WO2011052567A1 - 有機光電変換素子 - Google Patents
有機光電変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011052567A1 WO2011052567A1 PCT/JP2010/068940 JP2010068940W WO2011052567A1 WO 2011052567 A1 WO2011052567 A1 WO 2011052567A1 JP 2010068940 W JP2010068940 W JP 2010068940W WO 2011052567 A1 WO2011052567 A1 WO 2011052567A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- organic
- conversion element
- active layer
- electron
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 74
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 36
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 claims description 16
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 15
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 15
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims description 11
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 abstract 1
- 239000012801 ultraviolet ray absorbent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- -1 lithium fluoride Chemical class 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 9
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N Methyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004659 aryl alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 3
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 2
- AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005015 aryl alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000003902 salicylic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 1-bromohexane Chemical compound CCCCCCBr MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZWKKMVJZFACSU-UHFFFAOYSA-N 1-bromopentane Chemical compound CCCCCBr YZWKKMVJZFACSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical compound CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohexane Chemical compound CCCCCCCl MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQCZQTSHSZLZIQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloropentane Chemical compound CCCCCCl SQCZQTSHSZLZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Chemical class 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000651021 Homo sapiens Splicing factor, arginine/serine-rich 19 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015621 MoO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027779 Splicing factor, arginine/serine-rich 19 Human genes 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007657 ZnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- AQNQQHJNRPDOQV-UHFFFAOYSA-N bromocyclohexane Chemical compound BrC1CCCCC1 AQNQQHJNRPDOQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- UNFUYWDGSFDHCW-UHFFFAOYSA-N monochlorocyclohexane Chemical compound ClC1CCCCC1 UNFUYWDGSFDHCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical class OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N sec-butylbenzene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CC=C1 ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Definitions
- the organic photoelectric conversion device has an anode, a cathode, and an organic active layer provided between the anode and the cathode, and the organic active layer is an ultraviolet gland absorbent and inorganic semiconductor fine particles. It is characterized by including. Constructing the organic photoelectric conversion device according to the present invention, the anode, the organic active layer, the ultraviolet gland absorbent and the inorganic semiconductor fine particles contained in the organic active layer, the cathode, and other components formed as necessary, This will be described in detail below.
- the other electrode may not be transparent, and as the electrode material of the electrode, a metal, a conductive polymer, or the like can be used.
- the electrode material include, for example, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like.
- spin coating method for film formation, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, gravure printing, flexographic printing Coating methods such as a printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, a dispenser printing method, a nozzle coating method, and a capillary coating method can be used.
- spin coating, flexographic printing, gravure printing, ink jet printing, and dispenser printing are preferred.
- the dried coating film was mechanically peeled from the glass substrate and pulverized with a ball mill to obtain ultraviolet gland absorbent-coated inorganic semiconductor fine particles.
- the ultraviolet gland absorbent-coated inorganic semiconductor fine particles were added to the prepared solution in an amount of 0.27 wt%, stirred and mixed, and then subjected to ultrasonic treatment to be uniformly dispersed.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
陽極と、陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含む有機光電変換素子は高い光電変換効率を有する。
Description
本発明は、太陽電池、光センサーなどの光電デバイスに用いられる有機光電変換素子に関する。
有機光電変換素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に設けられる有機活性層とを備える素子である。有機光電変換素子では、いずれかの電極を透明材料から構成し、透明とした電極側から有機活性層に光を入射させる。有機活性層に入射した光のエネルギー(hν)によって、有機活性層において電荷(正孔及び電子)が生成し、生成した正孔は陽極に向かい、電子は陰極に向かう。したがって、電極に外部回路を接続することにより、外部回路に電流(I)が供給される。
上記有機活性層は、電子受容性化合物と電子供与性化合物とから構成されている。電子受容性化合物と電子供与性化合物とが混合されて用いられ、1層構造の有機活性層とされる場合と、電子受容性化合物を含む電子受容性層と電子供与性化合物を含む電子供与性層とが接合され、2層構造の有機活性層とされる場合とがある(例えば、特許文献1を参照)。
通常、前者の1層構造の有機活性層はバルクへテロ型有機活性層と呼称され、後者の2層積層構造の有機活性層はヘテロジャンクション型有機活性層と呼称される。
通常、前者の1層構造の有機活性層はバルクへテロ型有機活性層と呼称され、後者の2層積層構造の有機活性層はヘテロジャンクション型有機活性層と呼称される。
前者のバルクへテロ型有機活性層では、電子受容性化合物と電子供与性化合物は、一方の電極側から他方の電極側に亘って連続した微細かつ複雑な形状の相を構成しており、相互に分離しつつ複雑な界面を構成している。したがって、バルクへテロ型有機活性層では、電子受容性化合物を含む相と電子供与性化合物を含む相とは、大変広い面積の界面を介して接している。そのため、バルクへテロ型有機活性層を有する有機光電変換素子は、平坦な1つの界面を介して電子受容性化合物を含む層と電子供与性化合物を含む層とが接しているヘテロジャンクション型有機活性層を有する有機光電変換素子に比べて、より高い光電変換効率が得られる。
前記有機活性層は、種々の機能を発現させるために必要な材料を含んでいてもよく、例えば、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するための増感剤、酸化防止剤、光に対する安定性を増すための安定剤、紫外線吸収剤等が必要に応じて添加されている(例えば、特許文献2参照)。
光電変換素子には、上述の有機光電変換素子の他に活性層に結晶シリコンやアモルファスシリコンなどの無機半導体材料を使用した無機光電変換素子がある。無機光電変換素子に比べて有機光電変換素子は、塗布法などにより常温で有機活性層を簡易に作製でき、軽量であるなどの利点がある反面、光電変換効率が低いという問題点がある。
有機、無機を問わず、光電変換素子に対して光電変換効率の向上という要望があるが、特に製造上の利点がある有機光電変換素子に対して光電変換効率の向上が求められているのが現状である。
本発明は、光電変換効率が高い有機光電変換素子を提供する。
[1] 陽極と、陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含む有機光電変換素子。
[2] 無機半導体微粒子が、無機蛍光体である、上記[1]に記載の有機光電変換素子。
[3] 無機半導体微粒子が、酸化物半導体又は化合物半導体である、上記[1]に記載の有機光電変換素子。
[4] 無機半導体微粒子の表面に紫外線吸収剤が付着している、上記[1]~[3]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
[5] 有機活性層中に、さらに酸化防止剤を含む、上記[1]~[4]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
[6] 有機活性層が、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含む、上記[1]~[5]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
[2] 無機半導体微粒子が、無機蛍光体である、上記[1]に記載の有機光電変換素子。
[3] 無機半導体微粒子が、酸化物半導体又は化合物半導体である、上記[1]に記載の有機光電変換素子。
[4] 無機半導体微粒子の表面に紫外線吸収剤が付着している、上記[1]~[3]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
[5] 有機活性層中に、さらに酸化防止剤を含む、上記[1]~[4]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
[6] 有機活性層が、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含む、上記[1]~[5]のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。
上述のように、本発明に係る有機光電変換素子は、陽極と陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含むことを特徴とする。
本発明に係る有機光電変換素子を構成する、陽極、有機活性層、有機活性層中に含有する紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子、陰極、および必要に応じて形成される他の構成要素について、以下に詳しく説明する。
本発明に係る有機光電変換素子を構成する、陽極、有機活性層、有機活性層中に含有する紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子、陰極、および必要に応じて形成される他の構成要素について、以下に詳しく説明する。
(光電変換素子の基本的形態)
本発明の光電変換素子の基本的形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、電子供与性化合物(p型の有機半導体)と電子受容性化合物(n型の有機半導体)との有機組成物から形成されるバルクへテロ型の有機活性層を有する。そして、有機活性層には、後述の紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子が含まれる。
本発明の光電変換素子の基本的形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、電子供与性化合物(p型の有機半導体)と電子受容性化合物(n型の有機半導体)との有機組成物から形成されるバルクへテロ型の有機活性層を有する。そして、有機活性層には、後述の紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子が含まれる。
(光電変換素子の基本動作)
透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーがフラーレン誘導体等の電子受容性化合物及び/又は共役高分子化合物等の電子供与性化合物で吸収され、電子と正孔がクーロン結合してなる励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると、界面でのそれぞれのHOMOエネルギー及びLUMOエネルギーの違いにより電子と正孔が分離し、独立に動くことができる電荷(電子と正孔)が発生する。発生したそれぞれの電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー(電流)として取り出すことができる。さらに、本発明では、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含むので、光電変換に用いにくい波長域にある紫外線のエネルギーも、有機活性層が含む紫外線吸収剤と無機半導体微粒子とによって、電子を発生させるために用いられるか、もしくは光電変換に用いられる光エネルギーに変換される。発生した電子は電気エネルギーとなり、変換された光エネルギーは、有機活性層材料により電気エネルギーに変換される。
透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーがフラーレン誘導体等の電子受容性化合物及び/又は共役高分子化合物等の電子供与性化合物で吸収され、電子と正孔がクーロン結合してなる励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると、界面でのそれぞれのHOMOエネルギー及びLUMOエネルギーの違いにより電子と正孔が分離し、独立に動くことができる電荷(電子と正孔)が発生する。発生したそれぞれの電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー(電流)として取り出すことができる。さらに、本発明では、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含むので、光電変換に用いにくい波長域にある紫外線のエネルギーも、有機活性層が含む紫外線吸収剤と無機半導体微粒子とによって、電子を発生させるために用いられるか、もしくは光電変換に用いられる光エネルギーに変換される。発生した電子は電気エネルギーとなり、変換された光エネルギーは、有機活性層材料により電気エネルギーに変換される。
(基板)
本発明の光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明であることが好ましい。
本発明の光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明であることが好ましい。
(電極)
前記の透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド(IZO)、NESA等の導電性材料を用いて作製された膜や、金、白金、銀、銅等が用いられる。これら電極材料の中でも、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
前記の透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド(IZO)、NESA等の導電性材料を用いて作製された膜や、金、白金、銀、銅等が用いられる。これら電極材料の中でも、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
他方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又は、1種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる1種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金等が挙げられる。
(中間層)
光電変換効率を向上させるための手段として光有機活性層以外の付加的な中間層(電荷輸送層など)を使用しても良い。中間層として用いられる材料としては、例えば、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物等を用いることができる。また、酸化チタン等の無機半導体の微粒子、PEDOT(ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン)などが挙げられる。
光電変換効率を向上させるための手段として光有機活性層以外の付加的な中間層(電荷輸送層など)を使用しても良い。中間層として用いられる材料としては、例えば、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物等を用いることができる。また、酸化チタン等の無機半導体の微粒子、PEDOT(ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン)などが挙げられる。
(有機活性層)
本発明の光電変換素子に含まれる有機活性層は、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含み、かつ紫外線吸収剤及び無機半導体微粒子を含有し、必要に応じて紫外線吸収剤の酸化防止剤を含有する。
なお、前記電子供与性化合物、前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
本発明の光電変換素子に含まれる有機活性層は、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含み、かつ紫外線吸収剤及び無機半導体微粒子を含有し、必要に応じて紫外線吸収剤の酸化防止剤を含有する。
なお、前記電子供与性化合物、前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
(電子供与性化合物:p型半導体)
前記電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体等のp型半導体ポリマーが挙げられる。
さらに、好適なp型半導体ポリマーとして、下記構造式(1)で示される構造単位を有する有機高分子化合物を挙げることができる。
前記電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体等のp型半導体ポリマーが挙げられる。
さらに、好適なp型半導体ポリマーとして、下記構造式(1)で示される構造単位を有する有機高分子化合物を挙げることができる。
上記有機高分子化合物としては、上記構造式(1)で示される構造単位を有する化合物と、下記構造式(2)で示される化合物との共重合体がより好ましい。
上記共重合体としては、具体的には、例えば、下記構造式(3)に示される2種の化合物の共重合体である高分子化合物Aや、下記構造式(4)で示される高分子化合物Bが用いられる。
(電子受容性化合物:n型半導体ポリマーなどのn型半導体)
前記電子受容性化合物としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、C60等のフラーレン類及びその誘導体、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体、酸化チタンなどの金属酸化物、カーボンナノチューブ等が挙げられる。電子受容性化合物としては、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
前記電子受容性化合物としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、C60等のフラーレン類及びその誘導体、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体、酸化チタンなどの金属酸化物、カーボンナノチューブ等が挙げられる。電子受容性化合物としては、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
フラーレンの例としては、C60フラーレン、C70フラーレン、C76フラーレン、C78フラーレン、C84フラーレンなどが挙げられる。
フラーレン誘導体としてはC60フラーレン誘導体、C70フラーレン誘導体、C76フラーレン誘導体、C78フラーレン誘導体、C84フラーレン誘導体が挙げられる。フラーレンの誘導体の具体的構造としては、以下のようなものが挙げられる。
フラーレン誘導体としてはC60フラーレン誘導体、C70フラーレン誘導体、C76フラーレン誘導体、C78フラーレン誘導体、C84フラーレン誘導体が挙げられる。フラーレンの誘導体の具体的構造としては、以下のようなものが挙げられる。
また、フラーレン誘導体の例としては、[6,6]フェニル-C61酪酸メチルエステル(C60PCBM、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル-C71酪酸メチルエステル(C70PCBM、[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル-C85酪酸メチルエステル(C84PCBM、[6,6]-Phenyl C85 butyric acid methyl ester)、[6,6]チェニル-C61酪酸メチルエステル([6,6]-Thienyl C61 butyric acid methyl ester)などが挙げられる。
電子受容性化合物としてフラーレン誘導体を用いる場合、フラーレン誘導体の割合が、電子供与性化合物100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、20~500重量部であることがより好ましい。
光有機活性層の厚さは、通常、1nm~100μmであり、好ましくは2nm~1000nmであり、より好ましくは5nm~500nmであり、さらに好ましくは20nm~200nmである。
(紫外腺吸収剤)
紫外線吸収剤としては、例えば、サリチル酸エステル系、ペンゾフェノン系、ペンゾトリアゾール系、ヒトロキシベンゾエート系、ペンゾエート系、シアノアクリレート系、カーバメート系等の化合物が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。
本発明の有機光電変換素子において、紫外線吸収剤は前記電子供与性及び電子受容性化合物が紫外線により劣化するのを防ぐために、入射光中の紫外線を吸収する役目を果たす。さらに、本発明の有機光電変換素子において、紫外線吸収剤は、吸収した紫外線エネルギーを熱に変換する特性を有し、エネルギーを無機半導体微粒子に移動させ、無機半導体微粒子により、光電変換に利用可能な波長域の光に変換させるか、電子を発生させる役目も果たす。
紫外線吸収剤としては、例えば、サリチル酸エステル系、ペンゾフェノン系、ペンゾトリアゾール系、ヒトロキシベンゾエート系、ペンゾエート系、シアノアクリレート系、カーバメート系等の化合物が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。
本発明の有機光電変換素子において、紫外線吸収剤は前記電子供与性及び電子受容性化合物が紫外線により劣化するのを防ぐために、入射光中の紫外線を吸収する役目を果たす。さらに、本発明の有機光電変換素子において、紫外線吸収剤は、吸収した紫外線エネルギーを熱に変換する特性を有し、エネルギーを無機半導体微粒子に移動させ、無機半導体微粒子により、光電変換に利用可能な波長域の光に変換させるか、電子を発生させる役目も果たす。
(無機半導体微粒子)
無機半導体微粒子を構成する無機化合物としては、熱のエネルギーにより光を発する特性を有する無機蛍光体、エネルギー移動により電子を発生する特性を有する酸化物半導体又は化合物半導体を挙げることができる。
無機蛍光体としては、具体的に、例えば、MgF2:Eu2+、1.29(Ba,Ca)O・6Al2O3:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、Y3Al5O12:Ce3+を挙げることができる。
また、酸化物半導体としては、具体的に、例えば、GaN、アモルファスSi、CdTe、GaAs、InP、Cu(In,Ga)Se2、ZnSb、GaSb、CdO、CdSb、InAs、InSb、InTe、SnSe、TlSe、PbS、PbSeを挙げることができる。
また、化合物半導体としては、具体的に、例えば、TiO2、ZnO、Al2O3、MoOを挙げることができる。
無機半導体微粒子の粒径サイズとしては、5~500nmであることが好ましい。
無機半導体微粒子を構成する無機化合物としては、熱のエネルギーにより光を発する特性を有する無機蛍光体、エネルギー移動により電子を発生する特性を有する酸化物半導体又は化合物半導体を挙げることができる。
無機蛍光体としては、具体的に、例えば、MgF2:Eu2+、1.29(Ba,Ca)O・6Al2O3:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、Y3Al5O12:Ce3+を挙げることができる。
また、酸化物半導体としては、具体的に、例えば、GaN、アモルファスSi、CdTe、GaAs、InP、Cu(In,Ga)Se2、ZnSb、GaSb、CdO、CdSb、InAs、InSb、InTe、SnSe、TlSe、PbS、PbSeを挙げることができる。
また、化合物半導体としては、具体的に、例えば、TiO2、ZnO、Al2O3、MoOを挙げることができる。
無機半導体微粒子の粒径サイズとしては、5~500nmであることが好ましい。
前記紫外線吸収剤及び無機半導体微粒子の使用形態としては、無機半導体微粒子の表面に紫外線吸収剤を被覆ないし付着させた形態が好ましい。その調製方法としては、紫外線吸収剤を含むバインダー溶液に無機半導体微粒子を混合し、混合溶液を乾燥させ、得られた凝集粒子(二次粒子)を一次粒子のサイズに解砕する方法が用いられる。
有機活性層を調製するに当たって、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを有する溶液における紫外線吸収剤と無機半導体微粒子の含有量としては、0.1~80重量%であることが好ましく、1~50重量%であることがより好ましく、5~10重量%であることがさらに好ましい。
(酸化防止剤)
本発明において、有機活性層に前記紫外線吸収剤と無機半導体微粒子を配合するに加えて、紫外線吸収剤の酸化を防止する酸化防止剤を配合することが好ましい。
かかる酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、ホスファイト系化合物等が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。前記光安定剤としては、例えば、ペンゾフェノン系、ペンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、オキザリックアシッド系、ヒンダードアミン系、サリチル酸エステル系、ヒドロキシベンゾエート系、ペンゾエート系、カーバメート系等の化合物が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。
酸化防止剤の含有量は、0.1~20重量%が好ましく、1~10重量%がより好ましく、3~5重量%がさらに好ましい。
本発明において、有機活性層に前記紫外線吸収剤と無機半導体微粒子を配合するに加えて、紫外線吸収剤の酸化を防止する酸化防止剤を配合することが好ましい。
かかる酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、ホスファイト系化合物等が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。前記光安定剤としては、例えば、ペンゾフェノン系、ペンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、オキザリックアシッド系、ヒンダードアミン系、サリチル酸エステル系、ヒドロキシベンゾエート系、ペンゾエート系、カーバメート系等の化合物が挙げられ、これらはそれぞれ一種単独で用いても二種以上併用してもよい。
酸化防止剤の含有量は、0.1~20重量%が好ましく、1~10重量%がより好ましく、3~5重量%がさらに好ましい。
(その他の成分)
有機活性層に、種々の機能を発現させるために、必要に応じて他の成分を含有させてもよい。例えば、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するためのため増感剤、紫外光に対する安定性を増すための光安定剤、等が挙げられる。
有機活性層に、種々の機能を発現させるために、必要に応じて他の成分を含有させてもよい。例えば、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するためのため増感剤、紫外光に対する安定性を増すための光安定剤、等が挙げられる。
有機活性層を構成する電子供与性化合物及び電子受容性化合物以外の成分は、電子供与性化合物及び電子受容性化合物の合計量100重量部に対し、それぞれ5重量部以下、特には0.01~3重量部の割合で配合するのが効果的である。
また、有機活性層は、機械的特性を高めるため、本発明の電子供与性化合物及び電子受容性化合物以外の高分子化合物を高分子バインダーとして含んでいてもよい。高分子バインダーとしては、電子輸送性又はホール輸送性を阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。前記高分子バインダーとしては、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
また、有機活性層は、機械的特性を高めるため、本発明の電子供与性化合物及び電子受容性化合物以外の高分子化合物を高分子バインダーとして含んでいてもよい。高分子バインダーとしては、電子輸送性又はホール輸送性を阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。前記高分子バインダーとしては、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
(有機活性層の製造方法)
本願発明では、有機活性層は、バルクへテロ型であり、上記電子供与性化合物、電子受容性化合物、および紫外線吸収剤を被覆もしくは付着させた無機半導体微粒子、必要に応じて配合される他の成分とを含む溶液からの成膜により形成することができる。
本願発明では、有機活性層は、バルクへテロ型であり、上記電子供与性化合物、電子受容性化合物、および紫外線吸収剤を被覆もしくは付着させた無機半導体微粒子、必要に応じて配合される他の成分とを含む溶液からの成膜により形成することができる。
溶液からの成膜に用いる溶媒は、上述の電子供与性化合物および電子受容性化合物を溶解させるものであれば、特に制限はない。かかる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n-ブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素溶媒;四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素溶媒;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素溶媒;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類溶媒等が挙げられる。本発明の重合体は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。
成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができる。前記塗布法のうち、スピンコート法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。
(素子の用途)
本発明の光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
本発明の光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を入射させることにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
(太陽電池モジュール)
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の有機光電変換素子を適用した有機薄膜太陽電池でも使用目的や使用場所および環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の有機光電変換素子を適用した有機薄膜太陽電池でも使用目的や使用場所および環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側または両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リードまたはフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出す構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート(EVA)等様々な種類のプラスチック材料をフィルムまたは充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、または上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封およびモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料および封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Solar Energy Materials and Solar Cells, 48,p383-391記載の「SCAF」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
以下、本発明の実施例を説明する。以下に示す実施例は、本発明を説明するための好適な例示であり、本発明を限定するものではない。
(実施例1)
(透明基板-透明陽極-正孔輸送層の形成)
スパッタ法にて成膜された約150nmの膜厚のITOがパターニングされてなる透明電極(陽極)を表面に有する透明ガラス基板を準備した。このガラス基板を有機溶媒、アルカリ洗剤、超純水で洗浄し、乾かした。乾かした基板にUVオゾン装置(UV-03装置、テクノビジョン社製、型番「UV-312」)にてUV-03処理を行った。
正孔輸送層材料としてポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名「Bytron P TP AI 4083」)の懸濁液を用意し、この懸濁液を0.5ミクロン径のフィルターでろ過した。濾過した懸濁液を、前記基板の透明電極がある面側に、スピンコートにより70nmの厚みで成膜した。得られた膜を大気環境下のホットプレート上で200℃で10分間乾燥して、透明電極上に正孔輸送層を形成した。
(透明基板-透明陽極-正孔輸送層の形成)
スパッタ法にて成膜された約150nmの膜厚のITOがパターニングされてなる透明電極(陽極)を表面に有する透明ガラス基板を準備した。このガラス基板を有機溶媒、アルカリ洗剤、超純水で洗浄し、乾かした。乾かした基板にUVオゾン装置(UV-03装置、テクノビジョン社製、型番「UV-312」)にてUV-03処理を行った。
正孔輸送層材料としてポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名「Bytron P TP AI 4083」)の懸濁液を用意し、この懸濁液を0.5ミクロン径のフィルターでろ過した。濾過した懸濁液を、前記基板の透明電極がある面側に、スピンコートにより70nmの厚みで成膜した。得られた膜を大気環境下のホットプレート上で200℃で10分間乾燥して、透明電極上に正孔輸送層を形成した。
(有機活性層の形成)
次に、下記構造式(3)に表される電子供与性化合物(p型半導体材料)である高分子化合物Aと、電子受容性化合物(n型半導体材料)である[6,6]-フェニル C61 ブチリックアシッドメチルエステル([6,6]-PCBM)の重量比1:3のオルトジクロロベンゼン溶液を調整した。
次に、下記構造式(3)に表される電子供与性化合物(p型半導体材料)である高分子化合物Aと、電子受容性化合物(n型半導体材料)である[6,6]-フェニル C61 ブチリックアシッドメチルエステル([6,6]-PCBM)の重量比1:3のオルトジクロロベンゼン溶液を調整した。
調整した溶液にヒンダードフェノール系酸化防止剤(チバ・ジャパン社製、商品名「IRGANOX 1010」)を0.23wt%添加した。
また、紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(チバ・ジャパン社製、商品名「TINUVIN 328」)を用い、平均粒径21nmの無機半導体微粒子(TiO2微粒子:日本アエロジル社製、商品名「P25」)と混合させ、これをガラス基板上に塗布した。前記ガラス基板上の塗膜を真空オーブンにて乾燥させた。次に、乾燥塗膜をガラス基板から機械的に剥離し、ボールミルで粉砕することにより紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を得た。
上記紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を上記調整した溶液に0.27wt%添加し、攪拌混合を行い、その後、超音波処理を施して均一に分散させた。
また、紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(チバ・ジャパン社製、商品名「TINUVIN 328」)を用い、平均粒径21nmの無機半導体微粒子(TiO2微粒子:日本アエロジル社製、商品名「P25」)と混合させ、これをガラス基板上に塗布した。前記ガラス基板上の塗膜を真空オーブンにて乾燥させた。次に、乾燥塗膜をガラス基板から機械的に剥離し、ボールミルで粉砕することにより紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を得た。
上記紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を上記調整した溶液に0.27wt%添加し、攪拌混合を行い、その後、超音波処理を施して均一に分散させた。
得られた分散溶液を上記基板の正孔輸送層の表面にスピンコートした後、N2雰囲気中で乾燥を行った。これにより正孔輸送層上にバルクへテロ型の有機活性層が形成された。
(電子輸送層-陰極の形成及び封止処理)
最後に、上記基板を抵抗加熱蒸着装置内に置き、有機活性層の上部にLiFを約2.3nm制膜して電子輸送層を形成し、続いてAlを約70nmの膜厚で成膜して陰極を形成した。その後、さらに封止材としてエポキシ樹脂(急速硬化型アラルダイト)を用いて陰極上にガラス基板を接着することで封止処理を施し、有機光電変換素子を得た。
得られた光電変換素子の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。
最後に、上記基板を抵抗加熱蒸着装置内に置き、有機活性層の上部にLiFを約2.3nm制膜して電子輸送層を形成し、続いてAlを約70nmの膜厚で成膜して陰極を形成した。その後、さらに封止材としてエポキシ樹脂(急速硬化型アラルダイト)を用いて陰極上にガラス基板を接着することで封止処理を施し、有機光電変換素子を得た。
得られた光電変換素子の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。
(実施例2)
(透明基板-透明陽極-正孔輸送層の形成)
スパッタ法にて成膜された約150nmの膜厚のITOがパターニングされてなる透明電極(陽極)を表面に有する透明ガラス基板を準備した。このガラス基板を有機溶媒、アルカリ洗剤、超純水で洗浄し、乾かした。乾かした基板にUVオゾン装置(UV-03装置、テクノビジョン社製、型番「UV-312」)にてUV-03処理を行った。
正孔輸送層材料としてポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名「Bytron P TP AI 4083」)の懸濁液を用意し、この懸濁液を0.5ミクロン径のフィルターでろ過した。濾過した懸濁液を、前記基板の透明電極がある面側に、スピンコートにより70nmの厚みで成膜した。得られた膜を大気環境下のホットプレート上で200℃で10分間乾燥して、透明電極上に正孔輸送層を形成した。
(透明基板-透明陽極-正孔輸送層の形成)
スパッタ法にて成膜された約150nmの膜厚のITOがパターニングされてなる透明電極(陽極)を表面に有する透明ガラス基板を準備した。このガラス基板を有機溶媒、アルカリ洗剤、超純水で洗浄し、乾かした。乾かした基板にUVオゾン装置(UV-03装置、テクノビジョン社製、型番「UV-312」)にてUV-03処理を行った。
正孔輸送層材料としてポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名「Bytron P TP AI 4083」)の懸濁液を用意し、この懸濁液を0.5ミクロン径のフィルターでろ過した。濾過した懸濁液を、前記基板の透明電極がある面側に、スピンコートにより70nmの厚みで成膜した。得られた膜を大気環境下のホットプレート上で200℃で10分間乾燥して、透明電極上に正孔輸送層を形成した。
(有機活性層の形成)
次に、電子供与性化合物(第1のp型半導体ポリマー)であるポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)と、電子受容性化合物(n型半導体)である[6,6]-フェニル C61 ブチリックアシッドメチルエステル([6,6]-PCBM)の重量比1:0.8のオルトジクロロベンゼン溶液を調整した。
次に、電子供与性化合物(第1のp型半導体ポリマー)であるポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)と、電子受容性化合物(n型半導体)である[6,6]-フェニル C61 ブチリックアシッドメチルエステル([6,6]-PCBM)の重量比1:0.8のオルトジクロロベンゼン溶液を調整した。
調整した溶液にヒンダードフェノール系酸化防止剤(チバ・ジャパン社製、商品名「IRGANOX 1010」)を0.23wt%添加した。
また、紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(チバ・ジャパン社製、商品名「TINUVIN 328」)を用い、平均粒径21nmの無機半導体微粒子(TiO2微粒子:日本アエロジル社製、商品名「P25」)と混合させ、これをガラス基板上に塗布した。前記ガラス基板上の塗膜を真空オーブンにて乾燥させた。次に、乾燥塗膜をガラス基板から機械的に剥離し、ボールミルで粉砕することにより紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を得た。
上記紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を上記調整した溶液に0.27wt%添加し、攪拌混合を行い、その後、超音波処理を施して均一に分散させた。
また、紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(チバ・ジャパン社製、商品名「TINUVIN 328」)を用い、平均粒径21nmの無機半導体微粒子(TiO2微粒子:日本アエロジル社製、商品名「P25」)と混合させ、これをガラス基板上に塗布した。前記ガラス基板上の塗膜を真空オーブンにて乾燥させた。次に、乾燥塗膜をガラス基板から機械的に剥離し、ボールミルで粉砕することにより紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を得た。
上記紫外腺吸収剤被覆無機半導体微粒子を上記調整した溶液に0.27wt%添加し、攪拌混合を行い、その後、超音波処理を施して均一に分散させた。
得られた分散溶液を上記基板の正孔輸送層の表面にスピンコートした後、N2雰囲気中で乾燥を行った。これにより正孔輸送層上にバルクへテロ型の有機活性層が形成された。
(電子輸送層-陰極の形成及び封止処理)
最後に、上記基板を抵抗加熱蒸着装置内に置き、有機活性層の上部にLiFを約2.3nm制膜して電子輸送層を形成し、続いてAlを約70nmの膜厚で成膜して陰極を形成した。その後、さらに封止材としてエポキシ樹脂(急速硬化型アラルダイト)を用いて陰極上にガラス基板を接着することで封止処理を施し、有機光電変換素子を得た。
得られた光電変換素子の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。
最後に、上記基板を抵抗加熱蒸着装置内に置き、有機活性層の上部にLiFを約2.3nm制膜して電子輸送層を形成し、続いてAlを約70nmの膜厚で成膜して陰極を形成した。その後、さらに封止材としてエポキシ樹脂(急速硬化型アラルダイト)を用いて陰極上にガラス基板を接着することで封止処理を施し、有機光電変換素子を得た。
得られた光電変換素子の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。
(比較例1)
実施例1において、酸化防止剤、紫外線吸収剤、および無機半導体微粒子を配合しなかったこと以外、実施例1と同様にして有機光電変換素子を作製した。
実施例1において、酸化防止剤、紫外線吸収剤、および無機半導体微粒子を配合しなかったこと以外、実施例1と同様にして有機光電変換素子を作製した。
(比較例2)
実施例2において、酸化防止剤、紫外線吸収剤、および無機半導体微粒子を配合しなかったこと以外、実施例2と同様にして有機光電変換素子を作製した。
実施例2において、酸化防止剤、紫外線吸収剤、および無機半導体微粒子を配合しなかったこと以外、実施例2と同様にして有機光電変換素子を作製した。
(光電変換素子の光電変換効率の評価)
実施例1,2および比較例1,2で得た光電変換素子の光電変換効率を、開放端電圧(mV)によって評価した。開放端電圧は、以下の条件により求めた。
得られた光電変換素子(有機薄膜太陽電池を想定:形状は、2mm×2mmの正四角形)にソーラシミュレーター(分光計器製、商品名「CEP-2000型、放射照度100mW/cm2」)を用いて一定の光を照射し、開放端電圧を測定した。その結果を下記表1および表2に示した。
実施例1,2および比較例1,2で得た光電変換素子の光電変換効率を、開放端電圧(mV)によって評価した。開放端電圧は、以下の条件により求めた。
得られた光電変換素子(有機薄膜太陽電池を想定:形状は、2mm×2mmの正四角形)にソーラシミュレーター(分光計器製、商品名「CEP-2000型、放射照度100mW/cm2」)を用いて一定の光を照射し、開放端電圧を測定した。その結果を下記表1および表2に示した。
表1および表2に示すように、実施例1で作製した光電変換素子の開放端電圧は比較例1で作製した光電変換素子の開放端電圧に比べて高い値を示し、また、実施例2で作製した光電変換素子の開放端電圧は比較例2で作製した光電変換素子の開放端電圧に比べて高い値を示した。
本発明にかかる有機光電変換素子は、光電変換効率を向上させることができ、太陽電池や光センサーなどの光電デバイスに有用であり、特に、有機太陽電池に適している。
Claims (6)
- 陽極と、陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が紫外腺吸収剤と無機半導体微粒子とを含む有機光電変換素子。
- 無機半導体微粒子が、無機蛍光体である請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 無機半導体微粒子が、酸化物半導体又は化合物半導体である請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 無機半導体微粒子の表面に紫外線吸収剤が付着している請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 有機活性層中に、さらに酸化防止剤を含む請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 有機活性層が、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含む請求項1に記載の有機光電変換素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-250866 | 2009-10-30 | ||
JP2009250866 | 2009-10-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011052567A1 true WO2011052567A1 (ja) | 2011-05-05 |
Family
ID=43921991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/068940 WO2011052567A1 (ja) | 2009-10-30 | 2010-10-26 | 有機光電変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5553728B2 (ja) |
WO (1) | WO2011052567A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013021971A1 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-03-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013146754A1 (ja) | 2012-03-27 | 2013-10-03 | 塩野義製薬株式会社 | Trpv4阻害活性を有する芳香族複素5員環誘導体 |
JP2016042508A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | アシザワ・ファインテック株式会社 | 電子素子 |
WO2020261933A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、撮像素子、光センサ、光電変換素子用材料 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222970A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
WO2007073467A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | The Trustees Of Princeton University | Intermediate-band photosensitive device with quantum dots having tunneling barrier embedded in organic matrix |
WO2008041597A1 (fr) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Dispositif de conversion photoélectrique organique et polymère utile pour produire ledit dispositif |
JP2009158730A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2916660B1 (fr) * | 2007-05-28 | 2010-10-15 | Commissariat Energie Atomique | Couches minces de polymeres conjugues contenant des nanoparticules inorganiques et leur procede de fabrication |
-
2010
- 2010-10-26 WO PCT/JP2010/068940 patent/WO2011052567A1/ja active Application Filing
- 2010-10-29 JP JP2010243118A patent/JP5553728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222970A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
WO2007073467A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | The Trustees Of Princeton University | Intermediate-band photosensitive device with quantum dots having tunneling barrier embedded in organic matrix |
WO2008041597A1 (fr) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Dispositif de conversion photoélectrique organique et polymère utile pour produire ledit dispositif |
JP2009158730A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
B.R.SAUNDERS ET AL.: "Nanoparticle-polymer photovoltaic cells", ADVANCES IN COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, vol. 138, no. 1, 2008, pages 1 - 23, XP022586489, DOI: doi:10.1016/j.cis.2007.09.001 * |
T.F.GUO ET AL.: "Effect of Ti02 Nanoparticles on Polymer-Based Bulk Heterojunction Solar Cells", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 45, no. 49, 2006, pages L1314 - L1316, XP001517858, DOI: doi:10.1143/JJAP.45.L1314 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013021971A1 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-03-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011119701A (ja) | 2011-06-16 |
JP5553728B2 (ja) | 2014-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5553727B2 (ja) | 有機光電変換素子及びその製造方法 | |
JP5690115B2 (ja) | 有機光電変換素子 | |
US20120216866A1 (en) | Organic photovoltaic cell | |
JP5608041B2 (ja) | 有機光電変換素子及び有機光電変換モジュール | |
WO2011052571A1 (ja) | 有機光電変換素子 | |
WO2011052565A1 (ja) | 有機光電変換素子 | |
WO2011052573A1 (ja) | 有機光電変換素子 | |
US20120211741A1 (en) | Organic photovoltaic cell | |
JP5553728B2 (ja) | 有機光電変換素子 | |
WO2011052583A1 (ja) | 有機光電変換素子 | |
WO2011052580A1 (ja) | 有機光電変換素子及びその製造方法 | |
JP5715796B2 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
JP5608040B2 (ja) | 有機光電変換素子 | |
WO2011142314A1 (ja) | 光電変換素子 | |
WO2011052579A1 (ja) | 有機光電変換素子及びその製造方法 | |
WO2012121274A1 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
WO2011148900A1 (ja) | 高分子化合物及びそれを用いた光電変換素子 | |
WO2011052578A1 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
JP2010251235A (ja) | 電子素子 | |
WO2014136696A1 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10826699 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10826699 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |