JP6040632B2

JP6040632B2 - 試料厚測定方法、試料作成方法及び試料作成装置

Info

Publication number: JP6040632B2
Application number: JP2012184296A
Authority: JP
Inventors: 秀史山口
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2012-08-23
Filing date: 2012-08-23
Publication date: 2016-12-07
Anticipated expiration: 2032-08-23
Also published as: JP2014041092A

Description

本発明は、試料厚測定方法、試料作成方法及び試料作成装置に関する。

半導体集積回路装置（ＬＳＩ）等の電子デバイスにおいては、その中の素子の特性を調べるために、例えば集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）装置を使用して素子の一部を試料として切り出し、当該試料を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）装置により観察することがある。その場合、観察対象の試料は、ＴＥＭ装置で生成した電子線が透過できる程度に十分に薄くしておくのが好ましい。

このような薄い試料を作製する時には、例えば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を使用して試料の厚さを確認しながら所定の厚さになるまで加工を行う。この場合、試料の断面形状がテーパー形状になったり、材質の違いにより厚さ分布に差が生じたり、試料が薄いために撓んだりすると、ＳＥＭによる形状観察ではＴＥＭ観察したい箇所の厚さを確認することが困難になる。

そこで、ＦＩＢ装置における試料の加工途中で試料に電子線を照射し、試料を透過する電子線の強度を測定して厚さを求め、その厚さに応じてＦＩＢによる試料の加工量を定める方法が知られている。その方法では、試料を透過する透過電子線の強度が試料の膜厚に依存することを利用して、その電子線の照射強度と試料を透過した電子線の強度との比により膜厚が算出される。

この方法によれば、入射電子線の強度のばらつきが試料厚の算出結果から排除され、試料の厚さを正確に測定できる。

特開平６−２３１７２０号公報

しかしながら、上記の試料厚算出方法では、試料における電子線の入射強度と透過強度を同時に正確に測定できない。このため、試料での電子線の入射強度をファラデーカップで測定した後に、ＦＩＢ装置のチャンバを大気に開放してファラデーカップを取り外し、続いて透過電子検出器により電子線の透過強度を測定する作業が必要である。このため、膜厚測定の工程数が多くなり、ユーザの負担増が避けられない。

本発明の目的は、試料の厚さ測定のスループットを向上させ、測定の厚さに基づいて試料を精度良く加工するための試料厚測定方法、試料作成方法と試料作成装置を提供することである。

本実施形態の１つの観点によれば、試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子に対する前記二次電子の強度比を算出する工程と、標準試料についての反射電子に対する二次電子の強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが１００ｎｍ以上の前記試料を測定する場合には１００ｎｍより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出する工程と、算出された前記厚さと目標となる厚さとを比較して前記試料の加工量を算出する工程と、前記試料にイオンビームを照射することにより前記試料の厚さを前記加工量だけ減らして前記目標厚に近づける工程と、を有することを特徴とする試料作成方法が提供される。
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解されるものである。

本実施形態によれば、電子線の照射により試料から発生する反射電子と二次電子の強度比が試料の厚さに依存することを利用し、反射電子と二次電子の測定結果から強度比を求めることで厚さを算出する。これにより、厚さの測定を容易にして試料の加工精度を高くすることができる。

図１は、実施形態に係る試料作成装置の一例を示す構成図である。図２は、実施形態に係る試料作成装置、試料作成方法に適用されるデータベースを作成する方法の一例を示すフローチャートである。図３（ａ）は、実施形態に係る試料作成装置、試料作成方法に適用されるデータベースを作成する際の試料の厚さの測定方法の一例を示す側面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す試料の測定方法に使用される標準試料の一例を示す斜視図である。図４は、実施形態に係る試料作成装置、試料作成方法に使用されるデータベースの一例であって、試料における反射電子強度に対する二次電子強度の比と試料の厚さの関係を示す特性図である。図５は、実施形態に係る試料作成方法の一例を示すフローチャートである。図６（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る試料作成方法における試料の厚さ測定状態と試料の加工状態の一例を示す側面図である。

以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
図１は、実施形態に係る試料作成装置の一例を示す断面図である。

図１に示す試料作成装置１０において、チャンバ１内には作成される試料Ｗを載置する試料台２が配置され、その一側方には電子線照射部３が取り付けられ、また、その上方にはイオンビーム照射部４が取り付けられている。試料台２上の試料取付位置の周囲においては、電子線照射部３側に反射電子検出器５が配置され、さらに反射電子検出器５から離れて二次電子検出器６が配置されている。

電子線照射部３とイオンビーム照射部４は制御部７に接続されて動作が制御される。また、反射電子検出器５と二次電子検出器６のそれぞれの出力端は制御部７に接続され、それぞれの出力端から流れる電荷量が制御部７により測定される。

電子線照射部３は、ＳＥＭ装置の電子照射部とほぼ同じ構造を有し、電子銃３１、陽極３２、集束レンズ３３、絞り３４、偏向コイル３５、対物レンズ３６等が電子照射方向に順に配置され、試料Ｗの一面を電子照射のターゲットとしている。電子銃３１は試料Ｗの厚さ方向に電子線を放出し、陽極３２は電子銃３１との間に電位差を生じさせて設定された加速電圧で電子線を加速し、集束レンズ３３は加速されて拡散する電子を集束する。絞り３４は、集光レンズ３３により集光された電子を所定の大きさにし、また、偏向コイル３５は電子を所定の位置に偏向し、対物レンズ３６は偏向された電子の焦点を合わせる。

イオンビーム照射部４は、ＦＩＢ装置のイオン照射部とほぼ同じ構造を有し、イオン銃４１、陰極４２、集束レンズ４３、絞り４４、対物レンズ４５、偏向電極４６等がイオン照射方向に順に配置されている。イオン銃４１は、試料Ｗの面に沿う方向でガリウムイオンビームを放出し、陰極４２は、イオン銃４１との間に電位差を生じさせてイオンを加速し、集束レンズ４３は、加速されて拡散するイオンを集束する。絞り４４は、集光レンズ４３により集光されたイオンを所定の大きさにし、また、偏向コイル４５はイオンを所定の位置に偏向し、対物レンズ４６は偏向されたイオンビームの焦点を合わせる。

反射電子検出器５は、電子線照射部３から試料Ｗに照射された電子のうち試料Ｗの一面で反射された電子を入射し、その電子量に応じた強度の信号を制御部７に出力する信号線ＳＬ１に接続されている。また、二次電子検出器６は、試料Ｗの電子照射により両面から放出される二次電子を入射し、その電子量に応じた強度の信号を制御部７に出力する信号線ＳＬ２に接続されている。

制御部７は、データ作成部７ａ、記憶部７ｂ、データ解析部７ｃ、コラム制御部７ｄ等を有している。制御部７は、例えばＣＰＵ、記憶装置等を有するコンピュータであってもよく、この場合にはデータ作成部７ａ、記憶部７ｂ、データ解析部７ｃ、コラム制御部７ｄは処理機能を示している。

データ作成部７ａは、反射電子検出器５と二次電子検出器６のそれぞれの出力端に信号線ＳＬ１、ＳＬ２を介して電気的に接続され、それらの出力端から流れる反射電子強度Ｉｂと二次電子強度Ｉｓを測定し、反射電子強度Ｉ_ｂに対する二次電子強度Ｉ_ｓの強度比Ｘ＝Ｉ_ｓ／Ｉ_ｂを求める。また、記憶部７ｂでは、強度比Ｘと試料Ｗの厚さの関係を示すデータベースを書き込み及び読み出し可能に記憶させるとともに、試料Ｗの厚さの目標値、即ち目標厚さｔ_０を記憶させる。

データ解析部７ｃは、データ作成部７ａで作成された強度比Ｘのデータを入力し、このデータを記憶部７ｂ内のデータベースと比較して強度比Ｘに対応する厚さを実測厚さｔとして読み取る。また、データ解析部７ｃは、実測厚さｔと目標厚さｔ_０を比較して、目標厚さｔ_０との差（ｔ−ｔ_０）を演算する。コラム制御部７ｄは、信号線ＳＬ３、ＳＬ４を介して電子線照射部３、イオンビーム照射部４に電気的に接続されている。コラム制御部７ｄは、算出された差（ｔ−ｔ_０）をイオンビームによる加工量、例えばエッチング量と定め、イオンビーム照射部４からイオンビームを試料Ｗに向けて照射して試料Ｗの面を加工量の厚さ分だけ削り取り、その後にその動作を停止させる。さらに、コラム制御部７ｄは、試料Ｗの厚さの測定の必要がある場合には、電子線照射部３から試料Ｗの一面に厚さ方向で電子線を照射させ、停止させる。

