JP2021027310A - 光半導体素子、光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子、光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021027310A JP2021027310A JP2019201007A JP2019201007A JP2021027310A JP 2021027310 A JP2021027310 A JP 2021027310A JP 2019201007 A JP2019201007 A JP 2019201007A JP 2019201007 A JP2019201007 A JP 2019201007A JP 2021027310 A JP2021027310 A JP 2021027310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical semiconductor
- semiconductor device
- type
- current injection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 161
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 114
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 16
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 311
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る光半導体素子1の概略構成を示す図である。図1に示す光半導体素子は、半導体レーザであって、直方体形状の対向する面に設けられた2つの電極に電圧が印加されることにより、発振領域2からレーザ光3を発振する。
図7は、本発明の第2実施形態に係る光半導体素子の断面図である。図8は光ファイバ通信用送信光源の1.3μm帯で発振する光半導体素子の光軸に垂直な断面の模式図である。第2実施形態に係る光半導体素子は、n型InP半導体基板201上にn型InGaAlAs-SCH層203、p型InAlAs層204、InGaAlAs-MQW層205、p型InGaAlAs-SCH層206、p型InGaAlAsエッチストップ層202、p型InP層207、p型InGaAsP回折格子層208、p型InP層209、p型InGaAsP層210が順に積層されている。n型InGaAlAs-SCH層203からp型回折格子層208は通常の半導体レーザのドーピングや組成等の構成を有する。回折格子層208は図8の紙面に垂直な方向に回折格子構造を有している。
図9、図10及び図11は、本発明の第3実施形態に係る光半導体装置の断面図である。上述の第1及び第2実施形態が、直接変調方式を採用している(すなわち下に存在するメサ構造よりも横幅の狭い電流注入構造を半導体レーザに採用している)のに対し、本実施形態は、上記電流注入構造を半導体吸電界吸収型変調器にも採用している。より詳細には本実施形態は、光ファイバ通信用送信光源の1.3μm帯で発振する半導体レーザと、電界吸収型変調器が集積化された光半導体装置である。図9は光軸に平行な断面の模式図である。図9において図面左側の多層は半導体レーザの領域であり、図面右側の多層は電界吸収型変調器、中央付近は半導体レーザと電界吸収型変調器を光学的に接続する導波路層である。半導体レーザ領域の光軸に垂直な断面図を図10に示す。図10において半導体レーザはn型InP基板301上にn型InGaAsP-SCH層303、InGaAsP-MQW層305、p型InGaAsP-SCH層306、p型InP層307、p型InGaAsP回折格子層308、p型InP層309、p型InGaAsP層310が順次積層されている。n型InGaAsP-SCH層303からp型InGaAsP回折格子層308は通常の半導体レーザのドーピングや組成、膜厚、回折格子構造等の構成を有している。n型InP基板301の一部とn型InGaAsP-SCH層303、InGaAsP-MQW層305、p型InGaAsP-SCH層306は幅1.0μmのメサ構造を成しており左右は高抵抗のFe或いはRuをドーピングしたInP層318で埋め込まれている。p型InGaAsP層310はドーピング濃度1×1018cm-3で厚さ70nmである。図9に示すように回折格子層308はp型InP層307,309の中に周期的に存在している。図9では概略的に一様な周期構造を有するように示しているが、実際にはλ/4シフト構造等を導入することによって、単一モード発振が高い歩留りで実現されている。
Claims (13)
- 光を放出又は吸収する半導体光素子であって、
多重量子井戸層を含む下部構造と、
前記下部構造上に配置される上部メサ構造と、
前記上部メサ構造上に配置される電流注入構造と、を備え、
前記の放出又は吸収される光の光軸から見て、前記電流注入構造の前記上部メサ構造と接している部分の横軸は、前記上部メサ構造の横軸よりも小さく、
前記電流注入構造の前記上部メサ構造と接している部分はInPで構成され、
前記上部メサ構造の平均屈折率は、前記電流注入構造の前記InPの屈折率より高く、
前記半導体光素子は、前記上部メサ構造の両側面、及び上面の一部を接して覆う絶縁膜をさらに備える、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項1に記載の光半導体素子であって、
光を放出するように構成され、
前記上部メサ構造は回折格子層を有し、
前記下部構造は、前記上部メサ構造とともに一のメサ構造を構成し、
前記下部構造の両側面を埋め込む埋め込み半導体層をさらに備える、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項1に記載の光半導体素子であって、
光を吸収するように構成され、
前記下部構造は、前記多重井戸層の上部に設けられる、前記多重井戸層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する下部光閉じ込め層を有し、
前記上部メサ構造は、前記下部光閉じ込め層の上部に設けられる、前記多重井戸層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する上部光閉じ込め層を有し、
前記下部構造の両側面を埋め込む埋め込み半導体層をさらに備える、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記電流注入構造は、前記上部メサ構造の幅よりも0.05μm以上狭い、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項4に記載の光半導体素子であって、
前記電流注入構造は、0.1μm以上0.7μm以下の範囲の幅を有する、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項5に記載の光半導体素子であって、
前記電流注入構造の高さは、1μm未満である、
ことを特徴とする、光半導体素子 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記電流注入層を少なくとも2つ以上備える、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項1に記載の光半導体素子であって、
前記多重量子井戸層は、Al元素を含む多元素からなる層である、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項2に記載の光半導体素子であって、
前記上部メサ構造は、前記電流注入構造より屈折率が大きい光閉じ込め層をさらに有する、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項9に記載の光半導体素子であって、
前記光閉じ込め層は、InGaAsPで構成される、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項3に記載の光半導体素子であって、
前記上部光閉じ込め層及び前記下部光閉じ込め層は、InGaAsPで構成される、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項2に記載の光は導体素子であって、
前記回折格子層は、InGaAsPで構成される、
ことを特徴とする、光半導体素子。 - 請求項3に記載の光半導体素子と、
前記光半導体素子と一体的に集積された半導体レーザを有する、
光半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/845,231 US11189991B2 (en) | 2019-08-08 | 2020-04-10 | Semiconductor optical element and semiconductor optical device comprising the same |
CN202010620025.7A CN112350148B (zh) | 2019-08-08 | 2020-06-30 | 半导体光学元件和包括该元件的半导体光学装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019146767 | 2019-08-08 | ||
JP2019146767 | 2019-08-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021027310A true JP2021027310A (ja) | 2021-02-22 |
JP7402014B2 JP7402014B2 (ja) | 2023-12-20 |
Family
ID=74662521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019201007A Active JP7402014B2 (ja) | 2019-08-08 | 2019-11-05 | 光半導体素子、光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7402014B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003069153A (ja) | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体光デバイス及び集積型光半導体装置 |
US7058246B2 (en) | 2001-10-09 | 2006-06-06 | Infinera Corporation | Transmitter photonic integrated circuit (TxPIC) chip with enhanced power and yield without on-chip amplification |
JP2012089622A (ja) | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP7218082B2 (ja) | 2016-09-26 | 2023-02-06 | 日本ルメンタム株式会社 | 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法 |
-
2019
- 2019-11-05 JP JP2019201007A patent/JP7402014B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7402014B2 (ja) | 2023-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7496127B2 (en) | Optical device coupling light propagating in optical waveguide with diffraction grating | |
US6455338B1 (en) | Method of manufacturing an integrated semiconductor laser-modulator device | |
US8891570B2 (en) | Optical semiconductor device | |
US6639241B2 (en) | Optical device using semiconductor | |
JPH0715000A (ja) | 複量子井戸構造を有する集積モノリシックレーザ−モデュレーター構成 | |
EP0672932B1 (en) | Semiconductor optical modulator | |
JP4547765B2 (ja) | 光変調器及び光変調器付半導体レーザ装置、並びに光通信装置 | |
JPH0732279B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR100569040B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
US11189991B2 (en) | Semiconductor optical element and semiconductor optical device comprising the same | |
JP4948469B2 (ja) | 半導体光デバイス | |
JP7402014B2 (ja) | 光半導体素子、光半導体装置 | |
JP4411938B2 (ja) | 変調器集積半導体レーザ、光変調システムおよび光変調方法 | |
CN112350148B (zh) | 半导体光学元件和包括该元件的半导体光学装置 | |
US20010026671A1 (en) | Waveguide optical device | |
JPH06112595A (ja) | 半導体光機能素子の製造方法 | |
JP2012002929A (ja) | 半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置 | |
JP5286198B2 (ja) | 分布帰還形半導体レーザ | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2760276B2 (ja) | 選択成長導波型光制御素子 | |
JP4105618B2 (ja) | 半導体光変調導波路 | |
JP2605911B2 (ja) | 光変調器及び光検出器 | |
JP2550729B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP2776381B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7402014 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |