CN103372559A - 炉管清洗方法 - Google Patents

炉管清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103372559A
CN103372559A CN2012101233654A CN201210123365A CN103372559A CN 103372559 A CN103372559 A CN 103372559A CN 2012101233654 A CN2012101233654 A CN 2012101233654A CN 201210123365 A CN201210123365 A CN 201210123365A CN 103372559 A CN103372559 A CN 103372559A
Authority
CN
China
Prior art keywords
boiler tube
dichloroethylene
oxygen
passes
cleaning method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101233654A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103372559B (zh
Inventor
陈勇
刘理想
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CSMC Technologies Corp
Original Assignee
CSMC Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CSMC Technologies Corp filed Critical CSMC Technologies Corp
Priority to CN201210123365.4A priority Critical patent/CN103372559B/zh
Publication of CN103372559A publication Critical patent/CN103372559A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103372559B publication Critical patent/CN103372559B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开一种炉管清洗方法，包括如下步骤：对炉管升温；向炉管内通入二氯乙烯以去除可动金属离子；向炉管内通入氧气以清除残留的二氯乙烯。上述方法通过在二氯乙烯吹扫之后通入氧气清除二氯乙烯的残留，使得炉管在质量控制之后即可立即进行下一步的生产，不用担心二氯乙烯残留带来的问题。

Description

炉管清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺，特别是涉及一种炉管清洗方法。
背景技术
炉管工艺是半导体工艺中一种重要的加工工艺，可进行批量加工，主要用于热氧化制程、热退火、热烘烤、化学气相沉积等。在炉管工艺中，批量的晶圆放置在晶舟中，然后将晶舟放入炉管，为炉管施加各种条件，例如加热、通入反应气体等，即可进行炉管工艺。
由于炉管工艺中会产生诸如可动金属离子等残留物，每隔固定的周期(如两周)，都会用二氯乙烯对炉管进行吹扫以清除残留物。在利用二氯乙烯吹扫炉管后，输送二氯乙烯的管道通常都会有二氯乙烯的残留。
随着半导体制程的不断发展，关键尺寸(critical dimension)越来越小，因此半导体工艺中对栅氧化层厚度的控制上精度要求越来越高，以0.13微米工艺为例，其低压栅氧层的厚度已将至1.8纳米。
在栅氧化层厚度控制精度要求变高的前提下，管道中二氯乙烯的残留会给后续的炉管工艺，特别是掺氯氧化制程带来影响。
发明内容
基于此，有必要针对管道中残留二氯乙烯的问题，提供一种炉管清洗方法。
一种炉管清洗方法，包括如下步骤：对炉管升温；向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子；向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯。
在其中一个实施例中，所述向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子的步骤中，持续通入二氯乙烯的时间为70～90分钟。
在其中一个实施例中，所述向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯的步骤中，通入氧气的时间为20分钟以上。
在其中一个实施例中，所述向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子的步骤中，通入二氯乙烯的时间为80分钟，所述向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯的步骤中，通入氧气的时间为30分钟。
在其中一个实施例中，在对炉管升温的步骤之前，还包括将监控晶圆载入炉管的步骤。
在其中一个实施例中，通入所述二氯乙烯和氧气以保持监控晶圆表面的氧化层生长至预定的厚度。
在其中一个实施例中，所述通入二氯乙烯和氧气的步骤由机台的质量控制菜单控制执行。
上述方法通过在二氯乙烯吹扫之后通入氧气清除二氯乙烯的残留，使得炉管在质量控制之后即可立即进行下一步的生产，不用担心二氯乙烯残留带来的问题。
附图说明
图1为炉管剖面结构示意图；
图2为清洗炉管的方法流程图。
具体实施方式
如图1所示，为炉管剖面结构示意图。该炉管包括合围形成反应腔10的炉壁、置于炉壁两侧的加热器20、置于反应腔10内并具有多个隔间用以放置多个晶圆的晶舟30以及与反应腔10连通的管道。其中管道具体又最少包括第一管道401和第二管道402。在进行炉管工艺时，可通过加热器20将反应腔10内的温度升至预定的值，然后通过管道向反应腔10内通入反应气体。当然炉管还可以包括抽真空部分，用于在反应完成后将反应腔10抽真空。与本实施例方法不相关的炉管的其他部分予以省略说明。
本实施例的方法即基于图1所示的炉管。本实施例的清洗炉管方法如图2所示，包括如下步骤。
S101：对炉管升温。通过加热器20对炉管升温，将反应腔10内的温度升至预定的值，该温度应该适宜二氯乙烯发生相应的反应去除可动金属离子。温度优选为1000摄氏度左右。
S102：向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子。继续参考图1，第一管道401用于向炉管内持续通入二氯乙烯。由于二氯乙烯在常温下为液态，所以要盛装在密闭的容器50中，并向容器50中持续通入氮气，然后氮气携带二氯乙烯通过第一管道401进入炉管。
二氯乙烯在高温下气化后，对炉管持续吹扫即可去除可动金属离子，例如钠离子等。
本步骤中，持续通入二氯乙烯的时间控制在70至90分钟，优选为80分钟。在一个合理的质量控制(Quality Control，QC)周期内(例如两周)，上述通入二氯乙烯的时间能够较好地去除炉管中累积的可动金属离子，使炉管保持较好的工作状态。当然，为了更好地去除可动金属离子，还可以延长通入二氯乙烯的时间，例如100分钟。
半导体的各种工艺都是通过机台实施的，机台有控制其实施各种工艺的菜单命令。对应于本步骤，可以采用QC菜单设置QC时间，控制第一管道401通入二氯乙烯的时间。
本步骤中通入的二氯乙烯在吹扫时大部分会排出，但是仍然会有少部分残留，包括炉管中的残留和第一管道401中的残留。
S103：向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯。在步骤S102之后，向炉管中通入氧气，使二氯乙烯在高温下与氧气反应，达到清除残留二氯乙烯的目的。根据一般炉管的体积，向炉管内持续通入氧气20分钟即可将二氯乙烯清除，为保证将二氯乙烯清除干净，向炉管内持续通入氧气20分钟以上。
在步骤S102中持续通入二氯乙烯的时间为80分钟时，步骤S103中持续通入氧气的时间优选为30分钟。
应该说明的是，步骤S102和步骤S103是分步骤进行的，并非同时进行。其中通入氧气也在QC菜单中进行控制。
进一步地，在步骤S101之前，还将监控晶圆(monitor wafer)载入炉管。监控晶圆用于检测，并非用作生产。根据实验，可以预先确定在炉管正常的情况下通入二氯乙烯和氧气对应的晶圆上的氧化层生长的厚度。炉管正常是指没有漏气等异常情形，一般来说，通入二氯乙烯和氧气的时间固定，晶圆上的氧化层生长的厚度随之确定。因此可以通过载入监控晶圆，监控晶圆上生长的氧化层的厚度，来发现机台的异常。
上述方法通过在二氯乙烯吹扫之后通入氧气清除二氯乙烯的残留，使得炉管在质量控制之后即可立即进行下一步的生产，不用担心二氯乙烯残留带来的问题。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种炉管清洗方法，包括如下步骤：
对炉管升温；
向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子；
向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯。
2.根据权利要求1所述的炉管清洗方法，其特征在于，所述向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子的步骤中，通入二氯乙烯的时间为70～90分钟。
3.根据权利要求1所述的炉管清洗方法，其特征在于，所述向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯的步骤中，通入氧气的时间为20分钟以上。
4.根据权利要求1所述的炉管清洗方法，其特征在于，所述向炉管内通入二氯乙烯，以去除可动金属离子的步骤中，通入二氯乙烯的时间为80分钟，所述向炉管内通入氧气，以清除残留的二氯乙烯的步骤中，通入氧气的时间为30分钟。
5.根据权利要求1所述的炉管清洗方法，其特征在于，在对炉管升温的步骤之前，还包括将监控晶圆载入炉管的步骤。
6.根据权利要求1所述的炉管清洗方法，其特征在于，通入所述二氯乙烯和氧气以保持监控晶圆表面的氧化层生长至预定的厚度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的炉管清洗方法，其特征在于，所述通入二氯乙烯和氧气的步骤由机台的质量控制菜单控制执行。
CN201210123365.4A 2012-04-24 2012-04-24 炉管清洗方法 Active CN103372559B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210123365.4A CN103372559B (zh) 2012-04-24 2012-04-24 炉管清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210123365.4A CN103372559B (zh) 2012-04-24 2012-04-24 炉管清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103372559A true CN103372559A (zh) 2013-10-30
CN103372559B CN103372559B (zh) 2015-07-29

Family

ID=49458751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210123365.4A Active CN103372559B (zh) 2012-04-24 2012-04-24 炉管清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103372559B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103894381A (zh) * 2014-03-20 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 一种炉管清洗方法
CN103894380A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 带清洗枪的竖式清洗机
CN104259153A (zh) * 2014-07-24 2015-01-07 上海华力微电子有限公司 炉管清洗工艺
CN106298616A (zh) * 2015-06-04 2017-01-04 有研半导体材料有限公司 一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法
CN107331728A (zh) * 2017-06-20 2017-11-07 常州亿晶光电科技有限公司 改善perc高效电池el良率的工艺
CN108198909A (zh) * 2018-01-15 2018-06-22 浙江晶科能源有限公司 一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法
CN110836330A (zh) * 2018-08-15 2020-02-25 北京北方华创微电子装备有限公司 含氯化合物的输送方法及装置
CN112893337A (zh) * 2021-01-21 2021-06-04 联物科技实业无锡有限公司 一种晶圆加工的高温氧化二氯乙烯清洗工艺
WO2023065765A1 (zh) * 2021-10-21 2023-04-27 江苏亚电科技有限公司 一种炉管内壁清洗方法及装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1285954A (zh) * 1998-01-07 2001-02-28 Memc电子材料有限公司 原位晶片清洗方法
JP2004104029A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US7416978B2 (en) * 2004-12-09 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Film forming method, film forming system and recording medium
CN101327487A (zh) * 2007-06-21 2008-12-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 炉管的清洗方法和系统
TW200933730A (en) * 2007-12-05 2009-08-01 Hitachi Int Electric Inc Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2009231332A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Toyoko Kagaku Co Ltd クリーニングガス供給装置および半導体処理装置
CN101826445A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 净化管路及炉管杂质的装置和方法
CN102154708A (zh) * 2010-12-31 2011-08-17 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池薄膜的生长方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1285954A (zh) * 1998-01-07 2001-02-28 Memc电子材料有限公司 原位晶片清洗方法
JP2004104029A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US7416978B2 (en) * 2004-12-09 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Film forming method, film forming system and recording medium
CN101327487A (zh) * 2007-06-21 2008-12-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 炉管的清洗方法和系统
TW200933730A (en) * 2007-12-05 2009-08-01 Hitachi Int Electric Inc Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2009231332A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Toyoko Kagaku Co Ltd クリーニングガス供給装置および半導体処理装置
CN101826445A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 净化管路及炉管杂质的装置和方法
CN102154708A (zh) * 2010-12-31 2011-08-17 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池薄膜的生长方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103894381A (zh) * 2014-03-20 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 一种炉管清洗方法
CN103894380A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 带清洗枪的竖式清洗机
CN104259153A (zh) * 2014-07-24 2015-01-07 上海华力微电子有限公司 炉管清洗工艺
CN106298616A (zh) * 2015-06-04 2017-01-04 有研半导体材料有限公司 一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法
CN107331728A (zh) * 2017-06-20 2017-11-07 常州亿晶光电科技有限公司 改善perc高效电池el良率的工艺
CN107331728B (zh) * 2017-06-20 2019-09-03 常州亿晶光电科技有限公司 改善perc高效电池el良率的工艺
CN108198909A (zh) * 2018-01-15 2018-06-22 浙江晶科能源有限公司 一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法
CN108198909B (zh) * 2018-01-15 2020-04-14 浙江晶科能源有限公司 一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法
CN110836330A (zh) * 2018-08-15 2020-02-25 北京北方华创微电子装备有限公司 含氯化合物的输送方法及装置
CN110836330B (zh) * 2018-08-15 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 含氯化合物的输送方法及装置
CN112893337A (zh) * 2021-01-21 2021-06-04 联物科技实业无锡有限公司 一种晶圆加工的高温氧化二氯乙烯清洗工艺
WO2023065765A1 (zh) * 2021-10-21 2023-04-27 江苏亚电科技有限公司 一种炉管内壁清洗方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103372559B (zh) 2015-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103372559B (zh) 炉管清洗方法
US20170160012A1 (en) Semiconductor annealing apparatus
CN107492481A (zh) 用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法
US20080314418A1 (en) Method and System for Furnace Cleaning
JP2008218984A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5021907B2 (ja) 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置
TW200926269A (en) Method for removing metal impurity from quartz component part used in heat processing apparatus of batch type
KR20140109285A (ko) 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
TW201905235A (zh) 成膜裝置及其洗淨方法
JP2011233583A (ja) 気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JPWO2011158404A1 (ja) ベルジャー清浄化方法、多結晶シリコンの製造方法、およびベルジャー用乾燥装置
CN101406891B (zh) 一种炉管干式清洗方法
CN103643220B (zh) 一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法
CN109585332A (zh) 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体
CN104259153A (zh) 炉管清洗工艺
US20060062913A1 (en) Process for depositing btbas-based silicon nitride films
JP2011100820A (ja) 基板処理装置
JP2008028307A (ja) 基板の製造方法及び熱処理装置
JP2018125466A (ja) オゾンガス加温機構、基板処理装置及び基板処理方法
JP6343592B2 (ja) 多結晶シリコン製造用反応炉及び多結晶シリコンの製造方法
JP2008078505A (ja) 基板処理装置
JP2009016426A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN103943532B (zh) 用于监控炉管无氧氛围的监控片、制造方法及其监控方法
CN110793662B (zh) 一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法
JP5370209B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant