JP6018533B2 - 高速・高温動作の直接変調レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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f3dB=1.55×fr
の関係が成り立つ(非特許文献3の式(10))。このため、直接変調レーザの高速動作を実現するためにfrを高めていくことが必須となる。
101、112、122 n型InP基板
102、111、121 InGaAlAs活性層
103、124 p型InPクラッド層
103−1、113、123 導波路
104、115、125 p型InGaAsPコンタクト層
105、114 BCB膜
106 n側電極
107 p側電極
108 放熱電極
109 SiO2絶縁膜
120 BH型導波路を有する直接変調レーザ
Claims (8)
- n型基板と、前記n型基板上のMQW活性層と、前記MQW活性層上の導波路を形成するクラッド層と、前記クラッド層上のコンタクト層とを備える、リッジ型導波路構造を有する直接変調レーザであって、
前記導波路の両側の前記MQW活性層に、前記導波路の中心から一定の距離をもって直接接するように配置された放熱用金属と、
前記導波路の両側を囲む有機材料と、
前記コンタクト層及び前記有機材料上に形成されたp電極と
を備えることを特徴とする直接変調レーザ。 - 前記有機材料は、BCBであることを特徴とする請求項1に記載の直接変調レーザ。
- 前記導波路の中心と前記放熱電極との距離が4μm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の直接変調レーザ。
- レーザ部共振器長が100μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の直接変調レーザ。
- n型基板上にInGaAlAs材料のMQW活性層をDH成長するステップと、
前記MQW活性層上にp型InPクラッド層を結晶再成長するステップと、
前記クラッド層上にp型InGaAsPコンタクト層を結晶再成長するステップと、
ドライエッチングにより、前記クラッド層及び前記コンタクト層を、導波路の部分を残して除去するステップと、
前記MQW活性層上及び前記導波路上に絶縁膜を形成するステップと、
前記導波路の両側の前記MQW活性層上の少なくとも一部の前記絶縁膜を除去するステップと、
前記導波路の両側の前記MQW活性層上及び前記絶縁膜上に、前記導波路の中心から一定の距離をもって前記MQW活性層に直接接するように放熱電極を形成するステップと、
前記導波路の周囲に有機材料を形成し導波路上部を平坦化するステップと、
を含むことを特徴とする直接変調レーザの製造方法。 - 前記有機材料は、BCBであることを特徴とする請求項5に記載の直接変調レーザの製造方法。
- 前記導波路の中心と前記放熱電極までの距離が4μm以上であることを特徴とする請求項5または6に記載の直接変調レーザの製造方法。
- レーザ部共振器長が100μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の直接変調レーザの製造方法。
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