JP6042396B2 - 半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するシステム,その方法およびコンピュータプログラム - Google Patents
半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するシステム,その方法およびコンピュータプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6042396B2 JP6042396B2 JP2014202977A JP2014202977A JP6042396B2 JP 6042396 B2 JP6042396 B2 JP 6042396B2 JP 2014202977 A JP2014202977 A JP 2014202977A JP 2014202977 A JP2014202977 A JP 2014202977A JP 6042396 B2 JP6042396 B2 JP 6042396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- layer
- overlay
- configurations
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 43
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 25
- 238000013461 design Methods 0.000 description 21
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000003491 array Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
従って、xy両方向での複雑なモデリング工程を必要とせず、測定された対称パラメータをオーバレイに相関させて、そのようなターゲットのためのオーバレイを決定出来るようなオーバレイターゲットを設計するための改良された技術が必要である。オーバレイの為の相関された測定された対称の為の簡素化された目盛校正技術も有用であろう。
オーバレイ=(D/2)*(ΔP/P)
である。このアプローチの主な利点は、ターゲットの特定が必要でないことであり、このことは、ツールの行動について大進歩である。ターゲットアレイを線アレイとしてグラフ表示することが不必要であることに留意される。例によっては、ターゲットは異なる順に置かれてもよく、任意のFOVでもよい。これらターゲットの解析の為にはこれらは個々のターゲットの非対称パラメータの値とOVLの記号とに従って順に並べられなくてはならない。OVLオフセットのステップの記号が異なる二本のアレイの間の区別をする為には、アレイの中の一本の為の総ての既定のOVLオフセットの値が例えばOVLオフセットステップの半分だけシフトされることが可能である。その代わりの手段として、第二のアレイを最上と最下の層に対して鉛直と水平の棒/溝を逆に対応させて印刷してもよい。
Claims (15)
- 半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するシステムであって、
半導体装置の一つ以上の処理層に配置された複数のターゲット構造を照らすように構成され、前記複数のターゲット構造は、第一方向に伸びる第一層内の一個以上の線または溝構成と、前記第一方向と直交する第二方向に伸びる第二層内の一個以上の線または溝構成とから成り、前記第一層および第二層からの構成は交差し、第一方向のオーバーレイは第二方向の画像対称に影響を与えないようにされており、
メモリに記憶されたプログラムを実行する一以上のコンピュータを備え、前記プログラムは、前記複数のターゲット構造から集められた光に基づいて、一つ以上のターゲット構造間のオーバーレイを決定するよう構成されており、
前記ターゲット構造が、前記第一層内の唯一本の線または溝と前記第二層内の唯一本の線または溝から成る
システム。 - 前記ターゲット構造が、前記第一方向と前記第二方向の各々に沿って3μm以下伸びたものである請求項1に記載のシステム。
- 前記ターゲット構造が、半導体領域の活性領域内に形成されたものである請求項1または請求項2に記載のシステム。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が非活性ダミー構成である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が半導体ウエファ上に形成される装置の構成である請求項3に記載のシステム。
- 半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定する方法であって、
半導体装置の一つ以上の処理層に配置された複数のターゲット構造を準備し、前記複数のターゲット構造は、第一方向に伸びる第一層内の一個以上の線または溝構成と、前記第一方向と直交する第二方向に伸びる第二層内の一個以上の線または溝構成とから成り、前記第一層および第二層からの構成は交差し、第一方向のオーバーレイは第二方向の画像対称に影響を与えないようにされており、
メモリに記憶されたプログラムを実行する一以上のコンピュータを備え、前記プログラムは、前記複数のターゲット構造から集められた光に基づいて、一つ以上のターゲット構造間のオーバーレイを決定し、
前記ターゲット構造が、前記第一層内の唯一本の線または溝と前記第二層内の唯一本の線または溝から成る方法。 - 前記ターゲット構造が、前記第一方向と前記第二方向の各々に沿って3μm以下伸びたものである請求項6に記載の方法。
- 前記ターゲット構造が、半導体領域の活性領域内に形成されたものである請求項6または請求項7に記載の方法。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が非活性ダミー構成である請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が半導体ウエファ上に形成される装置の構成である請求項8に記載の方法。
- コンピュータにより読み取り可能なプログラムであって、当該プログラムをコンピュータにより実行することにより、半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するコンピュータプログラムであって、
半導体装置の一つ以上の処理層に配置された複数のターゲット構造は、第一方向に伸びる第一層内の一個以上の線または溝構成と、前記第一方向と直交する第二方向に伸びる第二層内の一個以上の線または溝構成とから成り、前記第一層および第二層からの構成は交差し、第一方向のオーバーレイは第二方向の画像対称に影響を与えないようにされており、このターゲット構造を照らす機能と、
前記複数のターゲット構造からの光に基づいて、2つ以上のターゲット構造間のオーバーレイエラーを決定する機能と
をコンピュータにより実現するプログラムであり、
前記ターゲット構造が、前記第一層内の唯一本の線または溝と前記第二層内の唯一本の線または溝から成る
コンピュータプログラム。 - 前記ターゲット構造が、前記第一方向と前記第二方向の各々に沿って3μm以下伸びたものである請求項11に記載のコンピュータプログラム。
- 前記ターゲット構造が、半導体領域の活性領域内に形成されたものである請求項11また請求項12に記載のコンピュータプログラム。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が非活性ダミー構成である請求項11から請求項13のいずれか一項に記載のコンピュータプログラム。
- 前記第一層と前記第二層の一本以上の線構成が半導体ウエファ上に形成される装置の構成である請求項13に記載のコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73243305P | 2005-10-31 | 2005-10-31 | |
US60/732,433 | 2005-10-31 | ||
US11/329,716 | 2006-01-10 | ||
US11/329,716 US7526749B2 (en) | 2005-10-31 | 2006-01-10 | Methods and apparatus for designing and using micro-targets in overlay metrology |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013088605A Division JP5813692B2 (ja) | 2005-10-31 | 2013-04-19 | オーバレイ測定用の目盛校正曲線を生成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015039007A JP2015039007A (ja) | 2015-02-26 |
JP6042396B2 true JP6042396B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=37995066
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008537884A Active JP5443759B2 (ja) | 2005-10-31 | 2006-10-23 | オーバレイ測定におけるマイクロターゲットの設計と使用のための方法と装置 |
JP2013088605A Active JP5813692B2 (ja) | 2005-10-31 | 2013-04-19 | オーバレイ測定用の目盛校正曲線を生成する方法 |
JP2014202977A Active JP6042396B2 (ja) | 2005-10-31 | 2014-10-01 | 半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するシステム,その方法およびコンピュータプログラム |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008537884A Active JP5443759B2 (ja) | 2005-10-31 | 2006-10-23 | オーバレイ測定におけるマイクロターゲットの設計と使用のための方法と装置 |
JP2013088605A Active JP5813692B2 (ja) | 2005-10-31 | 2013-04-19 | オーバレイ測定用の目盛校正曲線を生成する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7526749B2 (ja) |
EP (1) | EP1946372B1 (ja) |
JP (3) | JP5443759B2 (ja) |
TW (2) | TWI411055B (ja) |
WO (1) | WO2007053376A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7526749B2 (en) * | 2005-10-31 | 2009-04-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for designing and using micro-targets in overlay metrology |
US9151712B1 (en) * | 2007-05-30 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Rule checking for metrology and inspection |
DE102007046850B4 (de) * | 2007-09-29 | 2014-05-22 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Verfahren zum Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit |
US8060843B2 (en) * | 2008-06-18 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Verification of 3D integrated circuits |
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
US9007585B2 (en) * | 2012-03-07 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Imaging overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement system |
CN103814429A (zh) * | 2012-05-22 | 2014-05-21 | 科磊股份有限公司 | 具有正交底层虚拟填充的叠盖目标 |
US9576861B2 (en) * | 2012-11-20 | 2017-02-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for universal target based inspection and metrology |
US9123649B1 (en) * | 2013-01-21 | 2015-09-01 | Kla-Tencor Corporation | Fit-to-pitch overlay measurement targets |
US9104831B2 (en) * | 2013-08-23 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor overlay production system and method |
US9727047B2 (en) * | 2014-10-14 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corp. | Defect detection using structural information |
CN111948239B (zh) * | 2015-04-28 | 2024-01-12 | 科磊股份有限公司 | 计算上高效的基于x射线的叠盖测量系统与方法 |
KR102046597B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2019-11-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 교정 방법 |
US10303839B2 (en) * | 2016-06-07 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Electrically relevant placement of metrology targets using design analysis |
KR102649158B1 (ko) * | 2018-12-03 | 2024-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 반도체 제조 공정의 수율을 예측하는 방법 |
WO2020141071A1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Method for calibrating a scanning charged particle microscope |
EP3971648A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Mark to be projected on an object durign a lithograhpic process and method for designing a mark |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63260045A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | バ−ニアパタ−ン |
JPS6450529A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Wafer alignment |
JPH0231411A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のアライメントマークの形成方法 |
JP2663623B2 (ja) * | 1989-01-30 | 1997-10-15 | 住友金属工業株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
JPH0562874A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0658730A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Nikon Corp | 重ね合わせ精度測定方法 |
JP3511552B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2004-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 重ね合わせ測定マークおよび測定方法 |
JPH10189425A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Matsushita Electron Corp | アライメント方法、アライメント精度測定方法及びアライメント測定用マーク |
JPH10308346A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-17 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光による半導体デバイスの製造方法 |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
JP2002351054A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Sony Corp | 位置合わせ用マーク及びこれを用いた位置合わせ方法、素子の転写方法 |
US6772084B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
US6958819B1 (en) * | 2002-04-04 | 2005-10-25 | Nanometrics Incorporated | Encoder with an alignment target |
US6804005B2 (en) * | 2002-05-02 | 2004-10-12 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US7075639B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks |
KR100546336B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 복수의 교점을 가지는 오버레이 키 및 이를 이용한오버레이 측정 방법 |
JP2005129781A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法 |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US7289214B1 (en) * | 2004-11-23 | 2007-10-30 | N&K Technology, Inc. | System and method for measuring overlay alignment using diffraction gratings |
US7477396B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-01-13 | Nanometrics Incorporated | Methods and systems for determining overlay error based on target image symmetry |
US7526749B2 (en) * | 2005-10-31 | 2009-04-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for designing and using micro-targets in overlay metrology |
-
2006
- 2006-01-10 US US11/329,716 patent/US7526749B2/en active Active
- 2006-10-23 JP JP2008537884A patent/JP5443759B2/ja active Active
- 2006-10-23 WO PCT/US2006/041514 patent/WO2007053376A2/en active Application Filing
- 2006-10-23 EP EP06817348.3A patent/EP1946372B1/en not_active Not-in-force
- 2006-10-25 TW TW095139365A patent/TWI411055B/zh active
- 2006-10-25 TW TW102126269A patent/TW201415567A/zh unknown
-
2013
- 2013-04-19 JP JP2013088605A patent/JP5813692B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-01 JP JP2014202977A patent/JP6042396B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007053376A2 (en) | 2007-05-10 |
TWI411055B (zh) | 2013-10-01 |
JP5813692B2 (ja) | 2015-11-17 |
EP1946372A2 (en) | 2008-07-23 |
JP5443759B2 (ja) | 2014-03-19 |
JP2009514230A (ja) | 2009-04-02 |
JP2013153217A (ja) | 2013-08-08 |
EP1946372B1 (en) | 2014-07-16 |
TW201415567A (zh) | 2014-04-16 |
US20070096094A1 (en) | 2007-05-03 |
TW200737386A (en) | 2007-10-01 |
WO2007053376A3 (en) | 2009-04-23 |
US7526749B2 (en) | 2009-04-28 |
JP2015039007A (ja) | 2015-02-26 |
EP1946372A4 (en) | 2011-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6042396B2 (ja) | 半導体のオーバーレイターゲットからオーバーレイを決定するシステム,その方法およびコンピュータプログラム | |
US7135344B2 (en) | Design-based monitoring | |
US11120182B2 (en) | Methodology of incorporating wafer physical measurement with digital simulation for improving semiconductor device fabrication | |
US7346878B1 (en) | Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection | |
CN1846170B (zh) | 使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统 | |
JP4904034B2 (ja) | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 | |
US7608468B1 (en) | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same | |
US6691052B1 (en) | Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern | |
US6581193B1 (en) | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy | |
US7925486B2 (en) | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout | |
US7873504B1 (en) | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout | |
JP4216592B2 (ja) | 集積回路の特性を測定するプロセスと装置 | |
JP2002532760A (ja) | レチクルを製造および検査するためのメカニズム | |
CN113990770B (zh) | 一种晶圆检测方法及检测装置 | |
US7100146B2 (en) | Design system of alignment marks for semiconductor manufacture | |
US20090082897A1 (en) | Method and apparatus for generating metrology tags to allow automatic metrology recipe generation | |
US7974457B2 (en) | Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect | |
JP2006100619A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
CN100416574C (zh) | 模拟标线图案数据、检查标线图案数据以及产生用于检测标线图案数据工艺的方法 | |
JP2005121788A (ja) | 欠陥検査用マスク及び欠陥検査用マスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150623 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150918 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160920 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6042396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |