JP2005129781A - レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制しつつ、必要十分なアライメントマークを確保する。
【解決手段】 レチクルR1のチップ領域C1´〜C3´の一部のチップ領域C1´、C2´のみにアライメントマークM1´、M2´を配置することにより、ウェハW1のチップ領域C1〜C3の一部のチップ領域C1、C2のみにアライメントマークM1、M2を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 レチクルR1のチップ領域C1´〜C3´の一部のチップ領域C1´、C2´のみにアライメントマークM1´、M2´を配置することにより、ウェハW1のチップ領域C1〜C3の一部のチップ領域C1、C2のみにアライメントマークM1、M2を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明はレチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法に関し、特に、アライメントマークの配置方法に適用して好適なものである。
従来の半導体装置では、フォトリソグラフィー工程における位置合わせを行うために、ウェハのスクライブライン上にアライメントマークを配置することが行なわれていた。
また、例えば、特許文献1には、スクライブ幅を広げる等領域増加をせずに必要なマーク類を配置し、ウェハ1枚当たりのチップの占有率を増加させるために、チップ上のボンディングパットにアライメントマークを形成する方法が開示されている。
特開平8−222514号公報
また、例えば、特許文献1には、スクライブ幅を広げる等領域増加をせずに必要なマーク類を配置し、ウェハ1枚当たりのチップの占有率を増加させるために、チップ上のボンディングパットにアライメントマークを形成する方法が開示されている。
しかしながら、ウェハのスクライブライン上にアライメントマークを配置する方法では、スクライブラインの幅をある程度広くする必要があり、例えば、スクライブラインの幅を100〜160μmとする必要がある。このため、チップサイズが微小化すると、ウェハ1枚当たりに占めるスクライブラインの占有率が極端に上昇し、ウェハ1枚当たりのチップの占有率が極端に低下するという問題があった。
また、特許文献1に開示された方法では、TEGを配置することを考慮し、スクライブ幅そのものを縮小化していないため、チップサイズが縮小化することでスクライブラインが増加し、ウェハ上におけるスクライブ領域の占有率の増大を抑制することが出来ないという問題があった。さらに、必要十分なアライメントマークを確保するためには、チップサイズが増加するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制しつつ、必要十分なアライメントマークを確保することが可能なレチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るレチクルによれば、所定間隔で配列された複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とする。
これにより、少なくとも1個のチップ領域全体を使ってアライメントマークを配置することが可能となり、スクライブライン上にアライメントマークを配置する必要がなくなる。このため、必要十分なアライメントマークを確保することを可能としつつ、スクライブラインの線幅を細くすることが可能となり、チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制することを可能として、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
これにより、少なくとも1個のチップ領域全体を使ってアライメントマークを配置することが可能となり、スクライブライン上にアライメントマークを配置する必要がなくなる。このため、必要十分なアライメントマークを確保することを可能としつつ、スクライブラインの線幅を細くすることが可能となり、チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制することを可能として、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、前記アライメントマークが配置されたチップ領域にはTEGが形成されていることを特徴とする。
これにより、必要十分なアライメントマークを確保することが可能となるとともに、スクライブライン上にTEGを配置する必要がなくなり、チップの占有率の低下を抑制することが可能となる。
これにより、必要十分なアライメントマークを確保することが可能となるとともに、スクライブライン上にTEGを配置する必要がなくなり、チップの占有率の低下を抑制することが可能となる。
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、前記アライメントマークは、レチクル中心を通るX、Y軸にかかる少なくとも2チップ内に配置されていることを特徴とする。
これにより、スクライブライン上にアライメントマークを配置することなく、フォトリソグラフィー工程における位置合わせを精度よく行うことが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体ウェハによれば、所定間隔で配列された複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とする。
これにより、スクライブライン上にアライメントマークを配置することなく、フォトリソグラフィー工程における位置合わせを精度よく行うことが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体ウェハによれば、所定間隔で配列された複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とする。
これにより、半導体ウェハに形成される少なくとも1個のチップ領域全体を使ってアライメントマークを配置することが可能となり、スクライブライン上にアライメントマークを配置する必要がなくなる。このため、チップサイズの微小化に対応しつつ、チップの占有率の低下を抑制することが可能となり、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体ウェハによれば、前記アライメントマークは、前記アライメントマークを形成するための露光工程におけるショットごとに設けられていることを特徴とする。
これにより、縮小投影露光装置を用いて露光プロセスを行なうことが可能となり、パターンの微細化に対応しつつ、複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域にアライメントマークを配置することができる。
これにより、縮小投影露光装置を用いて露光プロセスを行なうことが可能となり、パターンの微細化に対応しつつ、複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域にアライメントマークを配置することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハに配列された複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域にアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークの参照結果に基いて、前記アライメントマークが未配置のチップ領域に素子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、少なくとも1個のチップ領域全体を使ってアライメントマークを配置することが可能となり、素子が形成されたチップ領域にアライメントマークを配置することなく、スクライブライン領域からアライメントマークを除去することが可能となる。このため、必要十分なアライメントマークを確保することを可能としつつ、スクライブラインの線幅を細くすることが可能となり、チップサイズの微小化に対応しつつ、チップの占有率の低下を抑制することを可能として、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
これにより、少なくとも1個のチップ領域全体を使ってアライメントマークを配置することが可能となり、素子が形成されたチップ領域にアライメントマークを配置することなく、スクライブライン領域からアライメントマークを除去することが可能となる。このため、必要十分なアライメントマークを確保することを可能としつつ、スクライブラインの線幅を細くすることが可能となり、チップサイズの微小化に対応しつつ、チップの占有率の低下を抑制することを可能として、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係るレチクルおよび半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、一実施形態に係るアライメントマークの配置方法を示す平面図である。
図1(a)において、レチクルR1には、チップ領域C1´〜C3´が所定間隔で配列されている。ここで、レチクルR1のチップ領域C1´、C2´には、アライメントマークM1´、M2´がそれぞれ配置され、チップ領域C1´、C2´以外のチップ領域C3´には、素子を形成するために必要な露光用パターンが配置されている。
図1は、一実施形態に係るアライメントマークの配置方法を示す平面図である。
図1(a)において、レチクルR1には、チップ領域C1´〜C3´が所定間隔で配列されている。ここで、レチクルR1のチップ領域C1´、C2´には、アライメントマークM1´、M2´がそれぞれ配置され、チップ領域C1´、C2´以外のチップ領域C3´には、素子を形成するために必要な露光用パターンが配置されている。
なお、アライメントマークM1´、M2´は、レチクルR1の中心を通るX、Y軸にかかる少なくとも2個のチップ領域C1´、C2´内にそれぞれ配置することができる。また、レチクルR1のチップ領域C1´、C2´には、アライメントマークM1´、M2´の他、レジストレーションマーク、フォーカスマーク、線幅コントロールマーク、あるいはTEG(Test Element Group)をそれぞれ配置するようにしてもよい。さらに、レチクルR1のチップ領域C1´、C2´には、必要に応じて素子を形成するために必要な露光用パターンを配置してもよいが、素子を形成するために必要な露光用パターンを配置しなくてもよい。
一方、ウェハW1には、スクライブラインSB1で区画されたチップ領域C1〜C3が配置されている。なお、スクライブラインSB1の線幅は80μm以下とすることができる。ここで、ウェハW1のチップ領域C1〜C3は、レチクルR1のチップ領域C1´〜C3´にそれぞれ対応して、露光工程におけるショットごとに形成することができる。
そして、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、アライメントマークM1、M2がそれぞれ配置され、チップ領域C1、C2以外のチップ領域C3には、素子が配置されている。なお、チップ領域C3に配置される素子としては、例えば、トランジスタなどの能動素子、またはキャパシタなどの受動素子を挙げることができる。また、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、アライメントマークM1、M2に加え、レジストレーションマーク、フォーカスマーク、線幅コントロールマーク、あるいはTEGをそれぞれ形成するようにしてもよい。さらに、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、必要に応じて素子を配置してもよいが、素子を配置しなくてもよい。
そして、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、アライメントマークM1、M2がそれぞれ配置され、チップ領域C1、C2以外のチップ領域C3には、素子が配置されている。なお、チップ領域C3に配置される素子としては、例えば、トランジスタなどの能動素子、またはキャパシタなどの受動素子を挙げることができる。また、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、アライメントマークM1、M2に加え、レジストレーションマーク、フォーカスマーク、線幅コントロールマーク、あるいはTEGをそれぞれ形成するようにしてもよい。さらに、ウェハW1のチップ領域C1、C2には、必要に応じて素子を配置してもよいが、素子を配置しなくてもよい。
そして、ウェハW1のチップ領域C1、C2にアライメントマークM1、M2が形成されると、このアライメントマークM1、M2を参照することにより、フォトリソグラフィー工程における位置合わせをショットごとに行うことができる。
そして、ウェハW1のチップ領域C3に素子が形成されると、スクライブラインSB1に沿ってウェハW1を切断することにより、チップ領域C1〜C3を個片化することができる。
そして、ウェハW1のチップ領域C3に素子が形成されると、スクライブラインSB1に沿ってウェハW1を切断することにより、チップ領域C1〜C3を個片化することができる。
これにより、アライメントマークM1、M2をウェハW1に設けるために、ウェハW1に形成されたチップ領域C1〜C3から選択された一部のチップ領域C1、C全体を使うことが可能となる。このため、必要十分なアライメントマークM1、M2を確保することが可能となるとともに、スクライブラインSB1上にアライメントマークM1、M2を配置する必要がなくなり、スクライブラインSB1の線幅を細くすることを可能となる。この結果、チップサイズが微小化した場合においても、チップ領域C1〜C3の占有率の低下を抑制することが可能となり、半導体チップのコストダウンを図ることが可能となる。
W1 ウェハ、SB1 スクライブライン、C1〜C3、C1´〜C3´ チップ領域、M1、M2、M1´、M2´ アライメントマーク、R1 レチクル
Claims (6)
- 所定間隔で配列された複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とするレチクル。 - 前記アライメントマークが配置されたチップ領域にはTEGが形成されていることを特徴とする請求項1記載のレチクル。
- 前記アライメントマークは、レチクル中心を通るX、Y軸にかかる少なくとも2チップ内に配置されていることを特徴とする請求項1または2記載のレチクル。
- 所定間隔で配列された複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とする半導体ウェハ。 - 前記アライメントマークは、前記アライメントマークを形成するための露光工程におけるショットごとに設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体ウェハ。
- 半導体ウェハに配列された複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域にアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークの参照結果に基いて、前記アライメントマークが未配置のチップ領域に素子を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003364619A JP2005129781A (ja) | 2003-10-24 | 2003-10-24 | レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法 |
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JP2005129781A true JP2005129781A (ja) | 2005-05-19 |
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ID=34643547
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JP2003364619A Pending JP2005129781A (ja) | 2003-10-24 | 2003-10-24 | レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2005129781A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009514230A (ja) * | 2005-10-31 | 2009-04-02 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ測定におけるマイクロターゲットの設計と使用のための方法と装置 |
US8748198B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-06-10 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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2003
- 2003-10-24 JP JP2003364619A patent/JP2005129781A/ja active Pending
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