JP6096468B2 - 金属ナノ粒子を含有する電気伝導性ペースト組成物 - Google Patents
金属ナノ粒子を含有する電気伝導性ペースト組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6096468B2 JP6096468B2 JP2012236067A JP2012236067A JP6096468B2 JP 6096468 B2 JP6096468 B2 JP 6096468B2 JP 2012236067 A JP2012236067 A JP 2012236067A JP 2012236067 A JP2012236067 A JP 2012236067A JP 6096468 B2 JP6096468 B2 JP 6096468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- electrically conductive
- paste
- conductive paste
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 71
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 title description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 74
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 70
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 58
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 46
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 41
- -1 TeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 28
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910021293 PO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910013290 LiNiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 229910001386 lithium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 10
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910013292 LiNiO Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 113
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 62
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 229910020186 CeF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 229910032387 LiCoO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003005 LiNiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006406 SnO 2 At Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000161 silver phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M silver;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Ag+].[O-]C(=O)C(F)(F)F KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/81—Of specified metal or metal alloy composition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本願は、2011年10月25日出願の米国仮出願第61/550,998号に基づく優先権を主張する。この仮出願の開示は、参照によりその全体を本願明細書に援用したものとする。
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)電気伝導性の金属、金属合金、および/または金属ケイ化物のナノ粒子であって、このナノ粒子は、約5nm〜約2ミクロン(2μm)の粒径を有する、ナノ粒子と、
(d)有機媒体と
を含む。
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)電気伝導性の金属、金属合金、および/または金属ケイ化物のナノ粒子であって、このナノ粒子は、約5nm〜約2ミクロン(2μm)の粒径を有する、ナノ粒子と、
(d)有機媒体と、
を含む。
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)電気伝導性の金属、金属合金、および/または金属ケイ化物のナノ粒子であって、このナノ粒子は、約5nm〜約2ミクロン(2μm)の粒径を有する、ナノ粒子と、
(d)有機媒体と
を含み、この第2の電気伝導性ペーストは、第1の層のペーストと同じであってもよいし第1の層のペーストとは異なっていてもよく、ガラスフリットまたは有機媒体を含有してもよいし含有しなくてもよいが、電気伝導性の粒子を含有し、そして好ましくは、第1の層のペーストよりも高い電気伝導率をもたらす。
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)電気伝導性の金属、金属合金、および/または金属ケイ化物のナノ粒子であって、このナノ粒子は、約5nm〜約2ミクロン(2μm)の粒径を有する、ナノ粒子と、
(d)有機媒体と、
を含む。
当該銀粒子は、当該電気伝導性ペースト組成物の中の電気伝導性金属として機能する。この銀は、銀金属、1以上の銀誘導体、またはそれらの混合物として存在してもよい。好適な銀誘導体としては、例えば、銀合金ならびに/または銀ハロゲン化物(例えば、塩化銀)、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、オルトリン酸銀、およびこれらの組み合わせなどの銀塩が挙げられる。銀の代わりにまたは銀に加えて、他の電気伝導性金属、例えば金、銅、ニッケル、パラジウムおよび/または白金(これらに限定されない)を利用することも、本発明の範囲内にある。あるいは、これらの金属の合金も、電気伝導性金属として利用してよい。
このガラスフリット(ガラス粒子)は、当該電気伝導性ペースト組成物中の無機結合剤として機能し、焼成の間に基板の上へ金属成分を堆積させるための輸送媒体として作用する。このガラス系は、シリコン界面上での金属の結晶化(これは、直接の接点を作り出す)およびガラス内の金属の微結晶サイズ(これは、当該ガラスのトンネル電気伝導率の源である)を制御するために重要である。このガラスは、基板の中への金属の結晶化の浸透の深さを制御するためにも重要である。この浸透の深さは、適正に制御されなければp−n接合の短絡を生じる可能性がある。
具体的な有機媒体または結合剤は限定されず、当該技術分野で公知の有機媒体またはこの種の応用例のために開発されるべき有機媒体であってもよい。例えば、好ましい有機媒体は、樹脂、溶媒、ならびに調整剤、例えば結合剤としてのエチルセルロースおよび溶媒としてのテルピネオールを含有する。他の結合剤としてはフェノール樹脂を挙げてもよいが、これに限定されない。他の溶媒としては、カルビトール、ヘキシルカルビトール、テキサノール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、またはアジピン酸ジメチルまたはグリコールエーテルを挙げてもよいが、これらに限定されない。この有機媒体として、界面活性剤および当業者に公知のチキソトロピー剤も挙げてもよい。界面活性剤としては、ポリエチレンオキシド、ポリエチレングリコール、ベンゾトリアゾール、ポリ(エチレングリコール)酢酸、ラウリン酸、オレイン酸、カプリン酸、ミリスチン酸、リノール酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸塩、パルミチン酸塩、およびこれらの混合物を挙げてもよいが、これらに限定されない。当業者に公知のチキソトロピー剤としては、ゲル、およびヒマシ油のような天然物質から誘導されるものなどの有機物が挙げられる。市販のチキソトロピー剤も使用してよい。この有機媒体は、好ましくは、当該組成物の総重量に基づき約5〜約30重量%、より好ましくは約20重量%未満の量で当該電気伝導性ペースト組成物の中に存在する。
本発明に係るナノ微粒子添加剤は、ニッケル、クロム、コバルト、チタン、コバルト、ニッケル、クロム、およびチタンの合金、これらの元素のケイ化物、ならびにこれらの混合物など(これらに限定されない)の電気伝導性のナノサイズの金属粒子を含む。この金属または合金のナノ粒子は、好ましくは、約5nm〜約2ミクロン(2μm)、より好ましくは約20〜約800nm、最も好ましくは約20〜約500nmの直径を有する。このナノ粒子(ナノ粉末)は、公知の技法(例えば、Kim,Soon−Gilら、「Colloids and film disposition of Ni nanoparticles for base metal electrode applications」、Colloids and Surfaces A: Physiochem.Eng.Aspects、第337巻、96−101頁(2009年)を参照)によって調製してもよいし、またはそれらは、いくつかの供給源、例えばアメリカン・エレメンツ(American Elements)、アプライド・ナノテク・ホールディングス(Applied Nanotech Holdings,Inc.)およびユーエス・リサーチ・ナノマテリアルズ(U.S.Research Nanomaterials,Inc.)から市販されている。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(Heraeus Materials Technology LLC)(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン(W.Conshohocken))から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9235H、の構成成分(銀粉末、ガラスフリット、ガラス添加剤、および有機物)、約0.05〜5重量%のニッケルナノ粒子(この範囲の中の異なる百分率のNiを有する3つのペースト)、ならびにAl2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を合わせることにより、電気伝導性ペースト(ペースト1)を調製する。このニッケルは、20nm〜500nmのd50を有する粉末として利用する。このニッケルの重量%は、得られるペーストの総重量に基づく。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン)から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9273MA、の構成成分(銀粉末、ガラス、ガラス添加剤、および有機物)、0.05〜5.0重量%のニッケルナノ粒子(この範囲の中の異なる百分率のNiを有する3つのペースト)、ならびにAl2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を合わせることにより、電気伝導性ペースト(ペースト2)を調製する。このニッケルは、20nm〜500nmのd50を有する粉末として利用する。このニッケルの重量%は、得られるペーストの総重量に基づく。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン)から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9235H、5nm〜300nmの粒径d50を有するニッケルナノ粒子、ならびにAl2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を合わせることにより、電気伝導性ペースト(ペースト3)を調製する。このニッケルを上記ペーストと混合し、三本ロール練り機にかけた。ペースト3は、得られるペーストの総重量に基づき、0.1%〜3.0%のニッケルを含有する(この範囲内の異なる百分率のNiを有する3つのペースト)。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン)から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9273MA、の構成成分(銀粉末、ガラス、ガラス添加剤、および有機物)、0.05〜5.0重量%の、20〜500nmの粒径d50を有するニッケルナノ粒子(この範囲の中の異なる百分率を有する3つの試料)、ならびに0.1〜2.0%の、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を合わせることにより、電気伝導性ペースト(ペースト4)を調製する。すべての重量%は、得られるペーストの総重量に基づく。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン)から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9273MA、の構成成分(銀粉末、ガラス、ガラス添加剤、および有機物)、0.05〜5.0重量%の、500nm未満の粒径d50を有するニッケル合金(この範囲の中の異なる百分率を有する10個の試料)、ならびに0.1〜2.0%の、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を合わせることにより、電気伝導性ペースト(ペースト5)を調製する。すべての重量%は、得られるペーストの総重量に基づく。
ヘレウス・マテリアルズ・テクノロジー・エルエルシー(ペンシルベニア州、ウエスト・コンショホッケン)から市販されている市販の銀伝導性ペースト、SOL9273MA、の構成成分(銀粉末、ガラス、ガラス添加剤、および有機物)、0.05〜5.0重量%の、5%〜95%のニッケルを含有するニッケルおよびニッケル合金ナノ粒子混合物、ならびに5%〜95%のニッケル合金、ならびに0.1〜2.0%の、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤(これらの範囲の中の異なる百分率を有する各ペーストの10個の試料)を合わせることにより、2つの電気伝導性ペースト(ペースト6および7)を調製する。このニッケルおよびニッケル合金ナノ粒子は、20nm〜500nmの粒径d50を有する。
