JP2013009200A - 増幅回路および窒化物半導体装置 - Google Patents
増幅回路および窒化物半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013009200A JP2013009200A JP2011141102A JP2011141102A JP2013009200A JP 2013009200 A JP2013009200 A JP 2013009200A JP 2011141102 A JP2011141102 A JP 2011141102A JP 2011141102 A JP2011141102 A JP 2011141102A JP 2013009200 A JP2013009200 A JP 2013009200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- idle current
- voltage
- amplifier
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 17
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
【解決手段】Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFET10からなるパワーアンプ11と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部12と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部14と、を具備する増幅回路
【選択図】図4
Description
11 パワーアンプ
12 検出部
14 制御部
16 出力部
18 スイッチ
40 基板
50 窒化物半導体層
52 ソース電極
54 ゲート電極
56 ドレイン電極
60 メインアンプ
62 ピークアンプ
70 回路
74 エンベロープコントローラ
Claims (7)
- Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFETからなるパワーアンプと、
前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部と、
前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部と、
を具備することを特徴とする増幅回路。 - 制御部は、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流が所定値となるように前記パワーアンプのゲート端子に前記ゲートバイアス電圧を出力することを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
- 前記検出部は、前記ドレインアイドル電流が前記所定値の場合前記固定値を、前記ドレインアイドル電流が前記所定値より大きい場合前記固定値より負側の電圧を、前記ドレインアイドル電流が前記所定値より小さい場合前記固定値より正側の電圧を、それぞれ前記制御部に出力し、
前記制御部は、前記検出部からの入力電圧が、前記固定値より負側の場合前記固定値を、前記固定値より正側の場合前記入力電圧を、前記ゲートバイアス電圧として出力することを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記ドレインアイドル電流は、ドハティ増幅回路のメインアンプに含まれるFETのドレインアイドル電流であり、前記ゲートバイアス電圧は、前記メインアンプに含まれるFETのゲートバイアス電圧であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の増幅回路。
- 前記パワーアンプのドレイン電圧を制御するエンベロープコントローラを具備することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の増幅回路。
- SiまたはSiCからなる基板と、
前記基板上に形成された窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に形成された、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記ドレイン電極と接続され、ドレインアイドル電流を含むドレイン電流を出力するドレイン端子と、
前記ゲート電極と接続され、高周波信号が入力するとともに、前記ドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧が印加され、前記ドレインアイドル電流が所定値以上の場合には、固定値のゲートバイアス電圧が印加されるゲート端子と、
前記ソース電極と接続され、グランドに接続されるソース端子と、
を具備することを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記ゲート電極は、前記窒化物半導体層の上面において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されてなることを特徴とする請求項6記載の窒化物半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011141102A JP6097961B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | 増幅回路および窒化物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011141102A JP6097961B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | 増幅回路および窒化物半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013009200A true JP2013009200A (ja) | 2013-01-10 |
JP6097961B2 JP6097961B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=47676184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011141102A Active JP6097961B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | 増幅回路および窒化物半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6097961B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014230133A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 三菱電機株式会社 | 増幅装置および増幅装置の制御方法 |
JP2015041997A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅回路 |
US9531331B2 (en) | 2015-02-19 | 2016-12-27 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Amplifier compensating drift after sudden decrease of drain current |
US9537451B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-01-03 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Amplifier having enhanced power efficiency |
JPWO2016125424A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-11-16 | 日本電気株式会社 | 電源供給回路、増幅器、通信装置、基地局、電源供給方法 |
JP2019080300A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | エンベロープトラッキングバイアス回路及び電力増幅装置 |
JP2019110393A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 富士通株式会社 | 無線通信装置 |
US10505498B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-12-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Envelope tracking bias circuit and power amplifying device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232221U (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | ||
JP2009059945A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器 |
JP2010268393A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Fujitsu Ltd | 増幅器、送信装置および利得補償方法 |
-
2011
- 2011-06-24 JP JP2011141102A patent/JP6097961B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232221U (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | ||
JP2009059945A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器 |
JP2010268393A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Fujitsu Ltd | 増幅器、送信装置および利得補償方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014230133A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 三菱電機株式会社 | 増幅装置および増幅装置の制御方法 |
JP2015041997A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅回路 |
US9537451B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-01-03 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Amplifier having enhanced power efficiency |
JPWO2016125424A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-11-16 | 日本電気株式会社 | 電源供給回路、増幅器、通信装置、基地局、電源供給方法 |
US10361693B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-07-23 | Nec Corporation | Power source supply circuit, amplifier, communication device, base station, and power source supply method |
US9531331B2 (en) | 2015-02-19 | 2016-12-27 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Amplifier compensating drift after sudden decrease of drain current |
JP2019080300A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | エンベロープトラッキングバイアス回路及び電力増幅装置 |
US10505498B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-12-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Envelope tracking bias circuit and power amplifying device |
JP2019110393A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 富士通株式会社 | 無線通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6097961B2 (ja) | 2017-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6097961B2 (ja) | 増幅回路および窒化物半導体装置 | |
US10637406B2 (en) | Power amplifier module | |
US8354883B2 (en) | Power amplifier | |
TWI424303B (zh) | 用於產生一參考電壓之電路及方法及具有用於產生一參考電壓之電路之一可攜式收發器 | |
US11431305B2 (en) | Power amplifier module and power amplification method | |
CN108206675B (zh) | 具有可编程级的射频功率放大器偏压调制 | |
US7388429B2 (en) | Amplifier circuit, control method of the same, and amplifier circuit module | |
WO2016018527A1 (en) | Limiting driver for switch-mode power amplifier | |
CN110690861A (zh) | 具有线性补偿功能的多级功率放大器 | |
US8917144B2 (en) | Power amplifier | |
US20130328626A1 (en) | Bias control circuit | |
US8633768B2 (en) | Amplifying device | |
US9853605B2 (en) | Transistor package, amplification circuit including the same, and method of forming transistor | |
WO2019208371A1 (ja) | 増幅回路 | |
JP7171950B2 (ja) | 電力増幅装置 | |
JP6214085B2 (ja) | 増幅回路 | |
US9577583B2 (en) | Power amplifier | |
JP3668099B2 (ja) | 電力増幅器 | |
US8432145B2 (en) | Voltage supply circuit including a III-nitride based power semiconductor device | |
US9531331B2 (en) | Amplifier compensating drift after sudden decrease of drain current | |
US20130141161A1 (en) | Power amplifier | |
JP2016116022A (ja) | 高出力増幅器 | |
JP2015041998A (ja) | 増幅回路 | |
JP2012023489A (ja) | 変調電源 | |
JP2015226033A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20140416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160405 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160415 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6097961 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |