JP6110325B2 - 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
このような近赤外線カットフィルタの材料として、スルホン酸エステル銅錯体を用いた近赤外線吸収性組成物(特許文献1)や、リン酸エステル銅錯体を用いた近赤外線吸収性組成物も知られている(特許文献2)。
具体的には、以下の手段<1>により、好ましくは、手段<2>〜<27>により、上記課題は解決された。
<1>銅成分に対して、下記一般式(I)で表されるスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなる銅錯体を含有する、近赤外線吸収性組成物。
一般式(I)
<2>銅を中心金属とし、下記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、下記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が互いに異なる銅錯体、ならびに、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
<3>R1およびR2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または不飽和二重結合を有する有機基である、<1>または<2>に記載の近赤外線吸収性組成物。
<4>R1および/またはR2が、分子量300以下の有機基である、<1>〜<3>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<5>一般式(I)で表されるスルホン酸が、無置換のアルキルスルホン酸、置換または無置換のアリールスルホン酸、フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸、および、置換または無置換のアルケニルスルホン酸のいずれかから選択される、<1>〜<4>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<6>銅錯体が、銅成分に対して、一般式(I)で表されるスルホン酸もしくはその塩を3種以上反応させてなる<1>〜<5>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物、または、
近赤外線吸収性組成物が、一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、一般式(II)で表される構造であって、該構造が互いに異なる構造を含有する銅錯体を3種以上含有する、<2>〜<5>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<7>近赤外線吸収性組成物が、さらに、一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一である銅錯体、または、一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が全て同一である銅錯体を含有する、<2>〜<6>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<8>銅成分に対して、下記一般式(III)で表されるスルホン酸またはその塩を反応させてなる銅錯体、および、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
一般式(III)
<9>銅を中心金属とし、下記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とする銅錯体、または、下記一般式(IV)で表される構造を含有する銅錯体、および、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
<10>R3およびR4は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基を有する有機基である、<8>または<9>に記載の近赤外線吸収性組成物。
<11>R3および/またはR4が、分子量300以下の有機基である、<8>〜<10>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<12>一般式(III)で示されるスルホン酸が、無置換のアルキルスルホン酸、置換または無置換のアリールスルホン酸、フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸、および、置換または無置換のアルケニルスルホン酸のいずれかから選択される、<8>〜<11>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<13>近赤外線吸収性組成物が、一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一である銅錯体、または、一般式(IV)で表される構造を含有し、該構造が全て同一である銅錯体を2種以上含有する、<9>〜<12>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<14>銅錯体が、カルボン酸を配位子としてさらに有する、<1>〜<13>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<15>硬化性化合物をさらに含有する、<1>〜<14>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<16>硬化性化合物が、3官能以上の(メタ)アクリレートおよび/またはエポキシ樹脂である、<15>に記載の近赤外線吸収性組成物。
<17>近赤外線吸収性組成物の固形分が35〜90質量%である、<1>〜<16>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<18>固体撮像素子用イメージセンサ上に塗膜形成して用いられる、<1>〜<17>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
<19>銅成分に対して、酸基を2以上有する化合物またはその塩を反応させてなる銅錯体を含有する近赤外線吸収性組成物。
<20>2以上の酸基を有する化合物に含まれる酸基が、スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基から選択される、<19>に記載の近赤外線吸収性組成物。
<21>2以上の酸基を有する化合物が、少なくとも、スルホン酸基とカルボン酸基を含む、<19>に記載の近赤外線吸収性組成物。
<22><1>〜<21>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を用いて作成された近赤外線カットフィルタ。
<23>固体撮像素子基板と、固体撮像素子基板の受光側に配置された<22>記載の近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュール。
<24>固体撮像素子基板と、固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールの製造方法であって、固体撮像素子基板の受光側において、<1>〜<21>のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより近赤外線カットフィルタを形成する工程を有する、カメラモジュールの製造方法。
<25>銅成分に対して、下記一般式(I)で表されるスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなる、スルホン酸銅錯体混合物。
一般式(I)
<26>銅を中心金属とし、下記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なるスルホン酸銅錯体、または、下記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が互いに異なるスルホン酸銅錯体、および、
下記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体、または、下記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体を含有する、スルホン酸銅錯体混合物。
<27>銅成分に対して、下記一般式(III)で表されるスルホン酸またはその塩を反応させてなるスルホン酸銅錯体、
銅を中心金属とし、下記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とするスルホン酸銅錯体、または、
下記一般式(IV)で表される構造を含有するスルホン酸銅錯体。
<28>銅錯体が、一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体、または、一般式(IV)で表される構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体
を2種以上含有するスルホン酸銅錯体混合物である、<27>に記載のスルホン酸銅錯体。
本明細書中において、“(メタ)アクリレート”はアクリレートおよびメタクリレートを表し、“(メタ)アクリル”はアクリルおよびメタクリルを表し、“(メタ)アクリロイル”はアクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、重量平均分子量が2,000以下の化合物をいう。
本明細書中において、重合性化合物とは、重合性官能基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性官能基とは、重合反応に関与する基をいう。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基(原子団)と共に置換基を有する基(原子団)をも包含するものである。
本発明における近赤外線とは、極大吸収波長領域が700〜2500nmの光(電磁波)をいう。
以下、本発明のスルホン酸銅錯体の第1の実施の形態および第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態は、銅成分に対して、スルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなるスルホン酸銅錯体である。第2の実施の形態は、(メタ)アクリルエステル基を含有しないスルホン酸と銅とを含有するスルホン酸銅錯体である。
本発明のスルホン酸銅錯体を用いることにより、本発明のスルホン酸銅錯体を配合した近赤外吸収性組成物を硬化膜としたときに、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性を向上させることができる。リン酸エステル銅錯体ではなく本発明のスルホン酸銅錯体を用いることにより、硬化膜としたときに高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成することができる近赤外吸収性組成物を提供することができる。
本発明のスルホン酸銅錯体は、銅成分に対して、下記一般式(I)で表されるスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなるものである。このような本発明のスルホン酸銅錯体を用いることにより、本発明のスルホン酸銅錯体を配合した近赤外吸収性組成物中での溶剤(特に有機溶剤)への溶解性をより向上させることができる。
本発明のスルホン酸銅錯体は、好ましくは、銅成分に対して、下記一般式(I)で表されるスルホン酸またはその塩を3種以上(より好ましくは3種または4種)反応させてなるものである。これにより、本発明のスルホン酸銅錯体を配合した近赤外吸収性組成物中での溶剤(特に有機溶剤)への溶解性をさらに向上させることができる。
本発明のスルホン酸銅錯体は、前記一般式(I)で表されるスルホン酸が、無置換のアルキルスルホン酸、置換または無置換のアリールスルホン酸、フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸、および、置換または無置換のアルケニルスルホン酸のいずれかから選択されることが好ましい。
無置換のアルキルスルホン酸としては、例えば、前記一般式(I)中、R1として上述した無置換のアルキル基を有するスルホン酸が挙げられる。
置換または無置換のアリールスルホン酸としては、例えば、前記一般式(I)中、R1として上述した置換または無置換のアリール基を有するスルホン酸が挙げられる。
フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸としては、例えば、前記一般式(I)中、R1として上述したフッ素原子で置換されたアルキル基を有するスルホン酸が挙げられる。
置換または無置換のアルケニルスルホン酸としては、例えば、前記一般式(I)中、R1として上述した炭素−炭素二重結合を含むアルキル基が挙げられる。
R1におけるアルキル基は、置換されていてもよい。また、R1におけるアルキル基は、鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状のものが好ましい。アルキル基としては、炭素数1〜30のアルキル基が好ましく、炭素数1〜20のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜5のアルキル基がさらに好ましい。
R1におけるアリール基としては、置換または無置換の炭素数6〜25のアリール基が好ましく、置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基がさらに好ましく、置換基を有する炭素数6〜10のアリール基がより好ましい。また、R1におけるアリール基としては、6員環が好ましい。また、R1におけるアリール基は、単環または縮合環であってもよいが、単環であることがより好ましい。R1におけるアリール基が縮合環である場合、2〜8の縮合環が好ましく、2〜4の縮合環がより好ましい。特に、R1におけるアリール基としては、置換基を有するフェニル基が好ましい。
