CN114702240B - 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 - Google Patents
一种玻璃组合物及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114702240B CN114702240B CN202210399666.3A CN202210399666A CN114702240B CN 114702240 B CN114702240 B CN 114702240B CN 202210399666 A CN202210399666 A CN 202210399666A CN 114702240 B CN114702240 B CN 114702240B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass composition
- silver
- glass
- nanocrystalline
- silver paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 2
- XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N [Si][Ag] Chemical compound [Si][Ag] XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and in addition Chemical compound 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/122—Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本申请公开了一种玻璃组合物及其制备方法和应用。本申请玻璃组合物中含有纳米晶，玻璃组合物通式为TexPbyWzMmOn，其中x、y、z、m、n为原子化学计量比，M为掺杂元素；纳米晶为Te、Pb、W的至少一种元素与O形成的纳米晶体，或掺杂元素形成纳米晶体。本申请的玻璃组合物，提高了与银相互作用，窗口可调，适用于不同类型银粉；具有良好电学和力学性能；能大量溶解银，有效与氮化硅减反层反应，烧结完后出大量银颗粒，形成良好欧姆接触，降低界面复合，使得载流子更加容易到达银栅线中被收集，从而提高开压和短路电流，增加硅太阳电池电池的光电转换效率。本申请玻璃组合物与硅基材结合力强，易于钎焊，与铜锡焊带结合牢固。
Description
技术领域
本申请涉及用于银浆的玻璃粉技术领域，特别是涉及一种玻璃组合物及其制备方法和应用。
背景技术
太阳能电池作为一种绿色环保的新型能源转换装置，在目前的生活中起到了重要的能源转换作用，可以有效的将太阳光转换成电能。太阳能电池的电极包括正面电极和背面电极。在电池的制备过程中，通常将正面电极和背面电极对应的电子浆料通过印刷的方式印制在电池的两面，然后通过烧结完成电极的制备。
用于制备正面电极的浆料，主要是银浆，即太阳能电池银浆，其主要由银粉、玻璃组合物(或称玻璃粉)、有机相组成。玻璃组合物在电极制备中的主要作用是通过高温处理将电池正面的氮化硅减反层刻蚀掉，使得电池硅能够很好的与银接触，此外银浆与硅片和焊接处理同时相互作用，因此需要良好的焊接性能和力学性能。
银浆对太阳能电池成本和性能的影响极大，银浆占电池成本的20％左右，并且在其他条件一致的情况下，太阳能电池效率的58％与银浆相关；理论上可以通过开发新的金属化银浆及其关键材料玻璃组合物来提高太阳能电池效率，同时降低发电成本。
因此，如何研发一种能够更好的提高太阳能电池效率及其它性能的玻璃组合物，仍然是太阳能电池研究领域的重点。
发明内容
本申请的目的是提供一种改进的玻璃组合物及其制备方法和应用。
本申请采用了以下技术方案：
本申请的一方面公开了玻璃组合物，该玻璃组合物中含有纳米晶，玻璃组合物的通式为TexPbyWzMmOn，其中x、y、z、m、n为原子化学计量比，M为掺杂元素；纳米晶为Te、Pb、W中的至少一种元素与O形成的纳米晶体，和/或，至少一种掺杂元素形成的纳米晶体。
需要说明的是，本申请的玻璃组合物，其中含有Te、Pb、W和/或掺杂元素形成的纳米晶体，且玻璃组合物由Te、Pb、W、掺杂元素和O组成，制备成银浆时，提高了与银的相互作用，且窗口可调，可以适用于不同类型的银粉，从而大幅降低成本。作为太阳能电池银浆使用时，能够用于不同类型的硅电池，具有良好的电学和力学性能。本申请的玻璃组合物，能够大量溶解银，可有效的与氮化硅减反层反应，烧结完后出大量的银颗粒，形成良好的欧姆接触，降低界面复合，使得载流子更加容易到达银栅线中被收集，从而提高开压和短路电流，进而增加硅太阳电池电池的光电转换效率。另一方面，本申请的玻璃组合物与硅基材结合力强，易于钎焊，与铜锡焊带结合牢固；因此，采用本申请的玻璃组合物制备的银浆，其金属化界面焊接性能优异，在硅太阳电池金属化过程中避免采用主栅线和细栅线使用不同浆料分步印刷工艺，从而提高了生产效率，降低生产成本。
还需要说明的是，本申请的玻璃组合物作为一个有机结合的整体，其软化点较低，能够有效的与氮化硅减反层和硅发生反应，一方面产生大量银析出形成银颗粒，形成良好的欧姆接触，通过这些银颗粒使载流子更加容易被收集到银栅线中，进而提高电池的光电转换效率；另一方面由于玻璃组合物与硅、银、焊带易于反应、结合力强，且可调节，所以有非常良好的力学性能。
本申请的一种实现方式中，通式中，0.1＜x＜0.5、0.05＜y＜0.4、0.01＜z＜0.3、0.01＜m＜0.5、0.01＜n＜0.5。
本申请的一种实现方式中，通式中M为Li、Be、B、C、F、Na、Mg、Al、Si、P、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、I、Cs、Hf、Ta、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Bi、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中至少一种。
本申请的一种实现方式中，纳米晶的尺度为1-100nm。
本申请的一种实现方式中，纳米晶占玻璃组合物体积的0.5v％-50v％。
本申请的一种实现方式中，纳米晶的熔点为350℃到1050℃。
本申请的另一面公开了一种采用本申请的玻璃组合物的银浆。
需要说明的是，本申请的银浆可以是太阳能电池银浆，也可以是其他用途的导电银浆。可以理解，本申请银浆的关键在于采用本申请的玻璃组合物，至于银浆中的其他组分或各组分的用量，可以参考现有的导电银浆。例如，本申请的一种实现方式中，太阳能电池银浆包含重量比70％-90％的银粉、重量比5％-15％的有机相、重量比0.5％-15％的本申请的玻璃组合物。其中，银粉和有机相可以参考现有的太阳能电池银浆，在此不作具体限定。
本申请的再一面公开了本申请的银浆在层叠电容器的内部电极、LTCC、太阳能电池、5G滤波器、离子体显示面板、触摸面板、PET为基材的薄膜开关、柔性电路板、压敏电阻和热敏电阻、压电陶瓷或碳膜电位器中的应用。
本申请的再一面公开了一种太阳能电池银浆，其包括银粉45-87wt％、有机相10-50wt％和本申请的玻璃组合物3-7wt％。
需要说明的是，本申请的玻璃组合物或银浆，虽然是针对太阳能电池而研究的；但是，并不只限用于太阳能电池。其它的，例如丝网印刷，也可以采用本申请的玻璃组合物或银浆，以印刷出符合使用需求的图案或产品；并且，本申请的玻璃组合物或银浆，其理化性质也适用于3D打印，作为3D打印原材料；此外，玻璃组合物或银浆也可用于电子元器件封装。
本申请的再一面公开了本申请的玻璃组合物的制备方法，包括以下步骤：
(1)按要求比称取各原料、混合均匀；
(2)在高温下充分将混合均匀的原料熔融成玻璃液；
(3)将玻璃水倒入去离子水中，进行淬火，制备成玻璃料；
(4)将得到的玻璃料球磨粉碎成粒径D90为10μm以下的粉料，即获得本申请的玻璃组合物。
本申请的一种实现方式中，步骤(2)具体包括，将混合均匀的原料放入坩埚中，然后将坩埚置于低于1200℃的马弗炉中加热，使混合原料熔融成均匀的玻璃液。
本申请的有益效果在于：
本申请的玻璃组合物，用于制备银浆时，提高了与银的相互作用，且窗口可调，可以适用于不同类型的银粉，适用于不同类型的半导体材料金属化。本申请的玻璃组合物，作为太阳能电池银浆使用时，能用于不同类型的硅电池，具有良好的电学和力学性能；能够大量溶解银，可有效的与氮化硅减反层反应，烧结完后出大量的银颗粒，形成良好的欧姆接触，降低界面复合，使得载流子更加容易到达银栅线中被收集，从而提高开压和短路电流，进而增加硅太阳电池电池的光电转换效率。此外，本申请的玻璃组合物与硅基材结合力强，易于钎焊，与铜锡焊带结合牢固；由本申请玻璃组合物制备的该浆料金属化界面焊接性能优异，主栅线和细栅线都可以采用相同的浆料，提高了生产效率，降低了生产成本。本申请的玻璃组合物及其制备的银浆，为制备低能耗、环保安全的太阳能电池奠定了基础。
附图说明
图1是本申请实施例中玻璃组合物中纳米晶透射电镜图；
图2是本申请实施例中银栅线与硅太阳电池电池间界面的低倍率扫描电镜图；
图3是本申请实施例中银栅线与硅太阳电池电池间界面的高倍率扫描电镜图；
图4是本申请实施例中硅太阳电池金属化后，焊接拉力测试完成后的硅片表面照片。
具体实施方式
下面通过具体实施例和附图对本申请作进一步详细说明。以下实施例仅对本申请进行进一步说明，不应理解为对本申请的限制。
实施例
本例的玻璃组合物的通式为TexPbyWzMmOn，其中x、y、z、m、n为原子化学计量比，按照通式的配比配料100g；混合均匀后放入氧化铝坩埚中，将坩埚放入马弗炉内加热充分熔融。熔制好的玻璃液倒入冷却；然后采用球磨粉制备至粒径D90在5μm以下，得到本例的玻璃组合物。本例对各成分的用量进行了试验，各成分的配比如表1所示。
表1玻璃组合物各组分及配比
对编号1至100的玻璃组合物进行纳米晶透射电镜观察，部分结果如图1所示。对纳米晶的尺度和体积占比的统计结果显示，本例制备的纳米晶的尺度为1-100nm，纳米晶占玻璃组合物体积的0.5v％-50v％。
将按照表1配方制备的玻璃组合物，玻璃组合物的编号为1至100，对应玻璃组合物的编号，制备对应的银浆，银浆编号1至100与玻璃组合物编号一一对应。标样采用进口银粉和国产银粉进行对比，具体的，进口银粉为银粉DOWA-4A8F，国产银粉为中船重工黄冈贵金属有限公司S334。
按照银浆中银粉含量87wt％，有机相10wt％，玻璃组合物3wt％的配比制备银浆。将银浆在硅太阳电池上丝印烧结后测试电池效率，包括短路电流密度(Isc)、开路电压(Voc)、填充因子(FF)、Rs(太阳电池的串联电阻)、Rsh(太阳电池的并联电阻)和电池片的转换效率(NCell)，测试温度为25℃。测试结果如表2所示。其中，有机相配方为：乙基纤维素5重量份、聚酰胺蜡5重量份、松油醇20重量份、树脂70重量份。编号1至100的银浆中采用的银粉为进口银粉。
表2不同玻璃组合物制备的银浆的性能测试结果
表2中，进口银粉和国产银粉作为对照，采用的玻璃粉为表1中的对比样。
表2的结果显示，试验1至100的玻璃组合物制备的太阳能电池银浆，其制备得到的太阳能电池，开压、电流和效率显著高于进口银粉和国产银粉对照，证明本例的玻璃组合物能够降低接触电阻和界面复合，提高了太阳能电池的光电转化效率，表现出独特的电学性质。
采用扫描电镜观察烧结后的银栅线与硅层之间的界面，结果如图2和图3所示，图2是低放大倍数下的观察结果图，图3是高放大倍数的观察结果图。结果显示，在烧结后的Ag栅线与硅之间可以看到大量还原出的Ag颗粒，特别是图3可以明显看到大量颗粒状Ag，可见，在烧结过程中本例的玻璃粉与氮化硅发生了刻蚀反应，并在银硅界面处形成大量导电银颗粒，形成良好的欧姆接触，有效地降低了的银硅接触电阻。
图4是电池片焊接后，通过拉力测试硅片表面的情况，焊带将硅基中的硅拉碎裂，说明银浆对硅和焊带具有良好的附着力，力学性质优异。
以上内容是结合具体的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (6)
1.一种玻璃组合物，其特征在于：所述玻璃组合物中含有纳米晶，所述玻璃组合物的通式为TexPbyWzMmOn，其中x、y、z、m、n为原子化学计量比，M为掺杂元素；
所述纳米晶为Te、Pb、W中的至少一种元素与O形成的纳米晶体，和/或，至少一种掺杂元素形成的纳米晶体；
所述通式中，0.1＜x＜0.5、0.05＜y＜0.4、0.01＜z＜0.3、0.01＜m＜0.5、0.01＜n＜0.5；
所述通式中，M为Li、Be、B、C、F、Na、Mg、Al、Si、P、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、I、Cs、Hf、Ta、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Bi、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中至少一种；
所述纳米晶的尺度为1-100nm，所述纳米晶占玻璃组合物体积的0.5v％-50v％。
2.根据权利要求1所述的玻璃组合物，其特征在于：所述纳米晶的熔点为350℃到1050℃。
3.一种采用权利要求1或2所述的玻璃组合物的银浆。
4.根据权利要求3所述的银浆在层叠电容器的内部电极、LTCC、太阳能电池、5G滤波器、离子体显示面板、触摸面板、PET为基材的薄膜开关、柔性电路板、压敏电阻和热敏电阻、压电陶瓷或碳膜电位器中的应用。
5.一种太阳能电池银浆，其特征在于：包括银粉45-87wt％、有机相10-50wt％和权利要求1或2所述的玻璃组合物3-7wt％。
6.根据权利要求1或2所述的玻璃组合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，
(1)按要求比称取各原料、混合均匀；
(2)在高温下充分将混合均匀的原料熔融成玻璃液；
(3)将玻璃水倒入去离子水中，进行淬火，制备成玻璃料；
(4)将得到的玻璃料球磨粉碎成粒径D90为10μm以下的粉料，即获得所述玻璃组合物；
步骤(2)具体包括，将混合均匀的原料放入坩埚中，然后将坩埚置于低于1200℃的马弗炉中加热，使混合原料熔融成均匀的玻璃液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210399666.3A CN114702240B (zh) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210399666.3A CN114702240B (zh) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114702240A CN114702240A (zh) | 2022-07-05 |
| CN114702240B true CN114702240B (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=82174757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210399666.3A Active CN114702240B (zh) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114702240B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114944238B (zh) * | 2022-07-27 | 2022-12-06 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 导电银浆用玻璃膏、导电银浆及其制备方法和太阳能电池 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097071A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-11-25 | 深圳市春仰科技有限公司 | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法 |
| CN106782754A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉优乐光电科技有限公司 | 一种无机复合材料添加剂太阳能电池正银浆料 |
| CN107195354A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-22 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背钝化硅太阳能电池用正电极银浆及其制备方法 |
| CN107274963A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 深圳市春仰科技有限公司 | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法 |
| CN108766618A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-11-06 | 湖南省国银新材料有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面银浆及其制备方法 |
| CN111302636A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 |
| CN111302638A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 |
| CN112777938A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种晶硅太阳能正银浆料用玻璃粉及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130098431A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Electroconductive Paste Composition Containing Metal Nanoparticles |
-
2022
- 2022-04-15 CN CN202210399666.3A patent/CN114702240B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097071A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-11-25 | 深圳市春仰科技有限公司 | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法 |
| CN106782754A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉优乐光电科技有限公司 | 一种无机复合材料添加剂太阳能电池正银浆料 |
| CN107195354A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-22 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背钝化硅太阳能电池用正电极银浆及其制备方法 |
| CN107274963A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 深圳市春仰科技有限公司 | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法 |
| CN108766618A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-11-06 | 湖南省国银新材料有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面银浆及其制备方法 |
| CN111302636A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 |
| CN111302638A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 |
| CN112777938A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 江西佳银科技有限公司 | 一种晶硅太阳能正银浆料用玻璃粉及其制备方法和用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114702240A (zh) | 2022-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI353062B (en) | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), | |
| TWI595510B (zh) | 用於太陽能電池接點之導電厚膜膏的碲無機反應系統 | |
| CN102280161B (zh) | 一种晶硅太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法 | |
| CN112041994B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
| CN114822910B (zh) | 导电银铝浆、制备方法、电极及电池 | |
| CN110603648B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
| CN102324267A (zh) | 高光电转化效率晶体硅太阳能电池铝浆及其制备方法 | |
| TW201205919A (en) | Lithium ion secondary battery and method for producing same | |
| CN102324266B (zh) | 无玻璃粉晶体硅太阳能电池铝浆及其制备方法 | |
| JP2011505430A (ja) | 導電性ナノ粒子インクおよびペーストならびにそれらを用いる適用方法 | |
| TW201443923A (zh) | 電極用膠組成物及太陽電池 | |
| CN109949966B (zh) | 一种高可靠性perc晶硅太阳能电池背面银导电浆料及其制备工艺 | |
| CN114702240B (zh) | 一种玻璃组合物及其制备方法和应用 | |
| WO2012138186A2 (ko) | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 | |
| CN109390076B (zh) | 全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆 | |
| CN113223748A (zh) | 一种低温烧结导电银浆、其制备方法及应用 | |
| CN106531282B (zh) | 光伏太阳能电池导电银浆 | |
| CN105637046B (zh) | 包含纳米级化学熔料的导电糊料或导电油墨 | |
| CN105825912A (zh) | 一种硅太阳能电池正面电极无铅主栅浆料及其制备方法 | |
| KR20170108577A (ko) | 태양전지용 무연 도전 페이스트 | |
| CN110557965B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
| KR20210001364A (ko) | 구상 은 분말과 이의 제조방법 및 상기 구상 은 분말을 포함하는 은 페이스트 조성물 | |
| CN110603606B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
| Wang et al. | Effect of the mass ratio of micron and submicron silver powder in the front electrode paste on the electrical performance of crystalline silicon solar cells | |
| TWI419177B (zh) | 漿料組成物與使用漿料組成物之太陽能電池電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |