JP6095809B2 - エテンからブテン及びオクテンを組み合わせて製造する方法 - Google Patents
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Description
ブテンの化学的及び物理的特性についての最近の概要、またその技術的な後処理と使用は、以下の文献に記載されている。
・F. Geilen、G. Stochniol、S. Peitz、及びE. Schulte-Koerne著、Butenes. Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry(2013年)。
異性体指数=(メチルヘプテンの質量割合+2×ジメチルヘキセンの質量割合)/100
よってC8オレフィンからの生成物混合体の異性体指数には、n−オクテンは0、メチルヘプテンは1、そしてジメチルヘキセンは2が貢献する。異性体指数が低ければ低いほど、混合物内部の分子は、分枝鎖が少ない構成となる。
・B. Scholz著、「The HUELS OCTOL Process: Heterogeneously catalyzed dimerization of n-butenes and other olefins」、DGMK-Tagung in Karlsruhe、Erdoel, Erdgas, Kohle, 1989年4月、p.21及び22に開示、
・R.H. Friedlander、D.J. Ward、F. Obenaus、F. Nierlich、J. Neumeister著、「Make plasticizer olefins via n-butene dimerization, Hydrocarbon Processing」、1986年2月、p.31〜33、
・F. Nierlich著、「Oligomerize for better gasoline. Hydrocarbon Processing」、1992年2月、p.45〜46。
まず、不活性でなければならない。これはつまり、方法に存在する条件(反応及び蒸留塔における圧力/温度)が、化学的な反応に関与しないことを意味する。溶剤は特にエテンと反応しないことが望ましい。つまり溶剤は、方法中で消費されない。このことはもちろん、溶剤が何らかの形でどこかで反応することを排除するものではない。しかしながらこれらの反応は、所望の反応に比して、ほとんど問題にならないほどゆっくりと進むことが望ましい。いずれにしろ緩慢な反応は、溶剤の老化と考えてよい。
a)沸点又は沸点範囲が、ブテンの沸点を上回り、かつオクテンの沸点を下回る溶剤を用意する工程、前記溶剤は不活性溶剤であるか、又はヘキセン単独であるか、又はヘキセンと、ペンタン、若しくはヘキサン、若しくはヘプタンとの混合物であるか、又はペンタン、ヘキサン、ヘプタンの混合物であり、
b)少なくとも前記溶剤と、前記溶剤に溶解されたエテンとを含有する、第一の出発混合物を用意する工程、
c)少なくともヘキセン、前記溶剤、並びに前記溶剤に、かつ/又はヘキセンに溶解されたエテンを含有する、第二の出発混合物を用意する工程、
d)前記第一の出発混合物を第一の合成に、前記第二の出発混合物を第二の合成に移す工程、ここで前記第一の合成と前記第二の合成は、空間的に相互に分離されており、
e)前記第一の合成において、前記第一の出発混合物中に含有されるエテンの少なくとも一部を、第一の不均一系触媒の存在下、及び前記溶剤の存在下でオリゴマー化して、少なくとも前記溶剤、ブテン、及びヘキセンを含有する第一の反応混合物を得る工程、
f)ブテンを含有する低沸点フラクションを、前記第一の反応混合物から、及び/又は前記第一の反応混合物をベースとする物質流から分離する工程、
g)ヘキセン及び前記溶剤を含有する中沸点フラクションを、前記第一の反応混合物から、及び/又は前記第一の反応混合物をベースとする物質流から分離する工程、
h)中沸点フラクションの少なくとも一部を、前記第二の出発混合物を用意する際に使用する工程、
i)前記第二の合成で、前記第二の出発混合物中に含有されるエテンの少なくとも一部を、前記第二の出発混合物中に含有されるヘキセンの少なくとも一部と、第二の不均一系触媒の存在下、及び前記溶剤の存在下で反応させて、少なくともオクテン及び前記溶剤を含有する第二の反応混合物を得る工程。
例1:
・1−ブテンに焦点を合わせた、n−ヘキサン中でのエテンのオリゴマー化(第一の反応)
ニッケル/シリカアルミナをベースとする不均一系触媒(米国特許第2581228号明細書:US 2581228参照)を15.5g、外部からオイルにより温度調節される管型反応器(長さ1m、内径6mm)に充填した。続いて、エテン17質量%、n−ヘキサン77質量%、及び内部標準のn−ヘプタン6質量%から成る混合物を、総流量100g/hで、温度70℃で送り込んだ(WHSV=6.4/h)。圧力は、30barで一定に維持した。60時間後に、転化率がそれ以上変わらない状態に達した。その結果が、表1にまとめてある。さらに分析するため、生成物フラクションを水素化ガスクロマトグラフィーに注入した。水素化されたC8フラクションの組成は、表1に同様にまとめられている。
・1−ブテンに焦点を合わせた、n−ヘキセン中でのエテンのオリゴマー化(第一の反応)
例1と同様に、同種の触媒15.5gを、外部からオイルにより温度調節される管型反応器(長さ1m、内径6mm)に充填した。続いて、エテン20質量%、n−ヘキセン73質量%、及び内部標準のn−ヘプタン7質量%から成る混合物を、総流量105g/hで、温度70℃で送り込んだ(WHSV=6.8/h)。圧力は、30barで一定に維持した。73時間後に、転化率がそれ以上変わらない状態に達した。その結果と、水素化C8フラクションの組成が、表1にまとめられている。
・1−ブテンに焦点を合わせた、n−ヘキセン/n−ヘキサンの混合物中でのエテンのオリゴマー化(第一の反応)
例1と同様に、同種の触媒4.1gを、外部からオイルにより温度調節される管型反応器(長さ1m、内径6mm)に充填した。続いて、エテン17質量%、n−ヘキセン45質量%、及びn−ヘキサン38質量%から成る混合物を、総流量100g/hで、温度70℃で送り込んだ(WHSV=24.2/h)。圧力は、30barで一定に維持した。72時間後に、転化率がそれ以上変わらない状態に達した。その結果と、水素化C8フラクションの組成が、表1にまとめられている。
・オクテンに焦点を合わせた、n−ヘキセン/n−ヘキサンの混合物中でのエテンのオリゴマー化(第二の反応)
例3と同様に、触媒15.5gを用いて、エテン5質量%、n−ヘキセン53質量%、n−ヘキサン30質量%、及び内部標準のn−ヘプタン12質量%から成る混合物を、総流量100g/hで、温度70℃で送り込んだ(WHSV=6.4/h)。圧力は、30barで一定に維持した。72時間後に、転化率がそれ以上変わらない状態に達した。その結果と、水素化C8フラクションの組成が、表1にまとめられている。
純粋なn−ヘキサン(例1)注での反応は、高いC4選択性と、低いC8選択性をもたらす。同時に、1−ブテンはこの条件では異性化及び/又はさらなる反応が顕著になるため、1−ブテン選択性は、比較的低くなる。加えて、非常に多くのC6が形成されることが注目に値する。これは、純粋なn−ヘキセン中の反応条件(例2)により、またC8へのさらなる反応により、大部分を活用することができるものの、同時にC4選択性は低下し、C8+割合はC6オリゴマー化によって上昇する。
Claims (12)
- 以下の工程a)〜i)を有する、エテンからブテン及びオクテンを組み合わせて製造する方法:
a)沸点又は沸点範囲が、ブテンの沸点を上回り、かつオクテンの沸点を下回る溶剤を用意する工程、前記溶剤は不活性溶剤であるか、又はヘキセン単独であるか、又はペンタン、若しくはヘキサン、若しくはヘプタンと混合されたヘキセンであるか、又はペンタン、ヘキサン、ヘプタンの混合物であり、
b)少なくとも前記溶剤と、前記溶剤に溶解されたエテンとを含有する、第一の出発混合物を用意する工程、
c)少なくともヘキセン、前記溶剤、並びに前記溶剤に、かつ/又はヘキセンに溶解されたエテンを含有する、第二の出発混合物を用意する工程、
d)前記第一の出発混合物を第一の合成に、及び前記第二の出発混合物を第二の合成に移す工程、ここで前記第一の合成と前記第二の合成は、空間的に相互に分離されており、
e)前記第一の合成において、前記第一の出発混合物中に含有されるエテンの少なくとも一部を、第一の不均一系触媒の存在下、及び前記溶剤の存在下でオリゴマー化して、少なくとも前記溶剤、ブテン、及びヘキセンを含有する第一の反応混合物を得る工程、
f)ブテンを含有する低沸点フラクションを、前記第一の反応混合物から、及び/又は前記第一の反応混合物をベースとする物質流から分離する工程、
g)ヘキセン及び前記溶剤を含有する中沸点フラクションを、前記第一の反応混合物から、及び/又は前記第一の反応混合物をベースとする物質流から分離する工程、
h)中沸点フラクションの少なくとも一部を、前記第二の出発混合物を用意する際に使用する工程、
i)前記第二の合成で、前記第二の出発混合物中に含有されるエテンの少なくとも一部を、前記第二の出発混合物中に含有されるヘキセンの少なくとも一部と、第二の不均一系触媒の存在下、及び前記溶剤の存在下で反応させて、少なくともオクテン及び前記溶剤を含有する第二の反応混合物を得る工程。 - 前記第一の反応混合物中、及び/又は前記第二の反応混合物中に含有されるエテンを分離し、前記第一の出発混合物及び/又は前記第二の出発混合物を用意するために使用する、請求項1に記載の方法。
- 前記第二の反応混合物中に含有されるブテンを、前記第一の反応混合物中に含有されるブテンと一緒に後処理する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第二の反応混合物中に含有されるヘキセンを分離し、かつ少なくとも部分的に前記第二の合成に返送する、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶剤が、炭素原子を5個若しくは6個若しくは7個有する炭化水素であるか、又はこのような複数の炭化水素の混合物である、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一の出発混合物におけるエテンの割合が1〜50質量%であり、前記第一の合成を温度20℃〜150℃、圧力:1×105Pa〜50×105Paで行い、ここで前記第一の出発混合物におけるエテンの割合、及び前記第一の合成の反応条件を、前記溶剤が液相で存在するように選択することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一の出発混合物におけるエテンの割合、及び前記第一の合成の反応条件を、前記第一の合成においてエテンが、液相に存在する液状溶剤に完全に溶解しているように選択することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記第一の出発混合物におけるエテンの割合、及び前記第一の合成の反応条件を、前記第一の合成において、エテンが部分的に気相に存在し、かつ部分的に液相に存在する溶剤中に溶解されているように選択することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記第二の出発混合物におけるエテンの割合が、0.1〜30質量%であり、前記第二の合成は、温度20℃〜150℃、及び圧力1×105Pa〜50×105Paで行い、ここで前記第二の出発混合物におけるエテンの割合、及び前記第二の合成の反応条件は、ヘキセン及び前記溶剤が液相で存在し、エテンがこれらのヘキセン及び前記溶剤中に完全に溶解されているように選択することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二の出発混合物が、エテンよりも多くの質量割合でヘキセンを含有することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二の出発混合物におけるエテンの割合が、30質量%未満であることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記第一の不均一系触媒及び/又は前記第二の不均一系触媒として固体を使用し、該固体は少なくとも2種の成分を含有し、ここで第一の成分はNi、Cr、Fe、Tiから選択される元素を少なくとも1種含有し、該元素は金属、及び/又は酸化物、及び/又は水素化物の形で存在し、かつ第二の成分は、Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2から選択される金属酸化物を少なくとも1種含有することを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
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