JP6097961B2 - 増幅回路および窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
11 パワーアンプ
12 検出部
14 制御部
16 出力部
18 スイッチ
40 基板
50 窒化物半導体層
52 ソース電極
54 ゲート電極
56 ドレイン電極
60 メインアンプ
62 ピークアンプ
70 回路
74 エンベロープコントローラ
Claims (4)
- Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力され、高周波信号がドレイン端子から出力するFETからなるパワーアンプと、
前記ドレイン端子と前記ドレイン端子に電圧を供給する電源との間に接続されたインダクタと、
前記インダクタの前記電源側の電流を前記パワーアンプのドレイン電流として検出する検出部と、
前記検出されたドレイン電流が所定値より小さい場合は、ドレイン電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレイン電流が前記所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部と、
を具備し、
前記所定値は、前記ゲート端子に前記高周波信号が入力されず、かつ前記固定値のゲートバイアスが入力されかつドレイン電流のドリフトが生じていないときのドレイン電流であり、
前記制御部は、前記検出されたドレイン電流が前記所定値より小さい場合は、前記ドレイン電流が前記所定値となるように前記パワーアンプのゲート端子に前記ゲートバイアス電圧を出力することを特徴とする増幅回路。 - 前記検出部は、前記ドレイン電流が前記所定値の場合前記固定値を、前記ドレイン電流が前記所定値より大きい場合前記固定値より負側の電圧を、前記ドレイン電流が前記所定値より小さい場合前記固定値より正側の電圧を、それぞれ前記制御部に出力し、
前記制御部は、前記検出部からの入力電圧が、前記固定値より負側の場合前記固定値を、前記固定値より正側の場合前記入力電圧を、前記ゲートバイアス電圧として出力することを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記ドレイン電流は、ドハティ増幅回路のメインアンプに含まれるFETのドレイン電流であり、前記ゲートバイアス電圧は、前記メインアンプに含まれるFETのゲートバイアス電圧であることを特徴とする請求項1または2記載の増幅回路。
- 前記パワーアンプのドレイン電圧を制御するエンベロープコントローラを具備することを特徴とする請求項1または2記載の増幅回路。
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