JP6066759B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
図2は、第1の実施の形態に係る成膜システム1の構成を概略的に示している。成膜システム1は、チャンバ2、コールドスプレー装置4、及び雰囲気制御装置5を備えている。チャンバ2(成膜室)内には、被成膜対象3が設置される。コールドスプレー装置4は、その被成膜対象3に対してコールドスプレー法によって成膜を行うことができるように設置されている。
まず、チャンバ2内に被成膜対象3が設置される。
続いて、雰囲気制御装置5が作動し、チャンバ2内に非酸化性ガスを供給する。その結果、チャンバ2内の雰囲気は非酸化性ガス雰囲気に設定される。非酸化性ガスとしては、ArやHeといった希ガスやN2などが例示される。
次に、コールドスプレー装置4が作動し、被成膜対象3に対してコールドスプレー法により成膜を行う。ここで、その成膜処理は、上記ステップS2で設定された非酸化性ガス雰囲気中で行われることに留意されたい。従って、成膜処理途中における酸化が防止される。
銅粉末供給量:20g/min−300g/min
ガス圧力:2MPa−10MPa
成膜前加熱炉内の粉末及びガス温度:200℃−950℃
1回の成膜処理が完了すると、成膜後の被成膜対象3はチャンバ2から取り出され、熱処理装置(図示されない)に設置される。そして、その被成膜対象3に対して熱処理が実施される。その結果、生成膜の残留応力が除去される。
以上に説明されたステップS1〜S4が、「単位成膜処理」である。1回の単位成膜処理が完了した際、生成膜厚が所望の膜厚に達していない場合(ステップS5;No)、処理はステップS1に戻る。一方、生成膜厚が所望の膜厚に達した場合(ステップS5;Yes)、処理は終了する。すなわち、被成膜対象3上に形成される膜の厚さが所望の膜厚になるまで、単位成膜処理が繰り返し実行される。
上述の第1の実施の形態では、チャンバ2内の雰囲気は非酸化性ガス雰囲気に設定された。しかし、酸化が抑制されるのであれば、雰囲気はそれに限られない。第2の実施の形態では、非酸化性ガス雰囲気の代わりに、真空雰囲気が用いられる。その場合、雰囲気制御装置5は、チャンバ2を真空状態にする減圧装置である。真空は、例えば、圧力が1×10−3Pa以下の状態である。
図6は、第3の実施の形態に係る成膜システム1の構成を概略的に示している。成膜システム1は、コールドスプレー装置4とヒータ6を備えている。ヒータ6は、被成膜対象3を熱することができるように設けられており、典型的には、被成膜対象3に接触するように設けられている。コールドスプレー装置4は、その被成膜対象3に対してコールドスプレー法によって成膜を行うことができるように設置されている。
ヒータ6が作動し、被成膜対象3を熱する。その結果、被成膜対象3の温度は、室温よりも高くなる。そして、この状態で、コールドスプレー装置4が作動し、被成膜対象3に対してコールドスプレー法により成膜を行う。つまり、被成膜対象3がヒータ6で熱せられながら、被成膜対象3に対して成膜が行われる。コールドスプレー条件は、第1の実施の形態の場合と同様である。
1回の成膜処理が完了すると、第1の実施の形態の場合と同様に、被成膜対象3に対して熱処理が実施される。その結果、生成膜の残留応力が除去される。
以上に説明されたステップS3’〜S4が、「単位成膜処理」である。1回の単位成膜処理が完了した際、生成膜厚が所望の膜厚に達していない場合(ステップS5;No)、処理はステップS3’に戻る。一方、生成膜厚が所望の膜厚に達した場合(ステップS5;Yes)、処理は終了する。すなわち、被成膜対象3上に形成される膜の厚さが所望の膜厚になるまで、単位成膜処理が繰り返し実行される。
第4の実施の形態は、第1あるいは第2の実施の形態と第3の実施の形態の組み合わせである。
一例として、上述の実施の形態に係る成膜方法を、ロケットエンジンの燃焼室の製造に適用する場合を考える。尚、本願出願人による先願(特開2012−57203号公報)も参照されたい。
2 チャンバ
3 被成膜対象
4 コールドスプレー装置
5 雰囲気制御装置
6 ヒータ
10 内筒
12 第1層
13 第2層
14 冷却流路
15 外筒
25 燃焼室
Claims (3)
- ロケットエンジンの燃焼室の製造方法であって、
前記燃焼室は、同心円状に配置された内筒と外筒とを備え、
前記内筒と前記外筒との間には冷却流路が形成されており、
前記外筒は、
前記内筒側に形成された第1層と、
前記第1層の外側の表面に形成された第2層と
を備え、
前記製造方法は、
前記内筒の表面に複数の溝を形成する工程と、
前記複数の溝に充填材を充填する工程と、
前記充填材及び前記内筒の露出面に電鋳法により前記第1層として導電層を形成する工程と、
前記第1層上に金属膜としての前記第2層を成膜するように単位成膜処理を実行する工程と、
前記第2層の膜厚が所望の最終膜厚になっていないとき前記単位成膜処理を繰り返す工程と
を備え、
前記単位成膜処理を実行する工程は、
チャンバ内に前記円筒を設置するステップと、
前記チャンバ内の雰囲気を非酸化性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気に設定するステップと、
現在の前記単位成膜処理において成膜された前記第2層の膜厚が所望の膜厚になっていない前記燃焼室に対して、前記現在の単位成膜処理における成膜中の前記第2層の表面温度が、前記現在の単位成膜処理における成膜の終了時の前記第2層の表面温度に等しくなるように前記燃焼室の温度を制御しながら、前記雰囲気中でコールドスプレー法により前記第2層としての前記金属膜の成膜を行うステップと、
前記現在の単位成膜処理において前記金属膜の成膜後の前記燃焼室に対して熱処理を施すステップと
を含み、
前記製造方法は、前記第1層が形成された後、前記熱処理が施される前に、前記充填剤を除去する工程を更に含む
ロケットエンジンの燃焼室の製造方法。
- 請求項1に記載のロケットエンジンの燃焼室の製造方法であって、
前記所望の膜厚は1mm以上である
ロケットエンジンの燃焼室の製造方法。
- 請求項1に記載のロケットエンジンの燃焼室の製造方法であって、
前記所望の膜厚は10mm以上である
ロケットエンジンの燃焼室の製造方法。
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