JP5984758B2 - シリコン芯線の取り扱い方法 - Google Patents

シリコン芯線の取り扱い方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5984758B2
JP5984758B2 JP2013159532A JP2013159532A JP5984758B2 JP 5984758 B2 JP5984758 B2 JP 5984758B2 JP 2013159532 A JP2013159532 A JP 2013159532A JP 2013159532 A JP2013159532 A JP 2013159532A JP 5984758 B2 JP5984758 B2 JP 5984758B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core wire
silicon core
silicon
bag
handling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013159532A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015030628A (ja
Inventor
直樹 永井
直樹 永井
岡田 淳一
淳一 岡田
小林 幸一
幸一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2013159532A priority Critical patent/JP5984758B2/ja
Publication of JP2015030628A publication Critical patent/JP2015030628A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5984758B2 publication Critical patent/JP5984758B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明はシリコン芯線の取り扱い方法に関し、より詳細には、シリコンを析出させるためのシリコン芯線の汚染や破損を防止する技術に関する。
多結晶シリコンは、半導体デバイス製造用単結晶シリコン基板や太陽電池製造用シリコン基板の原料である。一般に、多結晶シリコンの製造は、クロロシランを含む原料ガスを、加熱されたシリコン芯線に接触させ、当該シリコン芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)させるシーメンス法により行われる(例えば、特公昭37−18861号公報(特許文献1)を参照)。
シーメンス法により多結晶シリコンを気相成長する場合、鉛直方向に2本、水平方向に1本のシリコン芯線を、反応炉内に鳥居型(逆U字状)に組立て、この鳥居型に組んだシリコン芯線の両端のそれぞれを、芯線ホルダを介して、ベースプレート(底板)上に設けたシリコン用金属電極に固定する。そして、これらのシリコン用金属電極から上記鳥居型シリコン芯線に通電することで加熱がなされる。なお、通常は、複数個の鳥居型シリコン芯線がベースプレート上に配置される。
反応炉(反応器)内では、上述したベースプレートとドーム型の容器(ベルジャ)で形成される密閉空間が多結晶シリコンを気相成長させるための反応空間となる。シリコン用金属電極は絶縁物を挟んでベースプレートを貫通し、配線を通して別のシリコン用金属電極に接続されるか、反応炉外に配置された電源に接続される。反応空間内で多結晶シリコンを気相成長させる際に鳥居型シリコン芯線以外の部分にも多結晶シリコンが析出することを防止し、また装置材料の高温による損傷を防止するために、シリコン用金属電極とベースプレートおよびベルジャは、水、オイルなどの冷媒を用いて冷却される。芯線ホルダは、シリコン用金属電極を介して冷却される。
反応炉内を水素雰囲気とし、上記シリコン用金属電極から電流を導通させてシリコン芯線を900℃以上1200℃以下の温度範囲に加熱しながら原料ガスをガスノズルから反応炉内に供給すると、シリコン芯線上にシリコンが気相成長し、所望の直径の多結晶シリコンが逆U字状に形成される。上記原料ガスとしては、例えばトリクロロシランと水素の混合ガスが用いられる。そして反応炉内を冷却した後に大気開放し、反応炉から多結晶シリコンを取り出す。
例えば、特許文献2(特開2011−037699号公報)には、反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる際に、高圧かつ原料大量供給の条件で、ロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを大径に成長させる技術が開示されている。
ここで用いられるシリコン芯線は、一般的に細長い形状を有している。その理由は、シリコン芯線の直径が、多結晶シリコン棒(ポリシリコンロッド)の直径に比較して小さければ小さいほど、製品にできる多結晶シリコンの収率が高くなるからである。また、多結晶シリコン棒の長さはシリコン芯線の長さにより決まるため、シリコン芯線が長ければ長いほど、生産性が高まるという理由もある。
一般的なシリコン芯線は、径は10mm以下(断面が四角なら一辺の長さ、断面が円なら直径)で、長さが1.5m〜2.5m程度の、細長いシリコン棒である。このようなシリコン棒は、単結晶若しくは多結晶のシリコンロッドを細長く切断加工したり、シリコン芯線製造用の結晶引上装置を用いて得られる。
シリコン芯線の両端は、電極に接続するための、カーボン等による芯線ホルダに組み付ける下端と、対をなし鳥居型を組む他の1本のシリコン芯線との間でブリッジを取り付ける上端を有し、一般的には、差し込んで組み付けられるように、両端それぞれが機械加工されている。例えば、上端はブリッジと組み合わせて鳥居状にするために、先端部が円筒状の突起となるように研削加工される。また、下端は芯線ホルダに組み付けるために、所望の寸法に加工される。
半導体デバイス製造用単結晶シリコン基板の製造に用いる多結晶シリコンのように、高純度の多結晶シリコンを製造する場合には、多結晶シリコン棒の育成に用いる際のシリコン芯線の内部および表面の清浄度が極めて高いものである必要がある。このため、機械加工されたシリコン芯線は、最終段階でエッチングや洗浄が行われ、表面の汚れや傷が除去される。さらに、使用直前まで汚染されないように保管され、運搬時等のハンドリングに際しても清浄度を維持することが必要となる。
特公昭37−18861号公報 特開2011−037699号公報
上述のように、シリコン芯線は細長いシリコン棒である。シリコン結晶は、多結晶であるか単結晶であるかに関わらず脆性が高い。このため、シリコン芯線同士が接触したり衝突させてしまうと、傷やクラックが発生し易い。
シリコン芯線に傷やクラックがあると、電極に固定する作業中や、反応炉内での加熱時やシリコン析出反応中にシリコン芯線が折れてしまうことがある。特に、シリコン析出反応中にシリコン芯線が折れてしまうと、もはやそのシリコン芯線上にシリコンの析出を継続することが不能になるだけではなく、電源を共用している他のシリコン芯線でのシリコン析出反応も継続不能になる。さらに、シリコン芯線が折れることで反応炉内の温度分布や原料ガスの流れも変わってしまい、予め設定された反応条件から外れ、多結晶シリコンの生産性・歩留りの低下に繋がる。
このようなことに加え、反応炉内で倒壊したシリコン芯線が他のシリコン芯線に衝突等して析出反応の継続不能領域が拡大した場合には、
析出反応そのものを停止せざるを得ず、冷却して炉内を掃除することからやり直しとなり、作業時間も大きくロスしてしまう。
このように、シリコン芯線の取り扱いは丁寧に行う必要があるが、通常、シリコン芯線は剥き出しの状態で専用台に並べられ、ケース等に入れて保管や運搬等がなされている。
しかし、ケースの蓋の開け閉めの際や、シリコン芯線をケースから取り出す際に、誤って汚染させてしまったり、破損させてしまうことがある。また、シリコン芯線の取り扱いの際に用いられる手袋の管理が悪いと、シリコン芯線を汚染させてしまう。
さらに、シリコン芯線の種類や製造ロット等の履歴管理は重要であるが、そのためにラベル等をシリコン芯線の表面に直接貼付すると、シリコン芯線の汚染に繋がる。なお、シリコン芯線にレーザマーク等で刻印する方法は、汚染の心配はないものの、形状によっては困難な場合がある。
本発明は、このような種々の問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、シリコン芯線を運搬、保管、その他のハンドリング時の破損や汚染を防ぎ、個別の識別を可能とする方法を提供することにある。
上述の課題を解決するために、本発明に係るシリコン芯線の取り扱い方法は、CVD法による多結晶シリコンの析出に用いられるシリコン芯線の取り扱い方法であって、前記シリコン芯線を洗浄後に1本毎に袋詰めし、該袋詰めの状態で前記シリコン芯線をハンドリングし、反応炉内にセットする際に前記シリコン芯線を袋から取り出して電極に取り付けることを特徴とする。
好ましくは、前記洗浄後の前記シリコン芯線を前記袋を密封して袋詰めする。
また、好ましくは、前記袋の材質はポリエチレン製である。
また、好ましくは、前記袋の外面に前記シリコン芯線の履歴管理用の識別ラベルを添付する。
さらに、好ましくは、前記電極へのシリコン芯線の取り付け作業を、前記袋の外面のみに触れ、前記シリコン芯線に直接触れることなく行う。
ポリシリコン芯線を1本ずつ袋詰めすることで、シリコン芯線の保管時、運搬時、その他ハンドリング時の傷の発生や破損を防ぐことができる。その結果、シリコン芯線のロスや多結晶シリコンロッドの傷が起因して生じるシリコン析出反応中の倒壊等のおそれがなくなる。
本発明によるシリコン芯線の袋詰めの一例である。 従来のシリコン芯線の保管台の一例である。 本発明の袋詰めされたシリコン芯線をケースに入れて横置きした一例である。 本発明の袋詰めされたシリコン芯線をケースに入れて縦置きした一例である。
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
本発明では、CVD法によりシリコン芯線にシリコンを析出させて多結晶シリコンロッドを製造するに際し、シリコン芯線を洗浄後に1本毎に袋詰めし、袋詰めの状態で前記シリコン芯線をハンドリングする。そして、反応炉内にセットする際にシリコン芯線を袋から取り出して電極に取り付ける。
シリコン芯線を1本ずつ袋詰めした状態で取り扱うことにより、ハンドリング中に、シリコン芯線に、シリコン芯線同士が直接触れ合うことにより発生する傷やクラック等の損傷が生じることが防止できる。
図1は、本発明によるシリコン芯線の袋詰めの一例である。シリコン芯線1は、洗浄された後に、1本毎、袋2に詰められる。
袋2の材質は特別な限定はないが、清浄度を維持するために容易にシール可能なものが好ましく、熱可塑性を有するものであれば、ヒートシールにより容易に清浄度を維持したまま保管ができる。具体的な好ましい材料としては、例えば、ポリエチレン製のものである。特に、可塑剤等が添加されていないポリエチレン製の袋は、実用的な強度と柔軟性を有しつつ、汎用かつ安価であり、また、収容したシリコン芯線1を汚染させないという観点から、好適である。
袋2は厚みがあるほど、外部からの衝撃に強くなり、破損して内部を汚染させるおそれがなくなる。その観点からは、ポリエチレン製の袋の場合、厚みは0.1mm程度あればよい。なお、収容するシリコン芯線1に対して少し大きめの袋を用いると、袋の余った部分が緩衝材の役目を果たすから保護力が高まる。
洗浄後のシリコン芯線1を袋2に収容した後に密封すると、その後の汚染の心配がない。このような密封は、例えば、筒状のポリエチレンチューブ内にシリコン芯線1を入れた後、その両端をヒートシールして袋状とするなどの方法で行えばよい。
また、シリコン芯線1を袋詰めした袋2の外面に、シリコン芯線を1本毎に識別するためのラベル(例えば、ロットの履歴を示すバーコード・ラベルなどの履歴管理用識別ラベル)を添付(貼付等)すると、シリコン芯線の履歴等を容易に管理することができる。
図2は、シリコン芯線の取り扱いに用いられている、一般的な保管台の一例である。保管台3には、シリコン芯線1を載置するための溝などが形成され、この凹部でシリコン芯線1を支えることで、シリコン芯線1が互いに衝突しないようになっている。
なお、この保管台3には、汚染を防止しシリコン芯線に損傷を与えないような材質、例えばフッ素樹脂などが用いられる。また、このような保管台3は、複数段の積み重ねが可能である。
保管台3は、シリコン芯線1を載置した状態でケース等に収容され、シリコン芯線1を汚染等から保護する。
図3および図4は、それぞれ、本発明の袋詰めされたシリコン芯線1を円筒状のケース4に入れて横置きおよび縦置きした一例である。
汎用的な円筒型ケース4を用いることで、袋2が緩衝材のように働き、シリコン芯線1を傷つけることなく、多数のシリコン芯線1を、ケース4内に収納することが可能である。
従来型の保管台3では、シリコン芯線1は横置きとする他なかったが、本発明の場合には、汎用の円筒状ケース4に差し込むだけで縦置き保管も可能となる。
シリコン芯線1を反応炉の電極に取り付ける作業を行う際には、袋2の外面のみに触れるようにし、シリコン芯線1には直接触れることのないようにする。つまり、シリコン芯線1を、袋2から完全に取り出して作業するのでなく、電極に固定するのに必要な部分のみを袋2から露出させてハンドリングすることで、シリコン芯線1への汚染を最少限にする。
多結晶シリコンロッドを長さ1,800mmに切断し、板状に切断した後に、7mm×7mmのシリコンロッドに加工した。このシリコンロッドの上端に、ブリッジを組み付けるための加工を施し、下端は、芯線ホルダに固定するための加工を施した。このような加工の後、表面の汚れを拭き取り、エッチング、水洗して、その後、乾燥させた。
ポリエチレン(PE)袋は、厚さ0.1mmで幅45mmの無添加LDポリエチレンチューブ(株式会社ウラワオビックス製)を用いて作製した。具体的には、予め、2,000mmの長さに切断した後に筒状とし、その片側を卓上シーラ(白光株式会社製:FV−802)にてヒートシールすることで、袋状に加工してPE袋とした。
上述の乾燥が完了したシリコン芯線を、1本毎、上記手順で作製したPE袋に入れ、袋口をヒートシールして内部を密閉した。
このPE袋の外面に、シリコン芯線の履歴情報を記録したバーコード・ラベルを貼付し、円筒状ケースに収容した。シリコン芯線は、実使用するまで、この状態で保管した。
反応炉にシリコン芯線をセットする段階では、目的に適したシリコン芯線を選択し、円筒状ケースに収納された状態で反応炉まで運び、1本ずつ、PE袋に密閉された状態で、PE袋の片側下端のみ開封し、PE袋がシリコン芯線を被っている状態で、芯線ホルダに組み付け、反応炉にセットした。この時、個々のシリコン芯線を反応炉のどの電極にセットしたかを記録した。
このような取り扱いをすることにより、2本以上のシリコン芯線を1つのPE袋に入れて保管・搬送していた際には、極めて丁寧に取り扱っても、芯線ホルダに取り付ける際にシリコン芯線上に傷が発見されることがあったが、そのような傷の発生が殆ど生じなくなった。
本発明は、シリコン芯線の保管時、運搬時、その他ハンドリング時の傷の発生や破損を防ぐ技術を提供する。その結果、シリコン芯線のロスや多結晶シリコンロッドの傷が起因して生じるシリコン析出反応中の倒壊等のおそれがなくなる。
1 シリコン芯線
2 袋
3 保管台
4 円筒状ケース

Claims (5)

  1. CVD法による多結晶シリコンの析出に用いられるシリコン芯線の取り扱い方法であって、
    前記シリコン芯線を洗浄後に1本毎に袋詰めし、
    該袋詰めの状態で前記シリコン芯線をハンドリングし、
    反応炉内にセットする際に前記シリコン芯線を袋から取り出して電極に取り付ける、ことを特徴とするシリコン芯線の取り扱い方法
  2. 前記洗浄後の前記シリコン芯線を前記袋を密封して袋詰めする、請求項1に記載のシリコン芯線の取り扱い方法
  3. 前記袋の材質はポリエチレン製である、請求項1または2に記載のシリコン芯線の取り扱い方法
  4. 前記袋の外面に前記シリコン芯線の履歴管理用の識別ラベルを添付する、請求項1〜3の何れか1項に記載のシリコン芯線の取り扱い方法
  5. 前記電極へのシリコン芯線の取り付け作業を、前記袋の外面のみに触れ、前記シリコン芯線に直接触れることなく行う、請求項1〜4の何れか1項に記載のシリコン芯線の取り扱い方法
JP2013159532A 2013-07-31 2013-07-31 シリコン芯線の取り扱い方法 Active JP5984758B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013159532A JP5984758B2 (ja) 2013-07-31 2013-07-31 シリコン芯線の取り扱い方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013159532A JP5984758B2 (ja) 2013-07-31 2013-07-31 シリコン芯線の取り扱い方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015030628A JP2015030628A (ja) 2015-02-16
JP5984758B2 true JP5984758B2 (ja) 2016-09-06

Family

ID=52516271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013159532A Active JP5984758B2 (ja) 2013-07-31 2013-07-31 シリコン芯線の取り扱い方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5984758B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6200857B2 (ja) * 2014-06-03 2017-09-20 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンロッドの製造方法、多結晶シリコンロッド、および、多結晶シリコン塊
US11306001B2 (en) 2016-06-23 2022-04-19 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon rod and method for producing same
JPWO2021039569A1 (ja) 2019-08-23 2021-03-04

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5751748B2 (ja) * 2009-09-16 2015-07-22 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法
JP5514048B2 (ja) * 2010-09-06 2014-06-04 株式会社トクヤマ ポリシリコンの包装体
DE102010040836A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Dünnstäben

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015030628A (ja) 2015-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5984758B2 (ja) シリコン芯線の取り扱い方法
KR20140122711A (ko) 다결정 실리콘 봉 반출 지그 및 다결정 실리콘 봉의 예취 방법
JP6763428B2 (ja) 多結晶シリコンロッド及びその製造方法
JP2010047470A (ja) 一種の多結晶シリコン棒の取出し方法及び当該方法に使用される取出し装置と取出し装置の組合せ
JP5001524B2 (ja) 石英ガラス製治具の再生方法
WO2015186318A1 (ja) 多結晶シリコンロッドの製造方法、多結晶シリコンロッド、および、多結晶シリコン塊
CN103372559A (zh) 炉管清洗方法
JPWO2011158404A1 (ja) ベルジャー清浄化方法、多結晶シリコンの製造方法、およびベルジャー用乾燥装置
KR102443968B1 (ko) 클리닝 방법 및 성막 방법
TWI598201B (zh) 無樑式晶錠切割
US10605659B2 (en) Process for determining surface contamination of polycrystalline silicon
TWI657044B (zh) 多晶矽棒對和製造多晶矽的方法
JP5539292B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
JP5507505B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
JP2011178626A (ja) 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置
US12060277B2 (en) Method for producing polycrystalline silicon
CN107867693A (zh) 用于分离多晶硅‑碳夹头的装置和方法
JP5828353B2 (ja) 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置
CN101381889A (zh) 多晶硅的洗净方法和洗净装置以及多晶硅的制造方法
WO2018164197A1 (ja) 多結晶シリコン加工品の製造方法
JP4545505B2 (ja) シリコンの製造方法
JP6501576B2 (ja) シリコン膜の成膜方法および成膜装置
TWI806990B (zh) 磷化銦單晶體及磷化銦單晶基板
CN202372262U (zh) 热电偶清洗保护装置
KR20210039883A (ko) 불화수소 제조시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160712

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160802

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Ref document number: 5984758

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150