R1におけるヘテロアリール基としては、5員環または6員環が好ましい。また、ヘテロアリール基は、単環または縮合環であり、単環または2〜8の縮合環が好ましく、単環または2〜4の縮合環がより好ましい。具体的には、窒素、酸素、硫黄原子の少なくとも一つを含有する単環、または多環芳香族環から誘導されるヘテロアリール基が用いられる。ヘテロアリール基中のヘテロアリール環の例としては、例えば、オキゾール環、チオフェン環、チアスレン環、フラン環、ピラン環、イソベンゾフラン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサジン環、ピロール環、ピラゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、イソインドリジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、キノリジン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キナゾリン環、シノリン環、プテリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナンスリン環、アクリジン環、ペリミジン環、フェナンスロリン環、フタラジン環、フェナルザジン環、フェノキサジン環、フラザン環等が挙げられる。
置換基としては、スルホン酸基、リン原子を含有する酸基、アミノ基、カルバモイル基、カルバモイルオキシ基等も挙げられる。R1が直鎖状のアルキル基および分岐状のアルキル基である場合に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、重合性基およびカルボン酸基の少なくとも1種が挙げられる。
なお、上述した不飽和二重結合を有する有機基としては、前記重合性基を置換基として有するアルキル基、重合性基を置換基として有するアリール基が挙げられる。例えば、不飽和二重結合を有する有機基としては、−L−C=Cが挙げられる。ここで、Lは、−(CH2)m−(mは1〜10の整数、好ましくは1〜6の整数、より好ましくは1〜4の整数)、炭素数5〜10の環状のアルキレン基、炭素数6〜10のアリール基、または、これらの基と、−O−、−COO−、−S−、−NH−および−CO−の少なくとも1つの組み合わせからなる基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。特に、フッ素原子を2つ以上有する炭素数が1〜10のアルキル基が好ましく、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよいが、直鎖状または分岐鎖状のものが好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基における炭素数は、1〜10がより好ましく、1〜5がさらに好ましく、1〜3がより好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、末端の構造が(−CF3)であることが好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、フッ素原子の置換率が、50〜100%であることが好ましく、80〜100%であることがさらに好ましい。ここで、フッ素原子の置換率とは、フッ素原子で置換されたアルキル基において、水素原子がフッ素原子に置換されている比率(%)のことをいう。
特に、ハロゲン化アルキル基としては、ペルフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数1〜10のペルフルオロアルキル基がさらに好ましく、トリフルオロエチル基及びトリフルオロメチル基がさらに好ましい。
カルボン酸エステルとしては、例えば、カルボン酸メチル基、カルボン酸エチル基、カルボン酸プロピル基およびカルボン酸ブチル基等が挙げられ、カルボン酸メチル基が好ましい。
本発明のスルホン酸銅錯体は、R1において、アルキル基が置換基を有する場合、置換基としては、上述したハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)、ビニル基、(メタ)アクリロイルオキシ基)および(メタ)アクリロイル基が好ましく、ビニル基および(メタ)アクリロイルオキシ基)がより好ましい。また、R1がアルキル基である場合に有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、スルホン酸基、カルボン酸基およびカルボン酸メチル基の少なくとも1種も挙げられる。
また、R1において、アリール基が置換基を有する場合、置換基としては、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)、ビニル基、無置換のアルキル基(好ましくはメチル基)、カルボン酸エステル基(好ましくはカルボン酸メチルエステル基)、(メタ)アクリロイル基が好ましく、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、メチル基がより好ましい。また、R1がアリール基である場合に有していてもよい置換基としては、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、スルホン酸基およびカルボン酸基の少なくとも1種も挙げられる。
前記一般式(I)中、R1は、分子量300以下の有機基であることが好ましく、分子量50〜200の有機基がより好ましく、分子量60〜100の有機基がさらに好ましい。
(1A)銅を中心金属とし、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体(以下、銅錯体(I−A)ともいう)、または、下記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が互いに異なる銅錯体(以下、銅錯体(II−A)ともいう)。ここで、銅をCu、互いに異なる配位子(スルホン酸)をA、Bとしたとき、銅錯体(I−A)および銅錯体(II−A)は、A−Cu−Bのような構造、すなわち、銅に対して非対称な構造を有する。
一般式(II)
前記一般式(II)中、R2は、前記一般式(I)におけるR1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
(1B)前記(1A)の形態において、さらに、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体(以下、銅錯体(I−B)ともいう)、または、前記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体(以下、銅錯体(II−B)ともいう)を含有する、スルホン酸銅錯体混合物。
すなわち、銅錯体(I−A)または銅錯体(II−A)と、銅錯体(I−B)または銅錯体(II−B)を含有するスルホン酸銅錯体混合物。ここで、銅をCu、配位子(スルホン酸)をAまたはBとしたとき、銅錯体(I−B)および銅錯体(II−B)は、A−Cu−AまたはB−Cu−Bのような構造、すなわち、銅に対して対称な構造を有する。
(1C)前記銅錯体(I−A)または前記銅錯体(II−A)を3種以上(好ましくは3種または4種)含有するスルホン酸銅錯体混合物。
(1D)前記(1C)の形態において、さらに、銅錯体(I−A)または銅錯体(II−A)と、銅錯体(I−B)または銅錯体(II−B)を含有するスルホン酸銅錯体混合物。すなわち、前記銅錯体(I−A)または前記銅錯体(II−A)を3種以上(好ましくは3種または4種)と、銅錯体(I−A)または銅錯体(II−A)を含有するスルホン酸銅錯体混合物。
本発明のスルホン酸銅錯体は、銅成分に対して、下記一般式(III)で表されるスルホン酸またはその塩を反応させてなるスルホン酸銅錯体、銅を中心金属とし、下記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とするスルホン酸銅錯体、または、下記一般式(IV)で表される構造を含有するスルホン酸銅錯体であってもよい。
このような本発明のスルホン酸銅錯体を用いることにより、本発明のスルホン酸銅錯体を配合した近赤外吸収性組成物中での溶剤(特に水)への溶解性をより向上させることができる。
前記一般式(III)および(IV)中、R3およびR4は、前記一般式(I)および一般式(II)におけるR1およびR2で説明したアルキル基(特に、無置換の炭素数1〜10のアルキル基)、置換基を有するアリール基(特に、置換基として炭素数1〜5のアルキル基を有するアリール基)、不飽和二重結合を有する有機基(特に、置換基としてビニル基を有する炭素数1〜10のアルキル基および置換基としてビニル基を有する炭素数6〜10のアリール基、二価の連結基(特に、−(CH2)m−(mは1〜10の整数)と炭素数5〜10の環状のアルキレン基と−CO−との組み合わせからなる基)を有する炭素数1〜10のアルキル基)であることが好ましい。
また、銅成分と反応させるスルホン酸またはその塩は、通常1種以上であり、好ましくは2種以上であり、より好ましくは3種以上であり、特に好ましくは3種または4種である。
(2A)銅成分に対して、前記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体(以下、銅錯体(III−A)ともいう)、または、銅を中心金属とし、前記一般式(IV)で表される構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体(以下、銅錯体(IV−A)ともいう)を1種含有するスルホン酸銅錯体。すなわち、前記銅錯体(III−A)または前記銅錯体(IV−A)を1種含有するスルホン酸銅錯体。
(2B)銅成分に対して、前記銅錯体(III−A)、または、前記銅錯体(IV−A)を2種以上(好ましくは3種または4種)含有するスルホン酸銅錯体混合物。
以下、第1の実施の形態および第2の実施の形態のスルホン酸銅錯体に共通する事項について説明する。
前記一般式(I)、(III)で表されるスルホン酸の分子量、および、前記一般式(II)、(IV)で表される構造の式量は、60〜500が好ましく、70〜300がより好ましく、80〜200がより好ましい。
本発明のスルホン酸銅錯体に用いられるスルホン酸の具体例としては、下記表に示す例示化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、下記表の例示化合物の塩も用いることができる。
下記表中、A−1〜A−130の有機基は、下記一般式中のRを表す。また、下記表中、A−1〜A−130の有機基における「*」は、下記一般式中の硫黄原子との結合部位を表す。
なお、上述した第2の実施の形態のスルホン酸銅錯体(すなわち、前記スルホン酸の例示化合物のいずれか1種のみ用いた銅錯体)において、前記例示化合物(A−110)または(A−111)のみを反応させてなるものは除くものとする。
下記表において、化合物(i)〜(iV)は、前記一般式(I)、(III)で表されるスルホン酸、または、前記一般式(II)、(IV)で表される構造中のR1〜R4に対応する。例えば、銅錯体(Cu−1)は、スルホン酸として、前記例示化合物(A−1)と(A−2)を用いた場合、すなわち2種のスルホン酸を反応させてなる銅錯体を表す。
また、下記表中の(A−1)等は、前記スルホン酸の例示化合物(A−1)〜(A−149)に対応する。
上述した銅成分としては、銅または銅を含む化合物を用いることができる。銅を含む化合物としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、1価または2価の銅が好ましく、2価の銅がより好ましい。銅塩としては、酢酸銅、塩化銅、ギ酸銅、ステアリン酸銅、安息香酸銅、エチルアセト酢酸銅、ピロリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、硝酸銅、硫酸銅、炭酸銅、塩素酸銅、(メタ)アクリル酸銅、過塩素酸銅がより好ましく、酢酸銅、塩化銅、硫酸銅、安息香酸銅、(メタ)アクリル酸銅がさらに好ましい。
本発明で用いられるスルホン酸の塩としては、例えば金属塩が好ましく、具体的には、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、ホウ酸塩等が挙げられる。
銅成分と、上述したスルホン酸またはその塩とを反応させる際の反応比率としては、モル比率で銅成分:スルホン酸またはその塩=1:1〜1:6とすることが好ましい。
また、銅成分と、上述したスルホン酸またはその塩とを反応させる際の反応条件は、例えば、0〜140℃で、10分以上とすることが好ましい。
本発明のスルホン酸銅錯体は、近赤外線波長領域700〜2500nmに極大吸収波長を有するが、好ましくは720〜950nmに極大吸収波長を有することが好ましく、さらに750〜900nmが好ましく、特に790〜880nmが好ましい。極大吸収波長は、例えばCary 5000 UV−Vis−NIR(分光光度計 アジレント・テクノロジー株式会社製)を用いて測定することができる。
本発明の近赤外線吸収性組成物(以下、本発明の組成物ともいう。)は、上述したスルホン酸銅錯体を含有する。
本発明の組成物によれば、可視領域では高い透過率を維持しつつ、高い近赤外線遮蔽性を実現できる近赤外線カットフィルタが得られる。また本発明によれば、近赤外線カットフィルタの膜厚を薄くでき、カメラモジュールの低背化に寄与できる。
本発明の組成物は、銅成分に対して、前記一般式(I)で表されるスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなる銅錯体、および、溶剤を含有するものである。
また、本発明の組成物は、銅を中心金属とし、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、前記下記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が互いに異なる銅錯体、ならびに、溶剤を含有するものであってもよい。
本発明の組成物は、前記銅錯体が、前記銅成分に対して、前記一般式(I)で表されるスルホン酸もしくはその塩を3種以上反応させてなるか、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、前記一般式(II)で表される構造であって、該構造が互いに異なる構造を含有する銅錯体を3種以上含有していることが好ましい。
本発明の組成物は、上述した本発明のスルホン酸銅錯体を用いることにより、近赤外吸収性組成物を硬化膜としたときに、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性を向上させることができる。また、本発明の組成物は、上述した第1の実施の形態のスルホン酸銅錯体を用いることにより、近赤外吸収性組成物中での溶剤(特に有機溶剤)への溶解性をより向上させることができる。また、本発明の組成物は、上述した第2の実施の形態のスルホン酸銅錯体を用いることにより、近赤外吸収性組成物中での溶剤(特に水)への溶解性をより向上させることができる。
<1>前記(1A)のスルホン酸銅錯体を含む組成物、前記(1B)のスルホン酸銅錯体を含む組成物、前記(1C)のスルホン酸銅錯体を含む組成物、前記(1D)のスルホン酸銅錯体を含む組成物、前記(2A)のスルホン酸銅錯体を含む組成物、前記(2B)のスルホン酸銅錯体を含む組成物。
<2>前記一般式(I)で表される2種のスルホン酸を反応させてなる銅錯体を含有する組成物において、少なくとも一種の前記一般式(I)で表されるスルホン酸のR1が無置換のアルキル基であり、かつ、他の少なくとも一種の前記一般式(I)で表されるスルホン酸のR1が以下の基である。
置換基を有するアリール基であるか、
フッ素原子で置換されたアルキル基であるか、
−(CH2)m−(mは1〜10の整数)、炭素数5〜10の環状のアルキレン基と、または、これらの基と、−O−、−COO−、−NH−および−CO−の少なくとも1つの組み合わせからなる基。
本発明の組成物中の固形分中におけるスルホン酸銅錯体の配合量は、30〜90質量%が好ましく、35〜85質量%がより好ましく、40〜80質量%がさらに好ましい。
本発明の組成物は、実質的に、2種以上の上述したスルホン酸銅錯体を含んでいてもよい。ここで、実質的に含まないとは、本発明の組成物中における、前記式(I)または前記式(II)で表されるスルホン酸銅錯体の配合量が、1質量%以下であることをいい、0.1質量%以下であることがより好ましく、0質量%であることが特に好ましい。
一般式(i)中、n価の有機基は、炭化水素基またはオキシアルキレン基が好ましく、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基がより好ましい。炭化水素基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)、(メタ)アクリロイル基、不飽和二重結合を有する基が挙げられる。また、置換基としては、アルキル基、重合性基(例えば、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基など)、スルホン酸基、カルボン酸基、リン原子を含有する酸基、カルボン酸エステル基(例えば−CO2CH3)、水酸基、アルコキシ基(例えばメトキシ基)、アミノ基、カルバモイル基、カルバモイルオキシ基、ハロゲン化アルキル基(例えばフルオロアルキル基、クロロアルキル基)等も挙げられる。炭化水素基が置換基を有する場合、さらに置換基を有していてもよく、置換基としてはアルキル基、上記重合性基、ハロゲン原子等が挙げられる。
上記炭化水素基が2価の場合、アルキレン基、アリーレン基、オキシアルキレン基が好ましく、アリーレン基がより好ましい。炭化水素基が3価以上の場合には、上記2価の炭化水素基に対応するものが好ましい。
上記アルキル基及びアルキレン基の炭素数は、1〜20が好ましく、1〜10がより好ましい。アルキル基及びアルキレン基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基及びアルキレン基の炭素数は、1〜20が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜8がさらに好ましい。分岐状のアルキル基及びアルキレン基の炭素数は、3〜20が好ましく、3〜12がより好ましく、3〜8がさらに好ましい。環状のアルキル基及びアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。環状のアルキル基及びアルキレン基の炭素数は、3〜20が好ましく、4〜10がより好ましく、6〜10がさらに好ましい。
アルケニル基の炭素数は、2〜10が好ましく、2〜8がより好ましく、2〜4がさらに好ましい。
上記アリール基及びアリーレン基の炭素数は、6〜18が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜12がさらに好ましく、6〜10が特に好ましい。
一般式(i)中、X1は、スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうちの少なくとも1つが好ましく、スルホン酸基及びカルボン酸基を有するものが好ましい。X1は、1種単独でも2種以上であってもよいが、2種以上であることが好ましい。
一般式(i)中、nは、1〜3が好ましく、2または3がより好ましく、3がさらに好ましい。
酸基を2以上有する化合物またはその塩の分子量は、1000以下が好ましく、70〜1000が好ましく、70〜500がより好ましい。
(1)酸基が、スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基から選択される化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。また、上述したスルホン酸銅錯体A−131〜A−151も好ましい例として挙げられる。
本発明の組成物は、上述した銅錯体以外の他の近赤外線吸収性化合物として、無機微粒子を含んでいてもよい。無機微粒子は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
無機微粒子は、主に、赤外線を遮光(吸収)する役割を果たす粒子である。無機微粒子としては、赤外線遮光性がより優れる点で、金属酸化物粒子及び金属粒子からなる群から選択される少なくとも1つであることが好ましい。
無機微粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)粒子、酸化アンチモンスズ(ATO)粒子、アルミニウムによりドープされていてもよい酸化亜鉛(AlによりドープされてもよいZnO)粒子、フッ素ドープ二酸化スズ(FドープSnO2)粒子、又はニオブドープ二酸化チタン(NbドープTiO2)粒子などの金属酸化物粒子や、銀(Ag)粒子、金(Au)粒子、銅(Cu)粒子、又はニッケル(Ni)粒子などの金属粒子が挙げられる。なお、赤外線遮光性とフォトリソ性とを両立するためには、露光波長(365−405nm)の透過率が高い方が望ましく、酸化インジウムスズ(ITO)粒子又は酸化アンチモンスズ(ATO)粒子が好ましい。
無機微粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。
また無機微粒子としては酸化タングステン系化合物が使用でき、具体的には、下記一般式(組成式)(I)で表される酸化タングステン系化合物であることがより好ましい。
MxWyOz・・・(I)
Mは金属、Wはタングステン、Oは酸素を表す。
0.001≦x/y≦1.1
2.2≦z/y≦3.0
Mの金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Biが挙げられるが、アルカリ金属であることが好ましく、Rb又はCsであることが好ましく、Csであることがより好ましい。Mの金属は1種でも2種以上でも良い。
x/yが0.001以上であることにより、赤外線を十分に遮蔽することができ、1.1以下であることにより、酸化タングステン系化合物中に不純物相が生成されることをより確実に回避することできる。
z/yが2.2以上であることにより、材料としての化学的安定性をより向上させることができ、3.0以下であることにより赤外線を十分に遮蔽することができる。
金属酸化物は、セシウム酸化タングステンであることが好ましい。
上記一般式(I)で表される酸化タングステン系化合物の具体例としては、Cs0.33WO3、Rb0.33WO3、K0.33WO3、Ba0.33WO3などを挙げることができ、Cs0.33WO3又はRb0.33WO3であることが好ましく、Cs0.33WO3であることが更に好ましい。
金属酸化物は微粒子であることが好ましい。金属酸化物の微粒子の平均粒子径は、800nm以下であることが好ましく、400nm以下であることがより好ましく、200nm以下であることが更に好ましい。平均粒子径がこのような範囲であることによって、金属酸化物が光散乱によって可視光を遮断しにくくなることから、可視光領域における透光性をより確実にすることができる。光酸乱を回避する観点からは、平均粒子径は小さいほど好ましいが、製造時における取り扱い容易性などの理由から、金属酸化物の平均粒子径は、通常、1nm以上である。
酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のYMF−02などのタングステン微粒子の分散物として入手可能である。
金属酸化物の含有量は、金属酸化物を含有する組成物の全固形分質量に対して、0.01〜30質量%であることが好ましく、0.1〜20質量%であることがより好ましく、1〜10質量%であることがさらに好ましい。
本発明の組成物は、溶剤を含む。溶剤は1種類のみでも、2種類以上でもよい。本発明の組成物は、近赤外線吸収性組成物の固形分が35〜90質量%であることが好ましく、38〜80質量%であることがより好ましい。溶剤を2種類以上併用する場合、合計量が上記範囲となる。すなわち、溶剤は、本発明の組成物に対し10〜65質量%の割合で含むことが好ましく、本発明の組成物に対し20〜62質量%含まれることがより好ましく、本発明の組成物に対し30〜60質量%含まれることが特に好ましい。
本発明で用いられる溶剤は、特に制限はなく、本発明の組成物の各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水、有機溶剤、アルコール類、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。この場合、特に好ましくは、上記の3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートから選択される2種以上で構成される混合溶液である。
アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開2012−194534号公報段落0136等に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。また、エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開2012−208494号公報段落0497(対応する米国特許出願公開第2012/0235099号明細書の[0609])に記載のものが挙げられ、さらに、酢酸−n−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
本発明の組成物は、硬化性化合物を含むことが好ましい。しかしながら、銅錯体自体が重合性基を有する硬化性化合物の場合には、必ずしも必要ではない。硬化性化合物としては、重合性化合物であってもよいし、バインダー等の非重合性化合物であってもよい。また、硬化性化合物としては、熱硬化性化合物であってもよいし、光硬化性化合物であってもよいが、熱硬化性組成物の方が反応率が高いため好ましい。
硬化性組成物としては、重合性基を有する化合物(以下、「重合性化合物」ということがある)を含むことが好ましい。このような化合物群は当該産業分野において広く知られているものであり、本発明においてはこれらを特に限定なく用いることができる。これらは、例えば、モノマー、オリゴマー、プレポリマー、ポリマーなどの化学的形態のいずれであってもよい。
重合性化合物は、単官能であっても多官能であってもよいが、好ましくは、多官能である。多官能化合物を含むことにより、近赤外線遮蔽性および耐熱性をより向上させることができる。官能基の数は特に定めるものではないが、2〜8官能が好ましい。
(1)本発明の組成物に含有される硬化性化合物が(メタ)アクリレートである。
(2)本発明の組成物に含有される硬化性化合物が多官能の(メタ)アクリレートである。
(3)本発明の組成物に含有される硬化性化合物が3〜6官能の(メタ)アクリレートである。
(4)本発明の組成物に含有される硬化性化合物が多塩基酸変性アクリルオリゴマーである。
(5)本発明の組成物に含有される硬化性化合物がエポキシ樹脂である。
(6)本発明の組成物に含有される硬化性化合物が多官能のエポキシ樹脂である。
本発明の組成物の第一の好ましい実施態様は、重合性化合物として、重合性基を有するモノマー(重合性モノマー)または重合性基を有するオリゴマー(重合性オリゴマー)(以下、重合性モノマーと重合性オリゴマーを合わせて「重合性モノマー等」ということがある。)を含む。
これらの具体的な化合物としては、特開2009−288705号公報の段落番号0095〜段落番号0108に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
その例としては、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、等の単官能のアクリレートやメタアクリレート;
ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイロキシエチル)イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後(メタ)アクリレート化したもの、
特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号各公報に記載されているようなウレタン(メタ)アクリレート類、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号各公報に記載されているポリエステルアクリレート類、エポキシポリマーと(メタ)アクリル酸との反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタアクリレートおよびこれらの混合物を挙げることができる。
重合性化合物としては、多官能カルボン酸にグリシジル(メタ)アクリレート等の環状エーテル基とエチレン性不飽和基を有する化合物を反応させ得られる多官能(メタ)アクリレートなども挙げることができる。
また、その他の好ましい重合性モノマー等として、特開2010−160418、特開2010−129825、特許4364216等に記載される、フルオレン環を有し、エチレン性重合性基を2官能以上有する化合物、カルドポリマーも使用することが可能である。
mは1〜5が好ましく、1〜3がより好ましい。
Rは、以下の四つの構造が好ましい。
例えば、RP−1040(日本化薬株式会社製)などが挙げられる。
酸基を有する多官能モノマーの好ましい酸価としては、0.1〜40mg−KOH/gであり、特に好ましくは5〜30mg−KOH/gである。異なる酸基の多官能モノマーを2種以上併用する場合、或いは酸基を有しない多官能モノマーを併用する場合、全体の多官能モノマーとしての酸価が上記範囲に入るように調製することが好ましい。
カプロラクトン変性構造を有する多官能性単量体としては、その分子内にカプロラクトン変性構造を有する限り特に限定されるものではない。例えば、カプロラクトン変性構造を有する多官能性単量体としては、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、(メタ)アクリル酸およびε−カプロラクトンとをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能(メタ)アクリレートを挙げることができる。なかでも下記式(1)で表されるカプロラクトン変性構造を有する多官能性単量体が好ましい。
本発明において、カプロラクトン変性構造を有する多官能性単量体は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
前記一般式(i)中、アクリロイル基およびメタクリロイル基の合計は3個または4個であり、mは各々独立に0〜10の整数を表し、各mの合計は0〜40の整数である。但し、各mの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシル基である。
前記一般式(ii)中、アクリロイル基およびメタクリロイル基の合計は5個または6個であり、nは各々独立に0〜10の整数を表し、各nの合計は0〜60の整数である。但し、各nの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシル基である。
前記一般式(ii)中、nは、0〜6の整数が好ましく、0〜4の整数がより好ましい。また、各nの合計は、3〜60の整数が好ましく、3〜24の整数がより好ましく、6〜12の整数が特に好ましい。
また、一般式(i)または一般式(ii)中の−((CH2)yCH2O)−または((CH2)yCH(CH3)O)−は、酸素原子側の末端がXに結合する形態が好ましい。
具体的には、下記式(a)〜(f)で表される化合物(以下、「例示化合物(a)〜(f)」ともいう。)が挙げられ、中でも、例示化合物(a)、(b)、(e)、(f)が好ましい。
重合性モノマー等の市販品としては、ウレタンオリゴマーUAS−10、UAB−140(山陽国策パルプ社製)、UA−7200」(新中村化学社製、DPHA−40H(日本化薬社製)、UA−306H、UA−306T、UA−306I、AH−600、T−600、AI−600(共栄社製)などが挙げられる。
本発明の組成物の第二の好ましい態様は、重合性化合物として、側鎖に重合性基を有するポリマーを含む態様である。
重合性基としては、エチレン性不飽和二重結合基、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられる。
後者は、後述のエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物の欄にてまとめて述べる。
もよいアルキル基などが挙げられ、なかでも、水素原子、メチル基が、ラジカル反応性が高いことから好ましい。R10、R11としては、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などが挙げられ、なかでも、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アリール基がラジカル反応性が高いことから好ましい。
ここで、導入し得る置換基としては、一般式(1)と同様のものが例示される。また、Zは、酸素原子、硫黄原子、−N(R13)−、またはフェニレン基を表す。R13としては、アルキル基などが挙げられ、なかでも、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことから好ましい。
本発明における側鎖にエチレン性不飽和結合を含有するポリマーとしては、前記一般式(1)〜(3)で表される官能基を含む構成単位を、1分子中に20モル%以上95モル%未満の範囲で含む化合物であることが好ましい。より好ましくは、25〜90モル%である。更に好ましくは30モル%以上85モル%未満の範囲である。
前記一般式(1)〜(3)で表される基を含む構造単位を有する高分子化合物の合成は、特開2003−262958号公報の段落番号[0027]〜[0057]に記載の合成方法に基づいて行なうことができる。この中では、同公報中の合成方法1)によるのが好ましい。
本願における酸基とは、pKaが14以下の解離性基を有するものであり、具体的には例えば、−COOH、−SO3H、−PO3H2、−OSO3H、−OPO2H2、−PhOH、−SO2H、−SO2NH2、−SO2NHCO−、−SO2NHSO2−等が挙げられ、
なかでも−COOH、−SO3H、−PO3H2が好ましく、−COOHがさらに好ましい。
R4〜R6はそれぞれ独立に、1価の置換基を表すが、R4としては、水素原子または置換基を更に有してもよいアルキル基などが挙げられ、中でも、水素原子、メチル基、エチル基が好ましい。また、R5、R6としては、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を更に有してもよいアルキル基、置換基を更に有してもよいアリール基、置換基を更に有してもよいアルコキシ基、置換基を更に有してもよいアリールオキシ基、置換基を更に有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を更に有してもよいアリールスルホニル基などが挙げられ、中でも、水素原子、アルコキシカルボニル基、置換基を更に有してもよいアルキル基、置換基を更に有してもよいアリール基が好ましい。
ここで、導入しうる置換基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピオキシカルボニル基、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられる。
A1は、酸素原子、硫黄原子、または、−N(R21)−を表し、Xは、酸素原子、硫黄原子、またはN(R22)−を表す。ここで、R21、R22としては、アルキル基が挙げられる。
G1は、2価の有機基を表す。G1としてはアルキレン基が好ましい。より好ましくは、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜20のシクロアルキレン基、炭素数6〜20の芳香族基などが挙げられ、中でも、炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐アルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基、炭素数6〜12の芳香族基が強度、現像性等の性能上、さらに好ましい。
ここで、G1における置換基としては、水酸基が好ましい。
R10〜R12は、それぞれ独立に1価の置換基を表す。R10〜R12としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を更に有してもよいアルキル基、置換基を更に有してもよいアリール基、置換基を更に有してもよいアルコキシ基、置換基を更に有してもよいアリールオキシ基、置換基を更に有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を更に有してもよいアリールスルホニル基などが挙げられ、中でも、水素原子、アルコキシカルボニル基、置換基を更に有してもよいアルキル基、置換基を更に有してもよいアリール基が好ましい。
ここで、導入可能な置換基としては、一般式(1−1)において挙げたものが同様に例示される。
A2は、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、または、−N(R21)−を表し、R21としては、水素原子、アルキル基などが挙げられる。
G2は、2価の有機基を表す。G2としては、アルキレン基が好ましい。より好ましくは、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜20のシクロアルキレン基、炭素数6〜20の芳香族基などが挙げられ、中でも、炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐アルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基、炭素数6〜12の芳香族基が強度、現像性等の性能上、さらに好ましい。G2における置換基としては、水酸基が好ましい。
Yは、酸素原子、硫黄原子、−N(R23)−またはフェニレン基を表し、R23としては、水素原子、アルキル基などが挙げられる。
R16〜R20は、それぞれ独立に1価の置換基を表す。R16〜R20としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を更に有してもよいアルキル基、置換基を更に有してもよいアリール基、置換基を更に有してもよいアルコキシ基、置換基を更に有してもよいアリールオキシ基、置換基を更に有してもよいアルキルスルホニル基、および置換基を更に有してもよいアリールスルホニル基などが挙げられ、中でも、水素原子、アルコキシカルボニル基、置換基を更に有してもよいアルキル基、および置換基を更に有してもよいアリール基が好ましい。導入しうる置換基としては、一般式(1)においてあげたものが例示される。
A3は、酸素原子、硫黄原子、またはN(R21)−を表し、Zは、酸素原子、硫黄原子、またはN(R22)−を表す。R21、R22としては、一般式(1)におけるのと同様のものが挙げられる。
G3は、2価の有機基を表す。G3としては、アルキレン基が好ましい。より好ましくは、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜20のシクロアルキレン基、炭素数6〜20の芳香族基などが挙げられ、中でも、炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐アルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基、炭素数6〜12の芳香族基が強度、現像性等の性能上、さらに好ましい。G3における置換基としては、水酸基が好ましい。
ウレタンポリマーは、下記一般式(4)で表されるジイソシアネート化合物の少なくとも1種と、一般式(5)で表されるジオール化合物の少なくとも1種と、の反応生成物で表される構造単位を基本骨格とするポリウレタンポリマー(以下、適宜「特定ポリウレタンポリマーと称する)である。
HO−Y0−OH 一般式(5)
上記一般式(4)で表されるジイソシアネート化合物としては、例えば、トリイソシアネート化合物と、不飽和基を有する単官能のアルコールまたは単官能のアミン化合物1当量とを付加反応させて得られる生成物がある。
トリイソシアネート化合物としては、例えば特開2009−265518号公報段落0099〜0105等の記載の化合物を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
ここで、ポリウレタンポリマーの側鎖に不飽和基を導入する方法としては、ポリウレタンポリマー製造の原料として、側鎖に不飽和基を含有するジイソシアネート化合物を用いる方法が好適である。トリイソシアネート化合物と不飽和基を有する単官能のアルコールまたは単官能のアミン化合物1当量とを付加反応させることにより得ることできるジイソシアネート化合物であって、側鎖に不飽和基を有するものとしては、例えば、特開2009−265518号公報段落0107〜0114等の記載の化合物を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明で使用される特定ポリウレタンポリマーは、例えば、重合性組成物中の他の成分との相溶性を向上させ、保存安定性を向上させるといった観点から、上述の不飽和基を含有するジイソシアネート化合物以外のジイソシアネート化合物を共重合させることができる。
OCN−L1−NCO 一般式(6)
一般式(6)中、L1は2価の脂肪族または芳香族炭化水素基を表す。必要に応じ、L1中にはイソシアネート基と反応しない他の官能基、例えばエステル、ウレタン、アミド、ウレイド基が含まれていてもよい。
上記一般式(6)で表されるジイソシアネート化合物としては、具体的には以下に示すものが含まれる。
2,4−トリレンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネートの二量体、2,6−トリレンジレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、1,5−ナフチレンジイソシアネート、3,3’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジイソシアネート等のような芳香族ジイソシアネート化合物;
ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート等のような脂肪族ジイソシアネート化合物;
イソホロンジイソシアネート、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)、メチルシクロヘキサン−2,4(または2,6)ジイソシアネート、1,3−(イソシアネートメチル)シクロヘキサン等のような脂環族ジイソシアネート化合物;
1,3−ブチレングリコール1モルとトリレンジイソシアネート2モルとの付加体等のようなジオールとジイソシアネートとの反応物であるジイソシアネート化合物;等が挙げられる。
上記一般式(5)で表されるジオール化合物としては、広くは、ポリエーテルジオール化合物、ポリエステルジオール化合物、ポリカーボネートジオール化合物等が挙げられる。
ここで、ポリウレタンポリマーの側鎖に不飽和基を導入する方法としては、前述の方法の他に、ポリウレタンポリマー製造の原料として、側鎖に不飽和基を含有するジオール化合物を用いる方法も好適である。そのようなジオール化合物は、例えば、トリメチロールプロパンモノアリルエーテルのように市販されているものでもよいし、ハロゲン化ジオール化合物、トリオール化合物、アミノジオール化合物と、不飽和基を含有するカルボン酸、酸塩化物、イソシアネート、アルコール、アミン、チオール、ハロゲン化アルキル化合物との反応により容易に製造される化合物であってもよい。これら化合物の具体的な例として、特開2009−265518号公報段落0122〜0125等の記載の化合物を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
なお、この一般式(G)におけるR1〜R3およびXは、前記一般式(1)におけるR1〜R3およびXと同義であり、好ましい態様もまた同様である。
このようなジオール化合物に由来するポリウレタンポリマーを用いることにより、立体障害の大きい2級アルコールに起因するポリマー主鎖の過剰な分子運動が抑制される。このため、層の被膜強度の向上が達成できるものと考えられる。
特定ポリウレタンポリマーの合成に好適に用いられる一般式(G)で表されるジオール化合物の具体例としては、特開2009−265518号公報段落0129〜0131等の記載の化合物を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
そのようなジオール化合物としては、例えば、上述したポリエーテルジオール化合物、ポリエステルジオール化合物、ポリカーボネートジオール化合物を挙げることできる。
すなわち、三洋化成工業(株)製、(商品名)ニューポール50HB−100、ニューポール50HB−260、ニューポール50HB−400、ニューポール50HB−660、ニューポール50HB−2000、ニューポール50HB−5100等である。
ポリカーボネートジオール化合物としては、式(14)で表される化合物がある。
HO−L8−CO−O−L7−OH (16)
このようなジオール化合物としては、例えば、以下の式(17)〜(19)に示すものが含まれる。
Arは三価の芳香族炭化水素基を表し、好ましくは炭素数6〜15個の芳香族基を表す。
すなわち、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(2−ヒドロキシエチル)プロピオン酸、2,2−ビス(3−ヒドロキシプロピル)プロピオン酸、ビス(ヒドロキシメチル)酢酸、ビス(4−ヒドロキシフェニル)酢酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)酪酸、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン酸、酒石酸、N,N−ジヒドロキシエチルグリシン、N,N―ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−カルボキシ−プロピオンアミド等である。
a)テトラカルボン酸二無水物をジオール化合物で開環させて得られたアルコール末端の化合物と、ジイソシアネート化合物とを反応させる方法。
b)ジイソシアネート化合物をジオール化合物過剰の条件下で反応させ得られたアルコール末端のウレタン化合物と、テトラカルボン酸二無水物とを反応させる方法。
なお、一般式(23)で表されるスチレン性二重結合は、単結合、或いは、任意の原子または原子団からなる連結基を介してポリマー主鎖と連結しており、結合の仕方について特に制限はない。
一般式(23)で表される官能基を有する高分子化合物の繰り返し単位としての好ましい例は、特開2009−265518号公報段落0179〜0181等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
なお、一般式(24)で表されるビニルピリジニウム基は、単結合、或いは、任意の原子または原子団からなる連結基を介してポリマー主鎖と連結しており、結合の仕方について特に制限はない。
一般式(24)で表される官能基を有する高分子化合物の繰り返し単位として好ましい例は、特開2009−265518号公報段落0184等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
スチレン系ポリマーの分子量としては、好ましくは重量平均分子量で10000〜300000の範囲であり、より好ましくは、15000〜200000の範囲であり、最も好ましくは、20000〜150000の範囲である。
側鎖にエチレン性不飽和基を有するノボラックポリマーとしては、例えば、特開平9−269596号公報に記載のポリマーに、特開2002−62648公報に記載の方法を用いて、側鎖にエチレン性不飽和結合を導入したポリマー等が挙げられる。
また、側鎖にエチレン性不飽和結合を有するアセタールポリマーとしては、例えば、特開2002−162741公報に記載のポリマー等が挙げられる。
さらに、側鎖にエチレン性不飽和結合を有するポリアミド系ポリマーとしては、例えば、特願2003−321022公報に記載のポリマー、またはその中で引用されているポリアミドポリマーに、特開2002−62648公報に記載の方法で側鎖にエチレン性不飽和結合を導入したポリマー等が挙げられる。
側鎖にエチレン性不飽和結合を有するポリイミドポリマーとしては、例えば、特願2003−339785公報に記載のポリマー、またはその中で引用されているポリイミドポリマーに、特開2002−62648公報に記載の方法で側鎖にエチレン性不飽和結合を導入したポリマー等が挙げられる。
本発明の第三の好ましい態様は、重合性化合物として、エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物を含む態様である。エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物としては、具体的には側鎖にエポキシ基を有するポリマー、および分子内に2個以上のエポキシ基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーがあり、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物も挙げられ、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が好ましい。
これらの化合物は、市販品を用いてもよいし、ポリマーの側鎖へエポキシ基を導入することによっても得られる。
市販品としては、デナコール EX−212L、EX−214L、EX−216L、EX−321L、EX−850L(以上、ナガセケムテックス(株)製)等の多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が挙げられる。これらは、低塩素品である一方、低塩素品ではない、EX−212、EX−214、EX−216、EX−321、EX−850なども同様に使用できる。
その他にも、ADEKA RESIN EP−4000S、同EP−4003S、同EP−4010S、同EP−4011S(以上、(株)ADEKA製)、NC−2000、NC−3000、NC−7300、XD−1000、EPPN−501、EPPN−502(以上、(株)ADEKA製)、JER1031S等も挙げられる。
さらに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂の市販品として、JER−157S65、JER−152、JER−154、JER−157S70、(以上、三菱化学(株)製)等が挙げられる。
エポキシ不飽和化合物としてはグリシジル(メタ)アクリレートやアリルグリシジルエーテル等のエポキシ基としてグリシジル基を有するものも使用可能である。エポキシ不飽和化合物として好ましいものは、脂環式エポキシ基を有する不飽和化合物である。このようなものとしては例えば特開2009−265518号公報段落0045等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明で用いる硬化性化合物は、下記式(1)で示される部分構造を有することも好ましく、この硬化性化合物が不飽和二重結合、エポキシ基またはオキセタニル基などの架橋基を有していてもよい。
このような化合物を含有することにより、本発明の近赤外線吸収性組成物を硬化膜としたときに近赤外線遮蔽性をより向上させ、耐湿性をより向上させることができる。
式(1)中、R1は水素原子または有機基を表す。有機基としては、炭化水素基、具体的には、アルキル基またはアリール基が挙げられ、炭素数が1〜20のアルキル基、炭素数が6〜20のアリール基、またはこれらの基と二価の連結基との組み合わせからなるものが好ましい。
このような有機基の具体例としては、−OR’、−SR’、またはこれらの基と−(CH2)m−(mは1〜10の整数)、炭素数5〜10の環状のアルキレン基、−O−、−CO−、−COO−および−NH−の少なくとも1つとの組み合わせからなるものが好ましい。ここで、R’は、水素原子、炭素数が1〜10の直鎖、炭素数が3〜10の分岐または環状のアルキル基(好ましくは炭素数1〜7の直鎖、炭素数3〜7の分岐または環状のアルキル基)、炭素数が6〜10のアリール基、または、炭素数が6〜10のアリール基と炭素数が1〜10のアルキレン基との組み合わせからなる基が好ましい。
また、前記式(1)中、R1とCとが結合して環構造(ヘテロ環構造)を形成していてもよい。ヘテロ環構造中におけるヘテロ原子は、前記式(1)中の窒素原子である。ヘテロ環構造は、5または6員環構造が好ましく、5員環構造がより好ましい。ヘテロ環構造は、縮合環であってもよいが、単環が好ましい。
特に好ましいR1の具体例としては、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、−OR’(R’は炭素数が1〜5の直鎖のアルキル基)と−(CH2)m−(mは1〜10の整数、好ましくはmは1〜5の整数)との組み合わせからなる基、前記式(1)中のR1とCとが結合してヘテロ環構造(好ましくは5員環構造)を形成した基が挙げられる。
前記式(1−3)〜(1−5)中、L1〜L4は二価の連結基を表す。二価の連結基としては、−(CH2)m−(mは1〜10の整数)、炭素数5〜10の環状のアルキレン基、−O−、−CO−、−COO−および−NH−の少なくとも1つとの組み合わせからなるものが好ましく、−(CH2)m−(mは1〜8の整数)であることがより好ましい。
前記式(1−3)〜(1−5)中、R8〜R14はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。有機基としては、炭化水素基、具体的にはアルキル基またはアルケニル基であることが好ましい。
アルキル基は、置換されていてもよい。また、アルキル基は、鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状または環状のものが好ましい。アルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がより好ましい。
アルケニル基は、置換されていてもよい。アルケニル基としては、炭素数1〜10のアルケニル基が好ましく、炭素数1〜4のアルケニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
置換基としては、例えば、重合性基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボン酸エステル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、スルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基などが例示される。これらの置換基の中でも、重合性基(例えば、ビニル基、(メタ)アクリロイルオキシ基)、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、アジリジニル基など)が好ましく、ビニル基がより好ましい。)
また、前記式(1)で示される部分構造を有する化合物がポリマーである場合、ポリマーの側鎖に前記部分構造を含有することが好ましい。
前記(1)で示される部分構造を有する化合物の含有量は、本発明の組成物中5〜80質量%であることが好ましく、10〜60質量%であることがより好ましい。
ポリビニルピロリドンとしては、商品名K−30、K−85、K−90、K−30W、K−85W、K−90W(日本触媒社製)が使用できる。
ポリアミド樹脂としては、例えば、ωアミノ酸の重合で合成される所謂「n−ナイロン」やジアミンとジカルボン酸の共重合で合成される所謂「n,m−ナイロン」が挙げられる。中でも、親水性付与の観点から、ジアミンとジカルボン酸の共重合体が好ましく、ε−カプロラクタムとジカルボン酸との反応生成物がより好ましい。
親水性化合物としては、親水性含窒素環状化合物、ポリアルキレングリコール等が挙げられる。
ここで、親水性含窒素環状化合物とは、側鎖または主鎖に第3級アミン成分を有する化合物であって、例えばアミノエチルピペラジン、ビスアミノプロピルピペラジン、α-ジメチルアミノεカプロラクタム等が挙げられる。
一方、ポリアミド樹脂と親水性化合物とが共重合した化合物には、ポリアミド樹脂の主鎖に、例えば、親水性含窒素環状化合物およびポリアルキレングリコールからなる群より選択される少なくとも一つが共重合されているため、ポリアミド樹脂のアミド結合部の水素結合能力は、N−メトキシメチル化ナイロンに対して大きい。
ポリアミド樹脂と親水性化合物とが共重合した化合物の中でも、1)ε−カプロラクタムと親水性含窒素環状化合物とジカルボン酸との反応生成物、及び、2)ε−カプロラクタムとポリアルキレングリコールとジカルボン酸との反応生成物が好ましい。
これらは、例えば東レファインテック(株)より「AQナイロン」という商標で市販されている。ε−カプロラクタムと親水性含窒素環状化合物とジカルボン酸との反応生成物は、東レファインテック(株)製AQナイロンA−90として入手可能であり、ε−カプロラクタムとポリアルキレングリコールとジカルボン酸との反応生成物は、東レファインテック(株)製AQナイロンP−70として入手可能である。 AQナイロンA−90 P−70 P−95 T−70(東レ社製)が使用できる。
また、重合性化合物として、架橋基を有する繰り返し単位を含む重合体を用いる場合、溶剤を除いた本発明の組成物の全固形分に対して10〜75質量%、より好ましくは20〜65質量%、特に好ましくは20〜60質量%の範囲とすることが好ましい。
重合性化合物は、1種類のみでも、2種類以上でもよく、2種類以上の場合は、合計量が上記範囲となる。
本発明においては、皮膜特性向上などの目的で、必要に応じて、上記重合性化合物に加えて、さらにバインダーポリマーを含むことができる。バインダーポリマーとしては、アルカリ可溶樹脂が好ましく用いられる。アルカリ可溶性樹脂を含有することにより、耐熱性などの向上や、塗布適正の微調整に効果がある。
アルカリ可溶性を促進する基(以下、酸基ともいう)としては、例えば、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基、フェノール性水酸基などが挙げられるが、有機溶剤に可溶で弱アルカリ水溶液により現像可能なものが好ましく、(メタ)アクリル酸が特に好ましいものとして挙げられる。これら酸基は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
前記重合後に酸基を付与しうるモノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有するモノマー、グリシジル(メタ)アクリレート等のエポキシ基を有するモノマー、2−イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基を有するモノマー等が挙げられる。これら酸基を導入するための単量体は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。アルカリ可溶性バインダーに酸基を導入するには、例えば、酸基を有するモノマーおよび/または重合後に酸基を付与しうるモノマー(以下「酸基を導入するための単量体」と称することもある。)を、単量体成分として重合するようにすればよい。 なお、重合後に酸基を付与しうるモノマーを単量体成分として酸基を導入する場合には、重合後に例えば後述するような酸基を付与するための処理が必要となる。
エーテルダイマーと共に共重合しうるその他の単量体としては、例えば、酸基を導入するための単量体、ラジカル重合性二重結合を導入するための単量体、エポキシ基を導入するための単量体、および、これら以外の他の共重合可能な単量体が挙げられる。このような単量体は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
また、酸基を導入するための単量体は、重合後に酸基を付与しうる単量体であってもよく、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する単量体、グリシジル(メタ)アクリレート等のエポキシ基を有する単量体、2−イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基を有する単量体等が挙げられる。ラジカル重合性二重結合を導入するための単量体を用いる場合、重合後に酸基を付与しうる単量体を用いる場合、重合後に酸基を付与する処理を行う必要がある。重合後に酸基を付与する処理は、単量体の種類によって異なり、例えば、次の処理が挙げられる。水酸基を有する単量体を用いる場合であれば、例えば、コハク酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、マレイン酸無水物等の酸無水物を付加させる処理が挙げられる。エポキシ基を有する単量体を用いる場合であれば、例えば、N−メチルアミノ安息香酸、N−メチルアミノフェノール等のアミノ基と酸基を有する化合物を付加させか、または、例えば(メタ)アクリル酸のような酸を付加させた後に生じた水酸基に、例えば、コハク酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、マレイン酸無水物等の酸無水物を付加させる処理が挙げられる。イソシアネート基を有する単量体を用いる場合であれば、例えば、2−ヒドロキシ酪酸等の水酸基と酸基を有する化合物を付加させる処理が挙げられる。
一般式(ED)で表される化合物を含む単量体成分を重合してなる重合体が、エポキシ基を導入するための単量体を含む場合、その含有割合は、特に制限されないが、全単量体成分中、5〜70質量%が好ましく、より好ましくは10〜60質量%である。
また、一般式(ED)で表される化合物を含む単量体成分を重合してなる重合体が酸基を有する場合には、酸価が、好ましくは30〜500mgKOH/g、より好ましくは50〜400mgKOH/gであるのがよい。
一般式(ED)で表される化合物を含む単量体成分を重合してなる重合体の合成に適用される重合方法としては、特に制限はなく、従来公知の各種重合方法を採用することができるが、特に、溶液重合法によることが好ましい。詳細には、例えば、特開2004−300204号公報に記載されるポリマー(a)の合成方法に準じて、一般式(ED)で表される化合物を含む単量体成分を重合してなる重合体を合成することができる。
上記ノボラック樹脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下に縮合させて得られるものが挙げられる。上記フェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、キシレノール、フェニルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、ナフトール、又はビスフェノールA等が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、またはベンズアルデヒド等が挙げられる。
上記フェノール類およびアルデヒド類は、単独若しくは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記ノボラック樹脂は分別等の手段を用いて分子量分布を調節してもよい。又、ビスフェノールCやビスフェノールA等のフェノール系水酸基を有する低分子量成分を上記ノボラック樹脂に混合してもよい。
また、アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量(Mw)としては、2,000〜50,000が好ましく、5,000〜30,000がさらに好ましく、7,000〜20,000が最も好ましい。
本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤は、1種のみを用いてもよいし、2種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の添加量は、本発明の組成物の固形分に対して、好ましくは0.0001〜2質量%であり、より好ましくは0.005〜1.0質量%であり、さらに好ましくは、0.01〜0.1質量%である。
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
即ち、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくともいずれかを含有する組成物を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μm程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
ここで、「テロメリゼーション法」とは、低分子量の物質を重合させて分子内に1〜2個の活性基を有する化合物の合成方法を意味する。また、「オリゴメゼーション法」とは、単量体または単量体類の混合物をオリゴマーに転化する方法を意味する。
本発明におけるフルオロ脂肪族基としては、例えば、−CF3基、−C2F5基、−C3F7基、−C4F9基、−C5F11基、−C6F13基、−C7F15基、−C8F17基、C9F19基、C10F21基が挙げられ、相溶性・塗布性の点から、−C2F5基、−C3F7基、−C4F9基、−C5F11基、−C6F13基、−C7F15基、−C8F17基が好ましい。
本発明におけるフルオロ脂肪族基を有する重合体としては、本発明におけるフルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレートおよび/または(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましい。該共重合体は、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、前記ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)基やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(またはメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(またはメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
具体的な商品名としては、サーフィノール61,82,104,104E、104H、104A、104BC、104DPM、104PA、104PG−50、104S、420,440,465,485,504、CT−111,CT−121,CT−131,CT−136,CT−141,CT−151,CT−171,CT−324,DF−37,DF−58,DF−75,DF−110D,DF−210,GA,OP−340,PSA−204,PSA−216,PSA−336,SE,SE−F,TG、GA、ダイノール604(以上、日信化学(株)及びAirProducts&Chemicals社)、オルフィンA,B,AK−02,CT−151W,E1004,E1010,P,SPC,STG,Y,32W、PD−001、PD−002W、PD−003、PD−004、EXP.4001、EXP.4036、EXP.4051、AF−103、AF−104、SK−14、AE−3(以上、日信化学(株))アセチレノールE00、E13T、E40、E60、E81、E100、E200(以上全て商品名、川研ファインケミカル(株)社製)等を挙げることができる。なかでも、オルフィンE1010が好適である。
その他、ノニオン系界面活性剤として具体的には、特開2012−208494号公報段落0553(対応する米国特許出願公開第2012/0235099号明細書の[0679])等に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、特開2012−208494号公報段落0554(対応する米国特許出願公開第2012/0235099号明細書の[0680])に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、W004、W005、W017(裕商(株)社製)等が挙げられる。
本発明の組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤は1種類のみでも、2種類以上でもよく、2種類以上の場合は、合計量が下記範囲となる。重合開始剤の含有量は、0.01〜30質量%が好ましく、0.1〜20質量%がより好ましく、0.1〜15質量%が特に好ましい。
重合開始剤としては、光、熱のいずれか或いはその双方により重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なかでも、重合開始剤としては、光重合性化合物であることが好ましい。光で重合を開始させる場合、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。
また、熱で重合を開始させる場合には、150〜250℃で分解する重合開始剤が好ましい。
感度の観点から、オキシム化合物、アセトフェノン系化合物、α−アミノケトン化合物、トリハロメチル化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、および、チオール化合物が好ましい。
他にも、特開2007−269779公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開2009−191061公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物が挙げられる。
具体的には、オキシム化合物としては、下記式(1)で表される化合物も好ましい。なお、オキシムのN−O結合が(E)体のオキシム化合物であっても、(Z)体のオキシム化合物であっても、(E)体と(Z)体との混合物であってもよい。下記式(1)で表される化合物については、特開2012−208494号公報段落0513(対応する米国特許出願公開第2012/235099号明細書の[0632])以降の式(OX−1)または(OX−2)で表される化合物の説明を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
前記Rで表される一価の置換基としては、一価の非金属原子団であることが好ましい。前記一価の非金属原子団としては、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基、炭素数2〜20のアシル基、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜20のアリールオキシカルボニル基、複素環基、アルキルチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基等が挙げられる。
前記Bで表される一価の置換基としては、アリール基、複素環基、アリールカルボニル基、または、複素環カルボニル基を表す。
前記Aで表される2価の有機基としては、炭素数1〜12のアルキレン基、シクロヘキシレン基、アルキニレン基が挙げられる。
また、これらの基は、1以上の置換基を有していてもよい。また、前述した置換基は、更に他の置換基で置換されていてもよい。置換基としてはハロゲン原子、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシル基、アルキル基、アリール基等が挙げられる。
オキシム化合物は、365nmまたは405nmにおけるモル吸光係数が、感度の観点から、3,000〜300,000であることが好ましく、5,000〜300,000であることがより好ましく、10,000〜200,000であることが特に好ましい。
化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いることができるが、具体的には、例えば、紫外可視分光光度計(Varian社製Carry−5 spctrophotometer)にて、酢酸エチル溶剤を用い、0.01g/Lの濃度で測定することが好ましい。
オキシム化合物としては、市販品であるIRGACURE−OXE01(BASF社製)、IRGACURE−OXE02(BASF社製)を用いることができる。アセトフェノン系開始剤としては、市販品であるIRGACURE−907、IRGACURE−369、および、IRGACURE−379(商品名:いずれもBASFジャパン社製)を用いることができる。またアシルホスフィン系開始剤としては市販品であるIRGACURE−819やDAROCUR−TPO(商品名:いずれもBASFジャパン社製)を用いることができる。
本発明の組成物には、前記必須成分や前記好ましい添加剤に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、目的に応じてその他の成分を適宜選択して用いてもよい。
併用可能なその他の成分としては、例えば、バインダーポリマー、分散剤、増感剤、架橋剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤およびその他の助剤類(例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など)を併用してもよい。
これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする近赤外線カットフィルタの安定性、膜物性などの性質を調整することができる。
これらの成分は、例えば、特開2012−003225号公報の段落番号0183〜、特開2008−250074号公報の段落番号0101〜0102、特開2008−250074号公報の段落番号0103〜0104、特開2008−250074号公報の段落番号0107〜0109等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、本発明の近赤外線吸収性組成物の粘度は、塗布により赤外線カット層を形成する場合、1mPa・s以上3000mPa・s以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、10mPa・s以上2000mPa・s以下の範囲であり、さらに好ましくは、100mPa・s以上1500mPa・s以下の範囲である。
本発明の近赤外線吸収性組成物が、固体撮像素子基板の受光側における近赤外線カットフィルタ用であって、塗布により赤外線カット層を形成する場合、厚膜形成性と均一塗布性の観点から、10mPa・s以上3000mPa・s以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、500mPa・s以上1500mPa・s以下の範囲であり、最も好ましくは、700mPa・s以上1400mPa・s以下の範囲である。
上記誘電体多層膜は、近赤外線を反射および/または吸収する能力を有する膜である。
あるいは、近赤外域に吸収を有する貴金属膜を近赤外線カットフィルタの可視光の透過率に影響のないよう、厚みと層数を考慮して用いることも好ましい。
誘電体多層膜としては具体的には、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した構成を好適に用いることができる。
高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が1.7以上の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は1.7〜2.5の材料が選択される。
この材料としては、例えば、酸化チタン(チタニア)、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化インジウムや、これら酸化物を主成分とし酸化チタン、酸化錫および/または酸化セリウムなどを少量含有させたものが挙げられる。これらの中でも、酸化チタン(チタニア)が好ましい。
低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が1.6以下の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は1.2〜1.6の材料が選択される。
この材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウムが挙げられる。これらの中でも、シリカが好ましい。
これら高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは、通常、遮断しようとする赤外線波長λ(nm)の0.1λ〜0.5λの厚みである。厚みが上記範囲外になると、屈折率(n)と膜厚(d)との積(n×d)がλ/4で算出される光学的膜厚と大きく異なって反射・屈折の光学的特性の関係が崩れてしまい、特定波長の遮断・透過をコントロールしにくい傾向にある。
また、誘電体多層膜における積層数は、好ましくは5〜50層であり、より好ましくは10〜45層である。
さらに、誘電体多層膜を蒸着した際に基板にソリが生じてしまう場合には、これを解消するために、基板両面へ誘電体多層膜を蒸着する、基板の誘電多層膜を蒸着した面に紫外線等の放射線を照射する等の方法をとる事ができる。なお、放射線を照射する場合、誘電体多層膜の蒸着を行いながら照射してもよいし、蒸着後別途照射してもよい。
また、本発明は、透明支持体と、近赤外線吸収領域に極大吸収波長を有する銅錯体を含有する近赤外線吸収性組成物を硬化させた近赤外線カット層と、誘電体多層膜と、を有する近赤外線カットフィルタにも関する。近赤外線吸収領域に極大吸収波長を有する銅錯体は、本発明の近赤外線吸収性組成物に用いる銅錯体と同義であり、好ましい範囲も同義である。
近赤外線吸収性組成物(塗布液)を支持体上に塗布する方法は、例えば、滴下法(ドロップキャスト)、スピンコーター、スリットスピンコーター、スリットコーター、スクリーン印刷、アプリケータ塗布等を用いることにより実施できる。滴下法(ドロップキャスト)の場合、所定の膜厚で、均一な膜が得られるように、ガラス基板上にフォトレジストを隔壁とする近赤外線吸収性組成物の滴下領域を形成することが好ましい。なお、膜厚は、組成物の滴下量および固形分濃度、滴下領域の面積を調整することで、所望の膜厚が得られる。
また、塗膜の乾燥条件としては、各成分、溶剤の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60℃〜150℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
・波長400nmでの光透過率は80%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、92%以上がさらに好ましく、95%以上が特に好ましい。
・波長450nmでの光透過率は80%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、92%以上がさらに好ましく、95%以上が特に好ましい。
・波長500nmでの光透過率は80%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、92%以上がさらに好ましく、95%以上が特に好ましい。
・波長550nmでの光透過率は80%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、92%以上がさらに好ましく、95%以上が特に好ましい。
・波長700nmでの光透過率は20%以下が好ましく、15%以下がより好ましく、10%以下がさらに好ましく、5%以下が特に好ましい。
・波長750nmでの光透過率は20%以下が好ましく、15%以下がより好ましく、10%以下がさらに好ましく、5%以下が特に好ましい。
・波長800nmでの光透過率は20%以下が好ましく、15%以下がより好ましく、10%以下がさらに好ましく、5%以下が特に好ましい。
・波長850nmでの光透過率は20%以下が好ましく、15%以下がより好ましく、10%以下がさらに好ましく、5%以下が特に好ましい。
・波長900nmでの光透過率は20%以下が好ましく、15%以下がより好ましく、10%以下がさらに好ましく、5%以下が特に好ましい。
前加熱工程および後加熱工程における加熱温度は、通常、80℃〜200℃であり、90℃〜150℃であることが好ましい。
前加熱工程および後加熱工程における加熱時間は、通常、30秒〜240秒であり、60秒〜180秒であることが好ましい。
硬化処理工程は、必要に応じ、形成された前記膜に対して硬化処理を行う工程であり、この処理を行うことにより、近赤外線カットフィルタの機械的強度が向上する。
前記硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、X線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。
露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、KrF、ArF、g線、h線、i線等の紫外線や可視光が好ましく用いられる。なかでも、KrF、g線、h線、i線が好ましい。
露光方式としては。ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。
露光量は5〜3000mJ/cm2が好ましく10〜2000mJ/cm2がより好ましく、50〜1000mJ/cm2が特に好ましい。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのUV露光機が好適に挙げられる。
全面加熱における加熱温度は、120℃〜250℃が好ましく、120℃〜250℃がより好ましい。該加熱温度が120℃以上であれば、加熱処理によって膜強度が向上し、250℃以下であれば、前記膜中の成分の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることを防止できる。
全面加熱における加熱時間は、3分〜180分が好ましく、5分〜120分がより好ましい。
全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーターなどが挙げられる。
なお、図1および図2にわたり、共通する部分には共通する符号を付す。
また、説明に際し、「上」、「上方」および「上側」は、シリコン基板10から見て遠い側を指し、「下」、「下方」および「下側」は、はシリコン基板10に近い側を指す。
図1に示すカメラモジュール200は、実装基板である回路基板70に接続部材であるハンダボール60を介して接続されている。
詳細には、カメラモジュール200は、シリコン基板の第1の主面に撮像素子部を備えた固体撮像素子基板100と、固体撮像素子基板100の第1の主面側(受光側)に設けられた平坦化層(図1には不図示)と、平坦化層の上に設けられた近赤外線カットフィルタ42と、近赤外線カットフィルタ42の上方に配置され内部空間に撮像レンズ40を有するレンズホルダー50と、固体撮像素子基板100およびガラス基板30の周囲を囲うように配置された遮光兼電磁シールド44と、を備えて構成されている。なお、平坦化層の上には、ガラス基板30(光透過性基板)を設けてもよい。各部材は、接着剤20、45により接着されている。
本発明は、固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールの製造方法であって、固体撮像素子基板の受光側において、上記本発明の近赤外線吸収性組成物を適用することにより膜を形成する工程にも関する。
よって、本実施形態に係るカメラモジュールにおいては、例えば、平坦化層の上に、本発明の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成して、近赤外線カットフィルタ42を形成できる。近赤外線吸収性組成物を塗布して近赤外線カットフィルタ42形成する方法は前記した通りである。
カメラモジュール200では、外部からの入射光hνが、撮像レンズ40、近赤外線カットフィルタ42、ガラス基板30、平坦化層を順次透過した後、固体撮像素子基板100の撮像素子部に到達するようになっている。また、カメラモジュール200は、固体撮像素子基板100の第2の主面側で、ハンダボール60(接続材料)を介して回路基板70に接続されている。
カメラモジュール200は、ガラス基板30を省略し、平坦化層に直接近赤外線カットフィルタを設けてもよく、平坦化層を省略し、ガラス基板30上に近赤外線カットフィルタを設けるようにしてもよい。
固体撮像素子基板100は、基体であるシリコン基板10、撮像素子12、層間絶縁膜13、ベース層14、赤色のカラーフィルタ15R、緑色のカラーフィルタ15G、青色のカラーフィルタ15B、オーバーコート16、マイクロレンズ17、遮光膜18、絶縁膜22、金属電極23、ソルダレジスト層24、内部電極26、および素子面電極27を備えて構成されている。
但し、ソルダレジスト層24は省略されていてもよい。
固体撮像素子基板100については、特開2012−068418号公報段落0245(対応する米国特許出願公開第2012/068292号明細書の[0407])以降の固体撮像素子基板100の説明を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
<スルホン酸>
下記表20中、例えばA−1の有機基(−CH3)は、下記一般式中のRを表す。また、例えばA−13の有機基における「*」は、下記一般式中の硫黄原子との結合部位を表す。
NKエステルATM−35E:エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート(重合性化合物)(新中村化学社製)
JER157S65:エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)
EX−321:エポキシ樹脂(ナガセケムテックス社製)
KAYARAD D−320:(日本化薬社製、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート)
M−510:(東亞合成社製、多塩基酸変性アクリルオリゴマー)
M−520:(東亞合成社製、多塩基酸変性アクリルオリゴマー)
DPCA−60:(日本化薬社製、ペンチレンオキシ鎖を6個有する6官能アクリレート)
<溶剤>
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
スルホン酸(A−1)(1.239g、12.89mmol)と、スルホン酸(A−2)(1.420g、12.89mmol)を量り取り、メタノール45gを加え溶解させた。スルホン酸の総量に対して0.5当量の酢酸銅(2.341g、12.89mmol)を加え、50℃に昇温し2時間反応させた。反応終了後、エバポレータにて発生した酢酸および溶媒を留去することでスルホン酸銅錯体1(4.62g)を得た。
<スルホン酸銅錯体9の合成例>
エタンスルホン酸ナトリウム(1.193g、9.03mmol)と、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム(1.553g、9.03mmol)を量り取り、エタノール45gを加え溶解させた。スルホン酸の総量に対して0.5当量の硫酸銅・5水和物(2.254g、9.03mmol)を加え、50℃に昇温し2時間反応させた。反応終了後、エバポレータにて溶媒を留去し硫酸ナトリウム(5.00g)を加えた。テトラヒドロフランを加えてセライトろ過により不溶分を除去し、エバポレータにて溶媒を留去することでスルホン酸銅錯体8(3.27g)を得た。
<スルホン酸銅錯体2〜8、10〜23の合成例>
その他のスルホン酸銅錯体2〜8、10〜30も、スルホン酸の種類や、スルホン酸のモル比を変更したこと以外は、前記合成例と同様の方法で得た。
<近赤外線吸収性組成物の評価>
<<近赤外線吸収性組成物の調製>>
下記の化合物を混合して、実施例および比較例の近赤外線吸収性組成物を調製した。
・下記表21に記載のスルホン酸銅錯体 40質量部
・NKエステルATM−35E 40質量部
・PGME 120質量部
実施例および比較例で調製した近赤外線吸収性組成物の各々を、アプリケータ塗布法(YOSHIMITS SEIKI製のベーカーアプリケーター、YBA−3型をスリット幅250μmに調整して使用)を用いて、ガラス基板上にアプリケータ塗布し、100℃、120秒間の前加熱(プリベーク)を行った。その後、全てのサンプルについて、180℃、180秒間、ホットプレートで加熱を実施して近赤外線カットフィルタを得た。
<<溶解性評価>>
試験管に前記スルホン酸銅錯体をそれぞれ0.5g量り取り、固形分濃度が50質量%、40質量%、30質量%になるようにPGMEを加え、10分間振した。目視で濁りが発生する固形分濃度を以下の基準で評価した。結果を以下の表21に示す。
A:濁り発生せず
B:固形分濃度 50質量%
C:固形分濃度 40質量%
D:固形分濃度 30質量%
<<近赤外線遮蔽性評価>>
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長800nmの透過率を分光光度計U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)を用いて測定した。近赤外線遮蔽性を以下の基準で評価した。結果を以下の表21に示す。
A:800nmの透過率≦5%
B:5%<800nmの透過率≦7%
C:7%<800nmの透過率≦10%
D:10%<800nmの透過率
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを200℃で30分間放置した。耐熱性試験前と耐湿性試験後とのそれぞれにおいて、近赤外線カットフィルタの波長700〜1400nmにおける最大吸光度(Absλmax)と、波長400〜700nmにおける最小吸光度(Absλmin)とを、分光光度計U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)を用いて測定し、「Absλmax/Absλmin」で表される吸光度比を求めた。
|((試験前における吸光度比−試験後における吸光度比)/試験前における吸光度比)×100|(%)で表される吸光度比変化率を以下の基準で評価した。結果を以下の表に示す。
A:吸光度比変化率≦2%
B:2%<吸光度比変化率≦4%
C:4%<吸光度比変化率≦7%
D:7%<吸光度比変化率
また、実施例15〜23の近赤外線吸収性組成物は、スルホン酸を3種以上反応させたものであるため、硬化膜としたときに高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、銅錯体の溶剤への溶解性をさらに向上させることができた。
実施例1の近赤外線吸収性組成物において、重合性化合物(NKエステルATM−35E)または溶剤(PGME)を下記表22の重合性化合物または溶剤に変更したこと以外は、実施例1と同様にして実施例31〜38の近赤外線カットフィルタを得た。
実施例31〜38の近赤外線カットフィルタでも良好な近赤外線遮蔽性を有することが確認できた。
下記の化合物を下記配合量で混合して、実施例39の近赤外線吸収性組成物を調製した。
・銅錯体A(下記スルホフタル酸を配位子として有する銅錯体) 10質量部
・重合性化合物(NKエステルATM−35E) 10質量部
・溶剤(水) 10質量部
スルホフタル酸53.1%水溶液(13.49g,29.1mmol)をメタノール50mLに溶かし、この溶液を50℃に昇温した後、水酸化銅(2.84g,29.1mmol)を加え50℃で2時間反応させた。反応終了後、エバポレータにて溶剤及び発生した水を留去することで銅錯体A(8.57g)を得た。
下記の化合物を下記配合量で混合して、実施例40の近赤外線吸収性組成物を調製した。
・銅錯体A(上記スルホフタル酸を配位子として有する銅錯体) 10質量部
・下記バインダー 10質量部
・溶剤(水) 80質量部
バインダー:下記化合物
また、上記実施例39の近赤外線吸収性組成物において、銅錯体Aを表23に記載の化合物(配位子原料)と水酸化銅を反応させた銅錯体を用いたこと以外は同様にして、実施例41〜55の近赤外線吸収性組成物を調製した。
下記表23中、配位子原料(酸)とは、上述した銅錯体Aを得るために用いられるものである。また、「−」は、化合物(ii)が使用されないことを表す。
実施例39〜55の近赤外線カットフィルタでも良好な近赤外線遮蔽性を有することが確認できた。
20 接着剤、22 絶縁膜、23 金属電極、24 ソルダレジスト層、26 内部電極、27 素子面電極、
30 ガラス基板、40 撮像レンズ、42 近赤外線カットフィルタ、44 遮光兼電磁シールド、45 接着剤、46 平坦化層、
50 レンズホルダー、60 ハンダボール、70 回路基板、100 固体撮像素子基板
Claims (27)
- 銅成分に対して、下記一般式(I)で表される分子量が60〜500のスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなる銅錯体を含有する、近赤外線吸収性組成物。
一般式(I)
- 銅を中心金属とし、下記一般式(I)で表される分子量が60〜500のスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、下記一般式(II)で表される式量が60〜500の構造を含有し、該構造が互いに異なる銅錯体、ならびに、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
- 前記R1およびR2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または不飽和二重結合を有する有機基である、請求項1または2に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記R1および/またはR2が、分子量300以下の有機基である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記一般式(I)で表されるスルホン酸が、無置換のアルキルスルホン酸、置換または無置換のアリールスルホン酸、フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸、および、置換または無置換のアルケニルスルホン酸のいずれかから選択される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記銅錯体が、前記銅成分に対して、前記一般式(I)で表されるスルホン酸もしくはその塩を3種以上反応させてなる請求項1〜5のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物、または、
前記近赤外線吸収性組成物が、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なる銅錯体、または、前記一般式(II)で表される構造であって、該構造が互いに異なる構造を含有する銅錯体を3種以上含有する、請求項2〜5のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。 - 前記近赤外線吸収性組成物が、さらに、前記一般式(I)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一である銅錯体、または、前記一般式(II)で表される構造を含有し、該構造が全て同一である銅錯体を含有する、請求項2〜6のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 銅成分に対して、下記一般式(III)で表されるスルホン酸またはその塩を反応させてなる銅錯体、および、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
一般式(III)
- 銅を中心金属とし、下記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とする銅錯体、または、下記一般式(IV)で表される構造を含有する銅錯体、および、
溶剤を含有する近赤外線吸収性組成物。
- 前記R3およびR4は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を有する有機基である、請求項8または9に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記R3および/またはR4が、分子量300以下の有機基である、請求項8〜10のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記一般式(III)で示されるスルホン酸が、無置換のアルキルスルホン酸、置換または無置換のアリールスルホン酸、フッ素原子で置換されたアルキルスルホン酸、および、置換または無置換のアルケニルスルホン酸のいずれかから選択される、請求項8〜11のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記近赤外線吸収性組成物が、前記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一である銅錯体、または、前記一般式(IV)で表される構造を含有し、該構造が全て同一である銅錯体を2種以上含有する、請求項9〜12のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記銅錯体が、カルボン酸を配位子としてさらに有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 硬化性化合物をさらに含有する、請求項1〜14のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 前記硬化性化合物が、3官能以上の(メタ)アクリレートおよび/またはエポキシ樹脂である、請求項15に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 近赤外線吸収性組成物の固形分が35〜90質量%である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 固体撮像素子用イメージセンサ上に塗膜形成して用いられる、請求項1〜17のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 銅成分に対して、酸基を2以上有する分子量が70〜1000の化合物またはその塩を反応させてなる銅錯体を含有する近赤外線吸収性組成物であり、
前記2以上の酸基を有する化合物は、酸基としてスルホン酸基を少なくとも含む、近赤外線吸収性組成物。 - 前記2以上の酸基を有する化合物が、少なくとも、スルホン酸基とカルボン酸基を含む、請求項19に記載の近赤外線吸収性組成物。
- 請求項1〜20のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物を用いて作成された近赤外線カットフィルタ。
- 固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された請求項21に記載の近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュール。
- 固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールの製造方法であって、前記固体撮像素子基板の受光側において、請求項1〜20のいずれか1項に記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより前記近赤外線カットフィルタを形成する工程を有する、カメラモジュールの製造方法。
- 銅成分に対して、下記一般式(I)で表される分子量が60〜500のスルホン酸またはその塩を2種以上反応させてなる、スルホン酸銅錯体混合物。
一般式(I)
- 銅を中心金属とし、下記一般式(I)で表される分子量が60〜500のスルホン酸を配位子とし、該配位子が互いに異なるスルホン酸銅錯体、または、下記一般式(II)で表される式量が60〜500の構造を含有し、該構造が互いに異なるスルホン酸銅錯体、および、
下記一般式(I)で表される分子量が60〜500のスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体、または、下記一般式(II)で表される式量が60〜500の構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体を含有する、スルホン酸銅錯体混合物。
- 銅成分に対して、下記一般式(III)で表されるスルホン酸またはその塩を反応させてなるスルホン酸銅錯体、
銅を中心金属とし、下記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とするスルホン酸銅錯体、または、
下記一般式(IV)で表される構造を含有するスルホン酸銅錯体。
- 前記銅錯体が、前記一般式(III)で表されるスルホン酸を配位子とし、該配位子が全て同一であるスルホン酸銅錯体、または、前記一般式(IV)で表される構造を含有し、該構造が全て同一であるスルホン酸銅錯体
を2種以上含有するスルホン酸銅錯体混合物である、請求項26に記載のスルホン酸銅錯体。
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