JP6033649B2 - Ｄｃ−ｄｃコンバータ - Google Patents

Description

本発明は、直流電圧を高周波電圧に変換するフルブリッジインバータと、その出力を整流する整流回路とを備えた一次側位相シフト方式のＤＣ−ＤＣコンバータに関するものである。

フルブリッジインバータと整流回路とを組み合わせた従来の一次側位相シフト方式のＤＣ−ＤＣコンバータは、基本的には図１１に示されているように構成されている。同図において、ＩＮＶは直流電源１の出力電圧Ｅを高周波交流電圧Ｖｃｄに変換するフルブリッジインバータ、ＴｒはインバータＩＮＶの出力が入力されたトランス、ＲｅｃはトランスＴｒの二次側に得られる高周波交流出力を整流して直流出力に変換する整流回路、Ｆは整流回路Ｒｅｃの出力電圧からリップルを除去する平滑用のフィルタ回路、Ｒoは負荷である。

インバータＩＮＶは、基準相のレグ２と、制御相のレグ３とを並列接続した回路からなっている。インバータＩＮＶの基準相のレグ２は、スイッチ素子Ｑ１と該スイッチ素子に並列に接続されたスナバキャパシタＣ１とスイッチ素子Ｑ１に逆並列接続された帰還ダイオードＤ１とからなる上側アームと、スイッチ素子Ｑ２と該スイッチ素子に並列に接続されたスナバキャパシタＣ２とスイッチ素子Ｑ２に逆並列接続された帰還ダイオードＤ２とからなる下側アームとを直列に接続した回路からなっている。また制御相のレグ３は、スイッチ素子Ｑ３とスイッチ素子Ｑ３に並列に接続されたスナバキャパシタＣ３とスイッチ素子Ｑ３に逆並列接続された帰還ダイオードＤ３とからなる上側アームと、スイッチ素子Ｑ４とスイッチ素子Ｑ４に並列に接続されたスナバキャパシタＣ４とスイッチ素子Ｑ４に逆並列接続された帰還ダイオードＤ４とからなる下側アームとを直列に接続した回路からなっている。スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４としては、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴのような、オンオフ制御が可能で、損失が少ない半導体スイッチ素子が用いられる。以下の説明では、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４としてＭＯＳＦＥＴを用いるものとする。

このインバータにおいては、基準相のレグ２と制御相のレグ３との並列回路の上アーム側の端部及び下アーム側の端部がそれぞれ第１の入力端子ａ及び第２の入力端子ｂとなっており、これらの入力端子間に直流電源１の出力電圧Ｅが印加される。また基準相のレグ２の上側アームと下側アームとの接続点及び制御相のレグ３の上側アームと下側アームとの接続点がそれぞれ第１及び第２の出力端子ｃ及びｄとなっており、これらの出力端子間に得られる電圧ＶｃｄがインダクタＬｓを通してトランスＴｒの一次コイルに印加される。

トランスＴｒは、巻数がｎ１の一次コイルＷ１と、巻数が２×ｎ２の二次コイルＷ２とを有し、二次コイルＷ２の中央部からセンタタップｔｃが引出されている。整流回路Ｒｅｃは、トランスの二次コイルＷ２の一端にアノードが接続されたダイオードＤｒ１と、二次コイルＷ２の他端にアノードが接続され、カソードがダイオードＤｒ１のカソードに共通接続されたダイオードＤｒ２とからなり、ダイオードＤｒ１及びＤｒ２のカソードの共通接続点及びトランスの二次コイルのセンタタップｔｃがそれぞれ整流回路Ｒｅｃのプラス側出力端子ｅ及びマイナス側出力端子ｆとなっている。

フィルタ回路Ｆは、一端が整流回路Ｒｅｃのプラス側出力端子ｅに接続されたインダクタ（チョークコイル）Ｌｏと、インダクタＬｏの他端と整流回路Ｒｅｃのマイナス側出力端子ｆとの間に接続されたキャパシタＣoとからなっている。インダクタＬｏの他端及び整流回路Ｒｅｃのマイナス側出力端子ｆからそれぞれプラス側コンバータ出力端子ｇ及びマイナス側コンバータ出力端子ｈが引出され、これらのコンバータ出力端子の間に負荷Ｒｏが接続されている。この種のＤＣ−ＤＣコンバータは、例えば特許文献１に示されている。

図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの各部の電圧波形及び電流波形を、横軸に時間ｔをとって、図１２（Ａ）ないし（Ｋ）に示した。図１２において、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ基準相のレグ２のスイッチ素子Ｑ１及びＱ２のゲート(制御端子）にそれぞれ供給される駆動信号Ｓ１及びＳ２を示し、（Ｃ）及び（Ｄ）はそれぞれ制御相のレグ３のスイッチ素子Ｑ３及びＱ４のゲートにそれぞれ供給される駆動信号Ｓ３及びＳ４を示している。また図１２（Ｅ）はインバータの出力電圧Ｖｃｄと出力電流Ｉ１とを示し、（Ｆ）は基準相のレグ２の上側アームの両端の電圧（スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧）ＶＱ１と、基準相のレグ２の上側アームを流れる電流ＩＱ１とを示している。更に図１２（Ｇ）は、基準相のレグ２の下側アームの両端の電圧（スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧）ＶＱ２と、基準相のレグ２の下側アームを流れる電流ＩＱ２とを示し、図１２（Ｈ）は制御相のレグ３の上側アームの両端の電圧（スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧）ＶＱ３と、制御相のレグ３の上側アームを流れる電流ＩＱ３とを示している。また図１２（Ｉ）は、制御相のレグ３の下側アームの両端の電圧（スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧）ＶＱ４と、制御相のレグ３の下側アームを流れる電流ＩＱ４とを示し、図１２（Ｊ）は整流回路Ｒｅｃの出力電圧Ｖｒを示している。図１２（Ｋ）は、整流回路ＲｅｃのダイオードＤｒ１及びＤｒ２をそれぞれ流れる電流ＩＤｒ１及びＩＤｒ２を示している。

インバータＩＮＶを構成するスイッチ素子Ｑ１ないしＱ４は、それぞれのゲートに駆動信号Ｓ１ないしＳ４が与えられたときにオン状態になって、それぞれの駆動信号が与えられている間オン状態を保持し、駆動信号Ｓ１ないしＳ４が消滅したときにオフ状態になる。スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４としてＭＯＳＦＥＴを用いる場合、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４は、駆動信号が与えられたときに双方向に導通し得る状態になる。

基準相のレグの上側アームのスイッチ素子Ｑ１とＱ２とが同時にオン状態になる期間が生じて直流電源１がスイッチ素子Ｑ１及びＱ２を通して短絡されるのを防ぐため、スイッチ素子Ｑ１に与えていた駆動信号Ｓ１を消滅させるタイミングと、スイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２を与えるタイミングとの間に所定のデッドタイム（駆動信号を与えない期間）ｔｄ１２が設けられている。同様に、制御相の上側アームのスイッチ素子Ｑ３とＱ４とが同時にオン状態になる期間が生じて直流電源１がスイッチ素子Ｑ３及びＱ４を通して短絡されるのを防ぐため、スイッチ素子Ｑ４に与えていた駆動信号Ｓ４を消滅させるタイミングと、スイッチ素子Ｑ３に駆動信号Ｓ３を与えるタイミングとの間に所定のデッドタイムｔｄ３４が設けられている。

図１３ないし図１９は、図１１のＤＣ−ＤＣコンバータの半周期の動作を説明する図である。これらの動作説明図において、極太線で示された回路は通電中の回路を示しており、極太線で示されたスイッチ素子はＯＮ状態にある。以下の説明では、スナバキャパシタを示す符号Ｃ１〜Ｃ４がこれらのキャパシタの静電容量をも示し、インダクタを示す符号Ｌｓがこのインダクタのインダクタンスをも示すものとする。

動作１（図１２の時刻ｔ０の直前の期間の動作）
図１２の時刻ｔ０の直前の期間においては、スイッチ素子Ｑ１及びＱ４にそれぞれ駆動信号Ｓ１及びＳ４が与えられていて、スイッチ素子Ｑ１とＱ４とがオン状態にある。このときトランスＴｒの一次側では、図１３に示すように、直流電源１→スイッチ素子Ｑ１→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→直流電源１の経路で一次電流Ｉ１が流れる。またトランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき、インダクタＬｓ及Ｌｏに電流が流れるため、これらのインダクタに電磁エネルギが蓄積される。

動作２（時刻ｔ０〜ｔ１の期間の動作）
図１２の時刻ｔ０で、基準相のレグの上アームのスイッチ素子Ｑ１をオフ状態にするために駆動信号Ｓ１がゼロにされる。駆動信号Ｓ１がゼロにされると、スイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程が開始され、図１４に示すように、スイッチ素子Ｑ１に並列接続されているスナバキャパシタＣ１が、直流電源１の出力電圧Ｅと、インダクタＬｓ及びトランスの励磁インダクタンスに蓄積された電磁エネルギとにより、直流電源１→キャパシタＣ１→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→直流電源１の経路で充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギがスナバキャパシタＣ１に吸収される。トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき流れるキャパシタＣ１の充電電流（トランスの一次電流）Ｉ１は、トランスＴｒの二次コイルに流れる負荷電流によりトランスＴｒの一次側に誘起する電流にトランスＴｒの励磁電流が重畳された電流である。このときインダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギは大きく、インダクタＬｏは電流源と見なすことができるため、充電電流（一次電流）Ｉ１は、図１２（Ｅ）に示すようにほぼ一定値を示す。

ターンオフさせる基準相のレグ２の上アームのスイッチ素子Ｑ１に並列接続されたスナバキャパシタＣ１は、スイッチ素子Ｑ１のターンオフの進行に伴って徐々に充電されていくため、その両端の電圧は、ほぼ直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧ＶＱ１が図１２（Ｆ）に示すように直線的に上昇していく。

キャパシタＣ１〜Ｃ４の静電容量を、Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ４＝Ｃとし、時刻ｔ０においてトランスの励磁インダクタンス及びダイオードＤｒ１を流れる電流をそれぞれＩｍ（ｔ０）及びＩＤｒ１（ｔ０）とすると、スナバキャパシタＣ１が充電される際のスイッチ素子の両端の電圧ＶＱ１（ｔ）は、下記の式（１）により与えられる。

但し、Ａは下記の式（２）により与えられる。

式（１）で示されるように、スイッチ素子Ｑ１がターンオフするｔ０〜ｔ１の期間において、スナバキャパシタＣ１の両端の電圧ＶＱ１は、一定の傾き（Ａ／２Ｃ）で直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧ＶＱ１も図１２（Ｆ）に破線で示されたように同じ傾きで直線的に上昇していくため、スイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程でその両端の電圧の上昇が緩和され、スイッチ素子Ｑ１がソフトスイッチングでターンオフする。

上記のように、オフ状態にされる基準相２のレグの上アームのスイッチ素子Ｑ１に並列に接続されたスナバキャパシタＣ１が充電されることにより、スイッチ素子Ｑ１に並列に接続されているダイオードＤ１が逆バイアスされて、該ダイオードＤ１を通して電流が流れないようにされる。

またスナバキャパシタＣ１が充電される際に、基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子（次にターンオンさせるスイッチ素子）Ｑ２に並列に接続されたスナバキャパシタＣ２に蓄積されている電荷が、スナバキャパシタＣ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→制御相のレグの下アームのスイッチ素Ｑ４→キャパシタＣ２の経路で放電する。これにより、次にターンオンさせる基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２に並列接続されたスナバキャパシタＣ２の両端の電圧が直線的に低下していき、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧ＶＱ２も直線的に下降していく。

任意の時刻ｔにおけるスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧ＶＱ２（ｔ）は、電源電圧Ｅと、時刻ｔにおけるスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧ＶＱ１（ｔ）とから、下記の式（３）により与えられる。

即ちｔ０〜ｔ１の期間においては、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧ＶＱ２（ｔ）が、図１２（Ｇ）に示すように、一定の傾き−（Ａ／２Ｃ）で下降していく。

動作３（ｔ１〜ｔ２の期間の動作）
時刻ｔ１でスナバキャパシタＣ１の充電とスナバキャパシタＣ２の放電とが完了し、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がゼロになると、スイッチ素子Ｑ２に逆並列接続された帰還ダイオードＤ２の逆バイアスが解除されるため、インダクタＬｓとトランスＴｒの励磁インダクタンスとに蓄積された電磁エネルギにより、図１５に示されているように、一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→ダイオードＤ２→インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１の経路で、ダイオードＤ２に順方向電流が流れるようになる。図１２（Ｇ）において、時刻ｔ１〜ｔ２の期間の間基準相のレグ２の下側アームを流れる電流ＩＱ２の負側の部分のうち、スイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２（図１２Ｂ）が与えられるまでの間に流れる部分は、ダイオードＤ２を通して流れる順方向電流である。

ｔ１〜ｔ２の期間においても、トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。ダイオードＤ２に流れる順方向電流は、トランスＴｒの二次コイルを通して流れている負荷電流によりトランスの一次コイルに誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流が重畳された電流（トランスの一次電流Ｉ１）である。このようにダイオードＤ２に順方向電流が流れることにより、次にターンオンさせる基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼゼロにされる。ダイオードＤ２に順方向電流が流れて、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼゼロになっている間にスイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２（図１２Ｂ）が与えられる。ダイオードＤ２に順方向電流が流れて両端の電圧がほぼゼロになっているスイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２が与えられると、該スイッチ素子Ｑ２がゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ：Zero Voltage Switching）及びゼロ電流スイッチング（ＺＣＳ：Zero Current Switching）でターンオンし、スイッチ素子Ｑ２のソフトスイッチングが達成される。

動作４（ｔ２〜ｔ３の期間の動作）
時刻ｔ２でスイッチ素子Ｑ４に与えていた駆動信号Ｓ４（図１２Ｄ）を消滅させてスイッチ素子Ｑ４のターンオフ過程を開始させると、時刻ｔ２における一次電流Ｉ１（ｔ２）により、図１６に示すように、一次コイルＷ１→スナバキャパシタＣ４→ダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１の経路でスナバキャパシタＣ４が充電され、図１２（Ｉ）に示されているように、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧ＶＱ４が０からＥに向けて直線的に上昇していく。その結果、スイッチ素子Ｑ４はソフトスイッチングでターンオフする。またトランスＴｒの二次側では、図１２（Ｋ）に示すように、二次コイルの第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→負荷Ｒｏ及びキャパシタＣｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の閉回路を流れる負荷電流ＩＤｒ１が時刻ｔ２から減少していく。

またスイッチ素子Ｑ４がターンオフする過程で、制御相の上アームのスイッチ素子Ｑ３に並列接続されたスナバキャパシタＣ３が、スナバキャパシタＣ３→直流電源１→逆バイアスが解除されている基準相のレグのダイオードＤ２及びオン状態にあるスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スナバキャパシタＣ３の経路で放電するため、図１２（Ｈ）に示すように、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧ＶＱ３がほぼ直線的に低下していく。

動作５（時刻ｔ３〜ｔ４の期間の動作）
時刻ｔ３でスナバキャパシタＣ３の放電が完了すると、ダイオードＤ３の逆バイアスが解除されるため、インダクタＬｓとトランスＴｒの励磁インダクタンスとに蓄積されている電磁エネルギにより、図１７に示すように、インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→ダイオードＤ３→直流電源１→ダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓの経路でダイオードＤ３に順方向電流が流れる。ダイオードＤ３を通して流れる順方向電流は、トランスＴｒの二次コイルを流れている負荷電流によりトランスの一次コイルに流れる電流にトランスの励磁電流が重畳された電流（一次電流Ｉ１）である。ダイオードＤ３に順方向電流が流れることにより、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧ＶＱ３がほぼゼロにされる。

トランスＴｒの二次側では、時刻ｔ３でダイオードＤ３に順方向電流が流れ始めた時点から、二次コイルの第２のコイル部分Ｗ２２→ダイオードＤｒ２→インダクタＬｏ→負荷Ｒｏ及びキャパシタＣｏ→第２のコイル部分Ｗ２２の経路で電流ＩＤｒ２が流れるようになる。図１２（Ｋ）に示すように、時刻ｔ３から、ダイオードＤｒ１とＤｒ２との双方が導通する期間が生じ、ダイオードＤｒ１とＤｒ２との双方が導通する期間の間、トランスの二次側がダイオードＤｒ１とＤｒ２とにより短絡された状態になる。

トランスの二次側が短絡された状態にある間は、インダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギをスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の充放電に利用することができなくなるため、スナバキャパシタＣ４，Ｃ３の充放電は、トランスの一次側に接続されたインダクタＬｓとトランスの励磁インダクタンスとに蓄積された電磁エネルギにより行われる。通常トランスの励磁電流によりトランスに蓄積される電磁エネルギは非常に小さいため、スナバキャパシタＣ４，Ｃ３の充放電は、これらのスナバキャパシタとインダクタＬｓとの共振モードで行われる。デッドタイムｔｄ３４の間にスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の充放電が完全に行われるか否かは、共振モードの開始時点でインダクタＬｓに流れていた電流Ｉ１（ｔ２）により決まる。時刻ｔ３において、インダクタＬｓに蓄積されていた電磁エネルギがスナバキャパシタＣ３に蓄積されていたエネルギよりも大きい場合に、スナバキャパシタＣ４，Ｃ３の完全な充放電が可能になる。スナバキャパシタＣ３の放電が完全に行われると、スイッチ素子Ｑ３のＺＶＳ及びＺＶＣでのターンオンが可能になる。スナバキャパシタＣ４，Ｃ３の充放電を完全に行わせるための条件は、下記の式（４）により与えられる。

ここで，ＬｓはインダクタＬｓのインダクタンスであり、Ｉ１（ｔ２）は時刻ｔ２における一次電流Ｉ１の値である。また２ＣはスナバキャパシタＣ３の静電容量とスナバキャパシタＣ４の静電容量との和（２Ｃ＝Ｃ３＋Ｃ４）である。

動作６（時刻ｔ４〜ｔ５の期間の動作）
ダイオードＤ３を通して順方向電流が流れて、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧がほぼゼロになっている期間の時刻ｔ４でスイッチ素子Ｑ３に駆動信号Ｓ３が与えられる。スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧がほぼゼロになっている状態でスイッチ素子Ｑ３に駆動信号が与えられるため、該スイッチ素子Ｑ３がＺＶＳ及びＺＶＣでターンオンし、スイッチ素子Ｑ３のソフトスイッチングが達成される。スイッチ素子Ｑ３のソフトスイッチングを実現するためには、スイッチ素子Ｑ４の駆動信号Ｓ４を消滅させてからスイッチ素子Ｑ３の駆動信号Ｓ３を発生させるまでのデッドタイムｔｄ３４が下記の式（５）を満足する必要がある。

時刻ｔ４でスイッチ素子Ｑ３及びＱ２がオン状態になると、図１８に示すように、直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→スイッチ素子Ｑ２→直流電源１の経路で一次電流Ｉ１が流れる。このときダイオードＤｒ１にトランスＴｒの二次側電圧２Ｅ・（ｎ２／ｎ１）が逆方向に印加され、ダイオードＤｒ１を流れる電流ＩＤｒ１が減少する。またトランスＴｒの二次側電圧２Ｅ・（ｎ２／ｎ１）がダイオードＤｒ２に順方向に印加されるため、ダイオードＤｒ２を流れる電流ＩＤｒ２が増加する。ダイオードＤｒ１を流れる電流ＩＤｒ１がゼロになると、ダイオードＤｒ１はターンオフする。

動作７（時刻ｔ５〜ｔ６の期間の動作）
図１９に示すように、スイッチ素子Ｑ２とＱ３がオン状態を保って、直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→スイッチ素子Ｑ２→直流電源１の経路で一次電流が流れ、トランスＴｒの二次コイルの第２のコイル部分Ｗ２２→ダイオードＤｒ２→インダクタＬｏ→負荷Ｒｏ及びキャパシタＣｏ→第２のコイル部分Ｗ２２の経路で負荷電流が流れて、負荷Ｒｏに電力が供給される。この間にトランスの一次側のインダクタＬｓ、トランスＴｒの励磁インダクタンス及びフィルタ回路ＦのインダクタＬｏに電磁エネルギが蓄積される。

図１１に示されたＤＣ−ＤＣコンバータは、半周期毎に上記と同様の動作を繰り返し、フルブリッジインバータＩＮＶにより、直流電源１の出力電圧Ｅを交流電圧Ｖｃｄに変換して、この交流電圧をトランスＴｒにより、変成された交流電圧に変換する。またこの交流電圧を整流回路Ｒｅｃにより両波整流して直流電圧Ｖｒに変換した後、フィルタ回路Ｆにより直流電圧Ｖｒからリップルを除去して、負荷Ｒｏに平滑な直流電圧Ｅｏを印加する。負荷に与える直流電圧の大きさは、基準相のレグ２の各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグ２の各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αを０°ないしほぼ１８０°の範囲で変化させることにより制御される。

特開２００２−２３８２５７号公報

上記のように、フルブリッジインバータＩＮＶと整流回路Ｒｅｃとを組み合わせた一次側位相シフトＰＷＭ制御方式のＤＣ−ＤＣコンバータでは、インバータＩＮＶの各レグの上アームのスイッチ素子及び下アームのスイッチ素子にそれぞれ並列に接続されたスナバキャパシタを、回路に含まれるインダクタンスに蓄積された電磁エネルギにより充電することにより各スイッチ素子のソフトスイッチングを実現している。従って、軽負荷時に回路電流が小さくなって、回路に含まれるインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが減少すると、スナバキャパシタＣ１〜Ｃ４を完全に充放電することができなくなる。その結果、軽負荷時にインバータの各スイッチ素子のスイッチング動作がハードスイッチングとなり、各スイッチ素子で生じる損失が大きくなって効率が低下する。特に、制御相のスイッチ素子Ｑ３，Ｑ４は、基準相のレグのスイッチ素子Ｑ１，Ｑ２よりも遅れてスイッチング動作を行うため、ソフトスイッチングを行わせることが困難であり、軽負荷時にスイッチ素子Ｑ３及びＱ４で発生するスイッチング損失が、ＤＣ−ＤＣコンバータの効率を低下させる大きな原因になる。

上記の問題を解決するため、特許文献１においては、以下に示す解決策が示されている。
（ａ）インバータの基準相のレグ及び制御相のレグのそれぞれに対して、直流電源の出力電圧を分圧するコンデンサ分圧回路を設けて、基準相のレグに対して設けたコンデンサ分圧回路の分圧点と基準相のレグの上下アームの接続点との間及び制御相のレグに対して設けたコンデンサ分圧回路の分圧点と制御相のレグの上下アームの接続点との間にそれぞれ補助共振リアクトルを接続し、軽負荷時にスナバキャパシタの充放電を行わせるための電流を補助共振リアクトルから供給する。
（ｂ）トランスの一次コイルＷ１の両端に開閉スイッチとリアクトルとの直列回路を並列接続して、軽負荷時に開閉スイッチをオン状態にすることにより、スナバキャパシタＣ１〜Ｃ４の充放電を行わせるための電流をインバータに供給する。
（ｃ）スナバキャパシタＣ１〜Ｃ４の充放電を完全に行わせるように、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチタイミングを自動調整する。

しかしながら、上記（ａ）の解決策によった場合には、補助共振リアクトルを流れる電流により常時損失が生じ、この損失がＤＣーＤＣコンバータの効率を低下させる原因になるという問題が生じる。また２組のコンデンサ分圧回路と共振リアクトルとを追加する必要があるため、インバータの各アームのスイッチ素子のソフトスイッチングを実現するための回路の構成が複雑になるのを避けられない。

また上記（ｂ）の解決策によった場合には、開閉スイッチとリアクトルとを追加する必要があるため、部品点数が多くなって回路が複雑になるという問題が生じる。

更に上記（ｃ）の解決策によった場合には、前述の式（４）の条件が成立しない場合に、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチタイミングをどのように調整しても、制御相のレグのスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の充放電を完全に行わせることができないため、制御相のレグ３のスイッチ素子Ｑ３，Ｑ４のスイッチング動作がハードスイッチングになるのを避けられない。また軽負荷時に式（４）の条件を満足させるために、制御相のスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の静電容量を非常に小さくすることも考えられるが、制御相のスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の静電容量を小さくすると、式（１）及び（２）から、重負荷時の充電の傾きが急峻になるため、スイッチオフ時のソフトスイッチングを行わせることができなくなるという問題が生じる。更に、軽負荷時にスナバキャパシタＣ３，Ｃ４の充放電を完了させるためには、スイッチ素子Ｑ４をオフ状態にするタイミングとスイッチ素子Ｑ３をオン状態にするタイミングとの間に設けるデッドタイムｔｄ３４を長くする必要があるため、ＤＣーＤＣコンバータの出力電圧を所望の電圧に制御することができなくなって、出力電圧の制御範囲が狭くなるおそれがある。

本発明の目的は、インバータの各アームのスイッチ素子のソフトスイッチングを実現するための回路の構成を特に複雑にすることなく、かつＤＣーＤＣコンバータの出力電圧の制御範囲を狭めることなく、重負荷時にも軽負荷時にもインバータを構成する各スイッチ素子にソフトスイッチングを行わせて、各スイッチ素子で生じるスイッチング損失の低減を図り、効率の向上を図ることができるようにしたＤＣーＤＣコンバータを提供することにある。

本発明は、直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジ型のインバータと、インバータの出力が一次コイルに入力されたトランスと、トランスの二次コイルの誘起電圧を整流する整流回路と、整流回路の出力からリップルを除去するフィルタ回路とを備えたＤＣ−ＤＣコンバータを対象とする。

本発明で用いるインバータは、互いに並列に接続された基準相のレグと制御相のレグとを備えて、各レグが互いに直列に接続された上アームと下アームとを有している。各レグの各アームはスイッチ素子と該スイッチ素子に逆並列接続された帰還ダイオードとを有し、基準相のレグと制御相のレグとの並列回路の上アーム側の端部及び下アーム側の端部をそれぞれ第１及び第２の入力端子とするとともに、基準相のレグの上下のアームの接続点及び制御相のレグの上下のアームの接続点をそれぞれ第１及び第２の出力端子とした構成を有している。

本発明においては、インバータの第１及び第２の出力端子間に第１のキャパシタと第２のキャパシタとの直列回路が接続されて、第１のキャパシタと第２のキャパシタとの接続点が容量切換えスイッチを通してインバータの第１の入力端子又は第２の入力端子に接続される。本発明においてはまた、前記整流回路からフィルタ回路を通して負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出器と、負荷電流の設定値を設定する負荷電流設定値設定手段と、負荷電流検出器により検出された負荷電流が負荷電流設定値設定手段により設定された設定値以下のときに容量切換えスイッチをオフ状態にし、負荷電流検出器により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチをオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチを制御するスイッチ制御部とが設けられる。

上記のように、インバータの第１及び第２の出力端子間に第１のキャパシタと第２のキャパシタとの直列回路を接続するとともに、第１のキャパシタと第２のキャパシタとの接続点を、容量切換えスイッチを通してインバータの第１の入力端子又は第２の入力端子に接続して、負荷電流が設定値以下のときに容量切換えスイッチをオフ状態にし、負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチをオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチを制御するようにしておくと、軽負荷時には、容量切換えスイッチがオフ状態にされて、インバータの第１及び第２の出力端子間に第１のキャパシタと第２のキャパシタとの直列回路が接続される。この状態では、基準相のレグの一方のアームのスイッチ素子をオフ状態にし、他方のアームのスイッチ素子をオン状態にする過程で、第１及び第２のキャパシタの直列回路を、制御相のレグのオン状態にあるスイッチ素子を通してこれからオン状態にする基準相のレグの他方のアームのスイッチ素子の両端に並列に接続して、該第１及び第２のキャパシタを放電させることにより、基準相のレグの一方のアームのスイッチ素子（オフ状態にするスイッチ素子）の両端の電圧を徐々に上昇させるとともに、他方のアームのスイッチ素子（これからオン状態にするスイッチ素子）の両端の電圧を零まで低下させて、該スイッチ素子をソフトスイッチングによりターンオンさせることができる。また制御相のレグの一方のアームのスイッチ素子をオフ状態にし、他方のアームのスイッチ素子をオン状態にする過程では、第１及び第２のキャパシタの直列回路を、基準相のレグのオン状態にあるアームのスイッチ素子を通して、これからオフ状態にする制御相のレグの一方のアームのスイッチ素子の両端に並列に接続して、回路に含まれるインダクタンスに蓄積された電磁エネルギで該第１及び第２のキャパシタを充電することにより、制御相のレグの一方のアームのスイッチ素子（これからオフ状態にするスイッチ素子）の両端の電圧を徐々に上昇させるとともに、他方のアームのスイッチ素子（これからオン状態にするスイッチ素子）の両端の電圧を零まで下降させて、制御相のレグの各スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせることができる。

上記のように、ＤＣ−ＤＣコンバータの軽負荷時には、容量切換えスイッチをオフ状態にすることにより第１及び第２のキャパシタを互いに直列に接続して両者の合成静電容量を小さくした状態で充電又は放電させるので、回路に含まれるインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが少ない軽負荷時においても、第１及び第２のキャパシタの充電及び放電を完全に行わせて、各スイッチ素子のソフトスイッチングを確実に行わせることができる。

また回路のインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが十分に多くなる重負荷時には、容量切換えスイッチを閉じた状態にして、第１のキャパシタ又は第２のキャパシタを単独で基準相のレグのいずれかのアームのスイッチ素子又は制御相のレグのいずれかのスイッチ素子に並列に接続して、上記直列合成容量よりも大きい静電容量を有する第１及び第２のキャパシタのそれぞれを充電又は放電させることができるので、ソフトスイッチングを行うために静電容量が大きいスナバキャパシタを必要とする重負荷時にも、各スイッチ素子のソフトスイッチングを確実に行わせることができる。

本発明の好ましい態様では、負荷電流設定値設定手段が、インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成される。

一般に、電源電圧が高い場合ほど第１及び第２のキャパシタの充放電に多くのエネルギが必要なため、上記のように電圧検出器により検出される直流電圧が高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように負荷電流設定値設定手段を構成して、負荷電流検出器により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチをオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチを制御すると、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を適確に行わせることができる。

本発明の他の好ましい態様では、負荷電流設定値設定手段が、インバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成される。

本発明が対象とするＤＣーＤＣコンバータにおいては、インバータの基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど、制御相のスナバキャパシタの充放電を行わせる電磁エネルギが少なくなる。従って上記のように、位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくして、負荷電流検出器により検出された負荷電流が負荷電流設定値設定手段により設定された設定値以下のときに容量切換えスイッチをオフ状態にするように構成しておくと、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を適確に行わせることができる。

本発明の他の好ましい態様では、負荷電流設定値設定手段が、インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど前記負荷電流の設定値を小さくし、インバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成される。

上記のように構成しておくと、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を更に適確に行わせることができる。

本発明の好ましい態様では、スナバキャパシタを充電するために回路に蓄積しておく電磁エネルギを十分に大きくするために、トランスの一次コイルに対して直列にインダクタが接続される。

本発明の他の好ましい態様では、フィルタ回路が、負荷に対して直列に接続されたチョークコイルを備えていて、該チョークコイルがスナバキャパシタを充電するための電磁エネルギを蓄積する。

本発明によれば、回路に含まれるインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが少ない軽負荷時には、容量切換えスイッチをオフ状態にすることにより、インバータの出力端子間に第１及び第２のキャパシタを直列に接続して、両キャパシタの合成静電容量を小さくすることにより、回路に蓄積された少ない電磁エネルギで両キャパシタの充放電を完全に行わせることを可能にして、インバータの各スイッチ素子のソフトスイッチングを実現する。また回路に含まれるインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが多くなる重負荷時には容量切換えスイッチをオン状態にすることにより第１のキャパシタ又は第２のキャパシタを単独で基準相のレグのいずれかのアームのスイッチ素子又は制御相のレグのいずれかのスイッチ素子に並列に接続して、インバータの各スイッチ素子のソフトスイッチングを実現するためのキャパシタの静電容量を大きくした状態にする。

また本発明によれば、軽負荷時に制御相の上下のアームのスイッチ素子のソフトスイッチングを実現するために、下側アームのスイッチ素子をオフ状態にするタイミングと上側アームのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間に設けるデッドタイムを長くする必要がないため、ＤＣーＤＣコンバータの出力電圧の制御範囲が狭くなるおそれがない。

従って、本発明によれば 、インバータの各アームのスイッチ素子のソフトスイッチングを実現するための回路の構成を特に複雑にすることなく、かつＤＣーＤＣコンバータの出力電圧の制御範囲を狭めることなく、重負荷時にも軽負荷時にもインバータを構成する各スイッチ素子にソフトスイッチングを行わせて、各スイッチ素子で生じるスイッチング損失の低減を図り、効率の向上を図ることができる。

また請求項２に記載された発明によれば、インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように負荷電流設定値設定手段を構成して、負荷電流検出器により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチをオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチを制御するようにしたので、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのキャパシタの容量の切換を適確に行わせて、軽負荷時にも重負荷時にも各スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせることができる。

更に請求項３に記載された発明によれば、インバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど、負荷電流の設定値を小さくして、負荷電流検出器により検出された負荷電流が設定値以下のときに容量切換えスイッチをオフ状態にするようにしたので、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を適確に行わせて、軽負荷時にも重負荷時にも各スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせることができる。

更に請求項４に記載された発明では、負荷電流設定値設定手段が、インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくし、上記位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成されているので、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を更に適確に行わせることができる。

本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態の基本構成を示した回路図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態において、インバータの各スイッチ素子に並列にスナバキャパシタを接続した場合の回路構成を示した回路図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の実施形態の基本構成を示した回路図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の一過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の他の過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 従来のＤＣ−ＤＣコンバータの基本構成を示した回路図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の一過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。 図１１に示したＤＣ−ＤＣコンバータの動作の更に他の過程を説明する動作説明図である。

図１は本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの一実施形態の構成を示したものである。図１に示されたＤＣ−ＤＣコンバータは、フルブリッジインバータＩＮＶと、インバータＩＮＶの出力が入力されたトランスＴｒと、トランスＴｒの高周波交流出力を整流して直流出力に変換する整流回路Ｒｅｃと、整流回路Ｒｅｃの出力電圧からリップルを除去するフィルタ回路Ｆとにより構成され、フィルタ回路Ｆの出力端子間に負荷Ｒｏが接続される。

インバータＩＮＶは、図１１に示された従来のＤＣ−ＤＣコンバータで用いられているインバータと同様に、基準相のレグ２と、制御相のレグ３とを並列接続した回路からなっている。基準相のレグ２は、スイッチ素子Ｑ１と該スイッチ素子に逆並列接続された帰還ダイオードＤ１とを有する上側アームと、スイッチ素子Ｑ２と該スイッチ素子Ｑ２に逆並列接続された帰還ダイオードＤ２とを有する下側アームとを直列に接続した回路からなり、制御相のレグ３は、スイッチ素子Ｑ３とスイッチ素子Ｑ３に逆並列接続された帰還ダイオードＤ３とを有する上側アームと、スイッチ素子Ｑ４とスイッチ素子Ｑ４に逆並列接続された帰還ダイオードＤ４とを有する下側アームとを直列に接続して構成した制御相のレグ３とを並列に接続した回路からなっている。

スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４としては、ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）やＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）のような、オンオフ制御が可能で、損失が少ない半導体スイッチ素子が用いられる。図示の例では、スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４がＭＯＳＦＥＴからなっている。スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４は、それぞれのゲートに駆動信号Ｓ１ないしＳ４が供給されている間オン状態を保持し、駆動信号Ｓ１ないしＳ４の供給が停止されたときにオフ状態になる。

スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４としてＭＯＳＦＥＴを用いる場合には、それぞれのドレインソース間に存在する寄生ダイオードを、帰還ダイオードＤ１ないしＤ４として利用することができる。

図示のインバータＩＮＶにおいては、基準相のレグ２と制御相のレグ３との並列回路の上アーム側の端部及び下アーム側の端部がそれぞれ第１の入力端子ａ及び第２の入力端子ｂとなっており、これらの入力端子間に直流電源１の出力電圧Ｅが印加されている。また基準相のレグ２の上側アームと下側アームとの接続点及び制御相のレグ３の上側アームと下側アームとの接続点がそれぞれ第１及び第２の出力端子ｃ及びｄとなっていて、これらの出力端子間に得られる電圧Ｖｃｄがインダクタ（直列リアクトル）Ｌｓを通してトランスＴｒに入力されている。

トランスＴｒは、巻数がｎ１の一次コイルＷ１と、巻数が２×ｎ２の二次コイルＷ２とを有し、二次コイルＷ２の中央部からセンタタップｔｃが引出されている。整流回路Ｒｅｃは、トランスの二次コイルＷ２の一端にアノードが接続されたダイオードＤｒ１と、二次コイルＷ２の他端にアノードが接続され、カソードがダイオードＤｒ１のカソードに共通接続されたダイオードＤｒ２とからなり、ダイオードＤｒ１及びＤｒ２のカソードの共通接続点及びトランスの二次コイルのセンタタップｔｃがそれぞれ整流回路Ｒｅｃのプラス側出力端子ｅ及びマイナス側出力端子ｆとなっている。

フィルタ回路Ｆは、一端が整流回路Ｒｅｃのプラス側出力端子ｅに接続されたインダクタ（チョークコイル）Ｌｏと、インダクタＬｏの他端と整流回路Ｒｅｃのマイナス側出力端子ｆとの間に接続されたキャパシタＣoとからなっている。インダクタＬｏの他端及び整流回路Ｒｅｃのマイナス側出力端子ｆからそれぞれプラス側コンバータ出力端子ｇ及びマイナス側コンバータ出力端子ｈが引出され、これらのコンバータ出力端子の間に負荷Ｒｏが接続されている。

以上の構成は、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４にスナバキャパシタＣ１〜Ｃ４が並列接続されていない点を除き、図１１に示されたＤＣ−ＤＣコンバータの構成と同様であるが、図１に示された実施形態においては、インバータＩＮＶの第１の出力端子ｃと第２の出力端子ｄとの間に第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路が接続され、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との接続点が、半導体スイッチ素子からなる容量切換えスイッチＱ５を通して、インバータの第２の入力端子ｂに接続されている。容量切換えスイッチＱ５には一方向にしか電流が流れないため、該スイッチＱ５としてはＭＯＳＦＥＴを用いることができる。本実施形態のように、スイッチＱ５の一端を、通常は接地される直流電源の０Ｖ側の端子につながる第２の入力端子ｂに接続するようにすると、スイッチＱ５のドライブ回路の構成を簡単にすることができる。

本実施形態ではまた、整流回路ＲＥＣからフィルタ回路Ｆを通して負荷Ｒｏに流れる電流を検出する負荷電流検出器４と、直流電源１の出力電圧Ｅと、インバータの基準相のレグ２の各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと基準相のレグ２の各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグ３のスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αとに対して、負荷電流の設定値を設定する負荷電流設定値設定手段６と、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が負荷電流設定値設定手段６により設定された設定値以下のときに容量切換えスイッチをオフ状態にし、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチＱ５をオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチＱ５を制御するスイッチ制御部７とが設けられている。図示の例では、負荷電流検出器４が、整流回路のマイナス側出力端子ｆとマイナス側コンバータ出力端子ｈとの間を接続する回路に直列に挿入されたシャント抵抗器Ｒｓからなっている。

本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータの動作波形は図１２に示されたものと同様である。ここで、第１のキャパシタＣ５の静電容量及び第２のキャパシタＣ６の静電容量が等しいとして、容量切換えスイッチＱ５がオフ状態にあるときの図１に示されたＤＣ−ＤＣコンバータの動作を説明すると下記の通りである。

基準相のレグ２の上アームのスイッチ素子Ｑ１及び制御相のレグ３の下アームのスイッチ素子Ｑ４にそれぞれ駆動信号Ｓ１及びＳ４が与えられてこれらのスイッチ素子が導通している状態では、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が直流電源１の電圧Ｅにより充電されており、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の直列回路の両端の電圧によりスイッチ素子Ｑ２の両端に接続された帰還ダイオードＤ２が逆バイアスされている。このとき第１のキャパシタＣ５の端子電圧及び第２のキャパシタＣ６の端子電圧は共にＥ／２である。

この状態から、基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２と制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３とを導通させる状態に移行するために、スイッチ素子Ｑ１に与えていた駆動信号Ｓ１を消滅させてスイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程を開始すると、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が、第１のキャパシタＣ５→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５の回路と、第１のキャパシタＣ５→ダイオードＤ１→直流電源１→ダイオードＤ４→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５の回路とを通して放電する。これにより第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路の両端の電圧が直線的に低下していき、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路がスイッチ素子Ｑ４を通して並列接続されているスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて直線的に低下していく。基準相のレグ２においては、スイッチ素子Ｑ１とＱ２とが電源電圧Ｅを分担しているため、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していくと、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。従ってスイッチ素子Ｑ１がターンオフする過程でその両端の電圧の上昇の傾きを緩和することができ、スイッチ素子Ｑ１をソフトスイッチングによりターンオフすることができる。またスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が直線的に低下して０ＶになるとダイオードＤ２の逆バイアスが解除されるため、ダイオードＤ２を通して順方向電流が流れ、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼ０Ｖにされる。この状態でスイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２を与えることによりスイッチ素子Ｑ２をＺＶＳ及びＺＣＳで（ソフトスイッチングにより）ターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ２とスイッチ素子Ｑ４とを同時に導通させる状態に移行することができる。

次いで制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３をオン状態にするに先だって、スイッチ素子Ｑ４に与えていた駆動信号Ｓ４を消滅させてスイッチ素子Ｑ４のターンオフ過程を開始させると、インダクタＬｓ及びトランスＴｒの励磁インダクタンスに蓄積されている電磁エネルギにより、インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５→インダクタＬｓの経路で第２のキャパシタＣ６と第１のキャパシタＣ５とが充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギがスナバキャパシタＣ５，Ｃ６に吸収される。トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき流れるキャパシタＣ６，Ｃ５の充電電流（トランスの一次電流）は、トランスＴｒの二次コイルに流れる負荷電流によりトランスＴｒの一次側に誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流が重畳された電流である。インダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギは大きく、インダクタＬｏは電流源と見なすことができるため、トランスの一次コイルＷ１の両端の電圧はほぼ電源電圧Ｅを保ち、キャパシタＣ６及びＣ５の両端の電圧はほぼ電源電圧Ｅまで充電される。

キャパシタＣ６及びＣ５の充電は、スイッチ素子Ｑ４のターンオフの進行に伴って進行していくため、オン状態にあるスイッチＱ２を通してスナバキャパシタＣ６及びＣ５の直列回路が並列接続されているスイッチ素子Ｑ４の両端の電圧は直線的に上昇していく。従って、スイッチ素子Ｑ４がターンオフする過程で該スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧の変化の傾きを緩和することができ、スイッチ素子Ｑ４をソフトスイッチングによりターンオフすることができる。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が電源電圧に向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ４と共に電源電圧Ｅを負担しているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していく。従ってスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖになっている状態でスイッチ素子Ｓ３に駆動信号Ｓ３を与えることによりスイッチ素子Ｑ３のＺＶＳ及びＺＣＳでターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ２とＱ３とが導通した状態に移行させることができる。

スイッチ素子Ｑ２とＱ３とが導通した状態では、電源電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ３とＱ２とを通してスナバキャパシタＣ６及びＣ５がＥ／２まで充電され、スイッチ素子Ｑ４の両端に並列接続されている帰還ダイオードＤ４がスナバキャパシタＣ６及びＣ５の直列回路の両端の電圧Ｅにより逆バイアスされる。この状態で、スイッチ素子Ｑ１及びＱ４を導通させる状態に移行するために、基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２に与えていた駆動信号Ｓ２を消滅させてスイッチ素子Ｑ２のターンオフ過程を開始させると、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が、キャパシタＣ６→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→キャパシタＣ５→キャパシタＣ６の経路と、キャパシタＣ６→帰還ダイオードＤ３→直流電源１→帰還ダイオードＤ２→キャパシタＣ５→キャパシタＣ６の経路とを通して放電する。これにより第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路の両端の電圧が直線的に低下していき、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路がスイッチ素子Ｑ３を通して並列接続されているスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖに向けて直線的に低下していく。

基準相のレグ２においては、スイッチ素子Ｑ１とＱ２とが電源電圧Ｅを分担しているため、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していくと、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。従ってスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧の上昇の傾きを緩和することができ、スイッチ素子Ｑ２をソフトスイッチングによりターンオフすることができる。またスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が直線的に低下して０ＶになるとダイオードＤ１の逆バイアスが解除されるため、ダイオードＤ１を通して順方向電流が流れ、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧がほぼ０Ｖにされる。この状態でスイッチ素子Ｑ１に駆動信号Ｓ１を与えることによりスイッチ素子Ｑ１をＺＶＳ及びＺＣＳでターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ１とスイッチ素子Ｑ３とを同時に導通させる状態に移行することができる。

次いで制御相のレグ３の下アームのスイッチ素子Ｑ４をオン状態にするに先だって、スイッチ素子Ｑ３に与えていた駆動信号Ｓ３を消滅させてスイッチ素子Ｑ３のターンオフ過程を開始させると、インダクタＬｓ及びトランスＴｒの励磁インダクタンスに蓄積されている電磁エネルギにより、インダクタＬｓ→第１のキャパシタＣ５→第２のキャパシタＣ６→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓの経路で第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６とが充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギがスナバキャパシタＣ５，Ｃ６に吸収される。また第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が充電されると、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の直列回路がスイッチ素子Ｑ１を通して並列接続されているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が上昇していき、スイッチ素子Ｑ３がソフトスイッチングによりターンオフする。

制御相のレグ３においては、スイッチ素子Ｑ３とＱ４とが電源電圧Ｅを負担しているため、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していく。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が０Ｖになっているときにスイッチ素子Ｑ４に駆動信号Ｓ４を与えることにより、スイッチ素子Ｑ４をＺＶＳ及びＺＶＣでターンオンさせて、スイッチ素子Ｑ１とＱ４とを同時に導通した状態にすることができる。

図１に示した実施形態において、負荷電流が設定値を超える重負荷時においては、スイッチ制御部５が容量切換えスイッチＱ５をオン状態にする。容量切換えスイッチＱ５がオン状態にあるときには、第１のキャパシタＣ５が基準相のレグの下アームのスイッチＱ２に並列に接続され、第２のキャパシタＣ６が制御相のレグの下アームのスイッチＱ４に並列に接続される。容量切換えスイッチＱ５がオン状態にあるときの図１に示されたＤＣ−ＤＣコンバータの動作を説明すると下記の通りである。

基準相のレグ２の上アームのスイッチ素子Ｑ１及び制御相のレグ３の下アームのスイッチ素子Ｑ４にそれぞれ駆動信号Ｓ１及びＳ４が与えられてこれらのスイッチ素子が導通している状態では、第１のキャパシタＣ５が直流電源１の電圧Ｅにより充電されており、第１のキャパシタＣ５の電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ２の両端に接続された帰還ダイオードＤ２が逆バイアスされている。またスイッチ素子Ｑ４がオン状態にあるため、第２のキャパシタＣ６の両端の電圧は略０Ｖに保たれている。

この状態から、基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２と制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３とを導通させる状態に移行するために、スイッチ素子Ｑ１に与えていた駆動信号Ｓ１を消滅させてスイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程を開始させると、第１のキャパシタＣ５が、第１のキャパシタＣ５→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→第１のキャパシタＣ５の回路と、第１のキャパシタＣ５→ダイオードＤ１→直流電源１→第１のキャパシタＣ５の回路とを通して放電する。これにより第１のキャパシタＣ５の両端の電圧が直線的に低下していき、第１のキャパシタＣ５が並列接続されているスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて直線的に低下していく。基準相のレグ２においては、スイッチ素子Ｑ１とＱ２とが電源電圧Ｅを分担しているため、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していくと、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。従ってスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧の上昇の傾きを緩和することができ、スイッチ素子Ｑ１をＺＶＳでターンオフすることができる。またスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が直線的に低下して０ＶになるとダイオードＤ２の逆バイアスが解除されるため、ダイオードＤ２を通して順方向電流が流れ、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼ０Ｖにされる。この状態でスイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２を与えることによりスイッチ素子Ｑ２をＺＶＳ及びＺＣＳでターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ２とスイッチ素子Ｑ４とが導通した状態に移行することができる。

次いで制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３をオン状態にするに先だって、スイッチ素子Ｑ４のターンオフ過程を開始させると、インダクタＬｓ及びトランスＴｒの励磁インダクタンスに蓄積されている電磁エネルギにより、インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６→帰還ダイオードＤ２→インダクタＬｓの経路で第２のキャパシタＣ６が充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギがスナバキャパシタＣ６に吸収される。トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき流れるキャパシタＣ６の充電電流（トランスの一次電流）は、トランスＴｒの二次コイルに流れる負荷電流によりトランスＴｒの一次側に誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流が重畳された電流である。インダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギは大きく、インダクタＬｏは電流源と見なすことができるため、トランスの一次コイルＷ１の両端の電圧はほぼ電源電圧Ｅに保たれ、スナバキャパシタＣ６の両端の電圧はほぼ電源電圧Ｅまで充電される。

スナバキャパシタＣ６の充電は、スイッチ素子Ｑ４のターンオフの進行に伴って進行していくため、キャパシタＣ６が並列接続されているスイッチ素子Ｑ４の両端の電圧は直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ４はソフトスイッチングによりターンオフする。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が電源電圧に向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ４と共に電源電圧Ｅを負担しているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していく。スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０ＶになるとダイオードＤ３の逆バイアスが解除されるため、ダイオードＤ３を通して順方向電流が流れるようになり、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧がほぼ０Ｖに保たれる。スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖになっている状態でスイッチ素子Ｓ３に駆動信号Ｓ３を与えることによりスイッチ素子Ｑ３をＺＶＳ及びＺＣＳでターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ２とＱ３とが同時に導通した状態に移行させることができる。

スイッチ素子Ｑ２とＱ３とが導通した状態では、電源電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ３を通してスナバキャパシタＣ６が充電され、スイッチ素子Ｑ４の両端に並列接続されている帰還ダイオードＤ４がスナバキャパシタＣ６の両端の電圧Ｅにより逆バイアスされる。またスイッチ素子Ｑ２がオン状態にあるため、第１のキャパシタＣ５の両端電圧はほぼ０Ｖである。この状態で、スイッチ素子Ｑ１及びＱ４を同時に導通させる状態に移行するために、基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２に与えていた駆動信号Ｓ２を消滅させてスイッチ素子Ｑ２のターンオフ過程を開始させると、第１のキャパシタＣ５が、インダクタＬｓ→キャパシタＣ５→直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓの経路で充電されるため、第１のキャパシタＣ５及びスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。これによりスイッチ素子Ｑ２がソフトスイッチングによりターンオフする。スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ２と共に電源電圧を負担しているスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖに向けて下降していく。スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖになると帰還ダイオードＤ１の逆バイアスが解除されるため、帰還ダイオードＤ１を通して電流が流れるようになり、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧がほぼ０Ｖになる。この状態でスイッチ素子Ｑ１に駆動信号Ｓ１を与えることによりスイッチ素子Ｑ１をソフトスイッチングによりターンオンさせることができる。

次いで、スイッチ素子Ｑ４をオン状態にするに先だってスイッチ素子Ｑ３をオフ状態にするためにスイッチ素子Ｑ３に与えていた駆動信号Ｓ３を消滅させると、スイッチ素子Ｑ３のターンオフ過程が開始される。スイッチ素子Ｑ３がターンオフ過程に入ると、第２のキャパシタＣ６が、第２のキャパシタＣ６→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→帰還ダイオードＤ１→直流電源１→第２のキャパシタＣ６の経路と、第２のキャパシタＣ６→帰還ダイオードＤ３→直流電源１→第２のキャパシタＣ６の経路とで放電し、第２のキャパシタＣ６及びスイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していく。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が低下していくと、スイッチ素子Ｑ４と共に電源電圧Ｅを負担しているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ３がソフトスイッチングによりターンオフする。

第２のキャパシタＣ６の放電が完了して第２のキャパシタＣ６の両端の電圧が０Ｖになると、帰還ダイオードＤ４の逆バイアスが解除されて帰還ダイオードＤ４に電流が流れるようになるため、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧がほぼ０Ｖになる。この状態でスイッチ素子Ｑ４に駆動信号Ｓ４を与えることにより、スイッチ素子Ｑ４をソフトスイッチングによりをオン状態にして、スイッチ素子Ｑ１とＱ４とが導通した状態に移行させることができる。

上記のように、図１に示された実施形態においては、容量切換えスイッチＱ５がオフ状態にある軽負荷時においては、スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４のソフトスイッチングを可能にする働きをするスナバキャパシタの実効静電容量が、直列接続された第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の合成静電容量Ｃ５・Ｃ６／（Ｃ５＋Ｃ６）となり、スナバキャパシタの実効静電容量が小さくなる。そのため、回路のインダクタに蓄積されている電磁エネルギが少なくなる軽負荷時においてもスナバキャパシタの充放電を完全に行わせて、スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４のソフトスイッチングによるターンオフ動作とターンオン動作とを確実に行わせて、ＤＣーＤＣコンバータの効率を向上させることができる。

また負荷電流が設定値を超える重負荷時には、第１のキャパシタＣ５及び第２のキャパシタＣ６がそれぞれ基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２及び制御相のレグ３の下アームのスイッチ素子Ｑ４に並列接続された状態で充放電されることにより、各スイッチ素子をソフトスイッチングによりオンオフするためのスナバキャパシタとして働くので、スナバキャパシタの静電容量を重負荷時に見合った大きさとして、各スイッチ素子のソフトスイッチングを支障なく行わせることができる。

上記のように、本発明に係るＤＣーＤＣコンバータにおいては、基準相及び制御相の各レグの上下のアームのスイッチ素子のスイッチングを行う際に、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の充放電により、各スイッチ素子の両端の電圧の変化の傾きを緩和してソフトスイッチングを行うため、基本的にはスイッチ素子Ｑ１ないしＱ４に対して並列に外付けのスナバキャパシタを接続することを必要としない。そのため、図１においては、図１１に示されたスナバキャパシタＣ１〜Ｃ４の図示が省略されている。

スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４の両端にスナバキャパシタを接続しない場合でも、通常はスイッチ素子Ｑ１ないしＱ４の両端間に存在する寄生静電容量が、スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４のスイッチングを行う際にそれぞれの両端の電圧変化を緩和するスナバキャパシタとして働く。特にスイッチ素子としてＭＯＳＦＥＴを用いる場合には、ドレインソース間に存在する比較的大きな寄生静電容量がスナバキャパシタとして効果的に働く。

上記のように、本発明においては、基本的には、スイッチ素子Ｑ１ないしＱ４の両端にスナバキャパシタを接続することを要しないが、重負荷時に各スイッチ素子のソフトスイッチングを確実に行わせるにはスナバキャパシタの静電容量が不足する場合など、特に必要がある場合に、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４の両端に外付けのスナバキャパシタＣ１〜Ｃ４を接続することを妨げない。スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４の両端にそれぞれスナバキャパシタＣ１〜Ｃ４を並列接続した場合の回路構成を図２に示し、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４の両端にそれぞれスナバキャパシタＣ１〜Ｃ４が並列接続されている場合の動作説明図を図４ないし図１０に示した。ここで、容量切換えスイッチＱ５がオフ状態にあるものとして、図４ないし図１０に示された動作を説明する。

動作１（図１２の時刻ｔ０の直前の期間の動作）
図１２の時刻ｔ０の直前の期間においては、スイッチ素子Ｑ１及びＱ４に駆動信号Ｓ１及びＳ４が与えられていて、スイッチ素子Ｑ１とＱ４とがオン状態にある。このときトランスＴｒの一次側では、図４に示すように、直流電源１→スイッチ素子Ｑ１→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→直流電源１の経路で一次電流Ｉ１が流れる。またトランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき、インダクタＬｓ及Ｌｏに電流が流れるため、これらのインダクタに電磁エネルギが蓄積される。また第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が直流電源１の電圧Ｅにより充電されており、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の直列回路の両端の電圧によりスイッチ素子Ｑ２の両端に接続された帰還ダイオードＤ２が逆バイアスされている。Ｃ５＝Ｃ６＝Ｃとした場合、キャパシタＣ５及びＣ６はＥ／２まで充電されている。

動作２（時刻ｔ０〜ｔ１の期間の動作）
次に図１２の時刻ｔ０で、基準相のレグの上アームのスイッチ素子Ｑ１をオフ状態にするために駆動信号Ｓ１がゼロにされると、スイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程が開始される。このとき図５に示すように、スイッチ素子Ｑ１に並列接続されているスナバキャパシタＣ１が、直流電源１の出力電圧Ｅと、インダクタＬｓ及びトランスの励磁インダクタンスに蓄積された電磁エネルギとにより、直流電源１→スナバキャパシタＣ１→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→直流電源１の経路で充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギがスナバキャパシタＣ１に吸収される。

また第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６が、第１のキャパシタＣ５→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５の回路と、第１のキャパシタＣ５→ダイオードＤ１→直流電源１→ダイオードＤ４→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５の回路とを通して放電していくため、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路の両端の電圧が直線的に低下していき、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路がスイッチ素子Ｑ４を通して並列接続されているスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて直線的に低下していく。

トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき流れるトランスの一次電流Ｉ１は、トランスＴｒの二次コイルに流れる負荷電流によりトランスＴｒの一次側に誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流と、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の放電電流とが重畳された電流である。このときインダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギは大きく、インダクタＬｏは電流源と見なすことができるため、一次電流Ｉ１はほぼ一定値を示す。

ターンオフさせる基準相のレグ２の上アームのスイッチ素子Ｑ１に並列接続されたスナバキャパシタＣ１は、スイッチ素子Ｑ１のターンオフの進行に伴って徐々に充電されていき、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の放電に伴ってスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が徐々に低下していくため、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧ＶＱ１は図１２（Ｆ）に示すように直線的に上昇していく。

上記のように、スイッチ素子Ｑ１がターンオフするｔ０〜ｔ１の期間において、スナバキャパシタＣ１の両端の電圧ＶＱ１は、一定の傾きで直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧ＶＱ１も図１２（Ｆ）に破線で示されたように同じ傾きで直線的に上昇していくため、スイッチ素子Ｑ１がターンオフする際にその両端の電圧の上昇が緩和され、スイッチ素子Ｑ１がソフトスイッチングでターンオフする。

上記のように、オフ状態にされる基準相２のレグの上アームのスイッチ素子Ｑ１に並列に接続されたスナバキャパシタＣ１が充電されることにより、スイッチ素子Ｑ１に並列接続されているダイオードＤ１が逆バイアスされて、該ダイオードＤ１を通して電流が流れないようにされる。

またスナバキャパシタＣ１が充電される際に、基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子（次にターンオンさせるスイッチ素子）Ｑ２に並列に接続されたスナバキャパシタＣ２と、直列に接続された第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６とに蓄積されている電荷が、キャパシタＣ２とキャパシタＣ５及びＣ６の合成静電容量→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→制御相のレグの下アームのスイッチ素Ｑ４→キャパシタＣ２とキャパシタＣ５及びＣ６との経路で放電する。これにより、次にターンオンさせる基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧ＶＱ２が直線的に低下していく。

動作３（ｔ１〜ｔ２の期間の動作）
時刻ｔ１でスナバキャパシタＣ１の充電と、スナバキャパシタＣ２と第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の放電とが完了し、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がゼロになると、スイッチ素子Ｑ２に逆並列接続された帰還ダイオードＤ２の逆バイアスが解除されるため、図６に示されるように、インダクタＬｓとトランスＴｒの励磁インダクタンスとに蓄積されたエネルギにより、一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→ダイオードＤ２→インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１の経路で、ダイオードＤ２に順方向電流が流れるようになる。この期間も、トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。ダイオードＤ２に流れる順方向電流は、トランスＴｒの二次コイルを通して流れている負荷電流によりトランスの一次コイルに誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流が重畳された電流（トランスの一次電流Ｉ１）である。このようにダイオードＤ２に順方向電流が流れることにより、次にターンオンさせる基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼゼロにされ、駆動信号Ｓ２が与えられたスイッチ素子Ｑ２は、電流がほぼゼロの状態でターンオンする。これによりスイッチ素子Ｑ２のゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）及びゼロ電流スイッチング（ＺＣＳ：Zero Current Switching）が達成される。

動作４（ｔ２〜ｔ３の期間の動作）
時刻ｔ２でスイッチ素子Ｑ４に与えていた駆動信号Ｓ４（図１２Ｄ）を消滅させると、スイッチ素子Ｑ４のターンオフ過程が開始されるため、インダクタＬｓ及びトランスＴｒの励磁インダクタンスに蓄積されている電磁エネルギにより、図７に示すように、一次コイルＷ１→スナバキャパシタＣ４→ダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１の経路でスナバキャパシタＣ４が充電されるとともに、インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６→第１のキャパシタＣ５→インダクタＬｓの経路で第２のキャパシタＣ６と第１のキャパシタＣ５とが充電される。従って、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧ＶＱ４が０Ｖから電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。その結果、スイッチ素子Ｑ４がターンオフする過程でその両端の電圧の変化が緩和され、スイッチ素子Ｑ４がソフトスイッチングによりターンオフする。またトランスＴｒの二次側では、二次コイルの第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→負荷Ｒｏ及びキャパシタＣｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の閉回路を流れる負荷電流ＩＤｒ１が時刻ｔ２から減少していく。

またスイッチ素子Ｑ４がターンオフする過程で、制御相の上アームのスイッチ素子Ｑ３に並列接続されたスナバキャパシタＣ３が、スナバキャパシタＣ３→直流電源１→逆バイアスが解除されている基準相のレグのダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スナバキャパシタＣ３の経路で放電するため、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧ＶＱ３がほぼ直線的に低下していく。時刻ｔ３でスナバキャパシタＣ３の放電が完了すると、ダイオードＤ３の逆バイアスが解除されるため、インダクタＬｓとトランスＴｒの励磁インダクタンスとに蓄積されている電磁エネルギにより、トランスの一次コイルＷ１→ダイオードＤ３→直流電源１→ダイオードＤ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１の経路でダイオードＤ３に順方向電流が流れる。ダイオードＤ３に順方向電流が流れることにより、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧ＶＱ３がほぼゼロにされる。この状態でスイッチ素子Ｑ３に駆動信号Ｓ３を与えることにより、スイッチ素子Ｑ３を電流がほぼゼロの状態でターンオンさせ、スイッチ素子Ｑ３のゼロ電流スイッチング（ＺＣＳ：Zero Current Switching）を達成する。これにより基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２と制御相のレグの上アームのスイッチ素子Ｑ３とを同時に導通させた状態にする。

動作５（時刻ｔ３〜ｔ４の期間の動作）
図１２（Ｈ）に示すように、時刻ｔ３でスナバキャパシタＣ３の放電が完了して制御相の上アームのスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧ＶＱ３がゼロになると、ダイオードＤ３の逆バイアスが解除されてダイオードＤ３が導通し、インダクタＬｓとトランスの励磁インダンクタンスとに蓄積された電磁エネルギにより、図８に示すように、インダクタＬｓ→ 一次コイルＷ１→ダイオードＤ３→直流電源１→スイッチ素子Ｑ２及びダイオードＤ２→インダクタＬｓの経路で電流が流れる。ダイオードＤ３が導通している期間の時刻ｔ４でスイッチ素子Ｑ３に駆動信号Ｓ３が与えられると、スイッチ素子Ｑ３はＺＶＳでターンオンする。

動作６（時刻ｔ４〜ｔ５の期間の動作）
時刻ｔ４でスイッチ素子Ｑ３及びＱ２がオン状態になると、図９に示すように、直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→スイッチ素子Ｑ２→直流電源１の経路で一次電流が流れる。また電源電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ３とＱ２とを通してスナバキャパシタＣ６及びＣ５がＥ／２まで充電され、スイッチ素子Ｑ４の両端に並列接続されている帰還ダイオードＤ４がスナバキャパシタＣ６及びＣ５の直列回路の両端の電圧Ｅにより逆バイアスされる。このときダイオードＤｒ１にトランスＴｒの二次側電圧２Ｅ・（ｎ２／ｎ１）が逆方向に印加され、ダイオードＤｒ１を流れる電流ＩＤｒ１が減少する。またトランスＴｒの二次側電圧２Ｅ・（ｎ２／ｎ１）がダイオードＤｒ２に順方向に印加されるため、ダイオードＤｒ２を流れる電流ＩＤｒ２が増加する。ダイオードＤｒ１を流れる電流ＩＤｒ１がゼロになると、ダイオードＤｒ１はターンオフする。

動作７（時刻ｔ５〜ｔ６の期間の動作）
図１０に示すように、スイッチ素子Ｑ２とＱ３がオン状態を保って、直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→スイッチ素子Ｑ２→直流電源１の経路で一次電流が流れ、トランスＴｒの二次コイルの第２のコイル部分Ｗ２２→ダイオードＤｒ２→インダクタＬｏ→負荷Ｒｏ及びキャパシタＣｏ→第２のコイル部分Ｗ２２の経路で負荷電流が流れて、負荷Ｒｏに電力が供給される。この間にトランスの一次側のインダクタＬｓ、トランスＴｒの励磁インダクタンス及びフィルタ回路ＦのインダクタＬｏに電磁エネルギが蓄積される。またスイッチ素子Ｑ２とＱ３とが導通している状態では、電源電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ３とＱ２とを通して第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６がＥ／２まで充電され、スイッチ素子Ｑ４の両端に並列接続されている帰還ダイオードＤ４がキャパシタＣ５及びＣ６の直列回路の両端の電圧Ｅにより逆バイアスされる。

図２に示されたＤＣ−ＤＣコンバータは、半周期毎に上記と同様の動作を繰り返して、フルブリッジインバータＩＮＶにより、直流電源１の出力電圧Ｅを交流電圧Ｖｃｄに変換し、この交流電圧をトランスＴｒに入力して変成された交流電圧に変換する。またこの交流電圧を整流回路Ｒｅｃにより両波整流して直流電圧Ｖｒに変換した後、フィルタ回路Ｆにより直流電圧Ｖｒからリップルを除去し、負荷Ｒｏに平滑な直流電圧Ｅｏを印加する。負荷に与える直流電圧の大きさは、基準相のレグ２の各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグ２の各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αを０°ないしほぼ１８０°の範囲で変化させることにより制御される。

図２に示した実施形態において、負荷電流が負荷電流設定値設定手段６により設定された設定値を超えていて、容量切換えスイッチＱ５がオン状態にあるときには、第１のキャパシタＣ５が基準相のレグの下アームのスイッチＱ２に並列に接続され、第２のキャパシタＣ６が制御相のレグの下アームのスイッチＱ４に並列に接続される。容量切換えスイッチＱ５がオン状態にあるときに、図２に示されたＤＣ−ＤＣコンバータは下記の動作を行う。

基準相のレグ２の上アームのスイッチ素子Ｑ１及び制御相のレグ３の下アームのスイッチ素子Ｑ４にそれぞれ駆動信号Ｓ１及びＳ４が与えられてこれらのスイッチ素子が導通している状態では、スナバキャパシタＣ２及び第１のキャパシタＣ５が直流電源１の電圧Ｅにより充電されており、スナバキャパシタＣ２及び第１のキャパシタＣ５の並列回路の両端の電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ２の両端に接続された帰還ダイオードＤ２が逆バイアスされている。またスイッチ素子Ｑ４がオン状態にあるため、第２のキャパシタＣ６の両端の電圧及び第２のキャパシタＣ６の両端電圧は略０Ｖに保たれている。

この状態から、基準相のレグ２の下アームのスイッチ素子Ｑ２と制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３とを導通させる状態に移行するために、スイッチ素子Ｑ１に与えていた駆動信号Ｓ１を消滅させてスイッチ素子Ｑ１のターンオフ過程を開始させると、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２が電源１から切り離されるため、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２が、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スイッチ素子Ｑ４→第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２の回路と、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２→ダイオードＤ１→直流電源１→第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２の回路とを通して放電する。これにより第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２の両端の電圧が直線的に低下していき、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２が並列接続されているスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて直線的に低下していく。

基準相のレグ２においては、スイッチ素子Ｑ１とＱ２とが電源電圧Ｅを分担しているため、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していくと、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していき、スナバキャパシタＣ１が充電されていく。従ってスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧の上昇の傾きを緩和することができ、スイッチ素子Ｑ１をソフトスイッチングによりターンオフすることができる。またスイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が直線的に低下して０ＶになるとダイオードＤ２の逆バイアスが解除されるため、ダイオードＤ２を通して順方向電流が流れ、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧がほぼ０Ｖにされる。この状態でスイッチ素子Ｑ２に駆動信号Ｓ２を与えることによりスイッチ素子Ｑ２をＺＶＳ及びＺＣＳで（ソフトスイッチングにより）ターンオンすることができ、スイッチ素子Ｑ２とスイッチ素子Ｑ４とが導通した状態に移行することができる。

次いで制御相のレグ３の上アームのスイッチ素子Ｑ３をオン状態にするに先だって、スイッチ素子Ｑ４のターンオフ過程を開始させると、インダクタＬｓ及びトランスＴｒの励磁インダクタンスに蓄積されている電磁エネルギにより、インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４→帰還ダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓの経路で第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４が充電され、回路のインダクタンスに蓄積されている電磁エネルギが第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４に吸収される。トランスＴｒの二次側では、二次コイルＷ２の第１のコイル部分Ｗ２１→ダイオードＤｒ１→インダクタＬｏ→フィルタ回路の静電容量Ｃｏ及び負荷Ｒｏ→第１のコイル部分Ｗ２１の経路で負荷電流が流れる。このとき流れるキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の充電電流（トランスの一次電流）は、トランスＴｒの二次コイルに流れる負荷電流によりトランスＴｒの一次側に誘起する電流に、トランスＴｒの励磁電流が重畳された電流である。インダクタＬｏに蓄積された電磁エネルギは大きいため、キャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の両端の電圧はほぼ電源電圧Ｅまで充電される。

第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の充電は、スイッチ素子Ｑ４のターンオフの進行に伴って進行していくため、キャパシタＣ６及びＣ４が並列接続されているスイッチ素子Ｑ４の両端の電圧は直線的に上昇していき、スイッチ素子Ｑ４のソフトスイッチングによるターンオフが実現される。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が電源電圧に向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ４と共に電源電圧Ｅを負担しているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していき、スナバキャパシタＣ３が、キャパシタＣ３→直流電源１→帰還ダイオードＤ２及びスイッチ素子Ｑ２→インダクタＬｓ→トランスの一次コイルＷ１→スナバキャパシタＣ３の経路で放電していく。従ってスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していき、スイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が０Ｖになっている状態でスイッチ素子Ｓ３に駆動信号Ｓ３を与えることによりスイッチ素子Ｑ３のＺＶＳ及びＺＣＳでのターンオンを実現することができる。これにより、スイッチ素子Ｑ２とＱ３とを同時に導通させる状態に移行させることができる。

スイッチ素子Ｑ２とＱ３とが同時に導通した状態では、電源電圧Ｅによりスイッチ素子Ｑ３を通して第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４が充電され、スイッチ素子Ｑ４の両端に並列接続されている帰還ダイオードＤ４が第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の両端の電圧Ｅにより逆バイアスされる。またスイッチ素子Ｑ２がオン状態にあるため、第１のキャパシタＣ５の両端電圧はほぼ０Ｖである。この状態で、スイッチ素子Ｑ１及びＱ４を導通させる状態に移行するために、基準相のレグの下アームのスイッチ素子Ｑ２に与えていた駆動信号Ｓ２を消滅させてスイッチ素子Ｑ２のターンオフ過程を開始させると、第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２が、インダクタＬｓ→第１のキャパシタＣ５及びスナバキャパシタＣ２→直流電源１→スイッチ素子Ｑ３→ 一次コイルＷ１→インダクタＬｓの経路で充電されるため、スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していく。これによりスイッチ素子Ｑ２をソフトスイッチングによりターンオフすることができる。

スイッチ素子Ｑ２の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて上昇していくと、スイッチ素子Ｑ２と共に電源電圧を負担しているスイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖに向けて下降していき、スナバキャパシタＣ１がスイッチ素子Ｑ３→一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→スナバキャパシタＣ１の経路で放電していく。スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧が０Ｖになると帰還ダイオードＤ１の逆バイアスが解除されるため、帰還ダイオードＤ１を通して電流が流れるようになり、スイッチ素子Ｑ１の両端の電圧がほぼ０Ｖになる。この状態でスイッチ素子Ｑ１に駆動信号Ｓ１を与えることによりスイッチ素子Ｑ１をソフトスイッチングによりターンオンさせることができる。

次いで、スイッチ素子Ｑ４をオン状態にするに先だってスイッチ素子Ｑ３をオフ状態にするためにスイッチ素子Ｑ３に与えていた駆動信号Ｓ３を消滅させると、スイッチ素子Ｑ３のターンオフ過程が開始される。スイッチ素子Ｑ３のターンオフ過程が開始されると、第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４が、第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４→トランスの一次コイルＷ１→インダクタＬｓ→帰還ダイオードＤ１→直流電源１→第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の経路と、第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４→帰還ダイオードＤ３→直流電源１→第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の経路とで放電し、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が０Ｖに向けて低下していく。スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧が低下していくと、スイッチ素子Ｑ４と共に電源電圧Ｅを負担しているスイッチ素子Ｑ３の両端の電圧が電源電圧Ｅに向けて直線的に上昇していき、スナバキャパシタＣ３が充電されていく。従ってスイッチ素子Ｑ３がソフトスイッチングによりターンオフする。

第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の放電が完了して第２のキャパシタＣ６及びスナバキャパシタＣ４の両端の電圧が０Ｖになると、帰還ダイオードＤ４の逆バイアスが解除されて帰還ダイオードＤ４に電流が流れるようになるため、スイッチ素子Ｑ４の両端の電圧がほぼ０Ｖになる。この状態でスイッチ素子Ｑ４に駆動信号Ｓ４を与えることにより、スイッチ素子Ｑ４をソフトスイッチングによりをオン状態にして、スイッチ素子Ｑ１とＱ４とを同時に導通させる状態に移行させることができる。

上記の各実施形態では、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との接続点を容量切換えスイッチＱ５を通してインバータの第２の入力端子ｂに接続しているが、図３に示したように、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との接続点を容量切換えスイッチＱ５を通してインバータの第１の入力端子ａに接続しても同様の動作を行わせることができる。

上記のように、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との接続点を容量切換えスイッチＱ５を通してインバータＩＮＶの第１の入力端子ａ又は第２の入力端子ｂに接続して、整流回路Ｒｅｃからフィルタ回路Ｆを通して負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出器４と、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が設定値以下のときに容量切換えスイッチＱ５をオフ状態にし、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチＱ５をオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチを制御するようにすると、回路に含まれるインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが少ない軽負荷時には、容量切換えスイッチＱ５を開いた状態にして、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６を直列に接続した状態で基準相のレグのいずれかのアームのスイッチ素子又は制御相のレグのいずれかのアームのスイッチ素子の両端に並列接続して、第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の合成静電容量を小さくした状態でその充電又は放電を行わせるので、軽負荷時にも各スイッチ素子のソフトスイッチングを完全に行わせることができる。また回路のインダクタンスに蓄積される電磁エネルギが十分に多くなる重負荷時には、容量切換えスイッチを閉じた状態にして、第１のキャパシタＣ５又は第２のキャパシタＣ６を単独で基準相のレグのいずれかのアームのスイッチ素子又は制御相のレグのいずれかのスイッチ素子に並列に接続して、上記直列合成容量よりも大きい静電容量を有する第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６のそれぞれを充電又は放電させるので、ソフトスイッチングを行うために静電容量が大きいスナバキャパシタを必要とする重負荷時にも、各スイッチ素子のソフトスイッチングを確実に行わせることができる。

本発明が対象とするＤＣーＤＣコンバータでは、電源電圧が高い場合ほど第１及び第２のキャパシタＣ５及びＣ６の充放電に多くのエネルギが必要であり、またインバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど、制御相のスナバキャパシタの充放電を行わせる電磁エネルギが少なくなるため、上記の実施形態のように、インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくし、上記位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように負荷電流設定値設定手段を構成しておくと、スイッチ素子のソフトスイッチングを行わせるためのスナバキャパシタの容量の切換を適確に行わせることができる。

しかしながら本発明は、上記の実施形態のように負荷電流設定値設定手段６を構成する場合に限定されるものではない。例えば、負荷電流設定値設定手段６は、インバータに与えられる直流電圧Ｅが高い場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成されていてもよく、インバータの基準相のレグ２の各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと基準相のレグ２の各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグ３のスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成されていてもよい。

上記の実施形態のように、インバータＩＮＶの第１及び第２の出力端子ｃ及びｄ間に第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との直列回路を接続して、第１のキャパシタＣ５と第２のキャパシタＣ６との接続点を、容量切換えスイッチＱ５を通してインバータの第１の入力端子ａ又は第２の入力端子ｂに接続するとともに、整流回路Ｒｅｃからフィルタ回路Ｆを通して負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出器４と、負荷電流の設定値を設定する負荷電流設定値設定手段６と、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が負荷電流設定値設定手段により設定された設定値以下のときに容量切換えスイッチＱ５をオフ状態にし、負荷電流検出器４により検出された負荷電流が設定値を超えているときに容量切換えスイッチＱ５をオン状態にするように負荷電流に応じて容量切換えスイッチＱ５を制御するスイッチ制御部７とを設けておくと、インバータの各レグの上下のアームのスイッチ素子のスイッチングを行わせる際に各スイッチ素子の両端の電圧の変化を緩和する働きをするスナバキャパシタの容量を、負荷電流の大きさに応じて調整することができるため、負荷の変動範囲が大きい場合に、軽負荷時にも重負荷時にも各スイッチ素子のソフトスイッチングを確実に行わせることができる。

上記の各実施形態では、トランスの二次側に設ける整流回路Ｒｅｃを両波整流回路としたが、トランスの二次側に設ける整流回路Ｒｅｃは、各アームをダイオードにより構成したフルブリッジ回路からなる周知のダイオードブリッジ全波整流回路としてもよい。整流回路Ｒｅｃをダイオードブリッジ全波整流回路とする場合には、トランスＴｓｆの二次コイルにセンタタップを設けることなく、該二次コイルの誘起電圧を全波整流回路の交流入力端子間に印加する。

１ 直流電源
２ 基準相のレグ
３ 制御相のレグ
４ 負荷電流検出器
６ 負荷電流設定値設定手段
７ スイッチ制御部
ＩＮＶ フルブリッジインバータ
Ｑ１ 基準相のレグの上アームのスイッチ素子
Ｃ１ 基準相のレグの上アームのスナバキャパシタ
Ｄ１ 基準相のレグの上アームの帰還ダイオード
Ｑ２ 基準相のレグの下アームのスイッチ素子
Ｃ２ 基準相のレグの下アームのスナバキャパシタ
Ｄ２ 基準相のレグの下アームの帰還ダイオード
Ｑ３ 制御相のレグの上アームのスイッチ素子
Ｃ３ 制御相のレグの上アームのスナバキャパシタ
Ｄ３ 制御相のレグの上アームの帰還ダイオード
Ｑ４ 制御相のレグの下アームのスイッチ素子
Ｃ４ 制御相のレグの下アームのスナバキャパシタ
Ｄ４ 制御相のレグの下アームの帰還ダイオード
Ｃ５ 第１のキャパシタ
Ｃ６ 第２のキャパシタ
Ｑ５ 容量切換えスイッチ
Ｔｒ トランス
Ｗ１ 一次コイル
Ｗ２ 二次コイル
Ｌｓ インダクタ
Ｒｅｃ 整流回路
Ｄｒ１ 第１の整流用ダイオード
Ｄｒ２ 第２の整流用ダイオード
Ｃｏ キャパシタ
Ｌｏ チョークコイル
Ｒｏ 負荷

Claims (6)

1. 直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジ型のインバータと、前記インバータの出力が一次コイルに入力されたトランスと、前記トランスの二次コイルの誘起電圧を整流する整流回路と、前記整流回路の出力からリップルを除去するフィルタ回路とを備えたＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
   前記インバータは、互いに並列接続された基準相のレグと制御相のレグとを備えて、各レグが互いに直列に接続された上アームと下アームとを有し、各レグの各アームはスイッチ素子と該スイッチ素子に逆並列接続された帰還ダイオードとを有して、前記基準相のレグと制御相のレグとの並列回路の上アーム側の端部及び下アーム側の端部をそれぞれ第１及び第２の入力端子とするとともに、前記基準相のレグの上下のアームの接続点及び制御相のレグの上下のアームの接続点をそれぞれ第１及び第２の出力端子とした構成を有し、
   前記インバータの第１及び第２の出力端子間に第１のキャパシタと第２のキャパシタとの直列回路が接続されて、前記第１のキャパシタと第２のキャパシタとの接続点が容量切換えスイッチを通して前記インバータの第１の入力端子又は第２の入力端子に接続され、
   前記整流回路から前記フィルタ回路を通して負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出器と、前記負荷電流の設定値を設定する負荷電流設定値設定手段と、前記負荷電流検出器により検出された負荷電流が前記負荷電流設定値設定手段により設定された設定値以下のときに前記容量切換えスイッチをオフ状態にし、前記負荷電流検出器により検出された負荷電流が前記設定値を超えているときに前記容量切換えスイッチをオン状態にするように前記負荷電流に応じて前記容量切換えスイッチを制御するスイッチ制御部とが設けられていること、
   を特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
2. 前記負荷電流設定値設定手段は、前記インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど前記負荷電流の設定値を小さくするように構成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
3. 前記負荷電流設定値設定手段は、前記インバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど前記負荷電流の設定値を小さくするように構成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
4. 前記負荷電流設定値設定手段は、前記インバータに与えられる直流電圧が高い場合ほど前記負荷電流の設定値を小さくし、前記インバータの基準相のレグの各スイッチ素子をオン状態にするタイミングと、基準相のレグの各スイッチ素子の対角位置にある制御相のレグのスイッチ素子をオン状態にするタイミングとの間の位相角αが大きい場合ほど負荷電流の設定値を小さくするように構成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
5. 前記トランスの一次コイルに対して直列にインダクタが接続されている請求項１ないし４のいずれか一つに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
6. 前記フィルタ回路は、負荷に対して直列に接続されたチョークコイルを備えている請求項１ないし５の何れか一つに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。

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