JP6104934B2 - 無電解銅蒸着 - Google Patents
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Description
Claims (34)
- Low−k誘電体層の上に無電解めっきを提供するための方法であって、
前記low−k誘電体層の上にアモルファス炭素障壁層を形成することであって、
炭化水素、H2、及び無酸素希釈剤を含む蒸着ガス流を提供すること、
前記アモルファス炭素障壁層を提供するために前記蒸着ガスからプラズマを発生させること、
前記蒸着ガス流を停止させること、
を含む、low−k誘電体層の上にアモルファス炭素障壁層を形成すること、
前記アモルファス炭素障壁層を修正することであって、
H2及び無酸素希釈剤を含む修正ガス流を提供すること、
前記アモルファス炭素障壁層の上面を修正するプラズマを前記修正ガスから発生させること、
前記修正ガス流を停止させること、
を含む、前記アモルファス炭素障壁層を修正すること、
前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化することであって、
NH3、又はH2とN2とを含む官能基化ガス流を提供すること、
前記官能基化ガスからプラズマを発生させること、
前記官能基化ガス流を停止させること、
を含む、前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化すること、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
前記官能基化され修正されたアモルファス炭素障壁の上に無電解めっきを提供するために無電解プロセスを使用することを備える方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層内に、特徴がエッチングされ、前記無電解めっきは、前記エッチングされた特徴内に金属相互接続を形成する、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記修正する工程は、前記アモルファス炭素障壁層を整える、密にする、又はビア洗浄する、方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記修正ガスは、無炭化水素である、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記蒸着ガスは、無酸素である、方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記修正ガスは、完全に無炭化水素である、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層は、多孔質low−k誘電体である、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記無酸素希釈剤は、希ガス又はN2のうちの少なくとも1つからなる、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記無酸素希釈剤は、Heからなる、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記炭化水素は、無フッ素の炭化水素である、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記炭化水素は、CH4である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
前記low−k誘電体層をプラズマ処理チャンバ内に配置すること、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、
を備える方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、前記アモルファス炭素障壁層を形成すること、前記アモルファス炭素障壁層を修正すること、及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化することは、同じプラズマ処理チャンバ内でin−situでなされる、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、前記アモルファス炭素障壁層を形成すること、前記アモルファス炭素障壁層を修正すること、及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化することは、プラズマ処理チャンバクラスタにおいてなされる、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
エッチング残留物を除去するためのポストエッチングウェット洗浄を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アモルファス炭素障壁層を修正することは、更に、イオン化された無酸素希釈剤を前記low−k誘電体層へ加速するためのバイアスを提供することを含み、前記アモルファス炭素障壁層を修正する最中におけるバイアスは、アモルファス炭素障壁層を形成する最中におけるバイアス及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化する最中におけるバイアスよりも高い、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記官能基化ガスは、NH3を含む、方法。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記修正する工程は、前記アモルファス炭素障壁層を整える、密にする、又はビア洗浄する、方法。 - 請求項1から3及び19のいずれか一項に記載の方法であって、
前記修正ガスは、無炭化水素である、方法。 - 請求項1から3及び19から20のいずれか一項に記載の方法であって、
前記蒸着ガスは、無酸素である、方法。 - 請求項1から3及び19から21のいずれか一項に記載の方法であって、
前記修正ガスは、完全に無炭化水素である、方法。 - 請求項1から3及び19から22のいずれか一項に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層は、多孔質low−k誘電体である、方法。 - 請求項1から3及び19から23に記載の方法であって、
前記無酸素希釈剤は、希ガス又はN2のうちの少なくとも1つからなる、方法。 - 請求項1から3及び19から24のいずれか一項に記載の方法であって、
前記無酸素希釈剤は、Heからなる、方法。 - 請求項1から3及び19から25のいずれか一項に記載の方法であって、
前記炭化水素は、無フッ素の炭化水素である、方法。 - 請求項1から3及び19から26のいずれか一項に記載の方法であって、
前記炭化水素は、CH4である、方法。 - 請求項1から3及び19から27のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記low−k誘電体層をプラズマ処理チャンバ内に配置すること、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、
を備える方法。 - 請求項28に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、前記アモルファス炭素障壁層を形成すること、前記アモルファス炭素障壁層を修正すること、及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化することは、同じプラズマ処理チャンバ内でin−situでなされる、方法。 - 請求項28に記載の方法であって、
前記low−k誘電体層内に特徴をエッチングすること、前記アモルファス炭素障壁層を形成すること、前記アモルファス炭素障壁層を修正すること、及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化することは、プラズマ処理チャンバクラスタにおいてなされる、方法。 - 請求項1から3及び19から30のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
エッチング残留物を除去するためのポストエッチングウェット洗浄を備える方法。 - 請求項1から3及び19から31のいずれか一項に記載の方法であって、
前記アモルファス炭素障壁層を修正することは、更に、イオン化された無酸素希釈剤を前記low−k誘電体層へ加速するためにバイアスを提供することを含み、前記アモルファス炭素障壁層を修正する最中におけるバイアスは、アモルファス炭素障壁層を形成する最中におけるバイアス及び前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化する最中におけるバイアスよりも高い、方法。 - 請求項1から3及び19から32のいずれか一項に記載の方法であって、
前記官能基化ガスは、NH3を含む、方法。 - 装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内でウエハを支えるための基板サポートと、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を調節するための圧力調節器と、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給するための少なくとも1つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内にガスを供給するためのガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排出するためのガス出口と、
を備えるチャンバと、
前記少なくとも1つの電極に電気的に接続された少なくとも1つのRF電源と、
前記ガス入口に流体的に接続しているガス源と、
前記ガス源及び前記少なくとも1つのRF電源に可制御式に接続されたコントローラであって、
少なくとも1つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能媒体であって、
前記low−k誘電体層の上にアモルファス炭素障壁層を形成するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、
炭化水素、H2、及び無酸素希釈剤を含む蒸着ガス流をガス源から提供するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記アモルファス炭素障壁層を提供するために前記蒸着ガスからプラズマを発生させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記蒸着ガス流を停止させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、を含むコンピュータ読み取り可能コードと、
前記アモルファス炭素障壁層を修正するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、
H2及び無酸素希釈剤を含む修正ガス流を前記ガス源から提供するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記アモルファス炭素障壁層の上面を修正するプラズマを前記修正ガスから発生させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記修正ガス流を停止させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、を含むコンピュータ読み取り可能コードと、
前記修正されたアモルファス炭素障壁層を官能基化するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、
NH3、又はH2とN2とを含む官能基化ガス流を提供するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記官能基化ガスからプラズマを発生させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記官能基化ガス流を停止させるためのコンピュータ読み取り可能コードと、を含むコンピュータ読み取り可能コードと、
を含むコンピュータ読み取り可能媒体と、
を含むコントローラと、
を備える装置。
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