JP6048896B2 - 窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法 - Google Patents

窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法に関し、さらに、前記窒化物半導体素子用基板を用いた窒化物半導体素子に関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）などの窒化物半導体は、青色発光デバイスを構成する半導体材料として注目されており、近年では、ＧａＮにインジウム（Ｉｎ）を高濃度添加することにより、緑色さらには赤色発光デバイスを実現できると期待されている。しかし、高Ｉｎ組成になるに従い、Ｉｎ組成の揺らぎやピエゾ電界効果が顕著になるため、窒化物半導体を用いた赤色発光デバイスの実現には至っていないのが現状である。
一方、窒化物半導体のワイドギャップに着目し、ＧａＮを添加母体として、希土類元素のユーロピウム（Ｅｕ）やプラセオジム（Ｐｒ）が添加された半導体が赤色発光デバイスとして有望視されている。
このような状況下、本発明者らは、世界に先駆けてＥｕまたはＰｒ添加ＧａＮを活性層とする赤色発光ダイオード（ＬＥＤ）の実現に成功した（特許文献１）。
そして、このような赤色発光ダイオードの実現により、既に開発されている青色発光ダイオードおよび緑色発光ダイオードと併せて、同一基板上に窒化物半導体を用いた光の三原色の発光ダイオードを集積化することが可能となるため、小型で高精細なフルカラーディスプレイや、現在の白色ＬＥＤには含まれていない赤色領域の発光が加えられたＬＥＤ照明などの分野への応用が期待されている。
ＷＯ２０１０／１２８６４３ Ａ１公報
しかしながら、前記した赤色発光ダイオードの光出力は、現状では５０μＷ程度に留まっており、実用化には発光強度（光出力）の更なる向上が求められている。
赤色発光ダイオードの光出力を向上させるためには、Ｅｕの添加濃度を可能な限り増大させることが必要である。
しかし、従来は、図６に示すように、サファイア基板１１の（０００１）面上にＧａＮバッファ層１２、およびアンドープＧａＮ層１３を成長させて、表面が（０００１）面である母材テンプレート１０を作製し、その表面にＥｕ添加ＧａＮ層３０の（０００１）面を成長させていたため、Ｅｕの添加濃度を大きくした場合、Ｅｕ３＋のイオン半径が置換されるＧａ３＋のイオン半径に比べて１．５倍大きいことから結晶成長表面の荒れを招き、光出力を向上させることができなかった。
一方、サファイア基板を（０００１）面よりも高指数面に切り出して、この上に高指数面のアンドープＧａＮ層を成長させた母材テンプレートを用いることにより、高指数面のＥｕ添加ＧａＮ層を成長させると、不純物添加特性を向上させる結合手の密度が増加してＥｕの取り込みが促進されるため、光出力の向上を図ることが期待できる。しかし、このような加工にはコストが掛かるため、赤色発光半導体素子の製造コストを大きく上昇させ、一般的には使用することができなかった。
そこで、本発明は、サファイア基板を高指数の面に切り出すという高価な加工を必要とすることなく、高い発光強度（光出力）を備えた赤色発光半導体素子を安価に製造することができる赤色発光半導体素子の製造技術を提供することを課題とする。
本発明者は、上記の課題の解決について以下のように検討を行い、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明者は、（０００１）面のアンドープＧａＮ層が形成された従来の安価な母材テンプレート上に、予め、（０００１）面よりも高指数面のＧａＮ層（アンドープ）を成長させ、この上にＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることができれば、高指数面に切り出された基板を用いてＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた場合と同様に、高指数面のＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることができ、高い発光強度（光出力）を備えた赤色発光半導体素子を安価に製造することができると考えた。
そして、検討の結果、選択成長法を適用することにより、（０００１）面のアンドープＧａＮ層上に、側面に（０００１）面よりも高指数の面が形成されたＧａＮ立体構造を成長させることができ、この側面の高指数面を利用してＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた場合、高指数面に特異な不純物添加特性を利用してＥｕ添加濃度を向上させることができ、高い光出力を得ることができることを見出した。
具体的には、図１に示すように、サファイア基板１１の（０００１）面上にＧａＮバッファ層１２、およびアンドープＧａＮ層１３を成長させた従来の母材テンプレート１０（図１（ａ））の表面にＳｉＯ２マスク層１４を設けた（図１（ｂ））後、アンドープＧａＮ層１３およびＳｉＯ２マスク層１４の上にＧａＮ立体構造２０を成長させた（選択成長法）（図１（ｃ））。
そして、このＧａＮ立体構造２０の側面に、アンドープＧａＮ層１３の（０００１）面に比べてより高指数面である｛１−１０１｝ファセット面が形成されていることを確認した（図２）。
なお、ＳｉがＥｕとともに添加されるとＥｕの赤色発光を得ることができないため、上記においてＧａＮ立体構造２０は、ＳｉＯ２マスク層１４が完全に覆われる状態まで成長させた。
そして、このＧａＮ立体構造２０の側面に形成された｛１−１０１｝ファセット面上に｛１−１０１｝面のＥｕ添加ＧａＮ層３０を成長させることにより、従来よりも光出力が向上することを確認した。
その後、本発明者が、さらに、前記したＧａＮ立体構造の｛１−１０１｝ファセット面上にＥｕ添加ＧａＮ層を成長させるより好ましい条件について、種々の実験と検討を行ったところ、成長温度の僅かな違いによりＥｕ添加ＧａＮ層の成長面が大きく変化し、光出力が飛躍的に向上するという予想もしない結果が得られた。
即ち、図３に示すように、成長温度が９４０℃の場合にはＧａＮ立体構造２０の側面と同じ｛１−１０１｝面が形成されていたのに対して、９６０℃の場合には｛２−２０１｝面、９８０℃の場合には｛３−３０１｝面と、成長温度を僅かに変えることだけでＧａＮ立体構造２０の側面に比べてより高指数のファセット面が形成された。
これは、Ｅｕの添加により成長速度が遅くなることに加えて、成長温度の変化に応じてＥｕ添加ＧａＮ層の成長モードが変化したため、異なる指数面が形成されたものと推測される。
そして、このような｛２−２０１｝面や｛３−３０１｝面のＥｕ添加ＧａＮ層における光出力は、前記した｛１−１０１｝における光出力に比べ、さらに飛躍的に向上していることが分かった。
以上のように、本発明者は、選択成長法を適用して母材上のアンドープＧａＮ上に高指数面の側面を有するＧａＮ立体構造を成長させ、その後、このＧａＮ立体構造の高指数面上に成長条件を制御してＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることにより、従来よりも光出力が向上した赤色発光半導体素子を提供できることを見出した。
このように光出力が向上した理由としては、高指数面のＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることにより、前記した結合手の密度の増加に加え、さらに、基板と平行かつストライプ方向と垂直な方向に成長することで、ＳｉＯ２マスク上で基板に拘束されないＥｕ添加ＧａＮ層が成長し、Ｅｕ添加ＧａＮ層が変形することによってイオン半径の大きなＥｕに起因する歪みが緩和されて、Ｅｕの取り込みがより促進されて（即ち、Ｅｕ添加濃度が向上）、光出力の向上がもたらされたものと考えられる。
そして、このような高い光出力のデバイス特性に優れた赤色発光ダイオードの実現により、「赤・緑・青」の光の三原色の発光ダイオードを実用化レベルで集積化することが可能となるため、小型かつ高精細な高出力の発光ダイオードを用いたフルカラーディスプレイを実現することができる。
また、現在の白色ＬＥＤには含まれていない赤色領域の強度の高い発光を加えることにより、現在赤色ＬＥＤとして使用されているＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤの代替のみならず、周囲の温度によって発光波長が変化しないという希土類元素の特性を生かした高輝度ＬＥＤ照明が可能となる。
なお、以上においては、選択成長法を適用する面として（０００１）面を挙げて説明してきたが、（０００１）面に限定されず、他の指数面であっても上記の効果と同様の効果を得ることができる。
また、母材としてＧａＮ、添加元素としてＥｕを挙げて説明してきたが、特許文献１の場合と同様に、母材としてはＧａＮに限定されず、ＩｎＮ、ＡｌＮまたはこれらの混晶（ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等）を母材としても、上記の効果と同様の効果を得ることができる。
また、添加元素もＥｕに限定されず、Ｐｒを添加元素としても上記の効果と同様の効果を得ることができる。即ち、これらの元素は外殻電子が内殻電子により遮蔽されており、殻内遷移に伴う発光が５９０ｎｍ以上の波長であり、これがＮＴＳＣ色域、ＨＤＴＶ色域に限定されず、赤みが感じられる光であるため、Ｅｕに限定されず、Ｐｒであってもよい。
以上のように、本発明者は、赤色発光半導体素子の作製において、選択成長法を適用して母材のアンドープＧａＮ上に高指数面の側面を有するＧａＮ立体構造を成長させ、その後、このＧａＮ立体構造の高指数面上にＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることにより、光出力がより向上した赤色発光半導体素子を安価に提供できることを見出した。そして、成長温度など、Ｅｕ添加ＧａＮ層の成長条件を変化させることにより、種々に高指数面化されたＥｕ添加ＧａＮ層を得ることができることを見出した。
そして、本発明者は、これらの技術により作製された半導体素子は上記した赤色発光半導体素子としての使用に限定されず、他の窒化物半導体素子の作製時の基板として好ましく使用できることに思い至った。
即ち、ＧａＮやＩｎＮなどの窒化物は、大きなワイドギャップを有しており、このワイドギャップを利用することにより、種々の用途に適した窒化物半導体素子を提供することができるが、用途に適した特性を充分に発揮させるためには、その特性に対応した指数面、特に高指数面の窒化物層を基板上に形成させる必要がある。
一方、本発明者は、上記したように、窒化物半導体素子の一種である赤色発光半導体素子の光出力を向上させる技術を検討する中で、選択成長法を適用して高指数面の側面を有するＧａＮ立体構造を成長させると共に、ＧａＮ立体構造の高指数面上にＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることにより、所望する高指数面のＥｕ添加ＧａＮ層を安価に形成することができることを見出した。
即ち、（０００１）面のアンドープＧａＮ層上に、選択成長法を適用して、側面に（０００１）面よりも高指数の面が形成されたＧａＮ立体構造を成長させ、この側面の高指数面を利用してＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた場合、その成長条件を制御することにより、高指数面のＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることができるという予想もしなかった結果を得ることに成功した。
このため、上記技術を用いて活性層の成長条件を制御することにより、広い範囲に亘って所望の指数面のＧａＮ層を得ることができ、種々の用途に適した特性の窒化物半導体素子用基板を提供することができる。
さらに、所望する高指数面の活性層は、活性層の成長条件の制御だけでなく、選択成長における成長条件を制御することによっても得られると考えられる。
そして、Ｅｕの基本的な化学的性質や蒸気圧は他の希土類元素においても大きく相違しないため、Ｅｕに替えて他の希土類元素を用いても同様に高指数面を成長させることができ、また、ＧａＮ層に替えて他の窒化物層を用いても同様に高指数面を成長させることができる。
また、母材上に形成するマスクの形状やサイズは、適宜設定することができるが、前記したＳｉがＥｕとともに添加された場合のように、希土類元素とともにＳｉが添加されることによる影響を避ける必要がある場合には、マスクが完全に覆われるように立体構造を成長させることが好ましい。
なお、上記とは逆に、マスクで完全に覆わずに立体構造を成長させて、Ｓｉを意図的に活性層に添加して、活性層の発光を防止するなど、希土類元素とともにＳｉが添加されることによる影響を利用してもよい。
なお、マスクで完全に覆った後、立体構造の成長に際して、希土類元素とともにＳｉを意図的に添加して、活性層の発光を防止するなど、希土類元素とともにＳｉを添加することによる影響を利用してもよい。
上記のように作製された窒化物半導体素子用基板は、予め高指数面を切り出す加工などが不要であり、安価に提供することができる。
請求項１〜請求項１５に記載の発明は、以上の知見に基づく発明である。
即ち、請求項１に記載の発明は、
金属窒化物を用いた窒化物半導体素子用基板の製造方法であって、
金属窒化物を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、希土類元素が前記金属窒化物の金属元素と置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
を備えており、
前記活性層成長工程において、活性層の成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させる
ことを特徴とする窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
本請求項の発明においては、活性層の成長に際して、その成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させることができ、このような高指数面の活性層を成長させた窒化物半導体素子用基板を用いることにより、種々の用途に適した特性を備えた窒化物半導体素子を安価に製造することができる。
請求項２に記載の発明は、
金属窒化物を用いた窒化物半導体素子用基板の製造方法であって、
金属窒化物を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、希土類元素が前記金属窒化物の金属元素と置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
を備えており、
前記立体構造成長工程において、立体構造の成長条件を制御することにより、立体構造のアンドープ層の側面に所望する高指数面の活性層を形成させることを特徴とする窒化物半導体素子用基板の製造方法である。。
母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成された立体構造を成長させる条件を制御することによっても、所望する高指数面の活性層を形成させることができ、このような高指数面の活性層を成長させた窒化物半導体素子用基板を用いることにより、種々の用途に適した特性を備えた窒化物半導体素子を安価に製造することができる。
請求項３に記載の発明は、
前記活性層成長工程において、活性層の成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させる
ことを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
立体構造を成長させる条件を制御すると共に、活性層の成長に際して、その成長条件を制御することにより、より高指数面の活性層を成長させることができる。
請求項４に記載の発明は、
前記活性層の成長条件の制御が、成長温度により行われることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
請求項５に記載の発明は、
前記立体構造の成長条件の制御が、成長温度により行われることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
活性層の成長条件の制御や立体構造の成長条件の制御において、成長温度は容易に制御することができるため成長条件の制御方法として好ましい。
請求項６に記載の発明は、
前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
マスク材としては、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを使用することができるが、ＳｉＯ２マスク材は、安価で入手も容易であるため好ましい。
母材上に形成するマスクの形状やサイズは、適宜設定することができるが、前記したＳｉがＥｕとともに添加された場合のように、希土類元素とともにＳｉが添加されることによる影響を避ける必要がある場合には、マスクが完全に覆われるように立体構造を成長させることが好ましい。
請求項７に記載の発明は、
前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
前記マスクを完全には覆わないように前記立体構造を成長させて、Ｓｉを意図的に活性層に添加する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
マスクで完全には覆わず、一部を露出させた状態で立体構造を成長させて、Ｓｉを意図的に活性層に添加して、活性層の発光を防止するなど、希土類元素と共にＳｉが添加されることによる影響を利用することにより、活性層の特性を幅広く制御することができる。
請求項８に記載の発明は、
前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させた後、Ｓｉを意図的に活性層に添加する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
マスクを完全に覆うように立体構造を成長させた後、Ｓｉを意図的に活性層に添加して、活性層の発光を防止するなど、希土類元素と共にＳｉを添加することによる影響を利用することによっても、活性層の特性を幅広く制御することができる。
請求項９に記載の発明は、
前記金属窒化物が、ＧａＮであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
窒化物半導体を形成する金属窒化物の内でも、ＧａＮは一般的に使用されているため成長条件が既によく分かっており、また、安価に入手することができる。
請求項１０に記載の発明は、
前記活性層成長工程において添加される希土類元素が、Ｅｕであることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
Ｅｕは、前記した赤色発光半導体素子の製造にも用いられているため活性層の成長条件が既によく分かっており、また、安価に入手することができる。
請求項１１に記載の発明は、
さらに、形成された前記活性層をマスクするマスク工程を備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法である。
例えば、Ｅｕ添加ＧａＮ層を活性層とする窒化物半導体素子用基板上に窒化物半導体を形成すると活性層が赤色発光するように、窒化物半導体に対して活性層が影響を与える場合がある。このような恐れがある場合には、活性層をマスクすることにより、窒化物半導体に対する活性層の影響を防止することができる。
なお、マスクとしては、前記したＳｉＯ２やＳｉＮなどを使用することができる。
請求項１２に記載の発明は、
ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮまたはこれらのいずれか２つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子の製造方法であって、
ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮまたはこれらのいずれか２つ以上の混晶を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、ＥｕまたはＰｒがＧａ、ＩｎあるいはＡｌと置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
を備えていることを特徴とする赤色発光半導体素子の製造方法である。
本請求項の発明においては、母材上にマスクを設けて選択成長法を用いて母材と同じ材質からなる立体構造を成長させることにより、立体構造のアンドープ層の側面に母材よりも高指数面の層を形成させることができる。
そして、立体構造の側面に形成された高指数面上に、有機金属気相エピタキシャル法（ＯＭＶＰＥ法）を用いてＥｕ添加ＧａＮ層などの活性層を成長させることにより、高い光出力の赤色発光半導体素子を得ることができる。
請求項１３に記載の発明は、
前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させる
ことを特徴とする請求項１２に記載の赤色発光半導体素子の製造方法である。
マスク材としては、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを使用することができるが、ＳｉＯ２マスク材は、安価で入手も容易であるため好ましい。
母材上に形成するマスクの形状やサイズは、適宜設定することができるが、前記したように、ＳｉがＥｕとともに添加されると赤色発光を得ることができなくなるため、マスクが完全に覆われるように立体構造を成長させることが好ましい。
また、請求項１４に記載の発明は、
前記活性層成長工程において、成長温度を制御することにより、所望する指数面を有する前記活性層を成長させることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の赤色発光半導体素子の製造方法である。
前記したように、本発明者は形成された立体構造の側面にＥｕ添加ＧａＮ層などの活性層を成長させた場合、成長温度の僅かな違いにより活性層の成長面が大きく変化して、光出力が飛躍的に向上するという予想もしない結果を得た。
この結果は、母材の指数面に基づいて選択成長法を適用して立体構造を成長させ、さらに、立体構造の側面にＥｕやＰｒが添加された活性層を成長させた場合、成長温度を僅かに制御するだけで、広い範囲に亘って所望する指数面の活性層が得られることを示している。そして、このように所望する指数面の活性層を成長させることにより、所望の高い光出力の赤色発光半導体素子を得ることができる。
本発明者の知る範囲において、このような知見は未だ知られていない。
なお、成長温度を制御することにより活性層の成長モードを変えること以外に、他の制御方法により活性層の成長モードを変えることも考えられるが、成長温度は容易に制御することができるため、活性層の成長モードを制御する方法として好ましい。
また、請求項１５に記載の発明は、
前記活性層成長工程において添加される元素が、Ｅｕであることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の赤色発光半導体素子の製造方法である。
Ｅｕは、Ｐｒに比べて赤色発光効率が高いため、添加元素としてより好ましい。また、Ｅｕはカラーテレビの赤色蛍光体としての実績もあり、Ｐｒに比べてＥｕ化合物の入手も容易である。
なお、具体的なＥｕ源としては、例えば、Ｅｕ［Ｃ５（ＣＨ３）５］２等の一般式Ｅｕ［Ｃ５（ＣＨ３）４Ｒ］２（Ｒ：アルキル基）で示されるＥｕ化合物、Ｅｕ［Ｃ５（ＣＨ３）４Ｈ］２、Ｅｕ｛Ｎ［Ｓｉ（ＣＨ３）３］２｝３、Ｅｕ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３、Ｅｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３等を挙げることができるが、これらの内でも、Ｅｕ｛Ｎ［Ｓｉ（ＣＨ３）３］２｝３やＥｕ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３は、反応装置内での蒸気圧が高く、効率的な添加を行うことができるため好ましい。
本発明によれば、所望の指数面を有する窒化物半導体素子用基板および窒化物半導体素子を容易かつ安価に提供することができ、また、高い発光強度（光出力）を備えた赤色発光半導体素子を安価に提供することができる。
本発明に係る赤色半導体の製造工程を模式的に説明する図である。 選択成長法により形成されたＧａＮ立体構造の断面の走査型電子顕微鏡写真である。 本発明に係る赤色半導体の製造方法において形成されたＥｕ添加ＧａＮ層の走査型電子顕微鏡写真である。 本発明に係る赤色半導体の構成を模式的に示す図である。 赤色発光半導体素子のフォトルミネッセンスの測定結果の一例を示す図である。 従来の赤色発光半導体素子の構成を模式的に示す図である。 赤色発光半導体素子のＸ線吸収端近傍構造スペクトルの測定結果の一例を示す図である。 ＳｉＯ２マスク層が完全には覆われていない赤色発光半導体素子の構成を模式的に示す図である。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
１．赤色発光半導体素子の製造
図１は、本実施の形態に係る赤色発光半導体素子の製造工程を模式的に示す図であり、１０は母材テンプレートであり、サファイア基板１１、ＧａＮバッファ層１２、およびアンドープＧａＮ層１３より構成されている。また、１４はＳｉＯ２マスク層である。
（１）母材テンプレートの作製
最初に、厚さが４３０μｍの（０００１）面サファイア基板１１を用意し、有機溶媒に浸して超音波洗浄し、さらに塩酸と超純水を混合した洗浄液、アンモニア水、超純水の順に浸して洗浄した。
次に、サファイア基板１１をＭＯＶＰＥ装置内にセットし、ＧａＮバッファ層１２およびアンドープＧａＮ層１３をサファイア基板１１の（０００１）面上に成長させた。
具体的には、サファイア基板１１をパスボックスに導入して窒素ガスで置換した後に、グローブボックス内の石英サセプタトレイにサファイア基板１１を載置し、石英反応管のサセプタにセットした。
その後、純化した水素ガスを石英反応管に導入し、圧力を大気圧状態に保持して、アンモニア（ＮＨ３）ガスを流しながらサファイア基板１１を４７５℃まで昇温させ、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を供給することにより、ＧａＮバッファ層１２を８５秒間成長させた。
その後、さらに、サファイア基板１１を１１５０℃まで昇温させ、アンドープＧａＮ層１３を３０分間成長させて、図１（ａ）に示す母材テンプレート１０を作製した。
なお、上記に替えて、予め上記の構造が形成された市販の母材テンプレートを用いることもできる。
（２）マスク層の形成
次に、作製された母材テンプレート１０をＭＯＶＰＥ装置から取り出し、電子ビーム蒸着法を用いて、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２マスク層１４をアンドープＧａＮ層１３の上に形成させて、図１（ｂ）に示す選択成長用基板を作製した。
具体的には、フォトリソグラフィーを用いてアンドープＧａＮ層１３に対して＜１１−２０＞方向に５μｍ幅のストライプ形状にフォトレジストの窓を間隔５μｍにて形成した後、フッ化水素酸によりＳｉＯ２マスク層１４をエッチングすることにより、選択成長用基板を作製した。
（３）ＧａＮ立体構造の形成
作製した選択成長用基板をＭＯＶＰＥ装置の反応管内へ導入し、成長圧力７０ｋＰａ、成長温度９６０℃の雰囲気下、ＮＨ３およびＴＭＧａを供給して、選択成長法により、図１（ｃ）に示すようなＧａＮ立体構造２０を成長させた。
このとき、次工程であるＥｕ添加ＧａＮ層の形成において、Ｅｕ添加ＧａＮ層にＳｉが添加されると発光させることができないため、アンドープＧａＮ層１３およびＳｉＯ２マスク層１４がＧａＮ立体構造２０により完全に覆われるようにＧａＮ立体構造２０を成長させる必要がある。
本実施例においては、ＧａＮ立体構造２０の成長を以下の３段階に分けて行うことにより、ＧａＮ立体構造２０によりＳｉＯ２マスク層１４を完全に覆った。即ち、最初の０．５時間はＮＨ３を１．５ｓｌｍ、ＴＭＧａを１．０３ｓｃｃｍ供給し、次の０．５時間はＮＨ３を３．０ｓｌｍ、ＴＭＧａを２．０６ｓｃｃｍ供給し、最後の１．０時間はＮＨ３を４．５ｓｌｍ、ＴＭＧａを３．０９ｓｃｃｍ供給して、ＧａＮ立体構造２０の成長を行った。
成長したＧａＮ立体構造２０の断面を走査型電子顕微鏡により観察したところ、図２に示すように、ＧａＮ立体構造２０の側面には｛１−１０１｝ファセット面が形成されており、また、ＳｉＯ２マスク層１４が完全に覆われていることが確認できた。
（４）Ｅｕ添加ＧａＮ層の形成
次に、１．５ｓｌｍのＮＨ３を反応管に流しながら、成長圧力７０ｋＰａの雰囲気下、
１．０３ｓｃｃｍのＴＭＧａ、およびＥｕ（ＤＰＭ）３（トリスジピバロイルメタナトユウロピウム）をキャリアガスに水素を用いて、キャリアガス流量１．５ｓｌｍとして１５０℃に保持して反応管に供給することにより、ＧａＮ立体構造２０の｛１−１０１｝ファセット面上にＥｕ添加ＧａＮ層３０を４０分間成長させて、図１（ｄ）に示す赤色発光半導体素子を得た。
なお、このとき、成長温度を３点に分けて、成長温度９４０℃でＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた実施例１の赤色発光半導体素子、成長温度９６０℃でＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた実施例２の赤色発光半導体素子、および成長温度９８０℃でＥｕ添加ＧａＮ層を成長させた実施例３の赤色発光半導体素子を得た。
形成されたそれぞれのＥｕ添加ＧａＮ層３０の断面を走査型電子顕微鏡により観察したところ、図３に示すように、実施例１（成長温度９４０℃）ではＧａＮ立体構造２０に現れた側面の｛１−１０１｝ファセット面が保たれたまま成長していた。
これに対して、実施例２（成長温度９６０℃）では、ＧａＮ立体構造２０の成長温度と同じ成長温度でＥｕ添加ＧａＮ層３０を成長させたにも拘わらず、Ｅｕの添加によりＧａＮ立体構造２０の側面の傾きが約７５°と大きくなって、より高指数の｛２−２０１｝ファセット面が現れていることが分かった。
また、実施例３（成長温度９８０℃）の場合には、ＧａＮ立体構造２０の側面の傾きが約８０°とさらに大きくなって、さらに高指数の｛３−３０１｝ファセット面が現れていることが分かった。
なお、このとき、図３に示すように、実施例２（成長温度９６０℃）、実施例３（成長温度９８０℃）、いずれの場合においても、ＧａＮ立体構造２０の先端部分では、（０００１）面が出現している。
以上より、選択成長法を適用してＧａＮ立体構造を形成させることにより、その側面に（０００１）面よりも高指数面である｛１−１０１｝ファセット面を形成させることができ、さらに、Ｅｕ添加により僅かな温度制御を行うだけで、さらに高指数面である｛２−２０１｝ファセット面や｛３−３０１｝ファセット面を容易に形成させることができることが確認でき、Ｅｕ添加ＧａＮ層の形成に際してその成長条件を変化させることにより、図４に示すように、ＧａＮ立体構造２０の｛１−１０１｝側面上に｛ｎ−ｎ０１｝面３０が形成され、ＧａＮ立体構造の側面に種々の指数面の活性層を形成できることが分かる。
２．光出力（フォトルミネッセンス）の評価
実施例２の赤色発光半導体素子について、Ｈｅ−Ｃｄレーザー励起によるフォトルミネッセンス（ＰＬ）測定を行った（１０Ｋ）。測定結果を図５に示す。なお、図５において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸はＰＬ強度（ａ．ｕ．）である。
なお、図５には、従来の方法、即ち、図６に示すように、母材テンプレートの平坦なアンドープＧａＮ層１３上にＥｕ添加ＧａＮ層３０を成長させることにより作製された赤色発光半導体素子を比較例１として、同様に測定を行った結果を併せて示した。
図５より、実施例２の赤色発光半導体素子と比較例１の赤色発光半導体素子とではスペクトル形状が異なり、Ｅｕの発光中心を示す赤色発光のピークの強度比も異なっていることが分かる。即ち、実施例２の赤色発光半導体素子においては一つのピークが支配的になって、比較例１の赤色発光半導体素子に比べてＰＬ強度（光出力）が大きく向上していることが分かる。
このように一つのピークが支配的になっていることは、比較例１の赤色発光半導体素子においては数多く存在していた発光中心の種類が、実施例２の赤色発光半導体素子のように高指数面を使用することにより、発光中心の形成されやすさに違いが生じて、発光中心の形成が制御されていることを示している。
これは、実施例２の赤色発光半導体素子と比較例１の赤色発光半導体素子とでは、発光中心へのエネルギー輸送効率が異なり、それぞれ特定の発光中心が優先的に励起されたためであると考えられる。
そして、図５では、さらに、Ｅｕ原子周りの歪みが緩和されたことを示すピークの波長の長波長側へのシフトも観察されている。
これは、実施例２の赤色発光半導体素子と比較例１の赤色発光半導体素子とでは、表面の異なる結晶面方位により表面付近における歪みの様子に違いが生じてＥｕ周辺局所構造が変化したことにより、Ｅｕ３＋イオンの準位に違いを生じさせて上記のピークシフトが生じたものと考えられる。
３．ＳｉＯ２マスク層の影響についての評価
次に、Ｅｕ添加ＧａＮ層３０の形成に際して、ＳｉＯ２マスク層１４がＧａＮ立体構造２０により覆われていることの有無による赤色発光への影響をＸ線吸収端近傍構造スペクトルにより評価した。
具体的には、上記と同様に、実施例２の赤色発光半導体素子を用いてＸ線吸収端近傍構造スペクトルを測定した。測定結果を図７に示す。なお、図７において、横軸は光子エネルギー（ｅＶ）、縦軸は蛍光Ｘ線強度（ａ．ｕ．）である。
なお、図７には、図８に示すＳｉＯ２マスク層１４がＧａＮ立体構造２０により完全には覆われていないＧａＮ立体構造２０上にＥｕ添加ＧａＮ層３０を形成して作製した赤色発光半導体素子を用いて比較例２として、同様に測定した結果を併せて示した。
図７より、比較例２の場合、二価のＥｕイオンを持つＥｕＳと同様なエネルギー位置に吸収ピークが示されていることから、二価のＥｕイオンとしてＥｕが添加されていることが分かる。これは、ＳｉＯ２マスク層１４のＳｉがＥｕ添加ＧａＮ層３０に混入していることを示している。このため、この構造では、フォトルミネッセンスを測定しても、赤色発光しない二価のＥｕのため赤色発光が観察されていない。
これに対して、実施例２の場合には、三価のＥｕイオンを持つＥｕＣｌ３と同様なエネルギー位置に吸収ピークが示されていることから、三価のＥｕイオンとしてＥｕが添加されていることが分かり、ＳｉＯ２マスク層１４をＧａＮ立体構造２０で覆うことにより、ＳｉのＥｕ添加ＧａＮ層３０への混入が防止されていることが分かる。このことは、図５に示したフォトルミネッセンスにおいて、赤色発光を示していることからも分かる。
そして、この結果より、ＳｉＯ２マスク層を完全に覆ってＧａＮ立体構造を形成させる必要があることが分かる。
以上の通り、本発明を適用することにより、母材のアンドープＧａＮ上に高指数面の側面を有するＧａＮ立体構造を成長させ、その後、このＧａＮ立体構造の高指数面上にＥｕ添加ＧａＮ層を成長させることにより、光出力がより向上した赤色発光半導体素子を安価に得ることができる。
そして、この技術を窒化物半導体素子用基板の製造に適用することにより、広い範囲に亘って所望の指数面の活性層を有する窒化物半導体素子用基板を得ることができるため、種々の用途に適した特性の窒化物半導体素子を安価に提供することができる。
以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
１０ 母材テンプレート
１１ サファイア基板
１２ ＧａＮバッファ層
１３ アンドープＧａＮ層
１４ ＳｉＯ２マスク層
２０ ＧａＮ立体構造
３０ Ｅｕ添加ＧａＮ層

Claims (15)

  1. 金属窒化物を用いた窒化物半導体素子用基板の製造方法であって、
    金属窒化物を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
    前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
    前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、希土類元素が前記金属窒化物の金属元素と置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
    を備えており、
    前記活性層成長工程において、活性層の成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させる
    ことを特徴とする窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  2. 金属窒化物を用いた窒化物半導体素子用基板の製造方法であって、
    金属窒化物を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
    前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
    前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、希土類元素が前記金属窒化物の金属元素と置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
    を備えており、
    前記立体構造成長工程において、立体構造の成長条件を制御することにより、立体構造のアンドープ層の側面に所望する高指数面の活性層を形成させることを特徴とする窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  3. 前記活性層成長工程において、活性層の成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させる
    ことを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  4. 前記活性層の成長条件の制御が、成長温度により行われることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  5. 前記立体構造の成長条件の制御が、成長温度により行われることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  6. 前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
    前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させる
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  7. 前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
    前記マスクを完全には覆わないように前記立体構造を成長させて、Ｓｉを意図的に活性層に添加する
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  8. 前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
    前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させた後、Ｓｉを意図的に活性層に添加する
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  9. 前記金属窒化物が、ＧａＮであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  10. 前記活性層成長工程において添加される希土類元素が、Ｅｕであることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  11. さらに、形成された前記活性層をマスクするマスク工程を備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子用基板の製造方法。
  12. ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮまたはこれらのいずれか２つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子の製造方法であって、
    ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮまたはこれらのいずれか２つ以上の混晶を母材として、前記母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、
    前記マスクが形成された前記母材上に、選択成長法を用いて、前記母材よりも高指数面のアンドープ層が側面に形成されるように、前記母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、
    前記立体構造のアンドープ層の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、ＥｕまたはＰｒがＧａ、ＩｎあるいはＡｌと置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程と
    を備えていることを特徴とする赤色発光半導体素子の製造方法。
  13. 前記マスクがＳｉＯ２製のマスクであり、
    前記マスクを完全に覆うように前記立体構造を成長させる
    ことを特徴とする請求項１２に記載の赤色発光半導体素子の製造方法。
  14. 前記活性層成長工程において、成長温度を制御することにより、所望する指数面を有する前記活性層を成長させることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の赤色発光半導体素子の製造方法。
  15. 前記活性層成長工程において添加される元素が、Ｅｕであることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の赤色発光半導体素子の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI716986B (zh) * 2018-09-03 2021-01-21 國立大學法人大阪大學 氮化物半導體裝置與其基板及添加稀土類元素之氮化物層的形成方法，以及紅色發光裝置
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4292600B2 (ja) * 1998-09-11 2009-07-08 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP4254157B2 (ja) * 2001-08-22 2009-04-15 ソニー株式会社 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
JP3899936B2 (ja) * 2002-01-18 2007-03-28 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7118928B2 (en) * 2002-12-02 2006-10-10 University Of Cincinnati Method of forming a semiconductor phosphor layer by metalorganic chemical vapor deposition for use in light-emitting devices
JP2006005044A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Rohm Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
US8409897B2 (en) 2009-05-07 2013-04-02 Osaka University Production method of red light emitting semiconductor device
US20130313514A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9136434B2 (en) * 2013-01-07 2015-09-15 Invenlux Limited Submicro-facet light-emitting device and method for fabricating the same

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