JPH0145155Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145155Y2 JPH0145155Y2 JP19686U JP19686U JPH0145155Y2 JP H0145155 Y2 JPH0145155 Y2 JP H0145155Y2 JP 19686 U JP19686 U JP 19686U JP 19686 U JP19686 U JP 19686U JP H0145155 Y2 JPH0145155 Y2 JP H0145155Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- circuit
- loudness
- input signal
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は音声増幅器において入力信号のレベル
に応じ、ラウドネスコントロールを行なうラウド
ネス回路に関するものである。
に応じ、ラウドネスコントロールを行なうラウド
ネス回路に関するものである。
従来のラウドネス回路は増幅器の増幅度に応じ
て補正特性が決められていた。
て補正特性が決められていた。
この為音楽ソースの信号レベルが変化してもラ
ウドネスの補正特性は変化しなかつた。
ウドネスの補正特性は変化しなかつた。
ラウドネス補正回路中の補正特性を定める抵抗
成分を入力信号レベルに応じて変化させる様にし
た。
成分を入力信号レベルに応じて変化させる様にし
た。
入力信号レベルに応じて補正特性を定める抵抗
成分が変化しても補正特性を変える。
成分が変化しても補正特性を変える。
以下、実施例に従つて詳細な説明を行う。
第１図において、信号入力端子１に加えられた
入力信号は抵抗器３を介し、ボリユーム１３に加
えられると共に、コンデンサ７、抵抗器４，５で
構成される第１のフイルターに接続される。ボリ
ユーム１３の中間タツプ１８と接地間にはコンデ
ンサ８抵抗器６で構成される第２のフイルタが接
続される。９，１０はFET、１１，１２はダイ
オードである。前記入力信号は又、検波器１４及
び平滑回路１５により第１の制御電圧となつて
FET９のゲートに加えられる。この第１の制御
電圧は反転回路１６及びレベルシフト回路１７に
より第２の制御電圧となつてFET１０のゲート
に加えられる。２は出力端子である。
入力信号は抵抗器３を介し、ボリユーム１３に加
えられると共に、コンデンサ７、抵抗器４，５で
構成される第１のフイルターに接続される。ボリ
ユーム１３の中間タツプ１８と接地間にはコンデ
ンサ８抵抗器６で構成される第２のフイルタが接
続される。９，１０はFET、１１，１２はダイ
オードである。前記入力信号は又、検波器１４及
び平滑回路１５により第１の制御電圧となつて
FET９のゲートに加えられる。この第１の制御
電圧は反転回路１６及びレベルシフト回路１７に
より第２の制御電圧となつてFET１０のゲート
に加えられる。２は出力端子である。
次に動作の説明をする。上記第１の制御電圧
Vpは入力信号Viに対して第２図に示すＡのよう
な特性となつてダイオード１１を介しFET９の
ゲートに加えられる。この為検波回路１４は負の
両波検波器である。又平滑回路１５はFETが急
激に変化すると聴感上、聞き苦しくなるので、こ
れを防ぐ為時定数を大きしてある。次に反転回路
１６及びレベルシフト回路１７により第２の制御
電圧はＢの様になりダイオード１２を介しFET
１０のゲートに加えられる。従つて、FET９及
びFET１０は相反した動作をする。
Vpは入力信号Viに対して第２図に示すＡのよう
な特性となつてダイオード１１を介しFET９の
ゲートに加えられる。この為検波回路１４は負の
両波検波器である。又平滑回路１５はFETが急
激に変化すると聴感上、聞き苦しくなるので、こ
れを防ぐ為時定数を大きしてある。次に反転回路
１６及びレベルシフト回路１７により第２の制御
電圧はＢの様になりダイオード１２を介しFET
１０のゲートに加えられる。従つて、FET９及
びFET１０は相反した動作をする。
今、入力信号レベルが小さい場合と考えると、
FET９はON状態、FET１０はOFF状態となり、
ラウドネス回路が最もよくきく状態になる。これ
によりコンデンサ７及び抵抗器４に流入した高域
成分はFET９を介してボリユーム１３に加えら
れ、高域成分を増大させる。一方コンデンサ８抵
抗器６により低域成分は増大する。従つて総合的
には高域及び低域で増幅度が大となる。
FET９はON状態、FET１０はOFF状態となり、
ラウドネス回路が最もよくきく状態になる。これ
