶材料の格子歪分布評価方法及び格子歪分布評価システム | |
JP4997013B2 (ja) | 電子分光器を備えた電子顕微鏡 | |
Caplins et al. | Orientation mapping of graphene using 4D STEM-in-SEM | |
JP4337832B2 (ja) | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 | |
Zotta et al. | The determination and application of the point spread function in the scanning electron microscope | |
JP5431169B2 (ja) | 電子顕微鏡及びデフォーカス偏差又は解像限界の測定方法 | |
Mahr et al. | Towards the interpretation of a shift of the central beam in nano-beam electron diffraction as a change in mean inner potential | |
WO2015037313A1 (ja) | 走査透過電子顕微鏡及びその収差測定方法 | |
JP5777984B2 (ja) | 多極子測定装置 | |
O'Leary | The development and applications of STEM ptychography using direct electron detectors | |
Yu | Atomic-resolution studies of In {sub 2} O {sub 3}-ZnO compounds on aberration-corrected electron microscopes | |
JP2016001576A (ja) | 透過型電子顕微鏡の分解能検定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170321 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6116598 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |