JPH0232221U - - Google Patents

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JPH0232221U
JPH0232221U JP11008488U JP11008488U JPH0232221U JP H0232221 U JPH0232221 U JP H0232221U JP 11008488 U JP11008488 U JP 11008488U JP 11008488 U JP11008488 U JP 11008488U JP H0232221 U JPH0232221 U JP H0232221U
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fet
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gate
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drain current
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例を示すブロツク図
、第２図は第１図の回路の構成例を示す接続図、
第３図はＣクラス増幅回路の入出力特性を示す特
性図、第４図はゲート電圧とゲート電流との関係
を示す特性図、第５図は第２図の回路のＯＮ／Ｏ
ＦＦ比を示す特性図、第６図は第２図の回路の高
周波入力とゲート電流との関係を示す特性図。 １はＦＥＴ、２はドレイン電流検出回路、３は
バイアス回路、３０，３１はそれぞれトランジス
タ、３２はダイオード。なお、各図中同一符号は
同一または相当部分を示すものとする。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を高周波電力
    増幅素子とし、このＦＥＴのゲートに高周波電力
    を入力する高周波電力増幅回路において、 上記ＦＥＴのドレイン電流の平均値を検出する
    ドレイン電流検出回路、 このドレイン電流の平均値が予め定める値以上
    の場合は予期される最大高周波入力においても上
    記ＦＥＴのゲートに逆方向に流れるブレイクダウ
    ン電流がその許容値を超過することがないように
    比較的浅い負の電圧値（第１の電圧値とする）の
    バイアス電圧を上記ＦＥＴのゲートに加え、上記
    ドレイン電流の平均値が上記予め定める値に達し
    ない場合は上記第１の電圧値よりも低い（負方向
    に深い）第２のバイアス電圧を上記ＦＥＴのゲー
    トに加えるバイアス回路、 を備えたことを特徴とする高周波電力増幅回路
    。
JP11008488U 1988-08-24 1988-08-24 Pending JPH0232221U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013009200A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 増幅回路および窒化物半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5863202A (ja) * 1981-10-13 1983-04-15 Toshiba Corp 高周波パルス電力増幅器
JPS6037914B2 (ja) * 1977-08-09 1985-08-29 シチズン時計株式会社 電子時計の周波数調整装置

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