によりコンデンサ７及び抵抗器４に流入した高域
成分はFET９を介してボリユーム１３に加えら
れ、高域成分を増大させる。一方コンデンサ８抵
抗器６により低域成分は増大する。従つて総合的
には高域及び低域で増幅度が大となる。
また入力信号レベルが大きい場合はFET９は
OFF状態、FET１０はON状態となるため、ラウ
ドネス回路はきかない状態になり、フラツトな特
性が得られる。又制御信号に応じてFET９及び
１０の抵抗値が定まるので、入力信号レベルが中
間の状態では、入力信号が大となるにつれて、
FET９及び１０の抵抗値はそれぞれ大及び小と
なる。従つて入力信号レベルが大となるほど、高
域増幅度は減少し、又低域についても、FET１
０の抵抗値が低下するのでコンデンサ８の影響が
少くなり、低域の増幅度も減少して、次第にフラ
ツトな特性に近づく。
OFF状態、FET１０はON状態となるため、ラウ
ドネス回路はきかない状態になり、フラツトな特
性が得られる。又制御信号に応じてFET９及び
１０の抵抗値が定まるので、入力信号レベルが中
間の状態では、入力信号が大となるにつれて、
FET９及び１０の抵抗値はそれぞれ大及び小と
なる。従つて入力信号レベルが大となるほど、高
域増幅度は減少し、又低域についても、FET１
０の抵抗値が低下するのでコンデンサ８の影響が
少くなり、低域の増幅度も減少して、次第にフラ
ツトな特性に近づく。
以上の様に本考案によれば、自動的にラウドネ
ス補正が行われ、又その補正の程度は入力信号レ
ベルに応じて最適なものに近づけることが出来る
等優れた効果をを得ることが出来る。
ス補正が行われ、又その補正の程度は入力信号レ
ベルに応じて最適なものに近づけることが出来る
等優れた効果をを得ることが出来る。
第１図は本考案の一実施例を示すブロツク図、
第２図は入力信号レベルに対する制御電圧を示す
線図である。 １……入力端子、２……出力端子、３，４，
５，６……抵抗器、７，８……コンデンサ、９，
１０……FET、１１，１２……ダイオード、１
３……タツプ付可変抵抗器、１４……検波器、１
５……平滑回路、１６……反転回路、１７……レ
ベルシフト回路。
第２図は入力信号レベルに対する制御電圧を示す
線図である。 １……入力端子、２……出力端子、３，４，
５，６……抵抗器、７，８……コンデンサ、９，
１０……FET、１１，１２……ダイオード、１
３……タツプ付可変抵抗器、１４……検波器、１
５……平滑回路、１６……反転回路、１７……レ
ベルシフト回路。
Claims (1)
- 入力端子と接地間に中間端子を有する可変抵抗
器を接続し、上記入力端子と中間端子間に第１の
抵抗器と第１のコンデンサの第１の直列回路を接
続し、上記中間端子と接地間に第２の抵抗器と第
２のコンデンサの第２の直列回路を接続したラウ
ドネス回路において、上記第１の抵抗器の少くと
も１部を第１の可変抵抗素子とし、上記第２のコ
ンデンサに並列に第２の可変抵抗素子を接続し、
上記第１及び第２の可変抵抗素子の抵抗値を入力
信号レベルに応じて互いに逆方向に変化する様に
制御したラウドネス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19686U JPH0145155Y2 (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19686U JPH0145155Y2 (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62129821U JPS62129821U (ja) | 1987-08-17 |
| JPH0145155Y2 true JPH0145155Y2 (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=30776955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19686U Expired JPH0145155Y2 (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0145155Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-01-06 JP JP19686U patent/JPH0145155Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62129821U (ja) | 1987-08-17 |
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