次に、上記の試料作成装置１０を使用して、記憶部７ｂに格納するデータベースを作成する方法を図２に示すフローチャートを参照して説明する。

データベース作成に使用する標準試料Ｗ_０は、検査対象とする試料Ｗと材質が同じであって厚さが既に測定済みとなっている試料である。標準試料Ｗ_０の厚さは、例えば、ＳＥＭによる形状観察により測定してもよい。より具体的には、標準試料Ｗ_０を、標準試料Ｗ_０の面に沿う方向が電子線照射部３の方向になるように（図１では９０°）傾けて、電子線照射部３と二次電子検出器６を用いて標準試料Ｗ_０の二次電子像（ＳＥＭ像）を取得し、二次電子像で厚さを測定する。その他の測定法として、入射電子線強度と透過電子線の強度の比により算出されてもよいし、或いは、データベースが充実した後には本実施形態に係る試料厚測定方法により測定してもよい。

そのような標準試料Ｗ_０を図１に示したチャンバ１内の試料台２の上に載置した状態にする（図２のＳ１）。チャンバ１内は排気ポンプ（不図示）により減圧されている。そのような状態において、制御部７のコラム制御部７ｄは、電子線照射部３に制御信号を送信し、図３（ａ）に示すように、電子線照射部３から標準試料Ｗ_０の一面に向けて厚さ方向に電子線を照射させる（図２のＳ２）。

標準試料Ｗ_０に入射した電子の一部は非弾性散乱を起こし、それにより標準試料Ｗ_０内の電子が励起されて標準試料Ｗ_０の表面から二次電子として放出され、二次電子検出器６に入射する。標準試料Ｗ_０が薄い場合には、電子線のうち裏面に達する量が増加するので、裏面からも二次電子が放出される。標準試料Ｗ_０が薄くなればその裏面に到達する電子線の量も増加するので、裏面から放出される二次電子の量も増加する。よって、二次電子検出器６で検出される全体の二次電子の強度は標準試料Ｗ_０が薄くなるほど増加する。

また、標準試料Ｗ_０に入射した電子の他の一部は、標準試料Ｗ_０内の原子核や電子により散乱されて反射電子として放出される。標準試料Ｗ_０が薄くなるほど電子が試料で散乱される確率が減少するため、反射電子検出器５で検出される反射電子の強度も減少する。このように、二次電子と反射電子のそれぞれの強度は試料の厚さに依存する。

制御部７のデータ解析部７ｃは、反射電子検出器５と二次電子検出器６のそれぞれの電子入射強度に応じてデータ作成部７ａに流れる電流に基づいて強度比Ｘを求め（図２のＳ３）、求めた値と標準試料Ｗ_０の厚さの関係を記憶部７ｂ内のデータベースの一部として記憶させる（図２のＳ４）。このような測定を厚さの異なる標準試料Ｗ_０について繰り返して行う（図２のＳ５のＮｏ、Ｓ２〜Ｓ４）。そして、データ作成部７ａが厚さの異なる複数の標準試料Ｗ_０についてのデータ測定を終えた後に、データ解析部７ｃは、図４に示すような厚さｔと強度比Ｘの関係を有するデータベースを作成する（図２のＳ５のＹｅｓ、Ｓ６）。

図４は、電子線照射部３内の加速電圧を２ｋＶ、５ｋＶ、１０ｋＶの３種類に設定した場合のデータベースを示している。図４によれば、標準試料Ｗ_０の厚さｔが薄くなるにつれて二次電子強度は増加し、反射電子強度は減少して強度比Ｘが大きくなる。加速電圧を２ｋＶに設定する場合に、試料Ｗの厚さが１００ｎｍ以上になると、膜厚ｔの変化に対する強度比Ｘの変化量が極めて小さくなるが、加速電圧５ｋＶ、１０ｋＶについては変化量が比較的大きい。

従って、厚さｔが１００ｎｍ以上の試料Ｗについては加速電圧として５ｋＶ〜１０ｋＶを選択し、厚さｔが１００ｎｍより薄い試料については加速電圧として２ｋＶ〜５ｋＶを選択することが好ましい。即ち、試料の厚さが１００ｎｍ以下では、加速電圧が小さくなるほど強度比Ｘと厚さｔの関係を示す特性線の傾きが大きくなり、強度比Ｘの測定に基づく厚さｔを高精度で求めることができる。

なお、標準試料Ｗ_０として、図３（ｂ）に示すように、三角柱状に加工された試料を使用してもよい。この標準試料Ｗ_０では、上面から見て鋭角の頂点から底辺にかけた方向で厚さｔが増している。その厚さｔは予め測定されている。このような標準試料Ｗ_０を使用する場合には、標準試料Ｗ_０の一面の幅方向に電子線を走査し、必要な箇所で強度比Ｘを求める。これにより、厚さの異なる複数箇所に電子線を照射することにより、標準試料Ｗ_０を交換せずにデータベースを作成することができる。

次に、測定用の試料Ｗの厚さの調整方法について、図５のフローチャートを参照して説明する。

まず、測定対象の試料Ｗを図１に示したチャンバ１内の試料台２の上に載置した状態にする（図５のＳ１１）。チャンバ１内は減圧状態となっている。そして、制御部７のコラム制御部７ｄは電子線照射部３に制御信号を送信し、図６（ａ）に示すように、電子線照射部３から試料Ｗの一面に向けて電子線を照射させる（図５のＳ１２）。電子線が照射された試料Ｗでは、電子線が当たった面から電子が反射され、反射電子検出器５に入射する。また、電子が照射されることにより試料Ｗの片面又は両面から二次電子が放出され、二次電子検出器６に入射する。

これにより、制御部７のデータ作成部７ａは、反射電子検出器５と二次電子検出器６からの出力信号に基づいて、反射電子強度と二次電子強度のデータを数値化する。データ解析部７ｃは、データ作成部７ａから反射電子強度と二次電子強度のデータに基づいて強度比Ｘを求める（図５のＳ１３）。次に、データ解析部７ｃは、記憶部７ｂに記憶されたデータベース、例えば図４に示すような関係を有するデータベースを参照し、電子照射部３の加速電圧に対応する特性データに強度比Ｘの値を当てはめ、その値に対応する試料Ｗの厚さｔを求め、その厚さを測定厚さとする（図５のＳ１４）。

続いて、データ解析部７ｃは、記憶部７ｂに記憶された目標厚ｔ_０と測定厚さｔの差ｔ_１（＝ｔ−ｔ_０）を算出する（図５のＳ１５）。そして、データ解析部７ｃは、その差ｔ_１がプラスであって目標厚さｔ_０の誤差範囲にあるかどうかを判断する（図５のＳ１６）。測定厚さｔが目標厚さｔ_０より厚く、誤差範囲外である場合には、その差ｔ_１をエッチング量と定める（図５のＳ１６のＮｏ、Ｓ１７）。

次に、制御部７のコラム制御部７ｄは、電子線照射部３の電子線照射を停止させた後に、図６（ｂ）に示すように、イオンビーム照射部４からイオンビームを試料Ｗの加工面に照射させる。この場合、イオンビームは、試料Ｗの縁を通して加工面に照射され、加工面を縁から面方向にエッチングする。さらに、コラム制御部７ｄは、イオンビーム照射部４を制御し、イオンビームを試料Ｗの縁に沿って走査させることにより加工面の全面に照射可能にする。そのようなイオン照射により加工面がエッチングされ、薄く且つ平坦になって目標厚さｔ_０と測定厚さｔの差を小さくするかゼロにする（図５のＳ１８）。その後に、コラム制御部７ｄは、イオンビーム照射部４のイオンビーム照射を停止させる。

続いて、コラム制御部７ｄは、電子線照射部３を駆動して試料Ｗの厚さを再び測定し（図５のＳ１２〜Ｓ１５）、その測定値が目標厚さｔ_０又はその誤差範囲内に達していない場合には、再び目標厚さｔ_０と測定厚さｔの差ｔ_１を算出し、その差ｔ_１をエッチング量として再び設定する（図５のＳ１６のＮｏ、Ｓ１７）。さらに、再びイオンビーム照射部４からイオンビームを試料Ｗの加工面に照射して加工面をエッチングする（図５のＳ１８）。このように目標厚さｔ_０と測定厚さｔの厚さが同じになるか誤差範囲内になった場合には、試料作成処理を終了する（図５のＳ１６のＹｅｓ）。なお、初めから目標厚さｔ_０と測定厚さｔが同じになっている場合には、加工せずに処理は終了する。

以上のような試料Ｗの作成方法によれば、反射電子線強度と二次電子線強度の強度比と試料厚さの関係を利用したので、チャンバ１を大気に開放することなく試料Ｗの厚さを測定することができ、厚さ測定のスループットが向上する。また、図４に示したように、電子線照射部３の加速エネルギーを変えることにより、データベースに使用される膜厚ｔの変化に対する強度比Ｘの変化量を調整することができるので、試料Ｗの膜厚を高い精度で測定することができる。しかも、チャンバ１内を大気に曝すことなく、試料Ｗの厚さ測定と試料Ｗの加工を交互に行うことができるので、試料作成の簡略化を実現できる。

なお、上記の強度比は、反射電子の強度に対する二次電子の強度の比で求めたが、二次電子の強度に対する反射電子の強度の比で求めてもよい。

ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈され、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。

次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、標準試料についての反射電子と二次電子の強度比と試料厚さの関係のデータを用い、算出された前記強度比に基づいて前記試料の厚さを算出する工程と、算出された前記厚さと目標となる厚さとを比較して前記試料の加工量を算出する工程と、前記試料にイオンビームを照射することにより前記試料の厚さを前記加工量だけ減らして前記目標厚に近づける工程と、を有することを特徴とする試料作成方法。
（付記２）前記データの作成は、厚さが測定済みの前記標準試料に電子線を照射して前記標準試料の反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子の強度と前記二次電子の強度の強度比を前記標準試料の前記厚さ毎に算出する工程と、前記厚さ毎に前記強度比を対応付けるデータを作成する工程と、を有することを特徴とする付記１に記載の試料作成方法。
（付記３）前記データは、前記電子線を照射するための加速電圧の相違毎に作成されることを特徴とする付記１又は付記２に記載の試料作成方法。
（付記４）前記加速電圧は２ｋＶ〜５ｋＶの範囲で設定されることを特徴とする付記３に記載の試料作成方法。
（付記５）前記標準試料として、厚さの異なる複数の箇所を有する１つの試料か、厚さの異なる複数の試料かのいずれかが使用されることを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１つに記載の試料作成方法。
（付記６）前記イオンビームは、前記測定用試料の縁の一部を通して加工面に照射されることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１つに記載の試料作成方法。
（付記７）試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、標準試料についての反射電子と二次電子の強度比と試料厚さの関係のデータを用い、算出された前記強度比に基づいて前記試料の厚さを算出する工程と、を有する試料厚測定方法。
（付記８）試料を載せる試料台と、前記試料に電子線を照射する電子線照射部と、前記試料のうち前記電子線照射部側に配置され、前記試料から反射される反射電子線を測定する第１の測定器と、前記試料（周囲に配置され、前記電子線の照射により前記試料から発生する二次電子を測定する第２の測定器と、前記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、前記第１の測定器の測定結果から得られた反射電子強度と前記第２の測定器の測定結果から得られた二次電子強度との強度比と試料厚さとの関係のデータに基づいて算出された前記試料の厚さに基づいて加工量を算出し、前記イオンビーム照射部を制御して前記加工量だけ前記試料の前記厚さを減らす制御部と、を有する試料作成装置。
（付記９）前記イオンビーム照射部は、前記試料の縁部に向けて前記イオンビームを照射できる位置に配置されることを特徴とする付記８に記載の試料作成装置。

１チャンバ
２試料台
３電子線照射部
４イオンビーム照射部
５二次電子検出器
６反射電子検出器
７制御部
Ｗ試料
Ｗ_０標準試料

Claims

試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子に対する前記二次電子の強度比を算出する工程と、
標準試料についての反射電子に対する二次電子の強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが１００ｎｍ以上の前記試料を測定する場合には１００ｎｍより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出する工程と、
算出された前記厚さと目標となる厚さとを比較して前記試料の加工量を算出する工程と、
前記試料にイオンビームを照射することにより前記試料の厚さを前記加工量だけ減らして前記目標厚に近づける工程と、
を有することを特徴とする試料作成方法。
前記データの作成は、
厚さが測定済みの前記標準試料に電子線を照射して前記標準試料の反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子の強度と前記二次電子の強度の強度比を前記標準試料の前記厚さ毎に算出する工程と、
前記厚さ毎に前記強度比を対応付ける特性データを複数の前記加速電圧毎に作成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の試料作成方法。
前記試料の前記厚さが１００ｎｍ以上の場合の測定時には前記加速電圧を５以上で１０ｋＶ以下とし、１００ｎｍより薄い場合の測定時には前記加速電圧を２ｋＶ以上で５ｋＶ未満とする
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の試料作成方法。
試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、
標準試料についての反射電子に対する二次電子の強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが１００ｎｍ以上の前記試料を測定する場合には１００ｎｍより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出する工程と、
を有する試料厚測定方法。
試料を載せる試料台と、
前記試料に電子線を照射する電子線照射部と、
前記試料のうち前記電子線照射部側に配置され、前記試料から反射される反射電子線を測定する第１の測定器と、
前記試料の周囲に配置され、前記電子線の照射により前記試料から発生する二次電子を測定する第２の測定器と、
前記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、
前記第１の測定器の測定結果から得られた反射電子強度に対する前記第２の測定器の測定結果から得られた二次電子強度の強度比を算出して標準試料についての前記強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが１００ｎｍ以上の前記試料を測定する場合には１００ｎｍより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出し、算出された前記厚さと目標厚さを比較して前記試料の加工量を算出し、前記イオンビーム照射部を制御して前記加工量だけ前記試料の前記厚さを減らす制御部と、
を有する試料作成装置。