JP6026749B2 - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents

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本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置および熱処理方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。
そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置として、特許文献１には、半導体ウェハーをホットプレートに載置して所定の温度まで予備加熱し、その後フラッシュランプからのフラッシュ光照射によって表面温度を所望の処理温度にまで昇温する装置が開示されている。また、特許文献２には、半導体ウェハーの上側にフラッシュランプを配置するとともに、下側にハロゲンランプを配置し、ハロゲンランプからの光照射によって半導体ウェハーを予備加熱し、その後フラッシュランプからウェハー表面にフラッシュ光照射を行う装置が開示されている。いずれにおいても、注入された不純物の拡散が生じない温度まで予備加熱し、その後半導体ウェハーの表面にフラッシュ光照射を行って表面を急速に処理温度にまで加熱して不純物活性化を実行している。
特開２００７−５５３２号公報 特開２００９−２３１６７６号公報
上述した従来のフラッシュランプアニールでは、予備加熱後に半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射して表面温度を急速に上昇させている。そうすると、半導体ウェハーの厚さ方向において最も温度が高くなるのは表面であり、最も温度が低くなるのは必ず裏面となる。その結果、半導体ウェハーの表面には大きな熱膨張が生じるのに対して、裏面では熱膨張の程度が相対的に小さいため、裏面に引張応力が作用する。
また、半導体ウェハーに裏面には傷が存在する場合がある。このような傷はフラッシュランプアニールよりも前の工程にて形成されることが多い。裏面に傷が存在する半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射して加熱すると、裏面には引張応力が作用し、その結果裏面の傷を起点としてウェハー割れが発生するという問題が生じていた。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を支持する支持部材と、前記支持部材に支持された基板の裏面の全面にフラッシュ光を照射して前記基板を裏面から加熱する第１フラッシュランプと、前記支持部材に支持された基板の表面にフラッシュ光を照射して前記基板を表面から加熱する第２フラッシュランプと、を備え、前記第１フラッシュランプおよび前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射時間は１０ミリ秒〜１０００ミリ秒であり、前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間および前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うことを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記第１フラッシュランプの発光出力と前記第２フラッシュランプの発光出力とは異なることを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の始期と前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の始期とは異なることを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期と前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期とは異なることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る熱処理装置において、前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いことを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記第１フラッシュランプおよび前記第２フラッシュランプは棒状ランプであり、前記第１フラッシュランプと前記第２フラッシュランプとは互いに直交するように配置されることを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記支持部材の周囲に前記第１フラッシュランプと前記第２フラッシュランプとの間を遮光する遮光部材を設けることを特徴とする。
また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記支持部材は、石英にて形成され、ベルヌーイ効果によって前記基板を非接触で保持するベルヌーイチャックを含むことを特徴とする。
また、請求項９の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、チャンバー内にて支持部材に支持された基板の裏面の全面にフラッシュ光を照射して前記基板を裏面から加熱する裏面フラッシュ加熱工程と、前記支持部材に支持された前記基板の表面にフラッシュ光を照射して前記基板を表面から加熱する表面フラッシュ加熱工程と、を備え、前記裏面フラッシュ加熱工程および前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射時間は１０ミリ秒〜１０００ミリ秒であり、前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間および前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うことを特徴とする。
また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る熱処理方法において、前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光の発光出力と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光の発光出力とは異なることを特徴とする。
また、請求項１１の発明は、請求項９または請求項１０の発明に係る熱処理方法において、前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の始期と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の始期とは異なることを特徴とする。
また、請求項１２の発明は、請求項９から請求項１１のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期とは異なることを特徴とする。
また、請求項１３の発明は、請求項１２の発明に係る熱処理方法において、前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いことを特徴とする。
請求項１から請求項８の発明によれば、基板の裏面にフラッシュ光を照射する第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間および基板の表面にフラッシュ光を照射する第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うため、フラッシュ光照射時の最低温度領域は基板の厚さ方向内部に現出することとなり、フラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる。
特に、請求項５の発明によれば、第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期は、裏面から表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いため、第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期の時点でも裏面側から表面側への熱伝導によって表面側の加熱を補助することができる。
特に、請求項６の発明によれば、第１フラッシュランプおよび第２フラッシュランプは棒状ランプであり、第１フラッシュランプと第２フラッシュランプとは互いに直交するように配置されるため、棒状ランプからのフラッシュ光照射に起因した照度ムラを第１フラッシュランプおよび第２フラッシュランプが相互に解消して基板の面内温度分布を均一にすることができる。
特に、請求項７の発明によれば、支持部材の周囲に第１フラッシュランプと第２フラッシュランプとの間を遮光する遮光部材を設けるため、各フラッシュランプからのフラッシュ光が基板の端縁部を回り込むのを防止することができる。
特に、請求項８の発明によれば、支持部材は、石英にて形成され、ベルヌーイ効果によって基板を非接触で保持するベルヌーイチャックを含むため、フラッシュ光照射時に基板の変形を拘束する応力が作用せず、基板の割れを防止することができる。
また、請求項９から請求項１３の発明によれば、基板の裏面にフラッシュ光を照射する裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間および基板の表面にフラッシュ光を照射する表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うため、フラッシュ光照射時の最低温度領域は基板の厚さ方向内部に現出することとなり、フラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる。
特に、請求項１３の発明によれば、裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期は、裏面から表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いため、表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期の時点でも裏面側から表面側への熱伝導によって表面側の加熱を補助することができる。
本発明に係る熱処理装置の要部構成を示す図である。 上側フラッシュランプ、下側フラッシュランプおよびハロゲンランプの配置関係を示す斜視図である。 フラッシュランプの駆動回路を示す図である。 図１の熱処理装置における半導体ウェハーの処理手順を示すフローチャートである。 第１実施形態における半導体ウェハーの表面および裏面の温度変化を示す図である。 第１実施形態における下側フラッシュランプおよび上側フラッシュランプの発光出力プロファイルを示す図である。 第１実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 第２実施形態における半導体ウェハーの表面および裏面の温度変化を示す図である。 第２実施形態における下側フラッシュランプおよび上側フラッシュランプの発光出力プロファイルを示す図である。 第２実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 第３実施形態における半導体ウェハーの表面および裏面の温度変化を示す図である。 第３実施形態における下側フラッシュランプおよび上側フラッシュランプの発光出力プロファイルを示す図である。 第３実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 第４実施形態における半導体ウェハーの表面および裏面の温度変化を示す図である。 第４実施形態における下側フラッシュランプおよび上側フラッシュランプの発光出力プロファイルを示す図である。 第４実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 第４実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 第５実施形態の熱処理装置の要部構成を示す図である。 ベルヌーイチャックの一例を示す図である。 第５実施形態における半導体ウェハーの表面および裏面の温度変化を示す図である。 第５実施形態における下側フラッシュランプおよび上側フラッシュランプの発光出力プロファイルを示す図である。 第５実施形態における半導体ウェハーの厚さ方向における温度分布を示す図である。 上側フラッシュランプおよび下側フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の一例を示すタイミングチャートである。 上側フラッシュランプおよび下側フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の他の例を示すタイミングチャートである。 上側フラッシュランプおよび下側フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の他の例を示すタイミングチャートである。 ベルヌーイチャックの他の例を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の要部構成を示す図である。この熱処理装置１は、基板としての略円形の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射して加熱処理を行うフラッシュランプアニール装置である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
熱処理装置１は、主たる構成として、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６と、チャンバー６内にて半導体ウェハーＷを保持する保持部７と、保持部７に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載部７９と、チャンバー６の上側に設けられた上側加熱部５と、チャンバー６の下側に設けられた下側加熱部４と、チャンバー６内に処理ガスを供給するガス供給部８と、チャンバー６から排気を行う排気部２と、を備えている。また、熱処理装置１は、これらの各部を制御して半導体ウェハーＷの加熱処理を実行させる制御部３を備える。
チャンバー６は、上下両端が開放された略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３を備える。チャンバー側部６３は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール等）にて形成される。チャンバー６の上部開口および下部開口には上側チャンバー窓６１および下側チャンバー窓６４がそれぞれ装着されて閉塞されている。チャンバー側部６３、上側チャンバー窓６１および下側チャンバー窓６４によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６１は、石英により形成された円板形状部材であり、上側加熱部５から出射された光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。同様に、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も石英により形成された円板形状部材であり、下側加熱部４から出射された光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。
また、熱処理空間６５の気密性を維持するために、上側チャンバー窓６１および下側チャンバー窓６４とチャンバー側部６３とは図示省略のＯリングによってシールされている。具体的には、上側チャンバー窓６１の下面周縁部および下側チャンバー窓６４の上面周縁部とチャンバー側部６３との間にそれぞれＯリングを挟み込み、これらの隙間から気体が流出入するのを防いでいる。
チャンバー側部６３には、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６が設けられている。搬送開口部６６は、図示を省略するゲートバルブによって開閉可能とされている。搬送開口部６６が開放されると、図外の搬送ロボットによってチャンバー６に対する半導体ウェハーＷの搬入および搬出が可能となる。また、搬送開口部６６が閉鎖されると、熱処理空間６５が外部との通気が遮断された密閉空間となる。
チャンバー６内に設けられた保持部７は、支持リング７２および遮光部材７１を備える。遮光部材７１は、チャンバー側部６３の内側壁面に固設されている。遮光部材７１は、フラッシュランプＦＬおよびハロゲンランプＨＬからの光に対して不透明な材質、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）などのセラミックによって形成すれば良い。遮光部材７１は、略円筒形状のチャンバー側部６３の内壁から突出するように円環形状に設けられている。遮光部材７１の上面内周部に支持リング７２が載置されている。すなわち、支持リング７２の周囲に遮光部材７１が設けられている。
支持リング７２は円環形状（リング状）の板状部材である。支持リング７２は、例えば炭化ケイ素にて形成される。円環形状の支持リング７２の外径は半導体ウェハーＷの直径（本実施形態ではφ３００ｍｍ）よりも大きい。また、支持リング７２の内径は半導体ウェハーＷの直径よりも若干小さい。このため、支持リング７２は、その内周部分にて半導体ウェハーＷの周縁部を支持することができる。
チャンバー６内に搬入された半導体ウェハーＷは、支持リング７２によってチャンバー６内にて水平姿勢（主面の法線が鉛直方向に向く姿勢）で支持される。本実施形態では、支持リング７２および遮光部材７１がいずれもフラッシュランプＦＬおよびハロゲンランプＨＬからの光に対して不透明な材質にて形成されているため、支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの周囲において上側加熱部５と下側加熱部４とが光学的に遮断されている。すなわち、上側加熱部５からの光が半導体ウェハーＷの周縁部外方を回り込んで下面周縁部に到達することはなく、逆に下側加熱部４からの光が上面周縁部に到達することも防がれる。
保持部７の下方には移載部７９が設けられている。移載部７９は、図示省略の駆動機構によって水平方向の移動と鉛直方向の移動とが可能に構成されている。移載動作を行わないときには、移載部７９は遮光部材７１の下側の待機位置に待機している。保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う際には、移載部７９が待機位置から支持リング７２の内周よりも内側に水平移動した後、鉛直方向に沿って上昇する。これにより、移載部７９のピンの上端が支持リング７２の上面から突き出る。移載動作が終了すると、移載部７９は再び待機位置に戻る。
ガス供給部８は、チャンバー６内の熱処理空間６５に処理ガスを供給する。ガス供給部８は、処理ガス供給源８１とバルブ８２とを備えており、バルブ８２を開放することによって熱処理空間６５に処理ガスを供給する。ガス供給部８が供給する処理ガスとしては、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガス、または、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、塩素（Ｃｌ２）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、塩化水素（ＨＣｌ）、オゾン（Ｏ３）、アンモニア（ＮＨ３）などの反応性ガスを用いることができる。なお、処理ガス供給源８１としては、熱処理装置１内に設けられた気体タンクと送給ポンプとで構成するようにしても良いし、熱処理装置１が設置される工場の用力を用いるにようにしても良い。
排気部２は、排気装置２１およびバルブ２２を備えており、バルブ２２を開放することによってチャンバー６内の雰囲気を排気する。排気装置２１としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気装置２１として真空ポンプを採用し、ガス供給部８から処理ガスを供給することなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気装置２１として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給部８から処理ガスを供給することなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧よりも低い気圧に減圧することができる。
本実施形態においては、保持部７に半導体ウェハーＷが保持されているときには、遮光部材７１、支持リング７２および半導体ウェハーＷによって熱処理空間６５が上下に雰囲気分離される。このため、図１に示すように、熱処理空間６５の保持部７よりも上側と下側のそれぞれにガス供給部８が処理ガスを供給するとともに、それぞれから排気部２が排気を行うようにするのが好ましい。
上側加熱部５は、チャンバー６の上方に設けられている。上側加熱部５は、複数本のフラッシュランプＦＬを有する光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。上側加熱部５は、チャンバー６内にて支持リング７２に支持される半導体ウェハーＷの上面に石英の上側チャンバー窓６１を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する。
一方、下側加熱部４は、チャンバー６の下方に設けられている。下側加熱部４は、複数本のフラッシュランプＦＬおよび複数本のハロゲンランプＨＬを有する光源と、その光源の下方を覆うように設けられたリフレクタ４２と、を備えて構成される。下側加熱部４は、チャンバー６内にて支持リング７２に支持される半導体ウェハーＷの下面に石英の下側チャンバー窓６４を介してフラッシュランプＦＬまたはハロゲンランプＨＬから光を照射する。なお、上側加熱部５のフラッシュランプＦＬと下側加熱部４のフラッシュランプＦＬとを特に区別するときには、上側加熱部５のフラッシュランプＦＬを上側フラッシュランプ（第２フラッシュランプ）ＵＦＬと称し、下側加熱部４のフラッシュランプＦＬを下側フラッシュランプ（第１フラッシュランプ）ＬＦＬと称する。上側フラッシュランプＵＦＬと下側フラッシュランプＬＦＬとは配置位置が異なるものの同一の棒状のキセノンフラッシュランプであり、それらの区別を要しないときには単にフラッシュランプＦＬとする。
図２は、上側フラッシュランプＵＦＬ、下側フラッシュランプＬＦＬおよびハロゲンランプＨＬの配置関係を示す斜視図である。複数の上側フラッシュランプＵＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が支持リング７２に支持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。同様に、複数の下側フラッシュランプＬＦＬもそれぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が支持リング７２に支持される半導体ウェハーＷの主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。
図２に示すように、上側加熱部５の上側フラッシュランプＵＦＬと下側加熱部４の下側フラッシュランプＬＦＬとは互いに直交するように配置されている。すなわち、上側加熱部５の上方から見ると、上側フラッシュランプＵＦＬの配列と下側フラッシュランプＬＦＬの配列とが井桁状に交差するように配置されている。
図３は、フラッシュランプＦＬの駆動回路を示す図である。同図に示すように、コンデンサ９３と、コイル９４と、フラッシュランプＦＬと、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）９６とが直列に接続されている。また、図３に示すように、制御部３は、パルス発生器３１および波形設定部３２を備えるとともに、入力部３３に接続されている。入力部３３としては、キーボード、マウス、タッチパネル等の種々の公知の入力機器を採用することができる。入力部３３からの入力内容に基づいて波形設定部３２がパルス信号の波形を設定し、その波形に従ってパルス発生器３１がパルス信号を発生する。
フラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部に陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）９２と、該ガラス管９２の外周面上に付設されたトリガー電極９１とを備える。コンデンサ９３には、電源ユニット９５によって所定の電圧が印加され、その印加電圧（充電電圧）に応じた電荷が充電される。また、トリガー電極９１にはトリガー回路９７から高電圧を印加することができる。トリガー回路９７がトリガー電極９１に電圧を印加するタイミングは制御部３によって制御される。
ＩＧＢＴ９６は、ゲート部にＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor）を組み込んだバイポーラトランジスタであり、大電力を取り扱うのに適したスイッチング素子である。ＩＧＢＴ９６のゲートには制御部３のパルス発生器３１からパルス信号が印加される。ＩＧＢＴ９６のゲートに所定値以上の電圧（Highの電圧）が印加されるとＩＧＢＴ９６がオン状態となり、所定値未満の電圧（Lowの電圧）が印加されるとＩＧＢＴ９６がオフ状態となる。このようにして、フラッシュランプＦＬを含む駆動回路はＩＧＢＴ９６によってオンオフされる。ＩＧＢＴ９６がオンオフすることによってフラッシュランプＦＬと対応するコンデンサ９３との接続が断続される。
コンデンサ９３が充電された状態でＩＧＢＴ９６がオン状態となってガラス管９２の両端電極に高電圧が印加されたとしても、キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管９２内に電気は流れない。しかしながら、トリガー回路９７がトリガー電極９１に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には両端電極間の放電によってガラス管９２内に電流が瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。
図３に示すような駆動回路は、上側加熱部５の複数の上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側加熱部４の複数の下側フラッシュランプＬＦＬのそれぞれに個別に設けられている。従って、上側フラッシュランプＵＦＬと下側フラッシュランプＬＦＬとでは互いに異なる制御態様とすることができる。
図２に戻り、下側加熱部４の複数のハロゲンランプＨＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が支持リング７２に支持される半導体ウェハーＷの主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。図２に示すように、下側フラッシュランプＬＦＬとハロゲンランプＨＬとは互いに直交するように配置されている。よって、上側フラッシュランプＵＦＬとハロゲンランプＨＬとは結果的に互いに平行となる。
また、下側加熱部４において、下側フラッシュランプＬＦＬの配列面はハロゲンランプＨＬの配列面よりも上側となる。すなわち、下側フラッシュランプＬＦＬはハロゲンランプＨＬよりもチャンバー６内の支持リング７２に近い位置に配置されている。従って、ハロゲンランプＨＬから出射された光の一部はフラッシュランプＦＬを透過してチャンバー６内に入射することとなる。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。
図１に戻り、上側加熱部５のリフレクタ５２は、複数の上側フラッシュランプＵＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数の上側フラッシュランプＵＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。一方、下側加熱部４のリフレクタ４２は、複数の下側フラッシュランプＬＦＬおよびハロゲンランプＨＬの下方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ４２の基本的な機能は、複数の下側フラッシュランプＬＦＬおよび複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２およびリフレクタ４２は、アルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。また、図３に示したように、制御部３は、パルス発生器３１および波形設定部３２を備える。上述のように、入力部３３からの入力内容に基づいて、波形設定部３２がパルス信号の波形を設定し、それに従ってパルス発生器３１がＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力する。
次に、上記構成を有する熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。図４は、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
まず、図示省略のゲートバルブが開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される（ステップＳ１１）。第１実施形態において、処理対象となる半導体ウェハーＷは、表面にパターン形成がなされて不純物が注入されたシリコンの半導体基板である。なお、パターン形成および不純物注入は、例えば、熱処理装置１とは別に設置されたフォトリソグラフィ装置およびイオン注入装置によってそれぞれ行うようにすれば良い。
このような半導体ウェハーＷを保持した搬送ロボットのハンドが搬送開口部６６からチャンバー６内に進入し、保持部７の直上（正確には、半導体ウェハーＷの中心軸と支持リング７２の中心軸とが一致する位置）にて停止する。続いて、移載部７９が遮光部材７１の下側の待機位置から支持リング７２の内周よりも内側に水平移動した後、鉛直方向に沿って上昇し、移載部７９のピンが支持リング７２よりも上側に突き出て搬送ロボットのハンドから半導体ウェハーＷを受け取る。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー６から退出するとともに、搬送開口部６６が閉鎖されることによりチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。そして、半導体ウェハーＷを受け取った移載部７９が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載部７９のピンから支持リング７２に渡される（ステップＳ１２）。半導体ウェハーＷは、その中心軸が支持リング７２の中心軸と一致するように支持される。よって、支持リング７２は、半導体ウェハーＷの全周にわたって周縁部下面を支持する。支持リング７２に半導体ウェハーＷを渡した移載部７９は待機位置に戻る。
ここで、半導体ウェハーＷの表面とはデバイスが形成される主面であり、上述のように表面にはパターン形成がなされて不純物が注入されている。半導体ウェハーＷの表面においては、パターンによって光の吸収率が異なるために吸収率の面内分布が均一ではない。一方、半導体ウェハーＷの裏面とは、表面とは反対側の主面である。半導体ウェハーＷの裏面には、通常は膜形成もパターン形成もなされない。但し、表面に膜形成がなされた結果として不可避的に裏面にも、例えば酸化膜、窒化膜、ポリシリコンなどの薄膜が形成されることはあるが、このような場合には均一な膜形成がなされる。いずれにしても、半導体ウェハーＷの裏面においては、光の吸収率の面内分布は均一である。また、半導体ウェハーＷの裏面には、前工程であるフォトリソグラフィ装置やイオン注入装置にて傷が形成されていることがある。
第１実施形態では、半導体ウェハーＷの表面が上面を向いた状態でチャンバー６内に搬入されて支持リング７２に支持される。なお、半導体ウェハーＷの上面とは鉛直方向の上側を向いている主面であり、下面とは下側を向いている面である。よって、半導体ウェハーＷの表面が上面を向いていることもあり、下面を向いていることもある。
また、搬送開口部６６が閉鎖されて熱処理空間６５が密閉空間とされた後、バルブ８２が開放されてガス供給部８から熱処理空間６５に処理ガス（本実施形態では窒素ガス）を供給する。これとともに、バルブ２２が開放されて排気部２が熱処理空間６５から排気を行う。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５に窒素ガスの気流が形成され、保持部７に保持された半導体ウェハーＷの周辺は窒素雰囲気とされる。なお、チャンバー６内の雰囲気置換効率を高める観点からは、処理ガスを供給することなく排気部２が熱処理空間６５の排気を行って一旦大気圧よりも低い減圧雰囲気とした後に、ガス供給部８から処理ガスを供給するのが好ましい。
半導体ウェハーＷが保持部７の支持リング７２に載置されて支持された後、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱が開始される（ステップＳ１３）。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４を透過して支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの裏面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷの温度が上昇する。なお、移載部７９は遮光部材７１の下側の待機位置に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の障害となることは無い。また、ハロゲンランプＨＬから出射された光の一部はフラッシュランプＦＬを透過して半導体ウェハーＷの裏面に照射されることとなるが、フラッシュランプＦＬはフィラメントを備えていないため、これも予備加熱の障害となることは無い。
半導体ウェハーＷは、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって予め設定された予備加熱温度にまで昇温される。予備加熱温度は３００℃以上８００℃以下であり、第１実施形態では５００℃としている。半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度に到達した後、半導体ウェハーＷをその予備加熱温度に暫時維持するように制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を維持する。具体的には、半導体ウェハーＷの温度は図示省略の温度センサ（接触式温度計または放射温度計）によって計測されており、当該温度センサによって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御して半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度に維持する。なお、半導体ウェハーＷの温度が室温から予備加熱温度に到達するまでの時間および予備加熱温度に維持される時間はいずれも数秒程度である。
次に、半導体ウェハーＷの温度を予備加熱温度に所定時間維持した後、下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬ（下側フラッシュランプＬＦＬ）および上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬ（上側フラッシュランプＵＦＬ）から半導体ウェハーＷの裏面および表面のそれぞれにフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を実行する（ステップＳ１４）。図５は、半導体ウェハーＷの表面および裏面の温度変化を示す図である。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度（本実施形態では５００℃）に到達して所定時間が経過した時刻ｔ１１に、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬおよび上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。フラッシュランプＦＬがフラッシュ光照射を行うに際しては、予め電源ユニット９５によってコンデンサ９３に電荷を蓄積しておく。そして、コンデンサ９３に電荷が蓄積された状態にて、制御部３のパルス発生器３１からＩＧＢＴ９６にパルス信号を出力してＩＧＢＴ９６をオンオフ駆動する。
パルス信号の波形は、パルス幅の時間（オン時間）とパルス間隔の時間（オフ時間）とをパラメータとして順次設定したレシピを入力部３３から入力することによって規定することができる。このようなレシピをオペレータが入力部３３から制御部３に入力すると、それに従って制御部３の波形設定部３２はオンオフを繰り返すパルス波形を設定する。そして、波形設定部３２によって設定されたパルス波形に従ってパルス発生器３１がパルス信号を出力する。その結果、ＩＧＢＴ９６のゲートにはオンオフを繰り返すパルス信号が印加され、ＩＧＢＴ９６のオンオフ駆動が制御されることとなる。具体的には、ＩＧＢＴ９６のゲートに入力されるパルス信号がオンのときにはＩＧＢＴ９６がオン状態となってコンデンサ９３およびフラッシュランプＦＬを含む回路が閉じることとなり、パルス信号がオフのときにはＩＧＢＴ９６がオフ状態となって当該回路が開くこととなる。
また、パルス発生器３１から出力するパルス信号がオンになるタイミングと同期して制御部３がトリガー回路９７を制御してトリガー電極９１に高電圧（トリガー電圧）を印加する。コンデンサ９３に電荷が蓄積された状態にてＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号が入力され、かつ、そのパルス信号がオンになるタイミングと同期してトリガー電極９１に高電圧が印加されることにより、パルス信号がオンのときにはガラス管９２内の両端電極間で必ず電流が流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。
制御部３からＩＧＢＴ９６のゲートにオンオフを繰り返すパルス信号を出力するとともに、該パルス信号がオンになるタイミングと同期してトリガー電極９１に高電圧を印加することにより、フラッシュランプＦＬを含む回路中に断続的に電流が流れる。このように、回路中にスイッチング素子たるＩＧＢＴ９６を接続してそのゲートにオンオフを繰り返すパルス信号を出力することにより、コンデンサ９３からフラッシュランプＦＬへの電荷の供給をＩＧＢＴ９６によって断続してフラッシュランプＦＬに流れる電流を制御しているのである。すなわち、ＩＧＢＴ９６のゲートに入力されるパルス信号がオンのときにはフラッシュランプＦＬのガラス管９２内に流れる電流値が増加し、オフのときには電流値が減少するようなノコギリ波形の電流がフラッシュランプＦＬに流れる。なお、各パルスに対応する個々の電流波形はコイル９４の定数によって規定される。
このようなノコギリ波形の電流が流れてフラッシュランプＦＬが発光する。ＩＧＢＴ９６によってコンデンサ９３からフラッシュランプＦＬへの電荷の供給を断続してフラッシュランプＦＬに流れる電流の波形をノコギリ波形とすることにより、いわばフラッシュランプＦＬの発光がチョッパ制御されることとなる。すなわち、コンデンサ９３に蓄積された電荷が分割して消費され、極めて短い時間の間にフラッシュランプＦＬが点滅を繰り返す。但し、フラッシュランプＦＬに流れる電流値が完全に”０”になる前に次のパルスがＩＧＢＴ９６のゲートに印加されて電流値が再度増加するため、フラッシュランプＦＬが点滅を繰り返している間も発光出力が完全に”０”になるものではない。従って、比較的間隔の短いパルス信号がＩＧＢＴ９６に出力されているときには、その間フラッシュランプＦＬが連続して発光していることとなる。
パルス信号の波形は、パルス幅の時間およびパルス間隔の時間を規定することによって任意に設定することができる。このため、ＩＧＢＴ９６のオンオフ駆動も任意に制御することができ、比較的パルス間隔の短いパルスを多数設定することにより、フラッシュランプＦＬの発光時間を１０ミリ秒〜１０００ミリ秒に適宜に設定することができる。
図６は、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形（プロファイル）を示す図である。第１実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光を時刻ｔ１１に同時に開始し、時刻ｔ１２に同時に終了している。また、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形も同じにしている。すなわち、下側フラッシュランプＬＦＬに対応するＩＧＢＴ９６および上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に同一のパルス信号を出力することにより、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬを同時期に同等の出力で発光させているのである。なお、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までのフラッシュランプＦＬの発光時間は４０ミリ秒としている。
支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期に同等の出力にてフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーＷが表裏からフラッシュ加熱される。これにより、図５に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が時刻ｔ１１から時刻ｔ１２にかけて急速に昇温して目標温度にまで到達する。目標温度は注入された不純物の活性化が達成される１０００℃以上であり、第１実施形態では１０５０℃としている。
また、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表裏面の昇温速度は毎秒１０００℃以上、毎秒４００００℃以下となるようにしている。この昇温速度は、ＩＧＢＴ９６のゲートに印加するパルス信号のパルス幅およびパルス間隔の時間を調整することによって設定することができる。表裏面の昇温速度が毎秒４００００℃を超えると、急激な熱膨張によって半導体ウェハーＷが割れるおそれがある。一方、昇温速度が毎秒１０００℃未満であると、注入された不純物の拡散が懸念される。また、半導体ウェハーＷの表面に形成した高誘電率膜（High-k膜）のアニール処理を行う場合であれば、昇温速度が毎秒１０００℃未満であるとシリコンの基材と高誘電率膜との間の酸化膜が成長する懸念がある。
図７は、半導体ウェハーＷの厚さ方向における温度分布を示す図である。同図は、時刻ｔ１２に半導体ウェハーＷの表裏面が目標温度（１０５０℃）に到達した時点での温度分布を示している。また、同図において、半導体ウェハーＷの表面からの深さを横軸に示している。第１実施形態の半導体ウェハーＷはφ３００ｍｍのシリコンウェハーであり、その厚さは規格によって０．７７５ｍｍに標準化されている。従って、深さ０ｍｍが半導体ウェハーＷの表面を示し、深さ０．７７５ｍｍが半導体ウェハーＷの裏面を示している。
半導体ウェハーＷの表面および裏面はともに時刻ｔ１２に目標温度に同時に到達する。また、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面で発生した熱は裏面側へと伝わり、裏面で発生した熱は表面側へと伝わる。その結果、図７に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が互いに等しい最高温度となり、厚さ方向の中央部が最低温度となるような温度分布が現出する。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面に同程度の熱膨張が生じ、最も温度の低い半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部近傍に引張応力が作用することとなる。
時刻ｔ１２に上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬによる同時期・同出力のフラッシュ光照射が終了すると、半導体ウェハーＷの温度が表裏ともに降温する。その後、所定時間（数秒）が経過した時点で下側加熱部４のハロゲンランプＨＬも消灯する。これにより、半導体ウェハーＷは予備加熱温度よりも低い温度にまで急速に降温する。
半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載部７９が待機位置から支持リング７２の内周よりも内側に水平移動した後、鉛直方向に沿って上昇し、移載部７９のピンが処理後の半導体ウェハーＷを持ち上げて支持リング７２から離間させる。そして、搬送開口部６６が開放されて搬送ロボットのハンドがチャンバー６内に進入し、半導体ウェハーＷの直下にて停止する。続いて、移載部７９が下降して搬送ロボットのハンドに処理後の半導体ウェハーＷを渡す。その後、半導体ウェハーＷを受け取った搬送ロボットのハンドがチャンバー６から退出することにより半導体ウェハーＷが搬出され、熱処理装置１におけるフラッシュ加熱処理が完了する（ステップＳ１５）。なお、搬送開口部６６を開放する前に、チャンバー６内の熱処理空間６５を大気雰囲気に置換するようにしても良い。
第１実施形態においては、予備加熱後の半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期に同等の出力にてフラッシュ光を照射している。これにより、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２にかけて半導体ウェハーＷの表面および裏面が同様に昇温して最高温度である目標温度に到達する。そして、フラッシュ光照射期間中には、半導体ウェハーＷの表面および裏面が常に最高温度となり、厚さ方向の中央部が常に最低温度となるような温度分布が生じる。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面には同程度の熱膨張が生じることとなり、これらの一方面に対して他方面の熱膨張に起因した引張応力は作用しない。その一方、最も温度の低い半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部近傍には、表面および裏面の熱膨張による引張応力が作用する。
このため、仮に前工程にて半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。
また、半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光を照射しているため、従来のように半導体ウェハーＷの表面にのみフラッシュ光を照射するのと比較して、ウェハー厚さ方向における最高温度と最低温度との温度差を小さくすることができる。このことによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを抑制することができる。
また、第１実施形態においては、上側加熱部５の上側フラッシュランプＵＦＬと下側加熱部４の下側フラッシュランプＬＦＬとが互いに直交するように配置されている。このため、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬにおける棒状ランプの配列に起因した照度ムラを互いに解消して半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。
また、支持リング７２および遮光部材７１がいずれもフラッシュランプＦＬおよびハロゲンランプＨＬからの光に対して不透明な材質にて形成されているため、上側加熱部５からの光が半導体ウェハーＷの周縁部外方を回り込んで下面周縁部に到達してその周縁部を加熱することは防がれる。同様に、下側加熱部４からの光が半導体ウェハーＷの周縁部外方を回り込んで上面周縁部に到達し、周縁部を加熱することも防止される。よって、半導体ウェハーＷの面内温度分布をより均一にすることができる。
さらに、半導体ウェハーＷの表面を同じ目標温度に到達させるのに、ウェハー表面にのみフラッシュ光を照射するのと比較してフラッシュランプＦＬの発光出力を小さくすることができる。このため、フラッシュ光照射時にフラッシュランプＦＬに流れる電流を小さくすることができ、フラッシュランプＦＬの負荷を低減することができる。特に、フラッシュランプＦＬの寿命は流れる電流が大きくなるほど短くなるため、本実施形態のようにすればフラッシュランプＦＬの寿命も長くすることができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置の構成は第１実施形態と全く同様である。また、第２実施形態における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と概ね同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、フラッシュランプＦＬの発光出力である。
第２実施形態においても、半導体ウェハーＷを予備加熱した後に、下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬ（下側フラッシュランプＬＦＬ）および上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬ（上側フラッシュランプＵＦＬ）から半導体ウェハーＷの裏面および表面のそれぞれにフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を実行する。図８は、第２実施形態における半導体ウェハーＷの表面および裏面の温度変化を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面温度を実線にて示し、裏面温度を点線にて示している。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度（５００℃）に到達して所定時間が経過した時刻ｔ２１に、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬおよび上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光制御は、概ね第１実施形態と同様である。すなわち、制御部３からＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力することによってコンデンサ９３から下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬへの電荷の供給を断続し、これらの発光をチョッパ制御している。
図９は、第２実施形態における下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形（プロファイル）を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力プロファイルを実線にて示し、裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力プロファイルを点線にて示している。第２実施形態においては、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬの発光を時刻ｔ２１に同時に開始し、時刻ｔ２２に同時に終了している。但し、図９に示すように、第２実施形態では、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力よりも大きくしている。具体的には、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号に比較的パルス幅の長い複数のパルスを設定し、下側フラッシュランプＬＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号には比較的パルス幅の短い複数のパルスを設定する。これにより、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６の総オン時間が長くなって、上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を下側フラッシュランプＬＦＬよりも大きくすることができる。なお、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までのフラッシュランプＦＬの発光時間は４０ミリ秒としている。
支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーＷが表裏からフラッシュ加熱される。これにより、図８に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が時刻ｔ２１から時刻ｔ２２にかけて急速に昇温する。
第２実施形態においては、発光時期は同じであるものの、上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力が下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力よりも大きい。よって、半導体ウェハーＷの表面に照射されるフラッシュ光の強度が裏面に照射されるフラッシュ光の強度よりも強くなり、表面の方がより早い昇温速度にて高い温度にまで昇温する。第２実施形態では、時刻ｔ２２に半導体ウェハーＷの表面が目標温度である１０５０℃に到達するようにしている。また、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面の昇温速度は毎秒１０００℃以上、毎秒４００００℃以下となるようにしている。なお、第２実施形態では、半導体ウェハーＷの裏面は目標温度である１０５０℃には到達しない。
図１０は、第２実施形態における半導体ウェハーＷの厚さ方向における温度分布を示す図である。同図は、時刻ｔ２２に半導体ウェハーＷの表面が目標温度に到達した時点での温度分布を示している。また、同図においては第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの表面からの深さを横軸に示している。
半導体ウェハーＷの表面は時刻ｔ２２に目標温度に到達する。一方、表面へのフラッシュ光の強度が強い第２実施形態においては、時刻ｔ２２における半導体ウェハーＷの裏面温度は目標温度よりは低い。但し、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面で発生した熱は裏面側へと伝わり、裏面で発生した熱は表面側へと伝わるのは第１実施形態と同様である。その結果、図１０に示すように、半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部よりも若干裏面寄りに最低温度領域が現出することとなる。半導体ウェハーＷの表面および裏面に生じた熱膨張に起因した引張応力は、この最低温度領域に作用する。
このように、第２実施形態においても第１実施形態と同様に、予備加熱後の半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光を照射している。但し、半導体ウェハーＷの表面に照射されるフラッシュ光の強度は裏面に照射されるフラッシュ光の強度よりも強い。このため、フラッシュ光照射期間中には、半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部よりも裏面寄りに最低温度領域が現出するものの、表面または裏面は最低温度とはならない。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面の熱膨張による引張応力は、厚さ方向中央部よりも若干裏面寄りの最低温度領域に作用する。
このため、第１実施形態と同様に、仮に前工程にて半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの厚さ方向における最高温度と最低温度との温度差を小さくすることによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを抑制することができる。さらには、フラッシュ光照射時にフラッシュランプＦＬに流れる電流を小さくしてフラッシュランプＦＬの負荷を低減することもできる。
また、第２実施形態においては、半導体ウェハーＷの裏面に照射するフラッシュ光の強度が比較的小さく、裏面の最高到達温度は目標温度未満であるため、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷ全体の温度を比較的低くすることができ、降温速度を速めることができる。その一方、第２実施形態では、半導体ウェハーＷの表面に照射するフラッシュ光の強度が比較的大きいため、表面に形成されたパターンによって光吸収率の面内分布が不均一となっている場合には、その影響を受けて表面の面内温度分布が不均一となりやすい。このため、第２実施形態は、表面のパターンに起因した吸収率の面内分布不均一が比較的軽度の半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱に好適である。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置の構成は第１実施形態と全く同様である。また、第３実施形態における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と概ね同様である。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、フラッシュランプＦＬの発光出力である。
第３実施形態においても、半導体ウェハーＷを予備加熱した後に、下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬ（下側フラッシュランプＬＦＬ）および上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬ（上側フラッシュランプＵＦＬ）から半導体ウェハーＷの裏面および表面のそれぞれにフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を実行する。図１１は、第３実施形態における半導体ウェハーＷの表面および裏面の温度変化を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面温度を実線にて示し、裏面温度を点線にて示している。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度（５００℃）に到達して所定時間が経過した時刻ｔ３１に、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬおよび上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光制御は、概ね第１実施形態と同様である。すなわち、制御部３からＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力することによってコンデンサ９３から下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬへの電荷の供給を断続し、これらの発光をチョッパ制御している。
図１２は、第３実施形態における下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形（プロファイル）を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力プロファイルを実線にて示し、裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力プロファイルを点線にて示している。第３実施形態においては、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬの発光を時刻ｔ３１に同時に開始し、時刻ｔ３２に同時に終了している。但し、図１２に示すように、第３実施形態では第２実施形態とは逆に、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力よりも小さくしている。具体的には、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号に比較的パルス幅の短い複数のパルスを設定し、下側フラッシュランプＬＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号には比較的パルス幅の長い複数のパルスを設定する。これにより、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６の総オン時間が短くなって、上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を下側フラッシュランプＬＦＬよりも小さくすることができる。なお、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までのフラッシュランプＦＬの発光時間は４０ミリ秒としている。
支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーＷが表裏からフラッシュ加熱される。これにより、図１１に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が時刻ｔ３１から時刻ｔ３２にかけて急速に昇温する。
第３実施形態においては、発光時期は同じであるものの、上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力が下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力よりも小さい。よって、半導体ウェハーＷの裏面に照射されるフラッシュ光の強度が表面に照射されるフラッシュ光の強度よりも強くなり、裏面の方がより早い昇温速度にて高い温度にまで昇温する。第３実施形態では、時刻ｔ３２に半導体ウェハーＷの表面が目標温度である１０５０℃に到達するようにしている。よって、第３実施形態では、半導体ウェハーＷの裏面の最高到達温度は目標温度である１０５０℃を超えることとなる。また、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面の昇温速度は毎秒１０００℃以上、毎秒４００００℃以下となるようにしている。
図１３は、第３実施形態における半導体ウェハーＷの厚さ方向における温度分布を示す図である。同図は、時刻ｔ３２に半導体ウェハーＷの表面が目標温度に到達した時点での温度分布を示している。また、同図においては第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの表面からの深さを横軸に示している。
半導体ウェハーＷの表面は時刻ｔ３２に目標温度に到達する。一方、裏面へのフラッシュ光の強度が強い第３実施形態においては、時刻ｔ３２における半導体ウェハーＷの裏面温度は目標温度よりも高くなる。但し、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面で発生した熱は裏面側へと伝わり、裏面で発生した熱は表面側へと伝わるのは第１実施形態と同様である。その結果、図１３に示すように、半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部よりも若干表面寄りに最低温度領域が現出することとなる。半導体ウェハーＷの表面および裏面に生じた熱膨張に起因した引張応力は、この最低温度領域に作用する。
このように、第３実施形態においても第１実施形態と同様に、予備加熱後の半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光を照射している。但し、半導体ウェハーＷの裏面に照射されるフラッシュ光の強度は表面に照射されるフラッシュ光の強度よりも強い。このため、フラッシュ光照射期間中には、半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部よりも表面寄りに最低温度領域が現出するものの、表面または裏面は最低温度とはならない。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面の熱膨張による引張応力は、厚さ方向中央部よりも若干裏面寄りの最低温度領域に作用する。
このため、第１実施形態と同様に、仮に前工程にて半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの厚さ方向における最高温度と最低温度との温度差を小さくすることによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを抑制することができる。さらには、フラッシュ光照射時にフラッシュランプＦＬに流れる電流を小さくしてフラッシュランプＦＬの負荷を低減することもできる。
また、第３実施形態においては第２実施形態とは逆に、半導体ウェハーＷの表面に照射するフラッシュ光の強度が比較的小さいため、表面に形成されたパターンによって光吸収率の面内分布が不均一となっている場合であっても、その影響を抑制することができる。但し、第３実施形態では、半導体ウェハーＷの裏面に照射するフラッシュ光の強度が比較的大きく、裏面の最高到達温度は目標温度を超えるため、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷ全体の温度が比較的高くなり、第２実施形態と比べて降温に長時間を要することとなる。よって、第３実施形態は、表面のパターンに起因した吸収率の面内分布不均一が比較的大きい半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱に好適である。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態の熱処理装置の構成は第１実施形態と全く同様である。また、第４実施形態における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と概ね同様である。第４実施形態が第１実施形態と相違するのは、フラッシュランプＦＬの発光時期および発光出力である。
第４実施形態においても、半導体ウェハーＷを予備加熱した後に、下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬ（下側フラッシュランプＬＦＬ）および上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬ（上側フラッシュランプＵＦＬ）から半導体ウェハーＷの裏面および表面のそれぞれにフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を実行する。図１４は、第４実施形態における半導体ウェハーＷの表面および裏面の温度変化を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面温度を実線にて示し、裏面温度を点線にて示している。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度（５００℃）に到達して所定時間が経過した時刻ｔ４１に、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。続いて、時刻ｔ４２に、制御部３の制御によって上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光制御は、概ね第１実施形態と同様である。すなわち、制御部３からＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力することによってコンデンサ９３から下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬへの電荷の供給を断続し、これらの発光をチョッパ制御している。
図１５は、第４実施形態における下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形（プロファイル）を示す図である。同図において、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力プロファイルを実線にて示し、裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力プロファイルを点線にて示している。第４実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬの発光を時刻ｔ４１に開始し、時刻ｔ４３に終了している。また、上側フラッシュランプＵＦＬの発光を時刻ｔ４１よりも後の時刻ｔ４２に開始し、時刻ｔ４３よりも後の時刻ｔ４４に終了している。すなわち、第４実施形態では、下側フラッシュランプＬＦＬを上側フラッシュランプＵＦＬよりも先に発光開始させて先に発光終了させているのである。時刻ｔ４１から時刻ｔ４３までの下側フラッシュランプＬＦＬの発光時間、および、時刻ｔ４２から時刻ｔ４４までの上側フラッシュランプＵＦＬの発光時間はいずれも４０ミリ秒である。また、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの経過時間および時刻ｔ４３から時刻ｔ４４までの経過時間、つまり上側フラッシュランプＵＦＬの発光時期を遅らす遅延時間は５ミリ秒としている。従って、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの３５ミリ秒間は、上側フラッシュランプＵＦＬの発光時期と下側フラッシュランプＬＦＬの発光時期とが重なっている。
また、図１５に示すように、半導体ウェハーＷの表面に照射する上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を裏面に照射する下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力よりも小さくしている。具体的には、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号に比較的パルス幅の短い複数のパルスを設定し、下側フラッシュランプＬＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号には比較的パルス幅の長い複数のパルスを設定する。これにより、上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６の総オン時間が短くなって、上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力を下側フラッシュランプＬＦＬよりも小さくすることができる。
支持リング７２に支持された半導体ウェハーＷの裏面に時刻ｔ４１に下側フラッシュランプＬＦＬからのフラッシュ光照射が開始されることによって、まず半導体ウェハーＷの裏面が加熱される。時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの間は、半導体ウェハーＷの表面にはフラッシュ光が照射されていない。従って、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの間は、半導体ウェハーＷの裏面側からのみ加熱されることとなる。
図１６および図１７は、第４実施形態における半導体ウェハーＷの厚さ方向における温度分布を示す図である。これら両図においては、半導体ウェハーＷの表面からの深さを横軸に示している。図１６は、時刻ｔ４２の直前、つまり半導体ウェハーＷの裏面のみにフラッシュ光が照射されている時点での温度分布を示している。
