JP6113135B2 - 半導体フィールドプレートを含むiii−v族トランジスタ - Google Patents
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Description
本発明において用いられる表現「III−V族半導体」とは、少なくとも1つのIII族元素と少なくとも1つのV族元素とを含む化合物半導体のことである。一例としてIII−V族半導体を、III族窒化物半導体として形成することができる。「III族窒化物」又は「III−N」とは、窒素と少なくとも1つのIII族元素例えばアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)及びホウ素(B)などを含む化合物半導体のことであり、以下に挙げる合金のいずれかに限定されるものではないが、例えば、窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1-x)N)、窒化インジウムガリウム(InyGa(1-y)N)、窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlxInyGa(1-x-y)N)、砒化燐化窒化ガリウム(GaAsaPbN(1-a-b))、砒化燐化窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlxInyGa(1-x-y)AsaPbN(1-a-b))などである。さらにIII−Nとは一般に、以下に限定されるものではないが、Ga極性、N極性、半極性、又は無極性の結晶配向のいずれかを含む極性のことも指す。III−N材料には、ウルツ鉱、閃亜鉛鉱、又は混合されたポリタイプも含めることができるし、さらに単一結晶、単結晶、多結晶又は非晶質構造も含めることができる。また、本発明において用いられる窒化ガリウム又はGaNとは、III−N化合物半導体のことであり、この場合、1つ又は複数のIII族元素には、若干量又は相当量のガリウムが含まれるが、ガリウムに加え他のIII族元素も含めることができる。III−N又はGaNトランジスタを、高電圧用複合エンハンスメント型トランジスタとすることができ、このトランジスタはIII−Nトランジスタ又はGaNトランジスタを低電圧用IV族トランジスタとカスコード接続することによって形成される。
http://www.powdec.co.jp/news/file/Powdec-20131003e.pdf
及び
http://www.digitimes.com/supply_chain_window/story.asp?datepublish=2011/03/28&pages=PR&seq=201&query=POWDEC
・アメリカ合衆国特許第6,649,287号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Method "(窒化ガリウム材料および方法)、出願日:2000年12月14日、発行日:2003年11月18日;
・アメリカ合衆国特許第6,617,060号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Method "(窒化ガリウム材料および方法)、出願日:2002年7月2日、発行日:2003年9月9日;
・アメリカ合衆国特許第7,339,205号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Methods Associated with the Same "(窒化ガリウム材料および該材料に関連する方法)、出願日:2004年6月28日、発行日:2008年3月4日;
・アメリカ合衆国特許第8,344,417号、発明の名称:" Gallium Nitride Semiconductor Structures with Compositionally-Graded Transition Layer "(組成的な勾配が付けられた転移層を含む窒化ガリウム半導体構造)、出願日:2012年1月27日、発行日:2013年1月1日;
・アメリカ合衆国特許第8,592,862号、発明の名称:" Gallium Nitride Semiconductor Structures with Compositionally-Graded Transition Layer "(組成的な勾配が付けられた転移層を含む窒化ガリウム半導体構造)、出願日:2012年12月27日、発行日:2013年11月26日;
・アメリカ合衆国特許第8,659,030号、発明の名称:" III-Nitride Heterojunction Devices Having a Multilayer Spacer "(多層スペーサを含むIII族窒化物ヘテロ接合デバイス)、出願日:2012年2月15日、発行日:2014年2月25日;
・アメリカ合衆国特許出願第12/928,946号、発明の名称:" Stress Modulated Group III-V Semiconductor Device and Related Method "(応力変調III−V族半導体デバイスおよび関連方法)、出願日:2010年12月21日、アメリカ合衆国特許出願公開第2012/0153351号、公開日:2012年6月21日;
・アメリカ合衆国特許出願第11/531,508号、発明の名称:" Process for Manufacture of Super Lattice Using Alternating High and Low Temperature Layers to Block Parasitic Current Path "(寄生電流経路を閉塞するために交互の高温層および低温層を用いる超格子の製造方法)、出願日:2006年9月13日、アメリカ合衆国特許出願公開第2007/0056506号、公開日:2007年3月15日;
・アメリカ合衆国特許出願第13/405,180号、発明の名称:" III-Nitride Semiconductor Structures with Strain Absorbing Interlayer Transition Modules "(歪吸収中間層遷移モジュールを有するIII族窒化物半導体構造)、出願日:2012年2月24日、アメリカ合衆国特許出願公開第2012/0223365号、公開日:2012年9月6日。
ここで上記特許及び特許出願を参照したことにより、それらの開示内容全体が本出願にすべて組み込まれたものとする。
Claims (12)
- III−V族トランジスタにおいて、
基板の上に配置され、二次元電子ガス(2DEG)を生成するように構成されたIII−V族ヘテロ構造と、
前記III−V族ヘテロ構造の上に配置されたソース電極とドレイン電極とゲートと、
前記III−V族ヘテロ構造の上に設けられ、前記ゲートと前記ドレイン電極との間かつ前記ゲートの上表面および前記ドレイン電極の上表面より低く配置された絶縁層と、
前記ゲートと前記ドレイン電極との間かつ前記ゲートの前記上表面および前記ドレイン電極の前記上表面より低く配置され、前記絶縁層の上に前記絶縁層に接触して設けられた半導体フィールドプレートと、
を含み、
前記絶縁層は、前記ドレイン電極と隣接し、
前記半導体フィールドプレートは、前記ゲート及び前記ドレイン電極各々と隣接している、
III−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、約104Ω/sq〜約107Ω/sqの範囲のシート抵抗を有する、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、非晶質の半導体層を含む、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、単結晶の半導体層を含む、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、多結晶の半導体層を含む、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、多結晶のIII族窒化物層を含む、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、非晶質のIII族窒化物層を含む、
請求項1に記載のIII−V族トランジスタ。 - III族窒化物トランジスタにおいて、
基板の上に配置された窒化ガリウム(GaN)チャネル層と、
前記窒化ガリウム(GaN)チャネル層の上に配置された窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)バリア層と、
を含み、
前記窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)バリア層と前記窒化ガリウム(GaN)チャネル層は、二次元電子ガス(2DEG)を生成するように構成されており、
さらに、前記窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)バリア層の上に配置されたソース電極とドレイン電極とゲートと、
前記窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)バリア層の上に設けられ、前記ゲートと前記ドレイン電極との間かつ前記ゲートの上表面および前記ドレイン電極の上表面より低く配置された絶縁層と、
前記ゲートと前記ドレイン電極との間かつ前記ゲートの前記上表面および前記ドレイン電極の前記上表面より低くに配置され、前記絶縁層の上に前記絶縁層に接触して設けられた半導体フィールドプレートと、
を含み、
前記絶縁層は、前記ドレイン電極と隣接し、
前記半導体フィールドプレートは、前記ゲート及び前記ドレイン電極各々と隣接している、
III族窒化物トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、約104Ω/sq〜約107Ω/sqの範囲のシート抵抗を有する、
請求項8に記載のIII族窒化物トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、非晶質の半導体層を含む、
請求項8に記載のIII族窒化物トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、単結晶のIII族窒化物層を含む、
請求項8に記載のIII族窒化物トランジスタ。 - 前記半導体フィールドプレートは、多結晶のIII族窒化物層を含む、
請求項8に記載のIII族窒化物トランジスタ。
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