JP2550729B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP2550729B2 JP2550729B2 JP1334338A JP33433889A JP2550729B2 JP 2550729 B2 JP2550729 B2 JP 2550729B2 JP 1334338 A JP1334338 A JP 1334338A JP 33433889 A JP33433889 A JP 33433889A JP 2550729 B2 JP2550729 B2 JP 2550729B2
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- laser
- semiconductor laser
- dfb
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、長距離大容量の幹線系光通信や、加入者光
信号の光源に用いられる、半導体レーザに関する。
信号の光源に用いられる、半導体レーザに関する。
（従来の技術） 光通信の伝送容量は年々増加しており、将来は10Gb/s
もの大容量信号を伝送する必要が生じてくることが予想
される。そのため、その光源となる半導体レーザ、特に
分布帰還型（DFB）レーザにも、そのような高速で変調
が可能なものが強く求められてきている。
もの大容量信号を伝送する必要が生じてくることが予想
される。そのため、その光源となる半導体レーザ、特に
分布帰還型（DFB）レーザにも、そのような高速で変調
が可能なものが強く求められてきている。
半導体レーザを高速化するためには、緩和振動周波数
を増大させるとともに、素子容量を低下させることが必
要である。緩和振動周波数の増大には、活性層を多重量
子井戸構造（MQW）にすることや、活性層をｐ型にドー
ピングすることが行われている。また、素子容量の低下
には、パッド電極を用い、埋め込み構造も従来のpnpnサ
イリスタ構造でなく、高抵抗半導体やポリイミドなどの
樹脂で埋め込むことが行われている。
を増大させるとともに、素子容量を低下させることが必
要である。緩和振動周波数の増大には、活性層を多重量
子井戸構造（MQW）にすることや、活性層をｐ型にドー
ピングすることが行われている。また、素子容量の低下
には、パッド電極を用い、埋め込み構造も従来のpnpnサ
イリスタ構造でなく、高抵抗半導体やポリイミドなどの
樹脂で埋め込むことが行われている。
MQW−DFB構造を高抵抗半導体で埋め込んだ半導体レー
ザの構造を第２図（ａ）、（ｂ）に示す。第２図（ａ）
では、表面にグレーティングが形成されたｎ型InP基板
１上に、ｎ型InGaAsPガイド層２、InGaAsウエルおよびI
nGaAsPバリアからなるMQW活性層３、ｐ型InPクラッド層
４、およびｐ型InGaAsPキャップ層５からなるMQW−DFB
構造が、幅約1.5μｍのメサ状に形成され、両側がFeド
ープ高抵抗InP電流ブロック層６で埋め込まれ、表面にS
iO2膜11が形成され、メサストライプの上面のSiO2膜11
のみが除去されて、ｐ側電極21がｐ型InGaAsPキャップ
層５と接触している。またｎ型InP基板１側にはｎ側電
極22が形成されている。
ザの構造を第２図（ａ）、（ｂ）に示す。第２図（ａ）
では、表面にグレーティングが形成されたｎ型InP基板
１上に、ｎ型InGaAsPガイド層２、InGaAsウエルおよびI
nGaAsPバリアからなるMQW活性層３、ｐ型InPクラッド層
４、およびｐ型InGaAsPキャップ層５からなるMQW−DFB
構造が、幅約1.5μｍのメサ状に形成され、両側がFeド
ープ高抵抗InP電流ブロック層６で埋め込まれ、表面にS
iO2膜11が形成され、メサストライプの上面のSiO2膜11
のみが除去されて、ｐ側電極21がｐ型InGaAsPキャップ
層５と接触している。またｎ型InP基板１側にはｎ側電
極22が形成されている。
また、第２図（ｎ）では、ｐ型InPクラッド層４の上
部にｐ型InPクラッド層７とｐ型InGaAsPキャップ層５が
全面に形成され、さらにｐ型InPクラッド層７と高抵抗I
nP電流ブロック層６の間にはｎ型InP層８が挿入されて
いる。ｎ型InP層８は、ｐ型InPクラッド層７から高抵抗
InP電流ブロック層６に流れるホール電流を抑制する役
目を持っている。
部にｐ型InPクラッド層７とｐ型InGaAsPキャップ層５が
全面に形成され、さらにｐ型InPクラッド層７と高抵抗I
nP電流ブロック層６の間にはｎ型InP層８が挿入されて
いる。ｎ型InP層８は、ｐ型InPクラッド層７から高抵抗
InP電流ブロック層６に流れるホール電流を抑制する役
目を持っている。
こうした高抵抗埋め込み半導体レーザは、高抵抗InP
電流ブロック層、およびパッド電極の採用により、素子
容量が1pF以下と低い。そのため、RC時定数で決まる低
周波域でのロールオフがほとんどない。また、MQW−DFB
構造の採用により、緩和振動周波数がバルク活性層のも
のに比べ、３割程度増大している。これらの特徴によ
り、変調周波数帯域が15GHzの高速応答性が実現してい
る。
電流ブロック層、およびパッド電極の採用により、素子
容量が1pF以下と低い。そのため、RC時定数で決まる低
周波域でのロールオフがほとんどない。また、MQW−DFB
構造の採用により、緩和振動周波数がバルク活性層のも
のに比べ、３割程度増大している。これらの特徴によ
り、変調周波数帯域が15GHzの高速応答性が実現してい
る。
（発明が解決しようとする課題） 高抵抗InPに使われるFeやTi、Coなどはいずれも深い
準位を形成して注入されたキャリアをトラップする。こ
うして半絶縁性を有するが、たとえばFeの場合は、注入
された電子はトラップするものの、ホールはトラップし
ない。そのため、ｐ型Inpから流れ込んだホールはトラ
ップされている電子と再結合して、電流が流れることに
なる。この電流は活性層を通らない漏れ電流となるの
で、レーザの発振しきい値電流Ithが増大したり、効率
が低下したりする。従って高出力のものが得られずまた
変調時のバイアス電流や変調電流が増加してしまい、高
速変調ができなくなってしまう問題があった。
準位を形成して注入されたキャリアをトラップする。こ
うして半絶縁性を有するが、たとえばFeの場合は、注入
された電子はトラップするものの、ホールはトラップし
ない。そのため、ｐ型Inpから流れ込んだホールはトラ
ップされている電子と再結合して、電流が流れることに
なる。この電流は活性層を通らない漏れ電流となるの
で、レーザの発振しきい値電流Ithが増大したり、効率
が低下したりする。従って高出力のものが得られずまた
変調時のバイアス電流や変調電流が増加してしまい、高
速変調ができなくなってしまう問題があった。
光出力の点ではバルク活性層で共振器長300μｍの高
抵抗率埋め込みDFB−LDで30mW程度の最高光出力しか得
られず、共振器長を長くしても、もれ電流が増加するだ
げで光出力はあまり増加しなかった。本発明の目的は高
速でかつもれ電流が小さく光出力の大きいレーザを提供
することにある。
抵抗率埋め込みDFB−LDで30mW程度の最高光出力しか得
られず、共振器長を長くしても、もれ電流が増加するだ
げで光出力はあまり増加しなかった。本発明の目的は高
速でかつもれ電流が小さく光出力の大きいレーザを提供
することにある。
（課題を解決するための手段） この課題を解決するための半導体レーザは、活性層を
含むダブルヘテロ構造の両側を深い準位を形成する金属
を添加した半絶縁性半導体で埋め込んだ半導体レーザに
おいて、前記活性層が多重量子井戸構造により形成さ
れ、共振器長が400μｍ以上であることを特徴とする。
含むダブルヘテロ構造の両側を深い準位を形成する金属
を添加した半絶縁性半導体で埋め込んだ半導体レーザに
おいて、前記活性層が多重量子井戸構造により形成さ
れ、共振器長が400μｍ以上であることを特徴とする。
（作用） 高抵抗埋め込み半導体レーザに流れる電流の模式図を
第３図に示す。ｐ型InPクラッド層４から高抵抗InP電流
ブロック層６に流れる漏れ電流ILは接合部にかかる電圧
に対して指数関数的に増加する。このため、ｐ型InPク
ラッド層４の抵抗Rmが高いと、接合部にかかる電圧も大
きくなり、漏れ電流ILが増加しやすくなる。従って、ｐ
型InPクラッド層４の抵抗を下げることが、漏れ電流の
抑制に重要である。このことは、小泉らによって、1989
年９月に開催された第15回ヨーロッパ光通信国際会議
（ECOC89）テクニカル・ダイジェストTub10−２におい
て報告されている。
第３図に示す。ｐ型InPクラッド層４から高抵抗InP電流
ブロック層６に流れる漏れ電流ILは接合部にかかる電圧
に対して指数関数的に増加する。このため、ｐ型InPク
ラッド層４の抵抗Rmが高いと、接合部にかかる電圧も大
きくなり、漏れ電流ILが増加しやすくなる。従って、ｐ
型InPクラッド層４の抵抗を下げることが、漏れ電流の
抑制に重要である。このことは、小泉らによって、1989
年９月に開催された第15回ヨーロッパ光通信国際会議
（ECOC89）テクニカル・ダイジェストTub10−２におい
て報告されている。
ｐ型InPクラッド層４の抵抗を下げるためには、ドー
ピング濃度を高くして比抵抗を下げることが考えられ
る。しかし、ドーピング濃度には限度があると同時に、
あまりドーピング濃度が高いとドーパンド（一般にZn）
が活性層内に拡散して悪影響を及ぼしやすい。そのた
め、ｐ型InPクラッド層４の幅、すなわち活性層幅を大
きくしたり、ｐ型InPクラッド層４の長さ、すなわち共
振器長を長くすることによって低抵抗化することが考え
られる。第１図は第２図（ｂ）の高抵抗埋め込み半導体
レーザの斜視図であるが、図中のＬが共振器長にあた
る。しかし、そのようにして活性層の面積を大きくする
と、一般の高抵抗埋め込み半導体レーザでは、しきい値
電流が増加したり、効率が低下したり、高次の横モード
が発振するなど弊害が生じやすかった。
ピング濃度を高くして比抵抗を下げることが考えられ
る。しかし、ドーピング濃度には限度があると同時に、
あまりドーピング濃度が高いとドーパンド（一般にZn）
が活性層内に拡散して悪影響を及ぼしやすい。そのた
め、ｐ型InPクラッド層４の幅、すなわち活性層幅を大
きくしたり、ｐ型InPクラッド層４の長さ、すなわち共
振器長を長くすることによって低抵抗化することが考え
られる。第１図は第２図（ｂ）の高抵抗埋め込み半導体
レーザの斜視図であるが、図中のＬが共振器長にあた
る。しかし、そのようにして活性層の面積を大きくする
と、一般の高抵抗埋め込み半導体レーザでは、しきい値
電流が増加したり、効率が低下したり、高次の横モード
が発振するなど弊害が生じやすかった。
そこで本発明では、活性層を量子井戸構造にすること
により活性層内部の吸収損失が小さくしている。そのた
め、活性層がバルクの半導体レーザに比べて、共振器長
を長くしてもしきい値電流の増加は非常に小さい。ま
た、効率の減少も小さい。さらに、活性層内への光の閉
じ込めが弱いため、活性層幅をバルク半導体レーザより
広くしても基本横モード発振を維持できる。そのため、
活性層の面積を大きくして高抵抗埋め込みレーザの素子
抵抗を下げることができる。従って上述の高抵抗埋め込
みLDにおけるもれ電流を減少させることができるので光
出力の飽和がなく最大光出力が高くなる。また高抵抗埋
め込みによる高速動作も同時に達成できる。
により活性層内部の吸収損失が小さくしている。そのた
め、活性層がバルクの半導体レーザに比べて、共振器長
を長くしてもしきい値電流の増加は非常に小さい。ま
た、効率の減少も小さい。さらに、活性層内への光の閉
じ込めが弱いため、活性層幅をバルク半導体レーザより
広くしても基本横モード発振を維持できる。そのため、
活性層の面積を大きくして高抵抗埋め込みレーザの素子
抵抗を下げることができる。従って上述の高抵抗埋め込
みLDにおけるもれ電流を減少させることができるので光
出力の飽和がなく最大光出力が高くなる。また高抵抗埋
め込みによる高速動作も同時に達成できる。
（実施例） 以下に本発明の実施例を説明する。第１図および第２
図（ｂ）に示すような高抵抗埋め込みレーザを以下の手
順で作成した。結晶成長にはすべて有機金属気相成長法
（MOVPE）を用いた。
図（ｂ）に示すような高抵抗埋め込みレーザを以下の手
順で作成した。結晶成長にはすべて有機金属気相成長法
（MOVPE）を用いた。
表面にグレーティクが形成されたｎ型InP基板１の上
に、ｎ型InGaAsPガイド層２（波長1.3μｍの組成、キャ
リア濃度１×1018cm-3、厚さ0.1μｍ）、InGaAsウエル
（４層、厚さ70Å）およびInGaAsPバリア（波長1.3μｍ
組成、厚さ150Å）からなるMQW活性層３、ｐ型InPクラ
ッド層４（キャリア濃度１×1018cm-3、厚さ0.5μｍ）
を成長した。比較のため、活性層がInGaAsPバルク（波
長1.55μｍ組成、厚さ1000Å）であるバルク−DFB構造
も作製した。次に、表面にSiO2ストライプを形成して、
活性層幅が２μｍになるようにメサエッチングし、Feド
ープ高抵抗InP電流ブロック層６（Fe濃度５×1016c
m-3、厚さ３μｍ）電流ブロック層６およびｎ型InP層８
（キャリア濃度４×1018cm-3、厚さ0.7μｍ）で埋め込
んだ。SiO2ストライプをはく離した後、ｐ型InPクラッ
ド層７（キャリア濃度１×1018cm-3、厚さ1.5μｍ）お
よびｐ型InGaAsPキャップ層５（キャリア濃度１×1019c
m-3、厚さ0.5μｍ）を全面に成長した。そしてSiO2膜を
形成し、メサ部の上面のみを幅７μｍに除去し、ｐ側電
極21を幅30μｍのパッド状にｐ型InGaAsPキャップ層５
と接触するように形成した。またｎ型InP基板１側を研
磨し厚さ約100μｍにし、ｎ側電極22を形成した。こう
して作製した素子は共振器長Ｌを150μｍから1500μｍ
の間で何点か変えてへき開し、両端面を高反射コーティ
ングし、Siヒートシンク上にｐ−side−upでマウントし
てｐ側電極に21にAuワイヤをボンディングした評価し
た。
に、ｎ型InGaAsPガイド層２（波長1.3μｍの組成、キャ
リア濃度１×1018cm-3、厚さ0.1μｍ）、InGaAsウエル
（４層、厚さ70Å）およびInGaAsPバリア（波長1.3μｍ
組成、厚さ150Å）からなるMQW活性層３、ｐ型InPクラ
ッド層４（キャリア濃度１×1018cm-3、厚さ0.5μｍ）
を成長した。比較のため、活性層がInGaAsPバルク（波
長1.55μｍ組成、厚さ1000Å）であるバルク−DFB構造
も作製した。次に、表面にSiO2ストライプを形成して、
活性層幅が２μｍになるようにメサエッチングし、Feド
ープ高抵抗InP電流ブロック層６（Fe濃度５×1016c
m-3、厚さ３μｍ）電流ブロック層６およびｎ型InP層８
（キャリア濃度４×1018cm-3、厚さ0.7μｍ）で埋め込
んだ。SiO2ストライプをはく離した後、ｐ型InPクラッ
ド層７（キャリア濃度１×1018cm-3、厚さ1.5μｍ）お
よびｐ型InGaAsPキャップ層５（キャリア濃度１×1019c
m-3、厚さ0.5μｍ）を全面に成長した。そしてSiO2膜を
形成し、メサ部の上面のみを幅７μｍに除去し、ｐ側電
極21を幅30μｍのパッド状にｐ型InGaAsPキャップ層５
と接触するように形成した。またｎ型InP基板１側を研
磨し厚さ約100μｍにし、ｎ側電極22を形成した。こう
して作製した素子は共振器長Ｌを150μｍから1500μｍ
の間で何点か変えてへき開し、両端面を高反射コーティ
ングし、Siヒートシンク上にｐ−side−upでマウントし
てｐ側電極に21にAuワイヤをボンディングした評価し
た。
第４図にレーザの電流−光出力特性図を示す。第４図
（ａ）はMQW−DFB、（ｂ）はバルクDFBの場合であり、
それぞれの図において（イ）Ｌ＝300μｍ、（ロ）Ｌ＝5
00μｍ、（ハ）Ｌ＝1000μｍの場合である。これから分
かるように、第４図（ａ）のMQW−DFBレーザは（ｂ）の
バルクDFBレーザに比べ、共振器長Ｌを長くすることに
よる光出力の増加が著しく、最大光出力はＬ＝500μｍ
の素子で40mW、Ｌ＝1000μｍの素子で60mWであった。一
方、（ｂ）のバルクDFBレーザは共振器長Ｌを長くする
と（ａ）に比べてしきい値電流の上昇が大きく最大光出
力は（ａ）に比べて低かった。第５図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ外部微分量子効率の逆数としきい値電流Ithの
共振器長Ｌに対する依存性を示した図であり、実線がMQ
W−DFBレーザ、破線がバルクDFBレーザの結果である。
内部吸収損失aiはMQW−DFBで10cm-1、バルクDFBで20cm
-1となり、Ｌが長いほどMQW−DFBレーザの方が効率が高
くなり、Ithもあまり増加しないことがわかる。100mA動
作時でバルク活性層のDFBレーザではもれ電流が20mA程
度であったが、本発明のMQW−DFBレーザでは1mA程度に
減ったと考えられる。また、遠視野像を測定したとこ
ろ、活性層に水平な方向の半値全幅がMQW−DFBレーザで
は35゜であったのに対し、バルク−DFBレーザでは40゜
以上あり、キンクが多発した。ことことは、活性層幅が
多少広くなっても、MQWレーザの方が横モードの安定性
に優れることを表している。つまり基本横モードを維持
するための活性幅はMQWレーザの方が広くできることを
示している。さらにＬ＝500μｍのMQW−DFBレーザにつ
いて周波数応答特性を測定したところ、30mW光出力時で
17GHzの変調周波数帯域が得られた。Ｌ＝1000μｍでは5
0mW光出力時で15GHz程度の変調が可能である。このよう
に従来にない高出力高速特性が得られ、長距離大容量光
通信、FM変調用光源として利用できる。
（ａ）はMQW−DFB、（ｂ）はバルクDFBの場合であり、
それぞれの図において（イ）Ｌ＝300μｍ、（ロ）Ｌ＝5
00μｍ、（ハ）Ｌ＝1000μｍの場合である。これから分
かるように、第４図（ａ）のMQW−DFBレーザは（ｂ）の
バルクDFBレーザに比べ、共振器長Ｌを長くすることに
よる光出力の増加が著しく、最大光出力はＬ＝500μｍ
の素子で40mW、Ｌ＝1000μｍの素子で60mWであった。一
方、（ｂ）のバルクDFBレーザは共振器長Ｌを長くする
と（ａ）に比べてしきい値電流の上昇が大きく最大光出
力は（ａ）に比べて低かった。第５図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ外部微分量子効率の逆数としきい値電流Ithの
共振器長Ｌに対する依存性を示した図であり、実線がMQ
W−DFBレーザ、破線がバルクDFBレーザの結果である。
内部吸収損失aiはMQW−DFBで10cm-1、バルクDFBで20cm
-1となり、Ｌが長いほどMQW−DFBレーザの方が効率が高
くなり、Ithもあまり増加しないことがわかる。100mA動
作時でバルク活性層のDFBレーザではもれ電流が20mA程
度であったが、本発明のMQW−DFBレーザでは1mA程度に
減ったと考えられる。また、遠視野像を測定したとこ
ろ、活性層に水平な方向の半値全幅がMQW−DFBレーザで
は35゜であったのに対し、バルク−DFBレーザでは40゜
以上あり、キンクが多発した。ことことは、活性層幅が
多少広くなっても、MQWレーザの方が横モードの安定性
に優れることを表している。つまり基本横モードを維持
するための活性幅はMQWレーザの方が広くできることを
示している。さらにＬ＝500μｍのMQW−DFBレーザにつ
いて周波数応答特性を測定したところ、30mW光出力時で
17GHzの変調周波数帯域が得られた。Ｌ＝1000μｍでは5
0mW光出力時で15GHz程度の変調が可能である。このよう
に従来にない高出力高速特性が得られ、長距離大容量光
通信、FM変調用光源として利用できる。
以上の結果は、光出力の飽和の抑制が可能な長共振器
型の高抵抗埋め込みレーザの活性層にMQW構造を採用す
ることにより、長共振器化による特性の低下が防止でき
たことを示している。また、第４図（ａ）から共振器長
が図の（イ）（ロ）の中間の400μｍから光出力飽和を
抑制できると考えられる。つまり本発明の効果は共振器
長400μｍ以上で十分に現れる。以上の結果は第２図て
言えば（ｂ）の構造についてのものであったが、（ａ）
のような構造でも何ら変わりはない。また、実施例では
DFBレーザの結果について述べたが、ファブリーペロー
レーザでも同様の効果がある。
型の高抵抗埋め込みレーザの活性層にMQW構造を採用す
ることにより、長共振器化による特性の低下が防止でき
たことを示している。また、第４図（ａ）から共振器長
が図の（イ）（ロ）の中間の400μｍから光出力飽和を
抑制できると考えられる。つまり本発明の効果は共振器
長400μｍ以上で十分に現れる。以上の結果は第２図て
言えば（ｂ）の構造についてのものであったが、（ａ）
のような構造でも何ら変わりはない。また、実施例では
DFBレーザの結果について述べたが、ファブリーペロー
レーザでも同様の効果がある。
（発明の効果） 本発明によれば低いしきい値、高効率であり、最大光
出力が大きく高速変調可能な半導体レーザが得られる。
出力が大きく高速変調可能な半導体レーザが得られる。
第１図は本発明の半導体レーザの構造を説明する斜視図
である。第２図は従来例および本発明の半導体レーザの
構造を説明する断面図である。第３図は従来の半導体レ
ーザ構造の課題を説明するための断面図および回路図で
ある。第４図（ａ）（ｂ）は本発明の効果を説明する電
流−光出力特性図であり（ａ）は本発明、（ｂ）は従来
の場合である。第５図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の
効果を説明する、外部微分量子効率としきい値電流Ith
の共振器長依存性を示す図である。 図中、１……ｎ型InP基板、２……ｎ型InGaAsPガイド
層、３……MQW活性層、４……ｐ型InPクラッド層、５…
…ｐ型InGaAsPキャップ層、６……Feドープ高抵抗InP電
流ブロック層、７……ｐ型InPクラッド層、８……ｎ型I
nP、11……SiO2ストライプ、21……ｐ側電極、22……ｎ
側電極、である。
である。第２図は従来例および本発明の半導体レーザの
構造を説明する断面図である。第３図は従来の半導体レ
ーザ構造の課題を説明するための断面図および回路図で
ある。第４図（ａ）（ｂ）は本発明の効果を説明する電
流−光出力特性図であり（ａ）は本発明、（ｂ）は従来
の場合である。第５図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の
効果を説明する、外部微分量子効率としきい値電流Ith
の共振器長依存性を示す図である。 図中、１……ｎ型InP基板、２……ｎ型InGaAsPガイド
層、３……MQW活性層、４……ｐ型InPクラッド層、５…
…ｐ型InGaAsPキャップ層、６……Feドープ高抵抗InP電
流ブロック層、７……ｐ型InPクラッド層、８……ｎ型I
nP、11……SiO2ストライプ、21……ｐ側電極、22……ｎ
側電極、である。
Claims (1)
- 【請求項１】活性層を含むダブルヘテロ構造の両側を深
い準位を形成する金属を添加した半絶縁性半導体で埋め
込んだ半導体レーザにおいて、前記活性層が多重量子井
戸構造により形成され、共振器長が400μｍ以上である
ことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334338A JP2550729B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334338A JP2550729B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192789A JPH03192789A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2550729B2 true JP2550729B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=18276243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334338A Expired - Lifetime JP2550729B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550729B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396861B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device |
| WO2000042685A1 (fr) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur, a puits quantiques multiples, a dopage module de type n |
| JP4786802B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2011-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法、光変調器の製造方法、および光変調器付半導体レーザの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3174787U (ja) * | 2012-01-26 | 2012-04-05 | 久保田 厚子 | 鉛筆持ちで持っても筆先が紙面に垂直に立つよう、筆先と筆軸の間に角度を持たせて曲げた筆 |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1334338A patent/JP2550729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03192789A (ja) | 1991-08-22 |
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