時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの間は、半導体ウェハーＷの裏面のみにフラッシュ光が照射されるため、厚さ方向の温度分布において裏面が最高温度となる。フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの裏面に発生した熱は表面側へと伝わるものの、この期間では図１６に示す如く半導体ウェハーＷの表面の温度が最も低い。但し、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの５ミリ秒程度の時間では、半導体ウェハーＷの裏面が大きくは昇温しないため、表面に大きな引張応力は作用しない。
続いて時刻ｔ４２には、半導体ウェハーＷの表面にもフラッシュ光が照射される。これにより、時刻ｔ４２以降は半導体ウェハーＷが表裏からフラッシュ加熱されることとなる。半導体ウェハーＷの表面には裏面よりも遅れてフラッシュ光が照射されるため、図１４に示すように、表面は裏面よりもやや遅れて昇温する。
時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの間は、半導体ウェハーＷの表面および裏面の双方にフラッシュ光が照射され続ける。そして、時刻ｔ４３に、表面に先行して半導体ウェハーＷの裏面へのフラッシュ光照射が終了する。半導体ウェハーＷの裏面には時刻ｔ４１から時刻ｔ４３までフラッシュ光が照射されることとなり、これにより、半導体ウェハーＷの裏面は時刻ｔ４１から時刻ｔ４３にかけて昇温する。
時刻ｔ４３から時刻ｔ４４までの間は、半導体ウェハーＷの表面のみにフラッシュ光が照射される。但し、この期間においても、先行して昇温している半導体ウェハーＷの裏面から表面への熱伝導は継続している。そして、時刻ｔ４４に、半導体ウェハーＷの表面へのフラッシュ光照射が終了する。半導体ウェハーＷの表面には時刻ｔ４２から時刻ｔ４４までフラッシュ光が照射されることとなり、これにより、半導体ウェハーＷの表面は時刻ｔ４２から時刻ｔ４４にかけて昇温する。
第４実施形態においては、時刻ｔ４４に半導体ウェハーＷの表面が目標温度である１０５０℃に到達するようにしている。また、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面の昇温速度は毎秒１０００℃以上、毎秒４００００℃以下となるようにしている。
図１７は、時刻ｔ４４に半導体ウェハーＷの表面が目標温度に到達した時点での厚さ方向における温度分布を示している。時刻ｔ４２に半導体ウェハーＷの表面へのフラッシュ光照射が開始されることによって、半導体ウェハーＷは表裏からフラッシュ加熱されることとなり、表面で発生した熱は裏面側へと伝わり、裏面で発生した熱は表面側へと伝わる。その結果、当初半導体ウェハーＷの表面に現出していた最低温度領域が厚さ方向内部へと移動し、時刻ｔ４４の時点では図１７に示すように、ほぼ厚さ方向の中央部近傍にまで移動している。時刻ｔ４４の時点で半導体ウェハーＷの表面に生じている熱膨張に起因した引張応力は、この厚さ方向中央部近傍の最低温度領域に作用する。なお、時刻ｔ４４の時点では、半導体ウェハーＷの裏面へのフラッシュ光照射は既に終了しているため、裏面温度は若干低下しており、表面に比較すると熱膨張の程度も小さくなっている。
以上のように、第４実施形態においては、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間と下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間とが一部オーバーラップしており、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間は半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光が照射される。このため、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２にかけて一旦は半導体ウェハーＷの表面に現出した最低温度領域が時刻ｔ４２以降は厚さ方向内部に移動し、表面が目標温度に到達する時刻ｔ４４では厚さ方向の中央部近傍にまで移動する。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面に大きな熱膨張が生じる時刻ｔ４３から時刻ｔ４４にかけては厚さ方向の内部に最低温度領域が存在しており、表面および裏面の熱膨張による引張応力はその内部の最低温度領域に作用する。
このため、第１実施形態と同様に、仮に前工程にて半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの厚さ方向における最高温度と最低温度との温度差を小さくすることによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを抑制することができる。特に、第４実施形態では、表面が目標温度に到達する時刻ｔ４４では最低温度領域と半導体ウェハーＷの裏面との温度差はほとんど無いため、裏面側から作用する応力は極めて小さい。さらには、フラッシュ光照射時にフラッシュランプＦＬに流れる電流を小さくしてフラッシュランプＦＬの負荷を低減することもできる。
また、第４実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の始期（時刻ｔ４１）が上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の始期（時刻ｔ４２）よりも早い。このため、裏面側からの熱伝導による補助を受けつつフラッシュ光照射によって表面を加熱することができ、上側フラッシュランプＵＦＬから照射するフラッシュ光の強度を小さくして表面に形成されたパターンによる影響を小さくすることができる。
また、第４実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の終期（時刻ｔ４３）が上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の終期（時刻ｔ４４）よりも早い。このため、半導体ウェハーＷの表面が目標温度に到達する時刻ｔ４４では裏面温度は若干低下している。その結果、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷ全体の温度を比較的低くすることができ、降温速度を速めることができる。
特に、第４実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の終期から上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の終期までの時間を半導体ウェハーＷの裏面から表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも短くしている。ここで、「熱伝導時間」とは、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの裏面に発生した熱が表面に伝導するのに要する時間である。熱伝導時間は、半導体ウェハーＷの材質および外寸によって規定されるものであり、本実施形態の如きφ３００ｍｍのシリコンウェハー（規格により厚さは０．７７５ｍｍに標準化されている）であれば約１５ミリ秒である。このように、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の終期を熱伝導時間以内（第４実施形態では１５ミリ秒以内）の範囲で上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の終期よりも早くすることにより、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の終期である時刻ｔ４４の時点でも裏面側からの熱伝導による補助を受けることができる。この観点からは、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の終期から上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間の終期までの時間は５ミリ秒に限定されるものではなく、１５ミリ秒以内であれば良い。
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について説明する。図１８は、第５実施形態の熱処理装置１ａの要部構成を示す図である。図１８において、第１実施形態の図１と同一の要素については同一の符号を付している。第５実施形態が第１実施形態と相違するのは、保持部７がベルヌーイチャック１７０を備える点、および、下側加熱部４が光源としてフラッシュランプＦＬのみを備える点である。
第５実施形態の保持部７は、ベルヌーイチャック１７０および遮光部材７１を備える。遮光部材７１は、第１実施形態と同様に、フラッシュランプＦＬからの光に対して不透明な材質にて形成された円環形状の部材であり、略円筒形状のチャンバー側部６３の内壁から突出するように設けられている。遮光部材７１の上面内周部にベルヌーイチャック１７０が載置されている。
図１９は、ベルヌーイチャック１７０の一例を示す図である。ベルヌーイチャック１７０は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を透過する石英にて形成されている。ベルヌーイチャック１７０は、石英の壁面の内部に中空部１７３を設けて構成される。ベルヌーイチャック１７０の天井部の石英壁面は、半導体ウェハーＷを載置する円形の載置面１７１とされている。載置面１７１の径は、半導体ウェハーＷの径よりも小さい。また、載置面１７１の周囲を取り囲むように円環形状の凹部１７２が設けられている。さらに、その凹部１７２を取り囲む円環状にガイド部１７５が設けられている。
また、載置面１７１には、気体の噴出孔１７４が形成されている。図１９に示すように、噴出孔１７４はベルヌーイチャック１７０の中心側から斜め上方に向けて形成されている。噴出孔１７４は、円形の載置面１７１と同心円上に沿って設けられた複数の円形の孔であっても良いし、複数のスリット状の孔であっても良い。但し、噴出孔１７４は、その出口がベルヌーイチャック１７０に保持される半導体ウェハーＷの端縁部よりも内側となるように形成されている。また、ベルヌーイチャック１７０には移載部７９のピンが貫通するための貫通孔（図示省略）が形成されており、その貫通孔の内側と中空部１７３とは雰囲気分離されている。
ベルヌーイチャック１７０の中空部１７３にはチャック用ガス供給部１８０から窒素ガスが供給される。図１８に示すように、チャック用ガス供給部１８０は、給気配管１８４、ガス供給源１８１、バルブ１８２および流量調整バルブ１８３を備える。給気配管１８４の一端はベルヌーイチャック１７０の中空部１７３に連通接続されるとともに、他端はガス供給源１８１に接続される。また、給気配管１８４の経路途中には、バルブ１８２および流量調整バルブ１８３が介挿されている。バルブ１８２を開放することによって、ガス供給源１８１からベルヌーイチャック１７０の中空部１７３にチャック用ガス（第５実施形態では窒素）が供給される。チャック用ガス供給部１８０がベルヌーイチャック１７０に供給する窒素の流量は流量調整バルブ１８３によって調整される。
バルブ１８２を開放してチャック用ガス供給部１８０が中空部１７３に窒素を供給すると、中空部１７３の内圧が上昇して窒素が噴出孔１７４から噴出される。ベルヌーイチャック１７０の載置面１７１に半導体ウェハーＷが載置されているときにチャック用ガス供給部１８０が中空部１７３に窒素を供給すると、噴出孔１７４から半導体ウェハーＷの下面周縁部に向けて窒素が噴出される。噴出孔１７４は斜め上方に向けて形成されているため、図１９に示すように、噴出された窒素は半導体ウェハーＷを載置面１７１から若干浮上させ、半導体ウェハーＷの下面周縁部と載置面１７１との間にできた隙間を凹部１７２に向けて（つまり、半導体ウェハーＷの中心側から端縁部に向けて）流れる。
ところで、窒素の如き流体が流れるときには、流体が外界に及ぼす圧力である静圧は低下する（ベルヌーイ効果）。窒素の流速が早くなるほど、静圧の低下も大きくなる。従って、窒素の流れが形成されている半導体ウェハーＷの下面と載置面１７１との間の隙間の圧力は大気圧よりも小さくなり、その結果半導体ウェハーＷには周辺雰囲気から載置面１７１に向けて押し付けるような圧力が作用する。すなわち、噴出孔１７４から斜め上方に向けて窒素を噴出することにより、窒素の噴出圧力によって半導体ウェハーＷを載置面１７１から若干浮上させるとともに、浮上により形成された半導体ウェハーＷと載置面１７１との隙間を窒素が流れて半導体ウェハーＷに載置面１７１に押し付けるような圧力を作用させているのである。このような窒素の噴出圧力と窒素流のベルヌーイ効果とによってベルヌーイチャック１７０は半導体ウェハーＷを非接触で吸着保持する。
半導体ウェハーＷが非接触でベルヌーイチャック１７０に保持された状態において、半導体ウェハーＷの端縁部と凹部１７２との間隔（凹部１７２から端縁部までの高さ）は３ｍｍ以上とするのが好ましい。これは、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが変形したときに、端縁部が凹部１７２に接触するのを防ぐためである。
ベルヌーイ効果によって非接触で保持される半導体ウェハーＷは水平方向に横滑りするおそれがある。このため、凹部１７２の周囲にガイド部１７５を設けている。ガイド部１７５の上端は、窒素の噴出によって非接触で保持される半導体ウェハーＷの高さ位置よりも高い。また、その高さ位置において、ガイド部１７５の内径は半導体ウェハーＷの直径よりも若干大きい。このため、非接触で保持される半導体ウェハーＷの水平方向位置はガイド部１７５によって規制される。また、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷがガイド部１７５に接触して割れるのを防止するために、ガイド部１７５の内側壁面をテーパ面としておくのが好ましい。
また、第５実施形態においては、下側加熱部４が光源としての複数本のフラッシュランプＦＬとリフレクタ４２とを備えるものの、ハロゲンランプを備えていない。すなわち、第５実施形態の熱処理装置１ａは、フラッシュランプＦＬのみを熱源として備えている。第１実施形態と同様に、上側加熱部５の上側フラッシュランプＵＦＬと下側加熱部４の下側フラッシュランプＬＦＬとは互いに直交するように配置されている。
第５実施形態の熱処理装置１ａにおいて、保持部７がベルヌーイチャック１７０を備える点、および、下側加熱部４がハロゲンランプを備えていない点以外の残余の構成は第１実施形態の熱処理装置１と同じである。
第５実施形態における半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と概ね同様である。すなわち、まず、装置外部の搬送ロボットによって処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されてベルヌーイチャック１７０に渡される。このときには、半導体ウェハーＷを保持した搬送ロボットのハンドが搬送開口部６６からチャンバー６内に進入し、保持部７の直上にて停止する。続いて、移載部７９が遮光部材７１の下側の待機位置からベルヌーイチャック１７０の下側に水平移動した後、鉛直方向に沿って上昇し、移載部７９のピンがベルヌーイチャック１７０の貫通孔を通って載置面１７１よりも上側に突き出て搬送ロボットのハンドから半導体ウェハーＷを受け取る。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー６から退出するとともに、搬送開口部６６が閉鎖されることによりチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。そして、半導体ウェハーＷを受け取った移載部７９が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載部７９のピンからベルヌーイチャック１７０に渡されて載置面１７１に載置される。ベルヌーイチャック１７０に半導体ウェハーＷを渡した移載部７９は待機位置に戻る。第５実施形態においても、パターン形成がなされて不純物が注入された表面が上面を向いた状態で半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されてベルヌーイチャック１７０に載置される。
次に、搬送開口部６６が閉鎖されて熱処理空間６５が密閉空間とされた後、バルブ８２が開放されてガス供給部８から熱処理空間６５に処理ガス（第５実施形態では窒素ガス）を供給し、バルブ２２が開放されて排気部２が熱処理空間６５から排気を行う。これとともに、バルブ１８２が開放されてチャック用ガス供給部１８０からベルヌーイチャック１７０の中空部１７３に窒素を供給する。中空部１７３に供給された窒素が噴出孔１７４から斜め上方に向けて噴出されることにより、窒素の噴出圧力と窒素流のベルヌーイ効果とによって半導体ウェハーＷがベルヌーイチャック１７０に非接触で吸着保持される。
半導体ウェハーＷがベルヌーイチャック１７０に非接触で保持された後、下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬ（下側フラッシュランプＬＦＬ）および上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬ（上側フラッシュランプＵＦＬ）から半導体ウェハーＷの裏面および表面のそれぞれにフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を実行する。すなわち、第５実施形態においては、ハロゲンランプによる予備加熱を行うことなく、室温の半導体ウェハーＷの表裏面にフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を行っているのである。図２０は、第５実施形態における半導体ウェハーＷの表面および裏面の温度変化を示す図である。
所定の時刻ｔ５１に、制御部３の制御によって下側加熱部４の複数のフラッシュランプＦＬおよび上側加熱部５の複数のフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を出射する。下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光制御は、概ね第１実施形態と同様である。すなわち、制御部３からＩＧＢＴ９６のゲートにパルス信号を出力することによってコンデンサ９３から下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬへの電荷の供給を断続し、これらの発光をチョッパ制御している。
図２１は、第５実施形態における下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形（プロファイル）を示す図である。第５実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光を時刻ｔ５１に同時に開始し、時刻ｔ５２に同時に終了している。また、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力の出力波形も同じにしている。すなわち、下側フラッシュランプＬＦＬに対応するＩＧＢＴ９６および上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に同一のパルス信号を出力することにより、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬを同時期に同等の出力で発光させているのである。なお、時刻ｔ５１から時刻ｔ５２までのフラッシュランプＦＬの発光時間は８０ミリ秒としている。
また、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力がピーク到達後に発光終了時点（時刻ｔ５２）に向けて徐々に小さくなってゼロに漸近するようにしている。具体的には、時刻ｔ５１から時刻ｔ５２にかけてパルス幅が徐々に短くなるとともにパルス間隔が徐々に長くなる複数のパルスを設定したパルス信号を下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬに対応するＩＧＢＴ９６に出力する。これにより、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬは、時刻ｔ５１から時刻ｔ５２までの８０ミリ秒間発光し、その発光出力はピーク到達後に時刻ｔ５２に向けて徐々に小さくなってゼロに漸近する。
ベルヌーイチャック１７０に非接触で保持された半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期に同等の出力にてフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーＷが表裏からフラッシュ加熱される。なお、下側フラッシュランプＬＦＬから出射されたフラッシュ光は、石英のベルヌーイチャック１７０を透過し、ベルヌーイチャック１７０に非接触保持された半導体ウェハーＷの裏面に照射される。このような表裏両面からのフラッシュ加熱により、図２０に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が時刻ｔ５１から時刻ｔ５２にかけて急速に昇温して目標温度（１０５０℃）にまで到達する。また、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表裏面の昇温速度は毎秒１０００℃以上、毎秒４００００℃以下となるようにしている。
図２２は、第５実施形態における半導体ウェハーＷの厚さ方向における温度分布を示す図である。同図は、時刻ｔ５２に半導体ウェハーＷの表面が目標温度に到達した時点での温度分布を示している。また、同図においては第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの表面からの深さを横軸に示している。
半導体ウェハーＷの表面および裏面はともに時刻ｔ５２に目標温度に同時に到達する。また、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面で発生した熱は裏面側へと伝わり、裏面で発生した熱は表面側へと伝わる。その結果、図２２に示すように、半導体ウェハーＷの表面および裏面が互いに等しい最高温度となり、厚さ方向の中央部に最低温度領域が現出する。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面に同程度の熱膨張が生じ、最も温度の低い半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部近傍に引張応力が作用することとなる。
時刻ｔ５２に上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬによる同時期・同出力のフラッシュ光照射が終了すると、半導体ウェハーＷの温度が表裏ともに降温する。半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載部７９が待機位置からベルヌーイチャック１７０の下側に水平移動した後、鉛直方向に沿って上昇し、移載部７９のピンが処理後の半導体ウェハーＷを持ち上げてベルヌーイチャック１７０から離間させる。そして、搬送開口部６６が開放されて搬送ロボットのハンドがチャンバー６内に進入し、半導体ウェハーＷの直下にて停止する。続いて、移載部７９が下降して搬送ロボットのハンドに半導体ウェハーＷを渡す。その後、半導体ウェハーＷを受け取った搬送ロボットのハンドがチャンバー６から退出することにより半導体ウェハーＷが搬出され、熱処理装置１ａにおけるフラッシュ加熱処理が完了する。
第５実施形態においては、室温の半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期に同等の出力にてフラッシュ光を照射している。これにより、時刻ｔ５１から時刻ｔ５２にかけて半導体ウェハーＷの表面および裏面が同様に昇温して最高温度である目標温度に到達する。そして、フラッシュ光照射期間中には、半導体ウェハーＷの表面および裏面が常に最高温度となり、厚さ方向の中央部が常に最低温度となるような温度分布が生じる。従って、半導体ウェハーＷの表面および裏面には同程度の熱膨張が生じることとなり、これらの一方面に対して他方面の熱膨張に起因した引張応力は作用しない。その一方、最も温度の低い半導体ウェハーＷの厚さ方向中央部近傍には、表面および裏面の熱膨張による引張応力が作用する。
このため、第１実施形態と同様に、仮に前工程にて半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷの厚さ方向における最高温度と最低温度との温度差を小さくすることによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを抑制することができる。
また、第５実施形態においては、ハロゲンランプによる予備加熱を行うことなく、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬからのフラッシュ光照射のみによって半導体ウェハーＷを室温から１０００℃以上の目標温度にまで到達させている。従来、特許文献１に開示されるようなホットプレートによって予備加熱を行う場合には１分程度の予備加熱時間が必要となり、ハロゲンランプによって予備加熱を行う場合であっても数秒程度の時間を必要としていたところ、フラッシュ光照射のみによって半導体ウェハーＷを目標温度まで加熱すれば１秒以内に全ての熱処理を完了させることができる（第５実施形態では約０．１秒）。従って、熱処理装置１ａにおける処理時間を顕著に短時間とすることができ、スループットを大幅に高めることができる。また、処理時間が短時間となれば、チャンバー側部６３などの部材の不要な温度上昇を抑制することもでき、フラッシュ光照射後の半導体ウェハーＷの降温速度を高速にすることができる。
また、第５実施形態においては、透明なベルヌーイチャック１７０がベルヌーイ効果によって半導体ウェハーＷを非接触で保持しているため、昇温した半導体ウェハーＷからベルヌーイチャック１７０への熱伝導はほとんど生じない。半導体ウェハーＷがチャックに接触して保持されていると、その接触部位近傍のみで熱伝導が生じて温度が低下し、面内温度分布が不均一となることがある。第２実施形態では、半導体ウェハーＷからベルヌーイチャック１７０への熱伝導がほとんど生じないため、そのような部分的な温度低下も生じず、半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。
もっとも、ベルヌーイチャック１７０は、噴出孔１７４から半導体ウェハーＷの下面周縁部に窒素を噴出してベルヌーイ効果を生じさせているため、その気流によって半導体ウェハーＷの周縁部の温度が低下することはある。しかし、第５実施形態ではフラッシュ光照射のみによって１秒以内に全ての熱処理を完了させているため、その極めて短い時間では噴出気流による温度低下の影響はほとんど生じない。
また、半導体ウェハーＷはベルヌーイチャック１７０から浮上して非接触保持されているため、フラッシュ光照射時に急激な温度変化によって半導体ウェハーＷが変形したとしても、その変形を拘束するような応力は作用しない。これによっても、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。
さらに、第５実施形態においては、下側フラッシュランプＬＦＬおよび上側フラッシュランプＵＦＬの発光出力がピーク到達後に発光終了時点に向けて徐々に小さくなってゼロに漸近するようにしている。これにより、フラッシュ光照射の終了時点において、半導体ウェハーＷの表裏面が過度に昇温するのを防止することができる。また、ウェハー深さ方向における温度差がフラッシュ光照射の終了時点に向けて徐々に滑らかに小さくなるようにすることができる。その結果、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷに作用する熱応力を緩和してウェハー割れをより確実に防止することができる。
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の始期および終期を図２３から図２５に示すようなものとしても良い。図２３から図２５は、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間を示すタイミングチャートであり、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間を実線にて示し、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間を点線にて示している。
図２３は、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の始期が同時のケースである。図２３（ａ）は、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を同時に開始して同時に終了する例であり、上記第１実施形態のケースに相当する。また、図２３（ｂ）は、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を同時に開始し、下側フラッシュランプＬＦＬによるウェハー裏面へのフラッシュ光照射を先行して終了する例である。さらに、図２３（ｃ）は、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を同時に開始し、上側フラッシュランプＵＦＬによるウェハー表面へのフラッシュ光照射を先行して終了する例である。
図２４は、上側フラッシュランプＵＦＬによる半導体ウェハーＷの表面へのフラッシュ光照射を下側フラッシュランプＬＦＬに先行して開始するケースである。図２４（ａ）は、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を同時に終了する例である。また、図２４（ｂ）は、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を先行して終了する例である。さらに、図２４（ｃ）は、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、先行して終了する例である。
図２５は、下側フラッシュランプＬＦＬによる半導体ウェハーＷの裏面へのフラッシュ光照射を上側フラッシュランプＵＦＬに先行して開始するケースである。図２５（ａ）は、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を同時に終了する例である。また、図２５（ｂ）は、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、先行して終了する例であり、第４実施形態のケースに相当する。さらに、図２５（ｃ）は、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射を先行して開始し、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射を先行して終了する例である。
図２３から図２５に示すように、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射のタイミングについては種々の組み合わせが可能である。但し、いずれの組み合わせであったとしても、上側フラッシュランプＵＦＬのフラッシュ光照射期間および下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うようにしている。このようにすれば、その重なり合っている期間では半導体ウェハーＷの表面および裏面に同時期にフラッシュ光が照射されることとなり、最低温度領域は半導体ウェハーＷの厚さ方向の内部に存在する。従って、半導体ウェハーＷの裏面に傷が形成されていたとしても、その裏面には引張応力がほとんど作用しないため、傷を起点としたフラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。
図２３から図２５に示した例において、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射時間は特に限定されるものではなく、ＩＧＢＴ９６に出力するパルス信号の波形によって適宜に設定することができる。もっとも、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間の総時間は１秒以下である。また、下側フラッシュランプＬＦＬのフラッシュ光照射期間については、半導体ウェハーＷの裏面から表面への熱伝導に要する熱伝導時間よりも長くした方が表面への熱伝導によって表面のフラッシュ加熱を補助できるため、全体としての加熱効率が高まる。
また、図２３から図２５に示した例において、上側フラッシュランプＵＦＬおよび下側フラッシュランプＬＦＬの発光出力は、同じであっても良いし、互いに異なるものであっても良い。
また、第５実施形態のベルヌーイチャックを図２６に示すようなものとしても良い。図２６において、図１９と同一の要素については同一の符号を付している。図１９のベルヌーイチャック１７０が面一の載置面１７１を備えていたのに対して、図２６のベルヌーイチャック１７０ａは円環状の載置部１７７を備えている。円環状の載置部１７７の径は、半導体ウェハーＷの径よりも小さい。その載置部１７７の周囲を取り囲むように円環形状の凹部１７２が設けられている。
載置部１７７の側面はテーパ面とされている。そして、ベルヌーイチャック１７０ａの天井部の石英壁面には、載置部１７７の内周側テーパ面の傾斜に沿うように噴出孔１７４が形成されている。よって、噴出孔１７４から斜め上方に向けて噴出された窒素ガスは、そのまま載置部１７７の内周側テーパ面に沿って流れる。ベルヌーイチャック１７０ａの残余の構成については図１９のベルヌーイチャック１７０と同じである。
ベルヌーイチャック１７０ａの載置部１７７に半導体ウェハーＷが載置されているときにチャック用ガス供給部１８０が中空部１７３に窒素を供給すると、噴出孔１７４から半導体ウェハーＷの下面周縁部に向けて窒素が噴出される。図２６に示すように、噴出された窒素は載置部１７７の内周側テーパ面に沿って斜め上方に流れ、載置部１７７の頂上部に載置された半導体ウェハーＷを載置部１７７から若干浮上させる。そして、半導体ウェハーＷの下面周縁部と載置部１７７との間にできた隙間に、半導体ウェハーＷの中心側から端縁部に向かう窒素ガス流が形成される。半導体ウェハーＷと載置部１７７との間にできた隙間に窒素の気体流が形成されることにより、ベルヌーイ効果によって半導体ウェハーＷには周辺雰囲気から載置部１７７に向けて押し付けるような圧力が作用する。よって、第５実施形態と同様に、窒素の噴出圧力と窒素流のベルヌーイ効果とによってベルヌーイチャック１７０ａは半導体ウェハーＷを非接触で吸着保持することができる。
また、遮光部材７１の材質は、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などのセラミックに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬおよびハロゲンランプＨＬからの光に対して不透明な材質であれば良く、例えば不透明石英などであっても良い。不透明石英は、例えば、石英に微小な気泡を含有させて遮光機能を有するようにしたものである。また、遮光部材７１は、金属製（例えば、ステンレススチール製）であっても良い。遮光部材７１を金属製とする場合には、フラッシュ光照射に耐えられるように遮光部材７１を水冷するとともに、遮光部材７１の表面を鏡面とするのが好ましい。ステンレススチール製のチャンバー側部６３の一部でもって遮光部材７１を形成するようにしても良い。
また、ベルヌーイチャック１７０のうちの保持する半導体ウェハーＷよりも外側の領域を不透明石英にて形成するようにしても良い。このようにすれば、上側加熱部５からの光が半導体ウェハーＷの周縁部外方を回り込んで下面周縁部に到達してその周縁部を加熱することが防がれる。同様に、下側加熱部４からの光が半導体ウェハーＷの周縁部外方を回り込んで上面周縁部に到達し、周縁部を加熱することも防止される。
また、半導体ウェハーの表面にニッケル膜を成膜し、本発明に係る熱処理装置によってフラッシュ加熱処理を施してニッケルシリサイドを形成するようにしても良い（シリサイド化）。さらに、半導体ウェハーの表面にハフニウムなどを含む高誘電率膜（High-k膜）を形成し、本発明に係る熱処理装置によってフラッシュ加熱処理を施して高誘電率膜の結晶化を促進するようにしても良い（ＰＤＡ：Post Deposition Anneal）。
また、本発明に係る熱処理技術によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
１，１ａ 熱処理装置
２ 排気部
３ 制御部
４ 下側加熱部
５ 上側加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
８ ガス供給部
６５ 熱処理空間
７１ 遮光部材
７２ 支持リング
７９ 移載部
９６ ＩＧＢＴ
１７０，１７０ａ ベルヌーイチャック
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
ＬＦＬ 下側フラッシュランプ
ＵＦＬ 上側フラッシュランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (13)

  1. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
    基板を収容するチャンバーと、
    前記チャンバー内にて基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材に支持された基板の裏面の全面にフラッシュ光を照射して前記基板を裏面から加熱する第１フラッシュランプと、
    前記支持部材に支持された基板の表面にフラッシュ光を照射して前記基板を表面から加熱する第２フラッシュランプと、
    を備え、
    前記第１フラッシュランプおよび前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射時間は１０ミリ秒〜１０００ミリ秒であり、
    前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間および前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うことを特徴とする熱処理装置。
  2. 請求項１記載の熱処理装置において、
    前記第１フラッシュランプの発光出力と前記第２フラッシュランプの発光出力とは異なることを特徴とする熱処理装置。
  3. 請求項１または請求項２記載の熱処理装置において、
    前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の始期と前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の始期とは異なることを特徴とする熱処理装置。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期と前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期とは異なることを特徴とする熱処理装置。
  5. 請求項４記載の熱処理装置において、
    前記第１フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で前記第２フラッシュランプのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いことを特徴とする熱処理装置。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記第１フラッシュランプおよび前記第２フラッシュランプは棒状ランプであり、
    前記第１フラッシュランプと前記第２フラッシュランプとは互いに直交するように配置されることを特徴とする熱処理装置。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記支持部材の周囲に前記第１フラッシュランプと前記第２フラッシュランプとの間を遮光する遮光部材を設けることを特徴とする熱処理装置。
  8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記支持部材は、石英にて形成され、ベルヌーイ効果によって前記基板を非接触で保持するベルヌーイチャックを含むことを特徴とする熱処理装置。
  9. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
    チャンバー内にて支持部材に支持された基板の裏面の全面にフラッシュ光を照射して前記基板を裏面から加熱する裏面フラッシュ加熱工程と、
    前記支持部材に支持された前記基板の表面にフラッシュ光を照射して前記基板を表面から加熱する表面フラッシュ加熱工程と、
    を備え、
    前記裏面フラッシュ加熱工程および前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射時間は１０ミリ秒〜１０００ミリ秒であり、
    前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間および前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の少なくとも一部は互いに重なり合うことを特徴とする熱処理方法。
  10. 請求項９記載の熱処理方法において、
    前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光の発光出力と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光の発光出力とは異なることを特徴とする熱処理方法。
  11. 請求項９または請求項１０記載の熱処理方法において、
    前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の始期と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の始期とは異なることを特徴とする熱処理方法。
  12. 請求項９から請求項１１のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期と前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期とは異なることを特徴とする熱処理方法。
  13. 請求項１２記載の熱処理方法において、
    前記裏面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期は、前記裏面から前記表面への熱伝導に要する熱伝導時間以内の範囲で前記表面フラッシュ加熱工程でのフラッシュ光照射期間の終期よりも早いことを特徴とする熱処理方法。
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