JP4987486B2 - 薄膜試料測定方法および装置ならびに薄膜試料作製方法および装置 - Google Patents
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Description
2a 電子
2b 電子ビーム
3 電子光学系
4 二次電子
5 試料
6 試料台
7 試料台制御手段
8 二次電子検出器
9 制御手段
10 表示体
11 第1の計算手段
12 第2の計算手段
13 薄膜部分
14a 膜厚測定領域
14b 膜厚測定領域
14c 膜厚測定領域
15a 参照領域
15b 参照領域
15c 参照領域
16 ウエハ
17 イオン発生源
18a イオン
18b イオンビーム
19 イオン光学系
20 薄膜化領域
21 加工溝
22 加工溝
23 加工溝
24 第3の計算手段
25 配線材料
26 絶縁材料
27 観察領域
28 入射電子の拡散領域
29 TEM試料
30 TEM試料ホルダ
31 反射電子
P = I / I′
と表すことができる。薄膜部分13が薄いほど、照射した電子ビーム2bが膜厚測定領域14aを透過する確率が増加する。ここでは図示していないが透過した電子ビーム2bは薄膜部分13の裏側にある試料の一部に衝突して二次電子が発生する。従って薄膜部分13の膜厚が薄くなると膜厚測定領域14aで発生する二次電子が増加する。一方、試料5の厚い部分にある参照領域15aでは照射した電子ビーム2bが透過する確率は変化しないので発生する二次電子量は変化しない。従って計算値Pは膜厚測定領域14aの膜厚が薄くなるほど増加する。膜厚測定領域14aの輝度と参照領域15aの輝度から構成される計算値についても同様のことが起こり、輝度比と膜厚測定領域14aの膜厚には相関関係がある。図12は発明者らが実験で取得した輝度比と膜厚の関係のデータである。ここで、二次電子量の比について説明したが、二次電子量の代わりに輝度を用いても良い。
Claims (12)
- 膜厚が既知の標準薄膜試料の膜厚測定領域と前記膜厚測定領域より膜厚が厚く荷電粒子ビームが透過しない参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記膜厚測定領域と前記参照領域から発生した荷電粒子を検出する工程と、
前記膜厚測定領域と前記参照領域とで検出した荷電粒子量の比を算出する工程と、
前記標準薄膜試料の膜厚と前記荷電粒子量の比との関係を示す検量データを作成する工程と、
薄膜試料の膜厚測定領域と、前記薄膜試料の膜厚測定領域より膜厚が厚く前記荷電粒子ビームが透過しない前記薄膜試料の参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記薄膜試料の膜厚測定領域と前記薄膜試料の参照領域から発生した荷電粒子を検出する工程と、
前記薄膜試料の膜厚測定領域で検出した荷電粒子量と前記薄膜試料の参照領域とで検出した荷電粒子量の比を算出する工程と、
前記検量データと前記薄膜試料の前記荷電粒子量の比から前記薄膜試料の膜厚測定領域の膜厚を算出する工程と、からなる薄膜試料測定方法。 - 膜厚が既知の標準薄膜試料の膜厚測定領域と、前記膜厚測定領域より膜厚が厚く荷電粒子ビームが透過しない参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記膜厚測定領域と前記参照領域から発生した荷電粒子を検出する工程と、
前記膜厚測定領域と前記参照領域の前記荷電粒子の検出信号に基づき表示体に表示した輝度の比を算出する工程と、
前記標準薄膜試料の膜厚と前記輝度の比との関係を示す検量データを作成する工程と、
薄膜試料の膜厚測定領域と、前記薄膜試料の膜厚測定領域より膜厚が厚く前記荷電粒子ビームが透過しない前記薄膜試料の参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記薄膜試料の膜厚測定領域と前記薄膜試料の参照領域から発生した荷電粒子を検出する工程と、
前記薄膜試料の膜厚測定領域と前記薄膜試料の参照領域の前記荷電粒子の検出信号に基づき表示体に表示した輝度の比を算出する工程と、
前記検量データと前記薄膜試料の前記輝度の比から前記薄膜試料の膜厚測定領域の膜厚を算出する工程と、からなる薄膜試料測定方法。 - 前記荷電粒子は二次電子である請求項1または2に記載の薄膜試料測定方法。
- 前記荷電粒子は反射電子である請求項1または2に記載の薄膜試料測定方法。
- 薄膜試料を集束イオンビームによるエッチング加工で形成する工程と、
前記エッチング加工で形成された薄膜試料を請求項1から4のいずれか一つに記載の薄膜試料測定方法で測定する工程と、を有する薄膜試料作製方法。 - 請求項5に記載の薄膜試料作製方法により前記薄膜試料を所望の膜厚になるようにエッチング加工する薄膜試料作製方法において、
前記集束イオンビームを前記標準薄膜試料の表面に走査照射してエッチング加工を行い、前記集束イオンビームの照射量と前記標準薄膜試料がエッチングされる膜厚との関係を示すエッチング加工の検量データを作成する工程と、
前記薄膜試料を前記集束イオンビームによるエッチング加工で形成する工程と、
前記エッチング加工で形成された薄膜試料を請求項1から4のいずれか一つに記載の薄膜試料測定方法で測定する工程と、
前記薄膜試料の膜厚が前記所望の膜厚に達するまでに必要な前記集束イオンビームの照射量を前記エッチング加工の検量データから算出する工程と、
前記照射量の前記集束イオンビームで前記薄膜試料をエッチング加工する工程と、を有する薄膜試料作製方法。 - 荷電粒子ビームを走査させながら照射するための荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子ビームの照射により発生する荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、
前記荷電粒子検出器で検出した前記荷電粒子を輝度信号に変換し荷電粒子像を表示する表示体と、
前記荷電粒子検出器で薄膜試料の膜厚測定領域と、前記膜厚測定領域よりも膜厚が厚く前記荷電粒子ビームが透過しない参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記膜厚測定領域と前記参照領域から発生した荷電粒子を検出し、前記膜厚測定領域と前記参照領域とで検出した荷電粒子量の比を算出する第一の計算手段と、
膜厚が既知の標準薄膜試料について前記第一の計算手段により計算された前記標準薄膜試料の膜厚測定領域と参照領域で検出した荷電粒子量の比と前記膜厚との関係を示す検量データと、前記薄膜試料の前記荷電粒子量の比から前記薄膜試料の膜厚測定領域の膜厚を算出する第二の計算手段と、を有する薄膜試料測定装置。 - 荷電粒子ビームを走査させながら照射するための荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子ビームの照射により発生する荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、
前記荷電粒子検出器で検出した前記荷電粒子を輝度信号に変換し荷電粒子像を表示する表示体と、
前記荷電粒子検出器で薄膜試料の膜厚測定領域と、前記膜厚測定領域よりも膜厚が厚く前記荷電粒子ビームが透過しない参照領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記膜厚測定領域と前記参照領域から発生した荷電粒子を検出し、前記膜厚測定領域と前記参照領域の前記荷電粒子の検出信号に基づき前記表示体に表示した輝度の比を算出する第一の計算手段と、
膜厚が既知の標準薄膜試料について前記第一の計算手段により計算された前記標準薄膜試料の膜厚測定領域と参照領域で検出した荷電粒子の検出信号に基づき前記表示体に表示した輝度の比と前記膜厚との関係を示す検量データと、前記薄膜試料の前記輝度の比から前記薄膜試料の膜厚測定領域の膜厚を算出する第二の計算手段と、を有する薄膜試料測定装置。 - 前記荷電粒子は二次電子である請求項7項または8項に記載の薄膜試料測定装置。
- 前記荷電粒子は反射電子である請求項7項または8項に記載の薄膜試料測定装置。
- 請求項7から10のいずれか一つに記載の薄膜試料測定装置と、
前記薄膜試料にイオンビームを走査照射するためのイオン光学系と、を有する薄膜試料作製装置。 - 前記膜厚測定領域の膜厚が所望の膜厚に達するまでに必要な前記イオンビームの照射量を算出する第三の計算手段を有する請求項11に記載の薄膜試料作製装置。
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TW202201385A (zh) * | 2020-03-17 | 2022-01-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 膜厚度測量系統及膜厚度測量方法 |
CN113008171A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种样品厚度的确定方法 |
CN113008170B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-08-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种厚度测量方法和系统 |
US11598633B2 (en) * | 2021-07-19 | 2023-03-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Analyzing a buried layer of a sample |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS639807A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Nec Corp | 膜厚測定方法およびその装置 |
JPH07333120A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 試料作成方法及びその装置 |
JPH085528A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Sharp Corp | 透過電子顕微鏡用断面試料作成用集束イオンビーム装置及び透過電子顕微鏡用断面試料作成方法 |
JPH08240815A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 表示装置の製造方法 |
JPH08240518A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 透過形電子顕微鏡用試料作成装置及び作成方法 |
JP2003504609A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 非弾性電子散乱による膜厚測定 |
JP2003214831A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Nec Electronics Corp | 膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
JP2003214832A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Nec Electronics Corp | 膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
WO2005003736A1 (ja) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Sii Nanotechnology Inc. | 薄片試料作製方法および複合荷電粒子ビーム装置 |
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USH589H (en) * | 1987-04-23 | 1989-02-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Measurement of film thickness of integrated circuits |
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JPS639807A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Nec Corp | 膜厚測定方法およびその装置 |
JPH07333120A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 試料作成方法及びその装置 |
JPH085528A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Sharp Corp | 透過電子顕微鏡用断面試料作成用集束イオンビーム装置及び透過電子顕微鏡用断面試料作成方法 |
JPH08240518A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 透過形電子顕微鏡用試料作成装置及び作成方法 |
JPH08240815A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2003504609A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 非弾性電子散乱による膜厚測定 |
JP2003214831A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Nec Electronics Corp | 膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
JP2003214832A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Nec Electronics Corp | 膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
WO2005003736A1 (ja) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Sii Nanotechnology Inc. | 薄片試料作製方法および複合荷電粒子ビーム装置 |
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