JP6004579B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体装置20は、基板21と、この基板21の一面21aに実装された複数の半導体素子22,22…と、グランド線23とを備えている。
例えば、従来のように、グランド端子がグランド線のみを介してグランドに接続される場合、グランド端子とグランドとの間は、細長いテープ状に形成された断面積が小さいグランド線のみで接続される。そのため、グランド端子とグランド間における配線抵抗や寄生インダクタンスの低減は望めない。
また、グランド線23よりも厚みの厚い導電体24をグランド線23に接合することによって、グランド線23の厚みを薄く形成しても、半導体装置20に外部から何らかの応力が加わった場合のグランド線23の耐久性を向上させることができる。
第二実施形態における半導体装置30では、一連のグランド線23に対して、グランド線23の延長方向に沿って複数の導電体34,34…が間欠的に配置されている。そして、1つの導電体34に対して1つの半導体素子22,22…が、導電性ワイヤ25,25…を介して電気的に接続されている。このように、導電体34を複数に分割して島状に形成することによって、導電体34をグランド線23に選択的に配置でき、半導体装置30の製造コストを低減することが可能になる。なお、図2において、図1の各部に対応する同一の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する。
なお、複数に分割して島状に形成された導電体34は、互いに全て同じ長さに形成されていてもよく、限定されるものではない。
第三実施形態における半導体装置40では、グランド線23に重ねて形成される導電体44の断面形状を、グランド線23との接合面における幅w3から、厚み方向に遠ざかるに従って、幅w4まで漸増する形状、例えば、逆台形形状としている。なお、図3において、図1の各部に対応する同一の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する。
また、本実施形態のように、導電体44の厚み方向の両側の側面を、この厚み方向に対して同一の角度でそれぞれ傾斜させた場合、グランド線23に導電体44を接合する際に、導電体44の一方の側面、または他方の側面のいずれの側面を半導体装置40の外部に向けて取り付けてもよくなり、作業性を向上させることができる。
Claims (8)
- 基板と、該基板の一面に配された半導体素子およびグランド線と、を備えた半導体装置であって、
前記グランド線に重ねて配された導電体を有し、前記半導体素子のグランド端子を、前記導電体に対して電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。 - 前記導電体は、前記グランド線の延長方向に沿って延びるように形成され、1つの前記導電体に対して少なくとも2つ以上の前記半導体素子を電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記グランド端子と前記導電体とは、導電性ワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記導電体は、前記グランド線に対して圧着接合されていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記導電体は、前記グランド線に対してはんだ接合されていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記導電体は、前記グランド線よりも厚みが厚くなるように形成されていることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記導電体は、前記グランド線から厚み方向に遠ざかるに従って、幅が漸増する形状を成すことを特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記導電体は、前記グランド線の延長方向に沿って、複数、間欠的に配置されており、1つの前記導電体に対して1つの前記半導体素子が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし7いずれか1項記載の半導体装置。
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