ニッケル−チタンナノ粒子添加剤を電気伝導性ペーストの中に含める効果を確認するために、電気伝導性ペースト(ペースト8)を調製した。このペーストは、約85重量%の銀粒子、約4重量%のガラスフリット、約9重量%の有機媒体および約0.8重量%のNiTiナノ粒子を含んでいた。加えて、このペーストは、約0.1〜2重量%の、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を含む。このNiTiナノ粒子成分は、およそ50%のニッケルおよび50%のチタンを含む。このNiTiナノ粒子は、20nm〜500nmのd50を有する粉末として利用する。
電気伝導性ペーストの中に(実施例7と比べて)より少ない量のニッケル−チタンナノ粒子を含めることの効果を確認するために、2つの電気伝導性ペースト(ペースト9および10)を調製した。これらのペーストは、約85重量%の銀粒子、約5重量%のガラスフリット、約8重量%の有機媒体、および約0.1〜2重量%の、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムから選択される少なくとも1つのガラス添加剤を含んでいた。ペースト9は約0.24重量%のNiTiナノ粒子をも含んでおり、ペースト10は、約0.20重量%のNiTiナノ粒子を含んでいた。このNiTiナノ粒子成分は、約50%のニッケルおよび約50%のチタンを含んでいた。このNiTiナノ粒子は、20nm〜500nmのd50を有する粉末として利用した。
Claims (18)
- 電気伝導性ペースト組成物であって、
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)5nm〜2μmの粒径を有する、ニッケル−チタン合金粒子と、
(d)有機媒体と
を含む、電気伝導性ペースト組成物。 - 40〜95%の銀粒子、0.5〜6%のガラスフリット、0.05〜20重量%のニッケル−チタン合金粒子、および5〜30%の有機媒体を含み、すべての百分率は、前記組成物の総重量に基づく重量百分率である、請求項1に記載の組成物。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は20nm〜800nmの粒径を有する、請求項1または請求項2に記載の組成物。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は20nm〜500nmの粒径を有する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、前記組成物の総重量に基づき、0.05〜20重量%の量で前記組成物の中に存在する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、0.05〜10.0重量%の量で存在する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、0.05〜5.0重量%の量で存在する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の組成物。
- 0.1〜3.0重量%の量で、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムからなる群から選択される少なくとも1つの添加剤をさらに含む、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の組成物。
- 電気伝導性ペースト組成物を基板に付与することと、前記ペーストを焼成して電極を形成することとによって形成される太陽電池電極であって、前記電気伝導性ペースト組成物は、
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)5nm〜2μmの粒径を有する、ニッケル−チタン合金粒子と、
(d)有機媒体と
を含む、太陽電池電極。 - 前記ニッケル−チタン合金粒子は20nm〜800nmの粒径を有する、請求項9に記載の太陽電池電極。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は20nm〜500nmの粒径を有する、請求項9または請求項10に記載の太陽電池電極。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、前記組成物の総重量に基づき、0.05〜20重量%の量で前記組成物の中に存在する、請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の太陽電池電極。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、0.05〜10.0重量%の量で存在する、請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の太陽電池電極。
- 前記ニッケル−チタン合金粒子は、0.05〜5.0重量%の量で存在する、請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の太陽電池電極。
- 前記電気伝導性ペースト組成物は、0.1〜3.0重量%の量で、Al2O3、ZnO、Li2O、Ag2O、AgO、MoO3、TiO2、TeO2、CoO、Co2O3、Bi2O3、CeO2、CeF4、SiO2、MgO、PbO、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、P2O5、Ta2O5、B2O3、Ag3PO4、LiCoO2、LiNiO2、Ni3(PO4)2、NiO、またはリン酸リチウムからなる群から選択される少なくとも1つの添加剤をさらに含む、請求項9から請求項14のいずれか1項に記載の太陽電池電極。
- 第1の電気伝導性ペースト組成物の第1の層を基板に付与することと、前記ペーストを乾燥することと、第2の電気伝導性ペースト組成物の第2の層を前記第1の層に付与することと、前記2つの層を焼成して電極を形成することとによって形成される太陽電池電極であって、前記第1の電気伝導性ペースト組成物は、
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)5nm〜2μmの粒径を有する、ニッケル−チタン合金粒子と、
(d)有機媒体と
を含み、前記第2の電気伝導性ペーストは、前記第1の電気伝導性ペーストと同じであるかまたは前記第1の電気伝導性ペーストとは異なる、太陽電池電極。 - 太陽電池電極を形成する方法であって、第1の電気伝導性ペースト組成物の層を基板に付与することと、前記ペーストを焼成して前記電極を形成することとを含み、前記第1の電気伝導性ペースト組成物は、
(a)銀粒子と、
(b)ガラスフリットと、
(c)5nm〜2μmの粒径を有する、ニッケル−チタン合金粒子と、
(d)有機媒体と
を含む、方法。 - 前記第1の電気伝導性ペースト組成物の前記層の上に、第2の電気伝導性ペースト組成物の層を形成することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161550998P | 2011-10-25 | 2011-10-25 | |
US61/550,998 | 2011-10-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013127949A JP2013127949A (ja) | 2013-06-27 |
JP6096468B2 true JP6096468B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=47115176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012236067A Expired - Fee Related JP6096468B2 (ja) | 2011-10-25 | 2012-10-25 | 金属ナノ粒子を含有する電気伝導性ペースト組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130098431A1 (ja) |
EP (1) | EP2586752A1 (ja) |
JP (1) | JP6096468B2 (ja) |
KR (1) | KR20130045225A (ja) |
CN (1) | CN103151094A (ja) |
BR (1) | BR102012027412A2 (ja) |
SG (2) | SG189668A1 (ja) |
TW (1) | TWI552975B (ja) |
ZA (1) | ZA201208078B (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2623407A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-08-28 | Hydro-Quebec | Composite electrode material |
US9064616B2 (en) * | 2011-04-21 | 2015-06-23 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste |
CN104364851A (zh) * | 2012-06-12 | 2015-02-18 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 具有粘附增强剂的导电浆料 |
US9236161B2 (en) * | 2012-09-06 | 2016-01-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
KR20140092744A (ko) * | 2012-12-29 | 2014-07-24 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
TWM512217U (zh) | 2013-06-20 | 2015-11-11 | Plant PV | 太陽能電池 |
CN105408267B (zh) * | 2013-07-25 | 2020-01-14 | 纳美仕有限公司 | 结晶系硅太阳能电池及其制造方法 |
JP6197504B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2017-09-20 | 旭硝子株式会社 | 導電性ペーストおよび導電膜付き基材 |
EP2851906A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste comprising silver particles with silver oxide and organic additive |
US9331216B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-05-03 | PLANT PV, Inc. | Core-shell nickel alloy composite particle metallization layers for silicon solar cells |
KR20150089939A (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유리 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극 조성물 |
EP2913313A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-02 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Tungsten-containing glass frit for electroconductive paste composition |
EP2913139B1 (en) | 2014-02-26 | 2019-04-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | A glass comprising molybdenum and lead in a solar cell paste |
EP2913312A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-02 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Silver-lead-silicate glass for electroconductive paste composition |
WO2016099562A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Plant Pv, Inc | Silver nanoparticle based composite solar metallization paste |
CN107250075A (zh) | 2015-02-04 | 2017-10-13 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 导电糊料组合物和用其制成的半导体装置 |
US10056508B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-08-21 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising a metal compound |
KR20170132837A (ko) | 2015-03-27 | 2017-12-04 | 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 | 산화물 첨가제를 포함하는 전기-전도성 페이스트 |
EP3093852B1 (en) * | 2015-05-13 | 2017-12-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Use of an electrically conductive composition |
KR20180029052A (ko) * | 2015-07-03 | 2018-03-19 | 내셔날 리서치 카운실 오브 캐나다 | 금속 나노입자의 포토닉 소결에 기초한 자가-정렬 금속 패터닝 |
US10784383B2 (en) | 2015-08-07 | 2020-09-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
WO2017035103A1 (en) | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Plant Pv, Inc | Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications |
WO2017035102A1 (en) | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Plant Pv, Inc | Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells |
GB201520060D0 (en) | 2015-11-13 | 2015-12-30 | Johnson Matthey Plc | Conductive paste and conductive track or coating |
GB201520077D0 (en) * | 2015-11-13 | 2015-12-30 | Johnson Matthey Plc | Conductive track or coating |
US9741878B2 (en) | 2015-11-24 | 2017-08-22 | PLANT PV, Inc. | Solar cells and modules with fired multilayer stacks |
CN105632590A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-01 | 苏州开元民生科技股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池铝浆及其制备方法 |
CN105694598A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-06-22 | 华东理工大学 | 一种纳米银3d喷墨导电墨水及其制备方法 |
ES2730825T3 (es) * | 2016-10-11 | 2019-11-12 | Isabellenhuette Heusler Gmbh & Co Kg | Procedimiento para producir una estructura en capas utilizando una pasta a base de una aleación de resistencia |
KR101853417B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2018-05-02 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지 |
CN108666007A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 光伏电极银浆 |
CN108666004A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 高粘结性光伏导电银浆 |
CN108666003A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 光伏电池用导电银浆 |
CN108666002A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 太阳能电池用导电银浆 |
CN107316672A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-11-03 | 江苏东昇光伏科技有限公司 | 一种硅太阳能电池正极用浆料的制备方法 |
CN109427918A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 晶体硅太阳能栅线用导电银浆 |
CN108321224A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-07-24 | 无锡帝科电子材料科技有限公司 | 用于制备太阳能电池电极的多元纳米材料、包括其的糊剂组合物及太阳能电池电极和电池 |
US20190280133A1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Seed layer for improved contact on a silicon wafer |
WO2019183931A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
CN109020244B (zh) * | 2018-07-13 | 2021-06-22 | 苏州博望新能源科技有限公司 | 背钝化晶体硅太阳能电池用正面银浆玻璃粉及其制备方法 |
KR20220115597A (ko) * | 2019-12-12 | 2022-08-17 | 버트 씬 필름스, 엘엘씨 | 태양광 셀을 위한 페이스트, 태양광 셀, 및 이를 제조하는 방법 |
CN110942841A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-31 | 新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司 | 无铅银导体浆料及其制备工艺 |
JPWO2021145269A1 (ja) * | 2020-01-16 | 2021-07-22 | ||
CN111564508B (zh) * | 2020-05-20 | 2021-12-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种浆料及抗湿热衰减的光伏电池 |
JP6778389B1 (ja) * | 2020-06-24 | 2020-11-04 | 千住金属工業株式会社 | 導電性ペースト、積層体、及びCu基板又はCu電極と導電体との接合方法 |
CN114702240B (zh) * | 2022-04-15 | 2023-12-22 | 北京大学深圳研究生院 | 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 |
CN114883027B (zh) * | 2022-05-05 | 2023-09-01 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
US12055737B2 (en) * | 2022-05-18 | 2024-08-06 | GE Precision Healthcare LLC | Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures |
CN117711668B (zh) * | 2024-02-06 | 2024-05-14 | 晶澜光电科技(江苏)有限公司 | 一种n型太阳能电池p+发射极导电浆料及n型太阳能电池 |
CN118486498A (zh) * | 2024-07-11 | 2024-08-13 | 深圳市深云基新材料科技有限公司 | 一种应用于陶瓷封装的灌孔导电银浆及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0895252A1 (en) * | 1997-07-29 | 1999-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film silver termination composition |
JP2002157959A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Canon Inc | スペーサの製造法およびこのスペーサを用いた画像形成装置の製造方法 |
US20060231802A1 (en) | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Takuya Konno | Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom |
CN1329926C (zh) * | 2005-05-13 | 2007-08-01 | 范琳 | 一种无铅银电极浆料及其制造方法 |
JP4714633B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | 太陽電池電極用導電性ペースト |
EP2015367A4 (en) * | 2006-04-25 | 2011-10-05 | Sharp Kk | ELECTRO-CONDUCTIVE PASTE FOR A SOLAR BATTERY ELECTRODE |
US20100096014A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-22 | Hideyo Iida | Conductive paste for solar cell |
WO2008134417A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Ferro Corporation | Thick film conductor formulations comprising silver and nickel or silver and nickel alloys and solar cells made therefrom |
US8253010B2 (en) * | 2007-11-23 | 2012-08-28 | Big Sun Energy Technology Inc. | Solar cell with two exposed surfaces of ARC layer disposed at different levels |
US20090211626A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Hideki Akimoto | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
EP2417607A1 (en) * | 2009-04-08 | 2012-02-15 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Solar cell electrode |
CN101656276A (zh) * | 2009-09-17 | 2010-02-24 | 中电电气(南京)光伏有限公司 | 一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法 |
AU2010319335A1 (en) * | 2009-11-16 | 2012-04-05 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Electroconductive paste composition |
JP5633286B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-12-03 | 日立化成株式会社 | 電極用ペースト組成物および太陽電池 |
TWI576861B (zh) * | 2010-02-12 | 2017-04-01 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 導電鋁膠及其製造方法、太陽能電池及其模組 |
JP5144857B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2013-02-13 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
JP2011211081A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
-
2012
- 2012-10-25 US US13/660,002 patent/US20130098431A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-25 JP JP2012236067A patent/JP6096468B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-25 SG SG2012079513A patent/SG189668A1/en unknown
- 2012-10-25 TW TW101139540A patent/TWI552975B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-25 EP EP12007332.5A patent/EP2586752A1/en not_active Withdrawn
- 2012-10-25 CN CN2012104142021A patent/CN103151094A/zh active Pending
- 2012-10-25 SG SG10201608690XA patent/SG10201608690XA/en unknown
- 2012-10-25 KR KR1020120119265A patent/KR20130045225A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-10-25 BR BR102012027412-4A patent/BR102012027412A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-10-25 ZA ZA2012/08078A patent/ZA201208078B/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ZA201208078B (en) | 2014-10-29 |
TWI552975B (zh) | 2016-10-11 |
EP2586752A1 (en) | 2013-05-01 |
SG189668A1 (en) | 2013-05-31 |
CN103151094A (zh) | 2013-06-12 |
TW201335102A (zh) | 2013-09-01 |
JP2013127949A (ja) | 2013-06-27 |
US20130098431A1 (en) | 2013-04-25 |
BR102012027412A2 (pt) | 2014-12-16 |
KR20130045225A (ko) | 2013-05-03 |
SG10201608690XA (en) | 2016-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6096468B2 (ja) | 金属ナノ粒子を含有する電気伝導性ペースト組成物 | |
JP6110311B2 (ja) | 導電性ペースト組成物ならびにそれらから形成される太陽電池電極および接点 | |
JP6185229B2 (ja) | 電気伝導性ペースト用有機媒体 | |
JP6356389B2 (ja) | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト | |
JP6185273B2 (ja) | 電気伝導性ペースト組成物用の無機反応系 | |
JP6347577B2 (ja) | 低金属含量導電性ペースト組成物 | |
JP5859973B2 (ja) | 電気伝導性ペースト組成物 | |
JP2015528178A (ja) | 接着促進剤を有する導電性ペースト | |
WO2017154612A1 (ja) | 導電性ペースト及び太陽電池 | |
US20150243811A1 (en) | Silver-lead-silicate glass for electroconductive paste composition | |
KR20200078173A (ko) | 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지 | |
KR102326611B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR101991976B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
BR102012028301A2 (pt) | Veículo orgânico, pasta eletrocondutora e célula solar | |
KR20210069788A (ko) | 선택적 에미터 태양전지 전극 및 이를 포함한 선택적 에미터 태양전지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6096468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |