JP6002264B1 - 太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することができる太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】本実施形態による太陽電池モジュールは、光を透過可能な第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた少なくとも1つのセルアレイであって、前記セルアレイは、配列された複数のセルを有し、各セルは、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた有機光電変換膜と、前記有機光電変換膜上に設けられた第2電極と、を含む、少なくとも1つのセルアレイと、前記第1基板上の、隣接するセルの間の部分および前記セルアレイの両端部にそれぞれ設けられ、光を透過可能な複数の隔壁と、隣接する隔壁間のセルと前記第2基板との間に設けられた第1樹脂膜と、を備え、前記複数のセルは直列に接続されている。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、太陽電池モジュールに関する。
有機薄膜太陽電池は、導電性ポリマー、フラーレン等を組み合わせた有機薄膜半導体を用いた太陽電池である。有機薄膜太陽電池は、シリコン、CIGS、またはCdTeなどの無機系材料をベースとした太陽電池に比べて光電変換膜を塗布、または印刷という簡便な方法で生産でき、低コスト化できる可能性がある。その反面、有機薄膜太陽電池の光電変換効率や寿命は、従来の無機系太陽電池と比較して低いという問題を有する。これはペロブスカイト構造を有した半導体材料を用いた薄膜太陽電池でも同様である。
一般に、有機薄膜太陽電池モジュールは、透明な基板上に透明な第1電極が設けられ、この透明電極上に、活性層(光電変換層)を有する有機光電変換膜が設けられ、この有機光電変換膜上に第2電極(背面電極とも云う)が設けられ、この第2電極上に接着剤となる樹脂層を介して支持基板(背面基板とも云う)が設けられた構造を有している。
有機薄膜太陽電池においては、使用中に光電変換効率が低下し、耐久性が劣化するという問題がある。有機薄膜太陽電池モジュールにおいて使用中に光電変換効率が低下する要因として、有機材料からなる活性層は水分に対する耐性が小さいことが挙げられる。水分による活性層の劣化を防ぎ、耐久性を向上させるために、透明基板と支持基板とを端部においてシール剤によって封止することが知られている。このシール剤が、端部からの水分の侵入を防ぐ役目を果たす。しかしながら、発電セルからシール剤までの距離と、シール剤の幅の分だけ発電に寄与しない領域(非発電領域)が大きくなる。また、接着剤の樹脂層の厚さを小さくすることで水分量は減らせるが、透明基板と背面基板との間の接着強度が低下し、モジュールの強度が小さくなるという問題がある。
本実施形態は、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することができる太陽電池モジュールを提供する。
本実施形態による太陽電池モジュールは、光を透過可能な第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた少なくとも1つのセルアレイであって、前記セルアレイは、配列された複数のセルを有し、各セルは、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた有機光電変換膜と、前記有機光電変換膜上に設けられた第2電極と、を含む、少なくとも1つのセルアレイと、前記第1基板上の、隣接するセルの間の部分および前記セルアレイの両端部にそれぞれ設けられ、光を透過可能な複数の隔壁と、隣接する隔壁間のセルと前記第2基板との間に設けられた第1樹脂膜と、を備え、前記複数のセルは直列に接続されている。
実施形態を説明する前に、本発明に至った経緯について説明する。
本発明者達は、鋭意研究に努めた結果、水分による活性層の劣化を防ぎ、耐久性を向上させる施策として、以下の構成が必要であると考えた。
1)水分の活性層までの侵入長(端部からの距離)を大きくして、水分が活性層に至る時間を遅らせることにより、劣化を遅らせる。
2)接着剤となる樹脂層の厚さを小さくして、侵入水分量を減らし、劣化を遅らせる。
上記施策を実現した太陽電池モジュールを実施形態として説明する。
(第1実施形態)
第1実施形態による太陽電池モジュールの上面図を図1に示す。本実施形態による太陽電池モジュールは、アレイ状に配列された複数のセル2を備えている。図1では、3行×8列に配列された複数のセル2が示されている。同一行のセル2は直列に接続される。直列接続されたセル2の群の両端には、電極5a、5bが設けられ、これらの電極5a、5bはそれぞれ引き出し配線6a、6bに接続される。これらの引き出し配線6a、6bはそれぞれ、引き出し電極7a、7bに接続される。すなわち、各セルで光電変換によって得られた電荷は、電極5a、5b、引き出し配線6a、6b、および引き出し電極7a、7bを介して外部に出力される。隣接する行間にはギャップ15が設けられている。各セル2の行方向の両端には、凸形状の隔壁12が設けられている。また、同一列に配列されたセル2の群の両端には、各列に共有される隔壁13a、13bが設けられている。
第1実施形態による太陽電池モジュールの上面図を図1に示す。本実施形態による太陽電池モジュールは、アレイ状に配列された複数のセル2を備えている。図1では、3行×8列に配列された複数のセル2が示されている。同一行のセル2は直列に接続される。直列接続されたセル2の群の両端には、電極5a、5bが設けられ、これらの電極5a、5bはそれぞれ引き出し配線6a、6bに接続される。これらの引き出し配線6a、6bはそれぞれ、引き出し電極7a、7bに接続される。すなわち、各セルで光電変換によって得られた電荷は、電極5a、5b、引き出し配線6a、6b、および引き出し電極7a、7bを介して外部に出力される。隣接する行間にはギャップ15が設けられている。各セル2の行方向の両端には、凸形状の隔壁12が設けられている。また、同一列に配列されたセル2の群の両端には、各列に共有される隔壁13a、13bが設けられている。
各セル2を行方向に平行な平面で切断したときの各セル2の断面図を図2に示す。本実施形態の太陽電池モジュール1は透明な第1基板10と第2基板20との間に設けられている。なお、本明細書では、透明であるとは、光の透過率が80%以上であることを意味する。この太陽電池モジュール1は、第1基板10上に設けられ直列に接続された複数のセル2を有している。各セル2は、両端に設けられた凸形状の隔壁12a、12bと、隔壁12a、12b間に設けられた凹部12cと、隔壁12a、12bの上面および側面ならびに凹部12c上に設けられた透明な第1電極14と、第1電極14上に設けられた有機光電変換膜16と、有機光電変換膜16上に設けられた第2電極18と、凹部12cにおける第2電極18上に設けられた接着剤となる樹脂膜19と、を備えている。
隣接するセル2間においては、隔壁12a、12bは共有されて図1に示す隔壁12となる。そして、隔壁12a、12bの上面上で、隣接する2つのセル2の第1電極14同士は有機光電変換膜16によって分離されるとともに第2電極18同士は、樹脂膜19によって分離される。また、直列に接続された2段目以降のセル2の第2電極18は、前段のセルの第1電極14と、隔壁12aの上面上で接続される。これにより、隣接するセル間においては、有機光電変換膜16同士は、隔壁12a、12bの上面上で、分離される。
本実施形態においては、隔壁12a、12bおよび凹部12cは接着剤となる樹脂膜11で形成され、凹部12cにおける第2電極18上にも接着剤となる樹脂膜19が形成される。この樹脂膜19上に第2基板20が配置される。
有機光電変換膜16は、図5に示すように、第1キャリア輸送層16aと、第1キャリア輸送層上に設けられた光電変換層(有機活性層ともいう)16bと、光電変換層16b上に設けられた第2キャリア輸送層16cと、を備えている。第1キャリア輸送層16aが電子輸送層として機能すれば第2キャリア輸送層16cは正孔輸送層として機能し、第1キャリア輸送層16aが正孔輸送層として機能すれば第2キャリア輸送層16cは電子輸送層として機能する。
順構造型有機薄膜太陽電池の場合、第1キャリア輸送層は正孔輸送層、第2キャリア輸送層は電子輸送層として機能する。一方、逆構造型有機薄膜太陽電池の場合、第1キャリア輸送層は電子輸送層、第2キャリア輸送層は正孔輸送層として機能する。
正孔輸送層は、電子をブロックして正孔のみを効率的に輸送する機能、および光電変換層と正孔輸送層との界面で生じたエキシトンの消滅を防ぐ機能を有する。同様に、電子輸送層は、正孔をブロックして電子のみを効率的に輸送する機能、および光電変換層と電子輸送層との界面で生じたエキシトンの消滅を防ぐ機能を有する。
光電変換層16bは、P型半導体とN型半導体とがバルクへテロ接合した構造を有している。この光電変換層16bにおいて、P型半導体とn型半導体がブレンドされ、ナノオーダーのPN接合が光電変換層16b全体に広がっている。このため、従来の積層型有機薄膜太陽電池よりもPN接合領域が広く、実際に発電に寄与する領域も光電変換層16b全体に広がっている。従って、バルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池における発電に寄与する領域は、積層型有機薄膜太陽電池と比べ圧倒的に広くなり、それに伴い光子の吸収効率も向上し、取り出せる電流も増加する。
なお、本実施形態では、有機光電変換膜16を電子輸送層/有機活性層/正孔輸送層の積層構造を有しているが、有機光電変換膜16において、有機活性層のバルクヘテロ構造を制御するような分子層を挿入した構成でも良い。
本実施形態ではいわゆる逆構造型の有機光電変換膜16である、すなわち透明な第1電極14上に電子輸送層、有機活性層、正孔輸送層を順次積層した構成を有している。
逆構造型の有機太陽電池において、有機光電変換膜16には第1基板10側から太陽光や照明光等の光が照射される。有機光電変換膜16に照射された光を有機活性層16bが吸収すると、P型半導体とN型半導体との相界面で電荷分離が生じることによって、電子と、この電子と対になる正孔とが生成される。有機活性層16bで生成された電子と正孔のうち、例えば電子は第1電極で捕集され、正孔は第2電極で捕集される。逆構造型の太陽電池モジュールでは、透明な第1電極14が電子を捕集するアノード(以下、陰極とも言う)であり、第2電極18が正孔を捕集するカソード(以下、陽極とも言う)である。ちなみに、順構造型の有機太陽電池では、透明な第1電極14が正孔を捕集するカソード(陽極)で、第2電極18が電子を捕集するアノード(陰極)である。
隔壁12a、12bおよび凹部12cは、第1基板10と第2基板20との間に位置し、実質的に両基板の間隙をほぼ一定に保つ働きを有するものである。隔壁12a、12bおよび凹部12cは、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ふっ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、オリエンテッドポリプロピレン(OPP)、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)、ガラスで構成される光透過性材料である。
各隔壁12a、12bの上面上には、電荷を生成しない非発電領域がある。この非発電領域は、上記隔壁の側面に設けられた前段のセルの第2電極18の上面から上記隔壁上に設けられた第1電極14の側面までの領域である。この非発電領域内の部材17は、本実施形態では、有機光電変換膜16と同じ材料で形成されるが、絶縁性の樹脂で形成してもよい。
なお、本実施形態においては、セル2と第2基板20との間にはゲル状の接着剤となる樹脂膜19で満たされ、必要に応じて、隔壁12a、12bと第2基板20との間に接着剤となる樹脂膜19が薄く存在する場合もある。
このように構成された本実施形態においては、引き出し配線6a、6bが形成されたモジュール1の端部から侵入する水分は、複数の隔壁12a、12bによって侵入を阻まれ、セル2の劣化を遅らせることが可能となっている。
また、隔壁12a、12bと第2基板20との間の樹脂は薄い(例えば1μm以下)か、ほとんど設けられていない。しかし、第1基板10と第2基板20との間の接着強度は、接着面積の大部分を占める、隔壁12a、12bを構成する樹脂および隔壁間に設けられた樹脂19に接していることから、十分な接着強度を確保することが可能であり、太陽電池モジュール全体の機械的強度を確保することができる。
また、一般的に有機光電変換膜16上に局所的に圧力がかかった場合、光電特性が劣化し、変換率が低下する。しかし、本実施形態では、隔壁12a、12bによって圧力を分散することが可能となるから、光電特性が劣化することなく曲げに対する耐性を確保することができで、柔軟な太陽電池モジュールを実現することができる。
以下、本実施形態による有機太陽電池の各構成部材について説明する。
(透明な第1基板10)
基板10は、他の構成部材を支持するためのもので、電極を形成し、熱や有機溶剤によって変質しないものが好ましい。本実施形態では、基板10の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、サファイア等の無機材料、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、オリエンテッドポリプロピレン(OPP)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等のプラスチック、高分子フィルム等の光透過性の高い材料が望ましい。
基板10は、他の構成部材を支持するためのもので、電極を形成し、熱や有機溶剤によって変質しないものが好ましい。本実施形態では、基板10の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、サファイア等の無機材料、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、オリエンテッドポリプロピレン(OPP)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等のプラスチック、高分子フィルム等の光透過性の高い材料が望ましい。
また、第2基板20は、透明な基板10を構成する材料の他、ステンレス鋼(SUS)、アルミ、シリコン等の金属基板、ポリマーフィルムにアルミ蒸着膜を形成したフィルムを用いることができる。
(透明な第1電極)
透明な第1電極14は、光透過性と導電性を有するものであれば特に限定されない。通常は、透明または半透明の導電性を有する材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、フッ素ドープされた酸化スズ(FTO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESA等)、または金、白金、銀、銅等の薄膜が用いられる。特に、ITOまたはFTOが好ましい。透明な電極は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。これらの半透明の金属酸化膜と金属薄膜の積層体でもよい。また、電極材料として、有機系の導電性ポリマー、例えばポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等を用いてもよい。
透明な第1電極14は、光透過性と導電性を有するものであれば特に限定されない。通常は、透明または半透明の導電性を有する材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、フッ素ドープされた酸化スズ(FTO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESA等)、または金、白金、銀、銅等の薄膜が用いられる。特に、ITOまたはFTOが好ましい。透明な電極は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。これらの半透明の金属酸化膜と金属薄膜の積層体でもよい。また、電極材料として、有機系の導電性ポリマー、例えばポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等を用いてもよい。
透明な電極の膜厚は、特に制限はないが、10nm以上1μm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上300nm以下である。膜厚が薄すぎると、シート抵抗が高くなり、逆に膜厚が厚すぎると、光透過率が低下すると共に、可撓性が低くなることで応力によりひび割れ等が生じやすくなる。よって、高い光透過率と低いシート抵抗との双方が得られるように、膜厚を選択することが好ましい。第1電極14のシート抵抗に特段の制限はないが、通常10Ω/□以下であり、500Ω/□以下が好ましく、より好ましくは200Ω/□以下である。大きな電流を取り出す観点から、シート抵抗はより小さいことが好ましい。
次に、有機光電変換膜16の各構成部材について説明する。
(電子輸送層)
電子輸送層は、例えばスパッタ法のような真空成膜法、ゾルゲル法、スピンコート法等により形成される。電子輸送層の膜厚は、1nm以上50nm以下であることが好ましく、2nm以上20nm以下であることがより好ましい。電子輸送層が薄すぎると、ホールブロック効果が減少し、発生したエキシトンが電子とホールに解離する前に失活してしまうため、効率的に電流を取り出すことができないおそれがある。電子輸送層が厚すぎると膜抵抗が大きくなり、発生した電流を制限してしまうために光電変換効率が低下するおそれがある。
電子輸送層は、例えばスパッタ法のような真空成膜法、ゾルゲル法、スピンコート法等により形成される。電子輸送層の膜厚は、1nm以上50nm以下であることが好ましく、2nm以上20nm以下であることがより好ましい。電子輸送層が薄すぎると、ホールブロック効果が減少し、発生したエキシトンが電子とホールに解離する前に失活してしまうため、効率的に電流を取り出すことができないおそれがある。電子輸送層が厚すぎると膜抵抗が大きくなり、発生した電流を制限してしまうために光電変換効率が低下するおそれがある。
電子輸送層の構成材料としては、金属酸化物を含んでいればよく、それ以外の材料、例えばアルカリ金属の塩や有機化合物材料等を含んでいてもよい。例えばゾルゲル法にてチタンアルコキシドを加水分解して得たアモルファス性の酸化チタン(TiOx)、酸化亜鉛(ZnO)、蒸着法により成膜した酸化ガリウム(GaOx)、酸化カルシウム(CaOx)等が挙げられる。金属酸化物は、アモルファスであっても、また結晶物であってもよい。
成膜方法は、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、例えば、酸化チタンをスピンコート法で塗布する場合、膜厚は5nm〜20nmの厚さに成膜する事が望ましい。塗布溶液は、予めフィルターで濾過したものを使用することが望ましい。規定の膜厚に塗布した後、ホットプレートなどを用いて加熱乾燥する。50℃〜100℃で数分〜10分間程度、空気中にて加水分解を促進しながら加熱乾燥する。
(光電変換層(有機活性層))
光電変換層は、バルクへテロ接合型の光電変換層である。バルクヘテロ接合型の光電変換層は、P型半導体とN型半導体が光電変換層中で混合してミクロ層分離構造を取ることが特徴である。バルクへテロ接合型は、混合されたP型半導体とN型半導体が光電変換層内でナノオーダーのサイズのPN接合を形成し、接合面において生じる光電荷分離を利用して電流を得る。
光電変換層は、バルクへテロ接合型の光電変換層である。バルクヘテロ接合型の光電変換層は、P型半導体とN型半導体が光電変換層中で混合してミクロ層分離構造を取ることが特徴である。バルクへテロ接合型は、混合されたP型半導体とN型半導体が光電変換層内でナノオーダーのサイズのPN接合を形成し、接合面において生じる光電荷分離を利用して電流を得る。
P型半導体は、電子供与性の性質を有する材料で構成される。これに対して、N型半導体は、電子受容性の性質を有する材料で構成される。各実施形態においては、P型半導体およびN型半導体の少なくとも一方が有機半導体であってもよい。
P型有機半導体としては、例えば、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等を使用することができ、これらを併用してもよい。また、これらの共重合体を使用してもよく、例えば、チオフェン−フルオレン共重合体、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体等が挙げられる。
好ましいP型有機半導体は、π共役を有する導電性高分子であるポリチオフェンおよびその誘導体である。ポリチオフェンおよびその誘導体は、優れた立体規則性を確保することができ、溶媒への溶解性が比較的高い。ポリチオフェンおよびその誘導体は、チオフェン骨格を有する化合物であれば特に限定されない。ポリチオフェンおよびその誘導体の具体例としては、ポリ3−メチルチオフェン、ポリ3−ブチルチオフェン、ポリ3−ヘキシルチオフェン、ポリ3−オクチルチオフェン、ポリ3−デシルチオフェン、ポリ3−ドデシルチオフェン等のポリアルキルチオフェン;ポリ3−フェニルチオフェン、ポリ3−(p−アルキルフェニルチオフェン)等のポリアリールチオフェン;ポリ3−ブチルイソチオナフテン、ポリ3−ヘキシルイソチオナフテン、ポリ3−オクチルイソチオナフテン、ポリ3−デシルイソチオナフテン等のポリアルキルイソチオナフテン;ポリエチレンジオキシチオフェン等が挙げられる。
また近年では、カルバゾール、ベンゾチアジアゾールおよびチオフェンからなる共重合体であるPCDTBT(ポリ[N−9”−ヘプタ−デカニル−2,7−カルバゾール−アルト−5,5−(4’,7’−ジ−2−チエニル−2’,1’,3’−ベンゾチアジアゾール)])などの誘導体やチエノチオフェンとベンゾジチオフェンからなる共重合体であるPTB7(ポリ[[4,8−ビス[(2−エチルヘキシル)オキシ]ベンゾ[1,2−b:4−5−b’]ジチオフェン−2,6−ジル][3−フルオロ−2−[(2−エチルヘキシル)カルボニル]チエノ[3,4−6]チオフェンジル])やPTB7−Th(ポリ[[4,8−ビス[5−(2−エチルヘキシル)チオフェン−2−イル]ベンゾ[1,2−b:4−5−b’]ジチオフェン−コ−3フルオロチエノ[3,4−b]チオフェン−2−カルボキシレート])などの誘導体が、優れた光電変換効率を得られる化合物として知られている。
これらの導電性高分子は、溶媒に溶解させた溶液を塗布することにより成膜可能である。従って、大面積の有機薄膜太陽電池を、印刷法等により、安価な設備にて低コストで製造できるという利点がある。
N型有機半導体としては、フラーレンおよびその誘導体が好適に使用される。ここで使用されるフラーレン誘導体は、フラーレン骨格を有する誘導体であれば特に限定されない。具体的には、C60、C70、C76、C78、C84等を基本骨格として構成される誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、フラーレン骨格における炭素原子が任意の官能基で修飾されていてもよく、この官能基同士が互いに結合して環を形成していてもよい。フラーレン誘導体には、フラーレン結合ポリマーも含まれる。溶剤に親和性の高い官能基を有し、溶媒への可溶性が高いフラーレン誘導体が好ましい。
フラーレン誘導体における官能基としては、例えば、水素原子;水酸基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;シアノ基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。具体的には、C60H36、C70H36等の水素化フラーレン、C60、C70等のオキサイドフラーレン、フラーレン金属錯体等が挙げられる。
上述した中でも、フラーレン誘導体として、60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)または70PCBM([6,6]−フェニルC71酪酸メチルエステル)を使用することが特に好ましい。
未修飾のフラーレンを使用する場合、C70を使用することが好ましい。フラーレンC70は、光キャリアの発生効率が高く、有機薄膜太陽電池に使用するのに適している。
光電変換層におけるN型有機半導体とP型有機半導体の混合比率は、P型半導体がP3AT系の場合、およそN:P=1:1とすることが好ましく、P型半導体がPCDTBT系の場合、およそN:P=4:1とすることが好ましい。また、P型半導体がPTB7系の場合、およそN:P=1:0.7とすることが好ましい。
有機半導体を塗布するためには、溶媒に溶解する必要があるが、それに用いる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、テトラリン、デカリン、メシチレン、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類が挙げられる。特に、ハロゲン系の芳香族溶剤が好ましい。これらの溶剤を単独、もしくは混合して使用することが可能である。
また、光電変換層として、有機系のペロブスカイト構造を有する薄膜半導体、この半導体と有機薄膜半導体を組み合わせた材料も用いることができる。
溶液を塗布し成膜する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、スプレー法、スクリーン印刷、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア・オフセット印刷、ディスペンサー塗布、ノズルコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法等が挙げられ、これらの塗布法を単独で、もしくは組み合わせて用いることができる。
(正孔輸送層)
正孔輸送層の機能は、正孔のみを効率的に輸送すること、および有機活性層の界面近傍で発生した励起子の消滅を防ぐこと等である。
正孔輸送層の機能は、正孔のみを効率的に輸送すること、および有機活性層の界面近傍で発生した励起子の消滅を防ぐこと等である。
正孔輸送層としては、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート))等のポリチオフェン系ポリマー、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電性ポリマーを使用することができる。ポリチオフェン系ポリマーの代表的な製品としては、例えば、スタルク社のClevios PH500、CleviosPH、CleviosPV PAl 4083、CleviosHIL1.1が挙げられる。無機物では、酸化バナジウムや酸化タングステン、酸化モリブデンのような無機材料でも良い。
正孔輸送層は、例えば真空蒸着法やスパッタ法のような真空成膜法、ゾルゲル法等、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、スピンコート法や各種印刷法等によっても塗布することが可能である。例えば、正孔輸送層の材料としてClevios PH500を使用する場合、膜厚は20nm〜100nmであることが好ましい。薄すぎる場合は、下部電極の短絡を防止する作用がなくなり、ショートが発生してしまう。厚すぎる場合は、膜抵抗が大きくなり、発生した電流を制限してしまうため、光電変換効率が低下する。正孔輸送層の材料を所望の膜厚に塗布した後、ホットプレート等で加熱乾燥する。140℃〜200℃で数分〜10分間程度加熱乾燥することが好ましい。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用することが望ましい。正孔輸送層の膜厚は、1nm以上100nm以下であることが好ましく、より好ましくは2nm以上30nm以下である。
なお、ここで説明する電子輸送層と正孔輸送層の配置位置は、逆構造型のセルの場合である。順構造型のセルの場合には、電子輸送層と正孔輸送層の配置位置は逆になり、第1電極(カソード)と有機活性層との間に正孔輸送層が配置され、有機活性層と第2電極(アノード)との間に電子輸送層が配置される。
(第2電極18)
第2電極18は、有機光電変換膜16上に積層され、導電性を有する材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属薄膜、金属酸化物膜等が挙げられる。第1電極14を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合、第2電極18には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。仕事関数の低い材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。具体的には、Li、In、Al、Ca、Mg、Sm、Tb、Yb、Zr、Na、K、Rb、Cs、Ba、およびこれらの合金を挙げることができる。
第2電極18は、有機光電変換膜16上に積層され、導電性を有する材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属薄膜、金属酸化物膜等が挙げられる。第1電極14を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合、第2電極18には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。仕事関数の低い材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。具体的には、Li、In、Al、Ca、Mg、Sm、Tb、Yb、Zr、Na、K、Rb、Cs、Ba、およびこれらの合金を挙げることができる。
第2電極18は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。また、前記仕事関数の低い材料のうちの1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫などとの合金でもよい。合金の例としては、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
第2電極18の膜厚は10nm〜300nmである。膜厚が上記範囲より薄い場合は、抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない。膜厚が厚い場合には、第1電極14の成膜に長時間を要するため材料温度が上昇し、有機光電変換層にダメージを与えて性能が劣化してしまう。さらに、材料を大量に使用するため、成膜装置の占有時間が長くなり、コストの増大に繋がる。
次に、第1実施形態の実施例について説明する。
(実施例1)
実施例1による太陽電池モジュールは、図1および図2に示す太陽電池モジュールであって、隔壁12a、12bが紫外線硬化樹脂で形成されている。
実施例1による太陽電池モジュールは、図1および図2に示す太陽電池モジュールであって、隔壁12a、12bが紫外線硬化樹脂で形成されている。
この実施例1においては、隔壁12a、12bは5mmピッチで形成され、凹部12cの厚さは2μm、隔壁12a、12bの第1基板10からの高さは22μm、幅(図面上で左右方向の寸法)は1mmとなっている。行方向に配列された各セル2は、隔壁12a、12bによって隣接セルと構造的に隔てられている。図1に示すギャップ15は実施例1においては、200μmである。
隔壁12a、12bの上面では、第1電極14間のギャップが100μm、有機光電変換膜16間のギャップが100μm、第2電極18間のギャップが100μmで、計300μm幅の非発電領域が形成されている。すなわち、各セルの開口幅(図面上で左右方向の寸法)は4.7mmとなる。これにより、隔壁12a、12bがない場合の比較例による太陽電池モジュールの開口率と同等の開口率が確保されている。
また、引き出し配線6a、6bが形成された太陽電池モジュール1の端部の封止wは10mmであるが、端部から侵入する水分は、複数の隔壁12a、12b、13a、13bによって侵入を阻まれ、セル2の劣化を遅らせることが可能となっている。また、隔壁12a、12bと第2基板20との間の樹脂19の厚さも実施例1では、1μm以下か、ほとんど設けられていない。
次に、実施例1の太陽電池モジュール1の製造方法について、図6乃至図12を参照して説明する。
透明な第1基板10として、平面形状のサイズが500mm×500mmmで厚さが150μmのPETフィルムの片面に紫外線カット層(図示せず)が形成され、もう一方の面に防湿膜としてシリコン酸窒化層/シリコン酸化層の積層膜(図示せず)が形成されたフィルムを用いる。第1基板10の防湿膜を形成した面上に紫外線硬化樹脂11を塗布する(図6)。
続いて、予め機械加工で微細な凹凸を設けた石英の型50を紫外線硬化樹脂11に圧接し、石英の型50を通して紫外線を紫外線硬化樹脂11に照射する。これにより、紫外線硬化樹脂11に微細な凹凸が転写され硬化された後、石英の型50を剥離する。これにより、第1基板10上に、隔壁12a、12bのそれぞれの幅が1mm、隔壁12a、12bの第1基板10からの高さが22μm、隔壁12a、12bのピッチが5mmで凹部12cの高さが2μmの微細な隔壁12a、12bを有する樹脂膜11が形成される(図7)。
次に、隔壁12a、12bを有する第1基板10に対して、隔壁12a、12b上で、第1電極のパターン間のギャップが0.1mmとなるマスク(図示せず)を介してITOからなる第1電極14を成膜する。これにより、成膜された第1電極14には、隣接するセル間で幅が0.1mmのギャップ13が形成される(図8)。
次に、第1電極14上に、酸化亜鉛を溶解した溶液を塗布し、乾燥させることにより、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層が形成される。これにより、図8に示すギャップ13は、酸化亜鉛層で埋め込まれる。続いて、有機活性層のパターン間のギャップが0.1mmとなるマスク(図示せず)を介して、電子輸送層上に、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、N型半導体材料として70PCBM([6,6]−フェニルC71酪酸メチルエステル)をP:N=1:1.5の比で混合溶液を作製し塗布する。その後、90℃で3分間の熱処理を行って、厚さが100nmのバルクヘテロ接合層を有する有機活性層を形成する。その後、有機活性層上に正孔輸送層として厚さが10nmの酸化タングステン膜をマスク蒸着法により形成する。これにより、第1電極14上に、電子輸送層、有機活性層、および正孔輸送層が積層された有機光電変換膜16が形成される(図9)。
次に、第2電極18として、Ag膜のパターン間のギャップが0.1mmとなるようなマスク(図示せず)を介して、厚さが200nmのAg膜を真空蒸着法により成膜する。これにより、隣接するセルにおける第2電極18同士は、隔壁12a、12bの上面上で上記ギャップに対応して形成されるギャップ17により、切断される(図10)。
次に、隔壁12a、12bの間の凹部12cに、ゲッター剤を含み、硬化後もゲル状を有するシリコーン樹脂を充填することにより接着剤となる樹脂膜19を形成する(図11)。続いて、第2基板20としてアルミ蒸着PETフィルムを樹脂膜19に貼り合せ、80℃で1時間の熱処理を行う。これにより、各セル2間が隔壁12a、12bで仕切られた太陽電池モジュール1が作製される(図10)。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュール1は、図1に示すような、横方向に連続したセルアレイが3本形成され、1本のセルアレイの幅(図1の列方向の寸法)が159.9mm、長さ(行方向の寸法)が480mm、セルアレイ間のギャップ15は0.2mmである。なお、図1に示すモジュール1の端部には、各セルアレイの電極5a、5bと、セルアレイを電極5a、5bを介して接続する引き出し配線6a、6bと、引き出し電極7a、7bが形成されている。
図2に示すように、隔壁12a、12b間のセルアレイの長さ方向のピッチが5mmのうち、発電に寄与しない非発電領域は、それぞれITOパターンのギャップ、有機光電変換膜16のギャップ、第2電極18のギャップに相当する。このため、各セル2の開口部の長さは4.7mmである。太陽電池モジュール1全体では、図2に示す太陽電池モジューにおける各セルアレイの左端部および右端部の断面をそれぞれ図3および図4に示す。図3に示すように右端部は最右隔壁12bの非発電領域を含み、封止幅W11Rは10mmである。図4に示すように左端部は最左隔壁12aを含まず、封止幅W11Lは10mmである。なお、図3に示すように、セルアレイ電極5bはITOから形成される場合は、引き出し配線6bとの間に例えばAl(アルミニウム)からなる配線6cを設けることが好ましい。
また、図2に示す太陽電池モジュールの上下端部に関して、上下ともに隔壁13a、13bを含み、W12は10mmであり、端部を除いた約480mm角の発電領域を有している。なお、隔壁12a、12b上の非発電領域は除く。なお、一番端のセルアレイには行方向に沿って設けられた隔壁13a、13bは、メッキパターンの表面にCu酸化膜で絶縁処理されたもので、発電には寄与しない。或いは、隔壁13a、13bは、後述するように隔壁12a、12bの作製工程である、UV硬化樹脂層に微細な凹凸を転写する工程において、同時に作製しても良い。この場合、隔壁13a、13b上には発電素子を設けないことは言うまでもない。
この太陽電池モジュール1に対して耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅が10mmと狭い領域であるにも関わらず水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。
また、端部から水分が侵入した場合でも、各セル2間が隔壁12a、12bで仕切られた構造で、セル2はゲッター剤を含んだゲル状接着剤となる樹脂膜19で満たされていることから、端部に近いセルで侵入した水分を捕獲することが可能となる。このため、有機活性層の劣化領域が広がることはなかった。
また、太陽電池モジュール1は第1および第2基板10、20が隔壁12a、12bで支えられた構造であるため、太陽電池モジュールの曲げに対して高い強度を示し、変形に対しても信頼性の高い太陽電池モジュールを得ることができた。
なお、実施例1では、第1基板10上に、微細な凹凸を形成したUV硬化樹脂層を用いて隔壁を形成したが、図7の工程において、UV硬化樹脂11を塗布後、石英の型50の凸部が完全に第1基板10に密着するまで圧接することにより、隔壁12a、12b間の凹部12cに樹脂が存在しない構造を有する太陽電池モジュールが得られる(図13)。このように、凹部12cに樹脂が存在しない構造の太陽電池モジュールでも、実施例1と同様の高い信頼性が確保された太陽電池モジュールが得られる。
以上説明したように、第1実施形態によれば、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
ちなみに、図2の第1実施形態においては、光照射面である第1基板が最外層となっているが、さらにこの外側に、導光板やマイクロレンズアレイ層等、光マネジメント用の光学部品が形成されている場合でも同様の効果が得られるものである。
(第2実施形態)
第2実施形態による太陽電池モジュールの平面図を図14に示す。本実施形態による太陽電池モジュールは、アレイ状に配列された複数のセル2を備えている。図14では、3行×4列に配列された複数のセル2が示されている。同一行のセル2は直列に接続される。直列接続されたセル2の群の両端には、電極5a、5bが設けられ、これらの電極5a、5bはそれぞれ引き出し配線6a、6bに接続される。これらの引き出し配線6a、6bはそれぞれ、引き出し電極7a、7bに接続される。すなわち、各セルで光電変換によって得られた電荷は、電極5a、5b、引き出し配線6a、6b、および引き出し電極7a、7bを介して外部に出力される。隣接する行間にはギャップ15が設けられている。各セル2の行方向の両端には、凸形状の隔壁22が設けられている。また、同一列に配列されたセル2の群の両端には、各列に共有される隔壁13a、13bが設けられている。
第2実施形態による太陽電池モジュールの平面図を図14に示す。本実施形態による太陽電池モジュールは、アレイ状に配列された複数のセル2を備えている。図14では、3行×4列に配列された複数のセル2が示されている。同一行のセル2は直列に接続される。直列接続されたセル2の群の両端には、電極5a、5bが設けられ、これらの電極5a、5bはそれぞれ引き出し配線6a、6bに接続される。これらの引き出し配線6a、6bはそれぞれ、引き出し電極7a、7bに接続される。すなわち、各セルで光電変換によって得られた電荷は、電極5a、5b、引き出し配線6a、6b、および引き出し電極7a、7bを介して外部に出力される。隣接する行間にはギャップ15が設けられている。各セル2の行方向の両端には、凸形状の隔壁22が設けられている。また、同一列に配列されたセル2の群の両端には、各列に共有される隔壁13a、13bが設けられている。
各セル2を行方向に平行な平面で切断したときの各セル2の断面図を図15に示す。本実施形態の太陽電池モジュール1は透明な第1基板10と第2基板20との間に設けられている。この太陽電池モジュール1は、第1基板10上に設けられ直列に接続された複数のセル2を有している。各セル2は、両端に設けられ導電性を有した凸形状の隔壁22a、22bと、隔壁22a、22b間に設けられた凹部22cと、隔壁22a、22bの側面に設けられた絶縁層23と、凹部22c上に設けられた透明な第1電極14と、第1電極14上に設けられた有機光電変換膜16と、有機光電変換膜16上に設けられた第2電極18と、凹部22cにおける第2電極18上に設けられた接着剤となる樹脂膜19と、を備えている。なお、第2電極18は、絶縁層23の一方の側面および上面にも設けられている。これにより、各セル2の第1電極14は導電性の隔壁22aを介して前段のセル2の第2電極18に接続される。すなわち、同一行の配列されたセル2は直列に接続される。
また、各セル2の凹部22cに設けられた第1電極14の上面上には、少なくとも1個の補助電極24が設けられている(図14)。この補助電極24は、行方向に沿って延在するように形成され、各セルの第1電極14の低抵抗化を図るために設けられる。なお、図14は、第1電極14上に、有機光電変換膜16、第2電極18が形成されない状態を示している。
隣接するセル2間においては、隔壁22a、22bは共有されて図14に示す隔壁22となる。各セル2の凹部上には、隣接する2つのセル2の第1電極同士が接続しないようにギャップ26が設けられている。この第2実施形態においては、ギャップ26は、有機光電変換膜16によって埋められる。なお、ギャップ26を絶縁性樹脂で埋めてもよい。
有機光電変換膜16は、第1実施形態で説明した有機光電変換膜16と同じ構成および材料が用いられる。
有機光電変換膜16は、第1実施形態で説明した有機光電変換膜16と同じ構成および材料が用いられる。
また、隣接する2つのセル2の有機光電変換膜16同士は、隔壁22および絶縁層23によって分離され、第2電極18同士は、隔壁22aの他方の側面によって分離される。
本実施形態においては、凹部22cの第2電極18上に接着剤となる樹脂膜19が形成される。この樹脂膜19上に第2基板20が配置される。
次に、第2実施形態の太陽電池モジュール1の製造方法について図18乃至図23を参照して説明する。
まず、表面に粘着層122が塗布された支持基板120を用意する。この支持基板120の粘着層122上に、マスクを用いてPdパターンを蒸着で成膜し、支持基板120を無電解Cuメッキ液に浸漬し、Pdの蒸着パターンに対応した領域に、隔壁22a、22bとなる高さ10μmのCuメッキパターンを形成する。続いて、メッキパターン22a、22b上に導電性ペースト28として厚さが1μmのAgペースト膜を印刷で形成し、酸素雰囲気中の炉で120℃、10分の熱処理を行い、Cuメッキパターン22a、22bの表面に酸化銅の絶縁層23を形成する(図18)。支持基板120上の粘着層122は、加熱により粘着性を低下させる接着剤である。なお、上記熱処理条件は、Cuの表層面に絶縁層23を形成するには十分である。しかし、Agペースト膜28を硬化させるには至らず、よってこの時点でAgペースト膜28は粘着性を保持した半硬化状態である。
次に、透明な第1基板10として、平面形状のサイズが500mm×500mmで厚さが150μmのPETフィルムの片面に紫外線カット層(図示せず)が形成され、もう一方の面に防湿膜としてSiON/SiO2の積層膜(図示せず)が形成されたフィルムを用いる。
次に、第1基板10の防湿膜が形成された側の面に、第1電極14となるITOのパターンを、マスクを用いて蒸着することにより形成する。このとき、隔壁22a、22bに近接した領域に隣接するセルの第1電極14同士を分断するための幅(行方向の長さ)が0.2mmのギャップ26が形成される。
この第1電極14が形成された第1基板と、前記隔壁22a、22bが形成された支持基板120とを導電性ペースト28と第1電極14が対向するように、貼り合せる(図19)。
続いて、90℃のホットプレート上で支持基板120を剥離する。これにより、半硬化状態の導電性ペースト28の粘着性により第1基板10上に隔壁22a、22bが転写される。次に、第1基板10を120℃のホットプレート上で30分熱処理することによりAgペースト膜28を硬化させる。これにより、第1基板10上に、隔壁22a、22bの幅(行方向の長さ)が0.4mm、隔壁22a、22bの第1電極14からの高さが約10μm、隔壁22a、22のピッチが5mmの微細凸部を有する隔壁22a、22bが形成される(図20)。
次に、隔壁22a、22bが形成された第1基板10に対して、第1電極14上の隔壁22a、22b以外の領域に、酸化亜鉛を溶解した溶液を塗布し、乾燥させることにより、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層が形成される。続いて、隔壁22a、22b以外の領域に、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、N型半導体材料として70PCBM([6,6]−フェニルC71酪酸メチルエステル)を、P:N=1:1.5の比で混合した溶液を塗布する。その後、90℃、3分で熱処理を行い、厚さが100nmの有機活性層を形成する。更に、この有機活性層上に、正孔輸送層として厚さが10nmの酸化タングステン層を、マスクを用いて蒸着法により形成する。これにより、第1電極14上に有機光電変換膜16が形成される(図21)。なお、隣接するセルの第1電極14同士を分断するためのギャップ26は、有機光電変換膜16によって埋め込まれる。
次に、第2電極18として、厚さが200nmのAg膜を、マスクを用いて蒸着し、Ag膜のパターンを成膜する(図22)。
続いて、隔壁22a、22bの間の凹部22cに、ゲッター剤を含み、硬化後もゲル状を有するシリコーン樹脂を充填することにより接着剤となる樹脂膜19を形成する(図23)。この樹脂膜19上に、第2基板20としてアルミ蒸着されたPETフィルムを貼り合せ、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、各セル2間が隔壁22a、22bで仕切られた図14、15に示す太陽電池モジュール1が作製される。
上記製造方法により作製した500mm×500mmの太陽電池モジュールは、図14に示すような、横方向(行方向)に3本の連続したセルアレイが3本形成され、1本のセルアレイの幅(列方向の寸法)が159.9mm、長さ(行方向の寸法)が480mm、セルアレイ間のギャップ15のサイズは0.2mmであった。
なお、図15に示すように、隔壁22a、22b間の発電セルアレイ長さ方向のピッチP5mmのうち、発電に寄与しない非発電領域は、隣接するセル2の第1電極同士間のギャップ15の寸法である0.2mmと、隔壁22a、22bの幅(絶縁層23の厚さを含む)である0.4mmである。すなわち、各セル2の開口部の長さは4.4mm(=5−(0.2+0.4))となる。
また、なお、一番端のセルアレイには行方向に沿って設けられた隔壁13a、13bは、メッキパターンの表面にCuの酸化膜で絶縁処理されたもので、発電には寄与しない。太陽電池モジュール1全体では、図14に示す太陽電池モジュールにおける各セルアレイの右端部および左端部の断面をそれぞれ図16および図17に示す。図16に示すように右端部は最右隔壁22bを含み、封止幅W11Rは10mmである。図17に示すように左端部は最左隔壁22aを含まず、封止幅W11Lは10mmである。図14の上下端部に関して、上下ともに隔壁13a、13bを含み、封止幅W12は10mmであり、端部を除いた一辺が約480mmの四角形の発電領域を有する。
この太陽電池モジュール1について耐久性試験を行った。その結果、端部の幅が10mmと狭い領域であるにも関わらず水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。また、端部から水分が侵入した場合でも、各セル間が隔壁22a、22bで仕切られた構造で、セルはゲッター剤を含んだゲル状の接着剤となる樹脂膜19で満たされていることから、端部に近いセルで侵入した水分を捕獲することが可能となる。これにより、有機活性層の劣化領域が広がることはなかった。
また、太陽電池モジュール1は第1および第2基板が隔壁22a、22bで支えられた構造であるため、太陽電池モジュール1の曲げに対して高い強度を示し、変形に対しても信頼性の高い太陽電池モジュールを得ることができた。
さらに、第1電極14には局所的に導電性の隔壁22a、22bが形成されているため、低抵抗となり、発電効率が向上した。他に、第1電極14上には、図14に示すように、隔壁22a、22bの他に補助電極24として発電アレイの長手方向と同じ向きにメッキパターンが形成されており、第1電極14の低抵抗化に寄与する。この補助電極24は、図18に示す、支持基板120上にメッキパターンを形成する際に、同時に形成することが可能で、プロセスを増やすことなく、第1電極14の低抵抗化を実現することができる。
なお、第2実施形態において、隔壁22a、22bはCu(銅)から形成されていた。Cu、Al(アルミニウム)、Ag(銀)、またはAu(金)からなる群から選択された少なくとも1つの金属で隔壁22a、22bを形成してもよい。
以上説明したように、第2実施形態によれば、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
(第3実施形態)
第3実施形態による太陽電池モジュールについて説明する。この第3実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュール1において、隔壁12a、12bを構成する樹脂として、可視光域での透過率が高く、紫外光を吸収して長波長側の光を発光する波長変換材料を含んだ樹脂を用いた構成を有している。
第3実施形態による太陽電池モジュールについて説明する。この第3実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュール1において、隔壁12a、12bを構成する樹脂として、可視光域での透過率が高く、紫外光を吸収して長波長側の光を発光する波長変換材料を含んだ樹脂を用いた構成を有している。
この第3実施形態の太陽電池モジュール1の製造方法について、図24、25を参照して説明する。
まず、透明な第1基板10として、380nm〜800nm波長域の光の透過率が90%以上のPETフィルムを用いる。この第1基板10上に、波長が380nm〜800nmの光の透過率88%以上のエポキシ樹脂11Aを塗布する(図24)。エポキシ樹脂は、320nm〜380nmの紫外線を吸収し、380nm以上の波長域の光に変換する色素または蛍光体材料等を含んでいる。エポキシ樹脂11A上に、予め機械加工で微細な凹凸を設けた金型50を圧接し、100℃で10分保持し、エポキシ樹脂11Aに微細な凹凸を転写、硬化させた後、金型50を剥離する(図25)。これにより、第1基板10上に、隔壁12a、12bの幅が20μm、隔壁12a、12bの第1基板10からの高さが25μm、隔壁12a、12bのピッチが50μmである樹脂膜11Aが形成される。このとき、凹部12cに設けられた樹脂膜11Aの第1基板からの高さが5μmである。
次に、隔壁12a、12bが設けられた第1基板10に対して、第1実施形態の実施例1で説明した図8乃至図12に示すと同様のプロセスで、厚さが300nmのITOからなる第1電極14、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンを、N型半導体材料として60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)をP:N=1:2の比で混合した厚さが100nmの有機活性層、正孔輸送層である厚さが10nmの酸化バナジウム層を含む有機光電変換膜16を形成する。続いて、有機光電変換膜16上に、第2電極18として厚さが200nmのAg膜を形成した。
更に、隔壁12a、12bの間の凹部12cに、デシカント材を含んだエポキシ樹脂膜19を充填する。その後、第2基板20としてアルミ蒸着PETフィルムを樹脂膜19に貼り合せ、80℃で1時間の熱処理を行うことにより、各セル間が隔壁12a、12bで仕切られた太陽電池モジュール1が作製される。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールに対して耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅領域が狭く、かつ、第1基板10と第2基板20間の封止高さが約25μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。また、隔壁12a、12bとして、波長変換材料を含んだ樹脂材料を用いているため、波長変換材料を含んだ樹脂材料を用いない比較例の太陽電池モジュールと比べて、光電変換効率が約2%向上し、連続光の照射による有機活性層の劣化も少なく、信頼性の高い太陽電池モジュールを得ることができた。
この第3実施形態も第1実施形態と同様に、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
(第4実施形態)
第4実施形態による太陽電池モジュールを図26乃至図28を参照して説明する。この第4実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュールにおいて、第1基板10と、隔壁12a、12bを構成する樹脂膜11とを同一の材料で形成した構造を有していることが異なっている。この点以外は、第1実施形態の太陽電池モジュールと同じ構成を有している。すなわち第4実施形態の太陽電池モジュールは、図1に示すように、直列に接続された複数のセルからなるセルアレイが複数個列方向に配列された構成を有している。
第4実施形態による太陽電池モジュールを図26乃至図28を参照して説明する。この第4実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュールにおいて、第1基板10と、隔壁12a、12bを構成する樹脂膜11とを同一の材料で形成した構造を有していることが異なっている。この点以外は、第1実施形態の太陽電池モジュールと同じ構成を有している。すなわち第4実施形態の太陽電池モジュールは、図1に示すように、直列に接続された複数のセルからなるセルアレイが複数個列方向に配列された構成を有している。
図26に、第4実施形態の太陽電池モジュールのセル2の断面を示す。各セル2は、両端に凸状の隔壁32a、32bおよび隔壁間に位置する凹部32cが表面に設けられた透明な第1基板10A上に形成される。
第4実施形態の太陽電池モジュールは透明な第1基板10Aと第2基板20との間に設けられている。この太陽電池モジュール1は、第1基板10A上に設けられ直列に接続された複数のセル2を有している。各セル2は、隔壁32a、32bの上面および側面ならびに凹部32c上に設けられた透明な第1電極14と、第1電極14上に設けられた有機光電変換膜16と、有機光電変換膜16上に設けられた第2電極18と、凹部32cにおける第2電極18上に設けられた接着剤となる樹脂膜19と、を備えている。
次に、第4実施形態の太陽電池モジュールの製造方法について、図27および図28を参照して説明する。
まず、予め微細な凹凸が形成された金型50を準備する。180℃に加熱した支持基板120上に設置された厚さが125μmのポリカーボネート(PC)樹脂フィルム130を用意する(図27)。このPC樹脂フィルム130に、180℃に加熱した金型50を10秒間圧接し、金型50の微細な凹凸をPC樹脂フィルム130の表面に転写する(図28)。これにより、樹脂膜130の表面に、隔壁32a、32bの幅が20μm、隔壁32a、32bの高さが8μm、隔壁32a、32b間のピッチが100μmの微細な凸形状の隔壁32a、32bを有する第1基板10Aが形成される(図28)。その後、基板10Aから支持基板120を剥離する。
次に、第1基板10Aの平坦な面側に、紫外線カット層(図示せず)を真空成膜法により形成する。その後、第3実施形態で説明した製造方法と同様のプロセスを用いて、隔壁32a、32bが形成された面に、厚さが300nmの第1電極14となるITOパターンを形成する。この第1電極14上に、電子輸送層となる厚さが10nmの酸化亜鉛層、p型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、n型半導体材料として60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)をP:N=1:2の比で混合した厚さが100nmの有機活性層、および正孔輸送層として厚さが10nmの酸化バナジウム層を有する有機光電変換膜16を形成する。続いて、第2電極18として厚さが200nmのAg膜を形成する。さらに、隔壁32a、32bの間の凹部32cに、デシカント材を含んだエポキシ樹脂19を充填する。第2基板20としてアルミ蒸着PETフィルムを貼り合せ、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、各セル2間が隔壁32a、32bで仕切られた太陽電池モジュールが作製される。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールについて耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板10Aと第2基板間の封止高さが約8μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールについて耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板10Aと第2基板間の封止高さが約8μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。
この第4実施形態も第3実施形態と同様に、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
(第5実施形態)
第5実施形態による太陽電池モジュールについて説明する。第5実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュールにおいて、隔壁12a、12bを構成する樹脂膜11として、透明で高屈折率の樹脂膜を用いた構造を有している。透明で高屈折率の樹脂膜以外は、第1実施形態と同じ構成となっている。
第5実施形態による太陽電池モジュールについて説明する。第5実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュールにおいて、隔壁12a、12bを構成する樹脂膜11として、透明で高屈折率の樹脂膜を用いた構造を有している。透明で高屈折率の樹脂膜以外は、第1実施形態と同じ構成となっている。
第5実施形態の太陽電池モジュールの製造方法について図29および図30を参照して説明する。
まず、500mm×500mmの四角形のガラスからなる第1基板10にエポキシ系紫外線硬化樹脂膜11Bを塗布する(図29)。続いて、予め微細な凹凸を設けた石英の型50を樹脂膜11Bに圧接し、石英の型50を通して紫外線を照射して硬化させる。これにより、石英の型50の微細な凹凸が樹脂膜11Bに転写され、第1基板10上に凸形状の隔壁12a、12bが形成される。これらの隔壁12a、12bは、幅が20μm、高さが20μmであり、隔壁12a、12b間のピッチが40μmである。このとき、凹部12cに設けられた樹脂膜11Bの第1基板からの高さが10μmである。硬化後のエポキシ系紫外線硬化樹脂膜11Bは、波長が380nm〜800nmの光の透過率が90%以上で、波長580nmにおける屈折率が1.56〜1.73であった。
第3実施形態で説明した製造方法と同様のプロセスを用いて、エポキシ系紫外線硬化樹脂膜11B上に、第1電極14として厚さが300nmのITOパターン、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、N型半導体材料として60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)を、P:N=1:2の比で混合した厚さが100nmの有機活性層、正孔輸送層として厚さが10nmの酸化バナジウム層を備えた有機光電変換膜16を形成する。この有機光電変換膜16上に第2電極18として厚さが200nmのAg膜を形成する。更に、隔壁12a、12bの間の凹部12cに、低透湿材料を含んだエポキシ樹脂19を充填する。その後、第2基板20としてアルミが蒸着されたPETフィルムを貼り合せ、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、各セル2間が隔壁12a、12bで仕切られた太陽電池モジュールが作製される。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールに対して耐久性試験を行った。その結果は、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板と第2基板間の封止高さが約30μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。また、隔壁12a、12bとして、透明で高屈折率の樹脂膜11Bを用いているため、ガラスの第1基板10を通して入射した光の光閉じ込め効果があり、光電変換効率を約2%向上させることができた。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールに対して耐久性試験を行った。その結果は、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板と第2基板間の封止高さが約30μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。また、隔壁12a、12bとして、透明で高屈折率の樹脂膜11Bを用いているため、ガラスの第1基板10を通して入射した光の光閉じ込め効果があり、光電変換効率を約2%向上させることができた。
この第5実施形態も第3実施形態と同様に、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
(第6実施形態)
第6実施形態による太陽電池モジュールのセル2の断面を図31に示す。この第6実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュール1の各セル2において、第1基板10と、樹脂膜11との間に透明かつ低透湿性の材料層200を設けた構成となっている。この材料層200以外は、第1実施形態と同じ構成を有している。
第6実施形態による太陽電池モジュールのセル2の断面を図31に示す。この第6実施形態の太陽電池モジュールは、図1および図2に示す第1実施形態の太陽電池モジュール1の各セル2において、第1基板10と、樹脂膜11との間に透明かつ低透湿性の材料層200を設けた構成となっている。この材料層200以外は、第1実施形態と同じ構成を有している。
次に、第6実施形態の太陽電池モジュールの製造方法について図32乃至図35を参照して説明する。
まず、支持基板140上に、380nm〜800nmの波長域の光の透過率が88%以上の熱硬化性エポキシ樹脂11Cを塗布する(図32)。エポキシ樹脂11Cは、320nm〜380nmの紫外線を吸収し、380nm以上の波長域の光に変換する色素または蛍光体材料等を含んでいる。エポキシ樹脂膜11Cに、予め機械加工で微細な凹凸が設けた金型50を圧接し、100℃で10分保持し、エポキシ樹脂11Cに微細な凹凸を転写し硬化させる。硬化後、金型50を剥離する(図33)。これにより、凸形状の隔壁12a、12bを表面に有する樹脂膜11Cが形成される。隔壁12a、12bは、幅が20μm、高さが20μmであり、隔壁12a、12b間のピッチが50μmである。また隔壁12a、12bの間に凹部12cの高さが5μmである樹脂膜11Cが形成される。その後、樹脂膜11Cから支持基板140を剥離する。
透明な第1基板10として、波長が380nm〜800nmの光の透過率が90%以上のPETフィルムを用いる。この第1基板10上に材料層200を形成する。この材料層200としては、水分を吸収するデシカント材を含み、380nm〜800nmの波長域の光の透過率が90%以上のエポキシ系で低透湿性の接着剤となる樹脂を塗布する。この樹脂層200上に図33に示す工程で形成された樹脂膜11Cを載置し、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、樹脂膜11Cと第1基板10を接合する(図34)。樹脂層200の硬化後の厚みは20μmである。
次に、第3実施形態で説明した製造方法と同様のプロセスを用いて、隔壁12a、12bを有する樹脂膜11Cが接合された第1基板10に対して、第1電極14として厚さが300nmのITOパターン、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、N型半導体材料として60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)をP:N=1:2の比で混合した厚さが100nmの有機活性層、および正孔輸送層として厚さが10nmの酸化バナジウム層が積層された有機光電変換膜16を形成する。この有機光電変換膜16上に第2電極18として厚さが200nmのAg膜を形成する(図35)。更に、隔壁12a、12bの間の凹部12cに、デシカント材を含んだエポキシ樹脂19を充填する。その後、第2基板20としてアルミが蒸着されたPETフィルムを貼り合せ、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、各セル2間が隔壁12a、12bで仕切られた太陽電池モジュール1が作製された(図31)。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュール1に対して耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板10と第2基板20の間の封止高さが約45μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。
また、本実施形態においては、隔壁12a、12bとして、波長変換材料を含んだ樹脂11Cを用いているため、隔壁12a、12bが設けられない比較例の太陽電池モジュールと比べて、光電変換効率が約2%向上し、連続光照射による有機活性層の劣化も少なかった。
さらに、第1基板10と樹脂層11Cとの間にデシカント材を含んだエポキシ樹脂200を挿入したことにより、第1基板10側からの水分の侵入を防ぎ、より信頼性の高い太陽電池モジュールを得ることができた。
第6実施形態も第3実施形態と同様に、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
(第7実施形態)
第7実施形態による太陽電池モジュールのセルを図36に示す。図36は、第7実施形態の太陽電池モジュールのセル2を示す断面図である。この第7実施形態の太陽電池モジュールは、図31に示す第6実施形態の太陽電池モジュールにおいて、第2電極18と樹脂膜19との間に低透湿性の保護膜220を設けた構成を有している。
第7実施形態による太陽電池モジュールのセルを図36に示す。図36は、第7実施形態の太陽電池モジュールのセル2を示す断面図である。この第7実施形態の太陽電池モジュールは、図31に示す第6実施形態の太陽電池モジュールにおいて、第2電極18と樹脂膜19との間に低透湿性の保護膜220を設けた構成を有している。
次に、第7実施形態の太陽電池モジュールの製造方法について図37乃至図42を参照して説明する。
まず、透明な第1基板10として、波長が380nm〜800nmである光の透過率が90%以上のPETフィルムを用いる。第1基板10上に、水蒸気に対してバリア性を有した透明な無機膜200として、厚さが30nmのシリコン酸窒化層と厚さが30nmのシリコン酸化層からなる積層膜を全面にスパッタで成膜する(図37)。続いて、無機膜200上にレジストパターン210を作製する(図38)。このレジストパターン210上に低透湿性の無機膜11Dとして酸化チタンを溶解した溶液を塗布し、乾燥させる(図39)。その後、レジストパターン210をリフトオフ法を用いて除去することにより厚さが1μmのチタン酸化膜からなる凸形状の隔壁12a、12bが形成される(図40)。これにより、幅が10μm、高さが1μm、ピッチが50μmの微細な凸形状を有する隔壁12a、12bが形成される(図40)。なお、隔壁12a、12bの間に凹部12cが形成される。
次に、第3実施形態で説明した製造方法と同様のプロセスを用いて、隔壁12a、12bが形成された第1基板10に対して、第1電極14として厚さが300nmのITOパターン、電子輸送層として厚さが10nmの酸化亜鉛層、P型半導体材料としてポリ3−メチルチオフェンと、N型半導体材料として60PCBM([6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)を1:1.2の比で混合した厚さが100nmの有機活性層、および正孔輸送層として厚さが10nmの酸化バナジウム層を有する有機光電変換膜16を形成する。この有機光電変換膜上に、第2電極18として厚さが200nmのAg膜を形成する(図41)。第2電極18上に、低透湿性の保護膜220として、蒸着により厚さが30nmのシリコン酸化膜を成膜する(図42)。続いて、隔壁12a、12bの間の凹部12cに、デシカント材を含んだエポキシ樹脂19を充填する。この樹脂膜19に第2基板20としてアルミが蒸着されたPETフィルムを貼り合せ、80℃、1時間の熱処理を行うことにより、各セル2間が隔壁12a、12bで仕切られた太陽電池モジュールが作製される(図36)。ここでは、低透湿性の保護層220として、シリコン酸化膜を用いたが、水蒸気透過率の低い無機化合物膜であれば、タングステン酸化膜などの金属酸化物膜、フッ化リチウムなどの金属フッ化物膜、シリコン窒化膜などの金属窒化物膜、あるいはシリコン酸窒化膜などの金属酸窒化物膜等でもよく、またこれらの積層膜でも良い。さらに、酸化カルシウムやゼオライトなどの無機のデシカント材を含んだ樹脂膜またはポリアクリル酸系高分子吸水材などを含んだ樹脂膜でもよく、上記無機化合物と上記樹脂膜との積層体でもよい。
上記製造方法により作製した太陽電池モジュールに対して耐久性試験を行った。その結果、端部の封止幅領域が狭く、かつ第1基板と第2基板間の封止高さが約1μmと非常に小さい構成であるにも関わらず、端部からの水分の侵入を防いで、高い耐久性を確保することができた。また、第1基板側には透明かつ低透湿膜200が全面に形成され、さらにセル2は低透湿性の保護膜220によって覆われている構成であり、信頼性の高い太陽電池モジュールを得ることができた。
第7実施形態も第3実施形態と同様に、非発電領域が大きくなることを抑制するとともに耐久性の劣化を抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10…第1基板、5a,5b…セルアレイの電極、6a,6b…引き出し配線、7a,7b…引き出し電極、12a,12b…隔壁、13a,13b…隔壁、14…第1電極、15…セルアレイ間のギャップ、16…有機光電変換膜、16a…第1キャリア輸送層、16b…光電変換層(有機活性層)、16c…第2キャリア輸送層、18…第2電極、19…樹脂膜、20…第2基板、22,22a,22b…隔壁、23…絶縁層、28…導電性ペースト
Claims (14)
- 光を透過可能な第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた少なくとも1つのセルアレイであって、前記セルアレイは、配列された複数のセルを有し、各セルは、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた光電変換膜と、前記光電変換膜上に設けられた第2電極と、を含む、少なくとも1つのセルアレイと、
前記第1基板上の、隣接するセルの間の部分および前記セルアレイの両端部にそれぞれ設けられ、320nm以上380nm以下の紫外線を吸収し380nm以上の波長域の光に変換する色素または蛍光体材料を含む複数の隔壁と、
隣接する隔壁間のセルと前記第2基板との間に設けられた第1樹脂膜と、を備え、
前記複数のセルは直列に接続されている太陽電池モジュール。 - 光を透過可能な第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた少なくとも1つのセルアレイであって、前記セルアレイは、配列された複数のセルを有し、各セルは、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた光電変換膜と、前記光電変換膜上に設けられた第2電極と、を含む、少なくとも1つのセルアレイと、
前記第1基板上の、隣接するセルの間の部分および前記セルアレイの両端部にそれぞれ設けられ、光を透過可能な複数の隔壁と、
隣接する隔壁間のセルと前記第2基板との間に設けられた第1樹脂膜と、
各セルの前記第2電極と前記第1樹脂膜との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、金属酸窒化物、デシカント材を含む樹脂、およびポリアクリル酸系高分子吸収材を含む樹脂のうちの少なくとも1つを含む保護膜と、を備え、
前記複数のセルは直列に接続されている太陽電池モジュール。 - 前記隔壁は、320nm〜380nmの紫外線を吸収し、380nm以上の波長域の光に変換する色素または蛍光体材料を含む第2樹脂膜である請求項2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記隔壁は、波長が380nm〜800nmの光の透過率が90%以上で、屈折率が1.56〜1.73である第2樹脂膜である請求項2に記載の太陽電池モジュール。
- 各セルの前記第2電極と前記第1樹脂膜との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、金属酸窒化物、デシカント材を含む樹脂、およびポリアクリル酸系高分子吸収材を含む樹脂のうちの少なくとも1つを含む保護膜が設けられている請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 各セルの、前記第1電極、前記光電変換膜、および前記第2電極は、前記セルの両側の隔壁の側面および上面にも延在し、隣接する2つのセルにおいて、前記第1電極同士が前記隣接するセルの間に位置する隔壁の上面上で第1ギャップを挟んで配置され、前記光電変換膜同士は、前記第1ギャップよりも広い第2ギャップを挟んで配置され、前記隣接する2つのセルのうちの一方のセルの前記第1電極と他方のセルの前記第2電極が前記第2ギャップにおいて接続する請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 各セルと前記第1基板との間に光を透過可能な第1層が更に設けられている請求項1乃至6のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1層は、前記隔壁と同じ材料で形成される請求項7に記載の太陽電池モジュール。
- 各セルおよび各隔壁と、前記第1基板との間に水分を吸収する材料を含む第2層が更に設けられている請求項7または8に記載の太陽電池モジュール。
- 各セルの前記第2電極と前記第1樹脂膜との間に水分を吸収する材料を含む第3層が更に設けられている請求項9記載の太陽電池モジュール。
- 各隔壁は、導電膜と、前記導電膜の側面に設けられた絶縁層と、を有し、
各セルの、前記第1電極、前記光電変換膜、および前記第2電極は、前記セルの両側の隔壁の側面および上面にも延在し、各セルの前記第1電極は隣接するセルの前記第1電極とは第1ギャップを挟んで配置され、各セルの前記第2電極は、前記セルの両側に位置する2つの隔壁の一方の隔壁の側面および上面にも延在して前記一方の隔壁の前記導電膜と接続する請求項1または2に記載の太陽電池モジュール。 - 前記光電変換膜は、電子輸送層と、正孔輸送層と、前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に設けられた光電変換層と、を備えている請求項1乃至11のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 前記セルアレイが複数個、並列に配置された請求項1乃至12のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
- 各セルアレイの一方の端部に設けられ前記一方の端部のセルの前記第1電極に接続する第3電極と、
前記セルアレイの他方の端部に設けられ前記他方の端部のセルの前記第2電極に接続する第4電極と、
各セルアレイの前記第3電極に接続する第1引き出し配線と、
各セルアレイの前記第4電極に接続する第2引き出し配線と、
前記第1引き出し配線に接続する第1引き出し電極と、
前記第2引き出し配線に接続する第2引き出し電極と、
を更に備えた請求項1乃至13のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
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