JP6077252B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
前記半導体基板表面に形成された第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜の上方に形成された第3の導電体と、から成るプレーナゲートを備えるトランジスタを複数有する第2の半導体装置と、
前記半導体基板表面に形成された第2のトレンチと、前記第2のトレンチの内壁面に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を介して前記第2のトレンチ内に充填され、上部が前記半導体基板表面と同一の高さである第2の導電体と、から成る前記トレンチゲートと同構造を有する縦型ダミートランジスタと、
前記第1の半導体装置、及び前記第2の半導体装置を囲んで設けられており、高濃度不純物領域である電位固定層を前記半導体基板表面に有するガードリング領域と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記縦型ダミートランジスタは、前記第1の半導体装置、及び前記第2の半導体装置を囲んで環状に形成されており、
前記縦型ダミートランジスタは、前記ガードリング領域内に形成され、かつ前記第2の導電体が前記電位固定層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置とした。
図1は本発明に係る半導体集積回路装置の概略上面図であり、半導体素子が形成されたセル部1および2と、セル部1および2以外の領域に形成された素子分離層4と、ガードリング領域3とを備えており、各セル部1、2を囲むように、素子分離層4を介して各セル部1,2の外周にガードリング領域3が設けられている。
2 半導体集積回路装置の制御部(セル部)
3 半導体集積回路装置のガードリング領域
4 素子分離層
5 縦型ダミートランジスタ
6 P型半導体基板
7 N+型ドレイン領域
8 N−型ドリフト層
9 P型ボディ層
10a、10b トレンチ
11a、11b、11c、11d 絶縁膜
12a、12c、12d ゲート電極
12b 導電体
13 N+型不純物領域
14 電位固定層(P+型不純物領域)
15 P型ウェル層
16 N型ウェル層
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された、第1のトレンチ内のゲート電極が前記半導体基板の表面と同じ高さである、同一の寸法を有する、複数のトレンチゲート型MOSトランジスタを有する第1のセル部と、
前記半導体基板の表面に形成された複数のプレーナ型MOSトランジスタを有する第2のセル部と、
前記第1および第2のセル部の周囲を囲んで絶縁層からなる素子分離層を介してそれぞれ設けられた第1および第2のガードリング領域と、
前記第1および第2のガードリング領域のなかにそれぞれ切れ目なく設けられた、第2のトレンチ、前記第2のトレンチの内壁を覆う絶縁膜および前記絶縁膜で覆われた前記トレンチ内部を充填する導電体を有する縦型ダミートランジスタと、
を備えた半導体集積回路装置。 - 半導体基板表面に形成された第1のトレンチと、前記第1のトレンチの内壁面に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチ内に充填され、上部が前記半導体基板表面と同一の高さである第1の導電体と、から成るトレンチゲートを備えるトランジスタを複数有する第1の半導体装置と、
前記半導体基板表面に形成された第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜の上方に形成された第3の導電体と、から成るプレーナゲートを備えるトランジスタを複数有する第2の半導体装置と、
前記半導体基板表面に形成された第2のトレンチと、前記第2のトレンチの内壁面に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を介して前記第2のトレンチ内に充填され、上部が前記半導体基板表面と同一の高さである第2の導電体と、から成る前記トレンチゲートと同構造を有する縦型ダミートランジスタと、
前記第1の半導体装置、及び前記第2の半導体装置を囲んで設けられており、高濃度不純物領域である電位固定層を前記半導体基板表面に有するガードリング領域と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記縦型ダミートランジスタは、前記第1の半導体装置、及び前記第2の半導体装置を囲んで絶縁層からなる素子分離層を介して環状に形成されており、
前記縦型ダミートランジスタは、前記ガードリング領域内に形成され、かつ前記第2の導電体が前記電位固定層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記縦型ダミートランジスタが、格子状に複数形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
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