JP5956443B2 - 太陽電池の製造方法及び太陽電池 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、再生可能エネルギーの分野に関し、詳細には太陽電池を製造する方法に関する。
[連邦政府による資金提供を受けた研究開発の記載]
本明細書に記載された発明は、米国エネルギー省によって裁定された契約番号第DE−FC36−07GO17043号の下、政府の支援でなされたものである。政府は、本発明において特定の権利を有し得る。
太陽電池として一般に知られている光起電力電池は、太陽放射を電気エネルギーへと直接的に変換する装置として周知である。太陽電池は、半導体処理加工技術を用いて半導体ウェハ又は基板上に製造され、基板の表面近くにp−n接合を形成する。基板の表面に太陽放射が衝突することにより、基板本体に電子正孔対を作り出し、これが基板のp型ドープされた領域及びn型ドープされた領域に移動し、これによって、ドープされた領域間に電位差が発生する。ドープ領域が、太陽電池上の金属コンタクトに接続され、電流が電池から連結された外部回路へと流れる。
太陽電池の発電容量に直接関連することから、効率が、太陽電池の重要な特性である。同様に、太陽電池を生産する上での効率は、このような太陽電池のコスト効率に直接関連する。
したがって、太陽電池の効率が増加するための技術又は太陽電池の製造における効率が増加するための技術が、望まれている。本発明の実施形態は、太陽電池構造を製造するための新規なプロセスを提供することによって、太陽電池の製造効率の増加を可能にする。
本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法における操作を表すフローチャートである。 本発明の一実施形態による、図1のフローチャートの操作102及び図3のフローチャートの操作302に対応する、太陽電池の作製における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による、図1のフローチャートの操作104及び図3のフローチャートの操作304に対応する、太陽電池の製造における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による太陽電池の製造における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による太陽電池の製造における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による、図1のフローチャートの操作106に対応する、太陽電池の製造における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による太陽電池の製造における一段階を示す断面図。 本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法における操作を表すフローチャート。 本発明の一実施形態による、太陽電池の基板、それに形成された固化された多孔質層を有する基板の断面図。
太陽電池の製造方法が、本明細に記載されている。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するために、特定の処理過程フロー操作などの数多くの特定の詳細が記載される。これらの特定の詳細を使用することなく、本発明の実施形態を実践することができる点は、当業者にとって明らかである。また、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、金属接点構造などの、周知の製造技術は詳細に説明されない。更には、図に示される様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも一定のスケールで描写されるものではない。
本明細書では、太陽電池を作製する方法を開示する。一実施形態では、太陽電池を製造する方法は、基板の表面に多孔質層を形成する工程を含む。この多孔質層は、複数の粒子及び複数の空隙を含む。パターニングされた複合層を提供するべく、溶液は、多孔質層の1以上の多孔質層の領域に分配される。次いで、基板が加熱される。一実施形態では、多孔質層は、溶媒吸収層である。一実施形態では、太陽電池を製造する方法は、基板の表面に多孔質を形成する工程を含む。この多孔質層は、複数の粒子及び複数の空隙を含む。パターニングされた複合層を提供するべく、溶液は、多孔質層の1以上の領域に分配される。この溶液は、基板に対してドープするべく、電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含有する。一実施形態では、多孔質層は溶媒吸収層である。
更に本明細書は、太陽電池を開示する。一実施形態では、太陽電池は基板を含む。この太陽電池はまた、基板の表面に設けられた、多孔質層も含み、この多孔質層は、複数の粒子及び複数の空隙を含む。一実施形態では、多孔質層は、溶媒吸収層である。
多孔質表面混合物は、紙製造において印刷の解像度を改善するために用いられている。しかしながら、このような用途で用いられる場合、解像度の改善は混合物の主要な機能であるが、印刷後に多孔質層全体は、そのまま残る。本発明の一実施形態によると、多孔質混合物とドーパント材料との間に新しい相互作用が生み出され、多孔質表面材料の除去によって、後続のエッチング工程において、パターン印刷され、ドープされ及び形状的に改善されたコーティングが生成される。
本発明の一実施形態によると、例えば、ドーピング源を提供するための太陽電池の製造において用いられる基板上又は基板上に設けられた層上に、精密なパターンを形成することが望ましい。しかしながら、インクジェット法を用いる場合、液体ドーパント流体は、一旦ウェハ又は基板表面に供給されると、表面全体にわたって広がる傾向にある。この広がりを減らすことが、解像度を改善するために望ましい。一実施形態では、クラッキングを生じるほど厚くなく、ドーパント層全体がエッチングする工程などの処理過程後に除去されてしまうほど薄くないような、一定の層が表面に堆積されることが重要である。いくつかの実施形態では、ウェハ又は基板の表面がテクスチャ化された表面を有し、相対的に一定の厚みを有するドーパント皮膜が、テクスチャ化された表面に堆積されることが重要である。
本発明の一実施形態によると、溶媒系インクジェット材料の印刷品質は、新しい複合材料を作製することによって改善される。一実施形態では、噴射前に、粒子材料が基板又はウェハ表面に堆積される。一実施形態では、次いで、溶媒材料と粒子材料の両者を含むように複合材料が形成され、この複合材料は、いずれかの材料の単独の場合とは異なる性質を有する。一実施形態では、エッチングする工程などの加工処理後に、分別効果を可能にする、粒子材料プラス溶媒系の特性と比較して、粒子材料単独の特性が差別化される。一実施形態では、粒子材料との組み合わせの後に、ドーパントなどの溶媒材料の特定の性質が保持されるが、溶媒材料内に最初に存在した特定の性質が、混合した後は、組み合わされた材料内に存在することになる。一実施形態では、すでにウェハ又は基材表面に堆積された粒子材料の開口構造内に溶媒材料を噴射することによって、改善された印刷品質が得られる。この方法では、ディファレンシャル化学エッチング又は後の工程において吐出されるべきでない領域に対して吐出されてしまった領域の除去を可能にする、新しい局所的複合材料が形成される。広くは、一実施形態では、パターニングされたドーパント層を半導体ウェハ上へ、又はより具体的には太陽電池に直接堆積する新しいプロセスが提供される。
本発明の一実施形態によれば、特定の評価基準を同時に満たす液体特性を有する溶媒系インクジェット材料を形成するための必要条件を減らすことができる。例えば、一実施形態では、ドーパントキャリアが必要である。一実施形態では、インクジェット印刷後の高い横方向印刷解像度が必要とされる。一実施形態では、印刷された層の厚さは、典型的にはシリコンウェハの研磨されていない表面上に又はテクスチャ化された表面である、非平坦面構造上を被覆する能力を備える必要がある。一実施形態では、上記の3つの属性の全てが、単一のアプローチでもたらされる。本発明の一実施形態によると、本明細書に記載された1以上のアプローチの利点は、複合材料の最終特性に存在し、すなわち粒子材料の開口構造とインクジェット法で吐出された溶媒材料との間の相互作用である。
いくつかの利点としては、一実施形態では、(a)ディファレンシャルエッチングする工程などの加工処理後の条件下で、複合材料が非複合材料とは異なるように反応すること、(b)複合材料が非複合材料とは異なる局在化された特徴を有すること、(c)複合材料が、ドーパント源として作用するなどの溶媒材料のいくつかの特徴を担時すること、及び、(d)複合材料が、厚さ及び形状範囲など、粒子材料の特徴を担時すること、のうちの1以上が挙げられる。概して、一実施形態では、複合材料の最終特性は、後続のエッチング処理により、太陽電池製造のために効率的でかつ正確となるような、印刷され、ドープされ、形状学的に改善された被覆をもたらし得るような特性となる。
本発明の一実施形態によると、懸濁液中の粒子材料又は表面コーティングを有する粒子材料を含む、粒子材料が表面全体に堆積される。この表面は、概して、インクジェットによってその後印刷されることになるシリコン太陽電池の表面である。多孔質材料は、シリカの化合物、又は、金属純度条件に合致する材料を含む太陽電池と適合性のある他の材料である。
一実施形態では、粒子材料は、次に列挙する堆積特性のうちの1以上を有する。(a)液体が空隙を満たすよう導入される開口構造が堆積後に形成される、(b)ウェハ表面に接着性を有する、(c)粒子層が部分的又は完全にそれ自体に接着するように粒子材料内の他の粒子に対して接着性を有する、(d)一つ前の処理工程からのシリコンピークのような対象のトポロジー構造を被覆するのに十分な厚さがあること、又は、(e)エッチング溶液に対して化学的に反応性を有する。一実施形態では、粒子材料における粒子の寸法は、次に列挙する属性の1以上を有するように選択される。(a)噴射されると同時に、ウェハ表面まで母材(マトリックス)を貫通するように噴射される材料の能力が最適化する属性、又は、(b)吐出材料を受容していない粒子材料を溶解及び除去するための後続の化学的エッチング又は同様な処理の能力が最適化する属性、一実施形態では、略0.01マイクロメートルと略4マイクロメートルとの間の範囲の寸法の固体粒子材料が、上述の望ましい特性を提供すると予想される。しかしながら、別の実施形態では、多孔質粒子材料も同様に利用可能である。
本発明の一実施形態では、表面の全体又は一部に粒子材料を堆積した後に、当該表面が溶媒系基材でインクジェットパターン印刷される。溶媒系基材は、局所的に貫通し、粒子材料を印刷されたパターンに凝集するが、パターンの外側には貫通かつ凝集しない。印刷及び必要に応じて焼成の後に、表面は化学的にエッチングされるか、同様に処理され、溶媒材料によって凝集されなかった領域内の粒子材料を除去する。粒子層の追加的実施形態としては、(a)更なる硬化の際に多孔質層へと変化するゾル−ゲルなどの連続層の堆積、又は(b)下に位置する層の表面を、堆積の際にそれが多孔質であるように変化させる工程が挙げられるが、これに限定されない。一実施形態では、加熱などの次の処理が用いられる場合、印刷された材料がにじみ、解像度が低減する可能性があるために、高粘度を有する溶媒の使用は有効でない。
太陽電池は、基板上に多孔質層を形成し、この多孔質層の1以上の領域の内に溶液を分配し、この基板を加熱することによって製造され得る。例えば、図1は、本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法における操作を表すフローチャート100を示す。図2A〜2Fは、本発明の実施形態による、フローチャート100の操作に対応する、太陽電池の製造における様々な工程を示す断面図である。
フローチャート100の操作102、及び、対応する図2Aを参照すると、太陽電池の製造方法は、基板200の表面に多孔質層202を形成する工程を含む。本発明の実施形態によると、多孔質層202は、複数の粒子204及び複数の空隙206を含む。一実施形態では、複数の粒子204は、金属を含まない又は本質的に金属を含まない、若しくは、金属汚染物を含まない。一実施形態では、複数の空隙206の空隙寸法は、略0.5〜10マイクロメートルの範囲とする。一実施形態では、多孔質層202の多孔率は、略30〜65%の範囲とする。一実施形態では、基板200の表面に多孔質層202を形成する工程は、複数の空隙206のそれぞれが溶液を受容し、下記に説明するように溶液の横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、複数の空隙206を形成することを含む。このような制限に用いられる機構としては、毛管現象によるものであり得るが、これに限定されない。基板200は、グローバル太陽電池基板上に設けられた多結晶シリコン層などの層でもよいことが理解されるべきである。
複数の粒子204の粒子は、静電力によって基板200の表面に保持され得る。例えば、本発明の一実施形態によると、複数の粒子204の粒子は、基板200上に静電界を誘起することによって、基板200の表面に保持される。静電界を利用して、粒子を基板200に転送してもよい。粉末ペンキとレーザープリンターの両方で共通の処理過程が用いられてもよい。例えば、一実施形態では、複数の粒子204の粒子を基板200に対して定位置に保持するために表面張力が用いられる。一実施形態では、多孔質層202は固体であり、多孔質層202を形成する工程は、複数の粒子204及び溶媒の混合物を供給することを含む。次いで、混合物から溶媒が蒸発させて多孔質層202を提供する。一実施形態では、基板200の上面などの基板200の表面の全領域が、多孔質層202で覆われる。しかしながら、別の実施形態では、例えば処理コストを減らすために、基板200の表面の一部の領域が覆われる。
本発明の一実施形態によると、基板204上に多孔質層202を形成する工程は、基板200の表面の凹凸と対応した形状を有する多孔質層202を形成する工程を含む。一実施形態では、基板200の上面などの基板200の表面の二乗平均平方根で表される表面の凹凸は、略20〜30マイクロメートルの範囲とする。一実施形態では、多孔質層202の厚さは、略0.5〜20マイクロメートルの範囲とする。印刷解像度のための横方向への拡散の厚さの制御として多孔質層202内の液体又は溶液の横方向への拡散を抑制する効果と、ドーパント溶液が、例えば多孔質層202の底部に到達するような、基板200の表面に到達することを可能にするのに十分に薄い層内の垂直方向への拡散効果との間で、平衡がとられ得ることが理解されるべきである。
フローチャート100の操作104、及び対応する図2Bを参照すると、太陽電池を製造する方法は、溶液208を多孔質層の1以上の領域に分配し、パターニングされた複合層210を提供することを更に含む。
本発明の一実施形態によると、溶液208を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含む。しかしながら、他の実施形態は、限定されないが、ワイプ式処理又はスプレー式処理を用いることを含む。一実施形態では、インクジェット処理を用いる場合、多孔質層202に対して低粘度を有する(又は多孔質202用の媒質のような)液体を使用することが好ましい。高粘度の液体を使用すると、滲みが生じることがあり、解像度減少又は後続の加熱操作における限定された領域となる可能性がある。一実施形態では、溶液208を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含み、溶液208の粘度は、略10センチポアズである液体として分配される。一実施形態では、溶液208を分配する工程は、基板200に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のドーパント源を有する溶液を分配することを含む。一実施形態では、電荷キャリア不純物原子のドーパント源としては、(例えば、シリコン基板に対して)N型電荷キャリア不純物原子が挙げられる。一実施形態では、電荷キャリア不純物原子のドーパント源としては、(例えば、シリコン基板に対して)P型電荷キャリア不純物原子が挙げられる。一実施形態では、同一のドーパントの異なるレベルが用いられ、処理過程が数回繰り返される。一実施形態では、Nドーパント及びPドーパントが共堆積される。一実施形態では、溶液208の分配の前又は後に、第2のドーパントが異なるソースから供給される(例えば、第2のドーパントは、APCVDなどの別個の堆積層内に含まれる)ので、ただ本明細書に記載された方法などの印刷技術では、1つのドーパント源のみが得られる。
図2Cを参照すると、任意の実施形態では、溶液208を分配する工程は、基板200に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む溶液を分配することを含む。このような実施形態の1つでは、ドーパント源は、シリコン原子に対するN型ドーパント源であり、該方法は、二重にパターニングされた複合層214を提供するべく、多孔質層202の他の1以上の領域に第2の溶液212を分配する工程を更に備える。このような実施形態では、第2の溶液を分配することは、基板200用の電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を有する溶液を分配することを含む。別のこのような実施形態では、ドーパント源はシリコン原子に対するP型ドーパント源であり、該方法は、二重にパターニングされた複合層214を提供するべく、多孔質層202の他の1以上の領域に第2の溶液212を分配する工程を更に含む。このような実施形態では、第2の溶液を分配する工程は、基板200に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のN型ドーパント源を含む溶液を分配することを含む。他の実施形態では、1以上の溶液を、多孔質層202の異なる領域に分配してもよく、これら1以上の溶液は、ドーパント濃度が互いに異なっている。別の実施形態では、図示されていないが、異なる領域間に空間が存在しない、例えば、第1の溶液208から形成された領域と第2の溶液212から形成された領域の間にスペースが生じないような、二重パターニングされた複合層214を提供するべく、加熱及び印刷の組み合わせが用いられる。
図2Dを参照すると、任意の実施形態では、太陽電池の製造方法は、溶液208又は溶液208及び212が分配される1以上の領域を除く多孔質層202の全ての部分をエッチングする工程を更に含む。このエッチングする工程は、基板200の領域を露出させ、エッチングされた複合層216を提供する。本発明の実施形態によると、エッチングする工程は、多孔質層202と、溶液208又は溶液208及び溶液212が分配される1以上の領域との間のエッチング選択比に基づいて行われる。一実施形態では、このエッチング選択比は、多孔率又は組成などのパラメータに基づくが、これに限定されない。別の実施形態では、エッチング以外の除去技術が、複合層216を提供するために用いられる。別の実施形態では、異なる領域間にスペースが存在しない二重にパターニングされた複合層214を提供するべく、加熱及び印刷の組み合わせが用いられる場合、エッチング工程は適切でない場合がある。
フローチャート100の操作106、及び対応する図2Eを参照すると、太陽電池の製造方法は、基板200を加熱することを更に含む。本発明の一実施形態によると、基板200を加熱する工程は、ドーパント源のN型ドーパントなどの電荷キャリア不純物原子を、基板200の内部に向けてドライブインさせ、領域218を形成することを含む。一実施形態では、基板200を加熱する工程は、例えばP型ドーパント源からの第2の溶液の電荷キャリア不純物原子を、基板200の内部に向けてドライブインさせ、領域220を形成することを更に含む。しかしながら、別の一実施形態では、溶液208(及び、使用される場合は第2の溶液212)はドープされず又は本質的にドーパントを含まないので、加熱操作の主要な機能は、ドーパントを基板200の内部に向けてドライブインさせることではない。
本発明の別の実施形態によると、基板200を加熱する工程は、図4と関連付けて以下により詳細に説明されるように、多孔質層202の残存部分を固化させる。一実施形態では、ドーパント原子は、後の操作で基板200の内部に向けてドライブインされる。すなわち、第1の加熱工程は、第1の溶液208及び第2の溶液212を含む多孔質層202の部分を固化させるために先ず用いられ、これを母材と称する場合がある。続いて、第2の加熱操作が実行され、ドーパントを基板200の内部に向けてドライブインさせる。特定の実施形態では、第1の加熱工程の主な目的は、溶液208(及び212)が基板200表面と接触した状態の部分の母材を固化させることであり、この固体を母材の領域(例えば、溶液を受容していない多孔質層202の領域は除く)内でのみ固化させる。一実施形態では、加熱工程では、溶液を有さない多孔質層202の部分を部分的に固化させるが、後の印刷のために又は多孔質層から離れてエッチングする工程の選択を可能にするために、少なくとも幾分かの空隙率が保持される。特定の一実施形態では、基板200が母材を固化するべく加熱され、次いで多孔質層を除去するためにエッチングが実行され、最後に、基板200が加熱され、次いでドーパント不純物原子を基板200の内部に向けてドライブインさせるべく加熱する。別の特定の実施形態では、基板200が母材を固化するよう加熱され、多孔質層202の残存部分が後続の処理過程のために保持される。別の特定の実施形態では、基板200が処理され、固化するべく再度加熱される、又は、固化とドーパントのドライブインを同時に行うべく加熱される。別の特定の実施形態では、ドーパントのドライブイン、及び、多孔質層202の残存部分の除去又は多孔質層202の残存部分をエッチングするために、基板200が加熱される。
図2Fを参照すると、1つの任意の一実施形態では、太陽電池の製造方法は、例えば、エッチングされた複合層216を除去する工程のような、多孔質層202の全ての残存部分を除去する工程を更に含む。一実施形態では、多孔質層202の残存部分は、ドライエッチング処理で除去される。別の実施形態では、多孔質層202の残存部分は、湿式エッチング処理で除去される。一実施形態では、乾式又は湿式エッチング処理は、機械的に補助される。
太陽電池を更に又は完全に製造するために、上記の方法は、図2Fから、ドープされた領域218及び220の上部に金属コンタクトを形成することを更に含む。一実施形態では、完成した太陽電池は、バックコンタクト型の太陽電池である。このような実施形態では、N型ドープ領域218及びP型ドープ領域220は、活性領域である。導電性コンタクトが、活性領域と接続されてもよく、誘電性材料で構成され得る分離領域によって互いに分離されてもよい。一実施形態では、太陽電池はバックコンタクト型太陽電池であり、太陽電池の不規則にテクスチャ化された表面などの受光面に設けられた抗反射被覆層を更に含む。一実施形態では、図4と関連付けて以下に記載されるように、この操作が実行されない場合もあり、固化された材料が基板200上に保持され得ることに注意されたい。
本発明の別の態様では、基板上に多孔質層を形成し、溶液を多孔質層の1以上の領域に分配することによって、太陽電池が製造され、この溶液は、基板に対する電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む。例えば、図3は、本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法における操作を表すフローチャート300を示す。図2A〜2Fは、本発明の一実施形態による、フローチャート300の操作に対応する太陽電池の製造における種々の段階を示す断面図である。
フローチャート300の操作302及び対応する図2Aを参照すると、太陽電池の製造方法は、フローチャート100の操作102と同様に、基板200の表面に多孔質層202を形成する工程を含む。一実施形態では、多孔質層202は、複数の粒子204及び複数の空隙206を含む。一実施形態では、多孔質層202を基板200の表面に形成する工程は、複数の空隙206のそれぞれが、溶液を受容し、溶液の横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、複数の空隙を形成することを含む。一実施形態では、基板200上に多孔質層202を形成する工程は、基板202の表面の凹凸と対応した形状を有する多孔質層202を形成することを含む。このような実施形態では、多孔質層202の厚さは、略0.5〜20マイクロメートルの範囲とする。一実施形態では、多孔質層202は固体であり、多孔質層202を形成する工程は、複数の粒子204及び溶媒の混合物を供給し、続いて溶媒を蒸発させて、混合物から多孔質層202を提供することを含む。
フローチャート300の操作304及び対応する図2Bを参照すると、太陽電池の製造方法は、パターニングされた複合層210を提供するべく、多孔質層の1以上の領域に溶液208を分配する工程を更に含み、溶液208は、基板200に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む。一実施形態では、溶液208を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含む。このような実施形態では、溶液208の粘度は、略10センチポアズである液体として分配される。一実施形態では、溶液208は、シリコン基板に対する電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む。例えば、一実施形態では、電荷キャリア不純物原子は、限定されるものではないが、リン・ドーパントなどのN型ドーパントである。別の実施形態では、電荷キャリア不純物原子は、限定されるものではないがホウ素ドーパントなどのP型ドーパントである。
図2Cを参照すると、任意の一実施形態では、上記ドーパントはシリコン原子に対するN型ドーパント源であり、該方法は、第2の溶液212を多孔質層202の他の1以上の領域に分配して、二重にパターニングされた複合層214を提供することを更に含む。一実施形態では、第2の溶液212を分配する工程は、基板200に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を有する溶液を分配することを含む。一実施形態では、溶液208を分配する工程及び第2の溶液212を分配する工程は、溶液208及び第2の溶液212の両方を、多孔質層202を印刷するシングルパスで分配することを含む。一実施形態では、溶液208を分配する工程及び第2の溶液212を分配する工程は、多孔質層202の第1のパス(pass)で溶液208(または第2の溶液212)を分配し、多孔質層202の第1のパスとは異なる第2のパスで第2の溶液212(または溶液208)を分配することを含む。
図2Dを参照すると、任意の一実施形態では、基板200の領域を露出させるべく、溶液208(および、必要に応じて第2の溶液212)が分配される1以上の領域を除く多孔質層202の全ての部分がエッチングされ、このエッチング工程は、多孔質層202と溶液208(および、必要に応じて第2の溶液212)が分配される1以上の領域とのエッチング選択比に基づいて行われる。
図2Eを参照すると、任意の一実施形態では、太陽電池を製造する方法は、基板200を加熱する工程を更に含む。図2Fを参照すると、任意の一実施形態では、多孔質層202の全ての残存部分が除去される。太陽電池の更なる又は完全な製造のために、上記方法は、図2Fからのドープされた領域218及び220の上部に金属接点を形成する工程を更に含むことも可能である。
図1〜3の上記実施形態に関して記載されたように、多孔質層は、太陽電池の基板上に保持される、又は、次の段階において除去されてもよい。しかしながら、太陽電池構造は、一連の処理の結果として、このような多孔質層を最終的に保持する、又は、少なくとも一時的に含有し得る。一例として、図4は、本発明の一実施形態による太陽電池の基板の断面図を図示し、この基板は、多孔質層を有する。
図4を参照すると、太陽電池は、基板400を含む。固化された多孔質層402は、基板400の表面に設けられる。固化された多孔質層402は、複数の粒子404及び複数の空隙406を含む。本発明の一実施形態によると、固化された多孔質層402の部分は、太陽電池を製造するために用いられた処理では除去されず、基板400の表面、若しくはグローバル基板の上の層又は積層上に人工物としてそのまま残る。
以上、太陽電池の製造方法が開示された。本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、基板の表面に多孔質層を形成する工程を含み、この多孔質層は、複数の粒子及び複数の空隙を含む。この方法はまた、パターニングされた複合層を提供するべく、溶液を多孔質層の1以上の領域に分配する工程を含む。この方法はまた、基板を加熱することも含む。一実施形態では、溶液を分配する工程は、基板に対してドープするべく、電荷キャリア不純物原子のドーパント源を有する溶液を分配することを含む。特定の実施形態では、基板を加熱する工程は、電荷キャリア不純物原子をドーパント源から基板の内部に向けてドライブインさせることを含む。
[項目1]
太陽電池の製造方法であって、
基板の表面に複数の粒子及び複数の空隙を含む多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層の1以上の領域に溶液を分配し、パターニングされた複合層を提供する工程と、
前記基板を加熱する工程とを備える太陽電池の製造方法。
[項目2]
前記基板を加熱する工程は、前記パターニングされた複合層、前記多孔質層、又はこれらの両者を固化させることを含む項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目3]
前記溶液を分配する工程は、前記基板に対してドープするべく、電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む溶液を分配することを含む項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目4]
前記基板を加熱する工程は、前記電荷キャリア不純物原子を前記ドーパント源から前記基板の内部に向けてドライブインさせることを含む項目3に記載の太陽電池の製造方法。
[項目5]
前記ドーパント源は、シリコン原子に対するN型ドーパント源であり、
前記方法が、
第2の溶液を前記多孔質層の他の1以上の領域に分配し、二重にパターニングされた複合層を提供することを更に含み、前記第2の溶液が、前記基板に対してドープするべく、電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を含み、
前記基板を加熱する工程は、前記電荷キャリア不純物原子を前記P型ドーパント源から前記基板の内部に向けてドライブインさせる工程を更に備える項目4に記載の太陽電池の製造方法。
[項目6]
前記多孔質層を前記基板の前記表面に形成する工程は、前記複数の空隙のそれぞれが、前記基板の前記表面に前記溶液を受容し、前記溶液の横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、前記複数の空隙を形成することを含む項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目7]
前記基板の領域を露出させるべく、前記溶液が分配される前記1以上の領域を除く前記多孔質層の全ての部分をエッチングする工程を更に備え、
前記エッチングする工程は、前記多孔質層と、前記溶液が分配される前記1以上の領域との間のエッチング選択比に基づいて行われる項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目8]
前記溶液を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含む項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目9]
前記溶液の粘度は、略10センチポアズである項目8に記載の太陽電池の製造方法。
[項目10]
前記多孔質層を前記基板の表面に形成する工程は、
前記基板の表面の凹凸と対応した形状を有する多孔質層を形成することを含み、前記多孔質層の厚みは、0.5〜20ミクロンの範囲とする項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目11]
前記多孔質層が固体であり、
前記多孔質層を形成する工程は、
前記複数の粒子及び溶媒の混合物を供給する工程と、
前記溶媒を蒸発させて、前記混合物から前記多孔質層を提供する工程を含む項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目12]
太陽電池の製造方法であって、
基板の表面に複数の粒子及び複数の空隙を含む多孔質層を形成する工程と、
前記基板に対してドープするべく、電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む溶液を、前記多孔質層の1以上の領域に分配して、パターニングされた複合層を提供する工程と、を備える太陽電池の製造方法。
[項目13]
前記ドーパント源は、シリコンに対するN型ドーパント源であり、
前記方法は、
二重にパターニングされた複合層を提供するべく、前記多孔質層の他の1以上の領域に第2の溶液を分配する工程を更に備え、
前記第2の溶液を分配する工程は、前記基板に対してドープするべき電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を含む第2の溶液を分配することを含む項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目14]
前記溶液を分配する工程及び前記第2の溶液を分配する工程は、前記溶液及び前記第2の溶液の両方を、前記多孔質層を分配するシングルパスで分配することを含む項目13に記載の太陽電池の製造方法。
[項目15]
前記溶液を分配する工程及び前記第2の溶液を分配する工程は、前記多孔質層の第1のパスで前記溶液を分配し、前記多孔質層の前記第1のパスとは異なる第2のパスで前記第2の溶液を分配することを含む項目13に記載の太陽電池の製造方法。
[項目16]
前記多孔質層を前記基板の前記表面に形成する工程は、前記複数の空隙のそれぞれが、前記基板の前記表面に前記溶液を受容し、前記溶液の横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、前記複数の空隙を形成することを含む項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目17]
前記基板の領域を露出させるべく、前記溶液が分配される前記1以上の領域を除く前記多孔質層の全ての部分をエッチングする工程を更に備え、
前記エッチングする工程は、前記多孔質層と、前記溶液が分配される前記1以上の領域との間のエッチング選択比に基づいて行われる項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目18]
前記溶液を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含む、
項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目19]
前記溶液の粘度は、略10センチポアズである項目18に記載の太陽電池の製造方法。
[項目20]
前記多孔質層を前記基板の表面に形成する工程は、
前記基板の表面の凹凸と対応した形状を有する多孔質層を形成することを含み、前記多孔質層の厚みは、0.5〜20ミクロンの範囲とする項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目21]
前記多孔質層は固体であり、
前記多孔質層を形成する工程は、
前記複数の粒子及び溶媒の混合物を供給する工程と、
前記溶媒を蒸発させて、前記混合物から前記多孔質層を提供する工程とを含む項目12に記載の太陽電池の製造方法。
[項目22]
基板と、
前記基板の表面に設けられた、複数の粒子及び複数の空隙を含む固化した多孔質層とを備える太陽電池。

Claims (11)

  1. 太陽電池の製造方法であって、
    基板の表面に複数の粒子及び複数の空隙を含む多孔質層を形成する工程と、
    前記多孔質層の1つ又は複数の領域に溶液を分配し、パターニングされた複合層を提供する工程と、
    前記基板の領域を露出させるべく、前記溶液を含む前記1つ又は複数の領域を除く、前記溶液を含まない前記多孔質層の全ての部分を除去する工程と、
    前記多孔質層の1つ又は複数の領域に前記溶液を分配し、前記パターニングされた複合層を提供する工程、及び、前記溶液を含む前記1つ又は複数の領域を除く、前記溶液を含まない前記多孔質層の前記全ての部分を除去する工程の後に、前記基板を加熱する工程と
    を備える太陽電池の製造方法。
  2. 前記基板を加熱する工程は、前記パターニングされた複合層、前記多孔質層、又はこれらの両者を固化させることを含む請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
  3. 前記溶液を分配する工程は、前記基板に対する電荷キャリア不純物原子のドーパント源を含む溶液を分配することを含む請求項1又は2に記載の太陽電池の製造方法。
  4. 前記基板を加熱する工程は、前記電荷キャリア不純物原子を前記ドーパント源から前記基板の内部に向けてドライブインさせることを含む請求項3に記載の太陽電池の製造方法。
  5. 前記ドーパント源は、シリコン原子に対するN型ドーパント源であり、
    前記方法が、
    第2の溶液を前記多孔質層の他の1つ又は複数の領域に分配し、二重にパターニングされた複合層を提供する工程
    を更に備え、
    前記第2の溶液が、前記基板に対する電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を含み、
    前記基板を加熱する工程は、前記電荷キャリア不純物原子を前記P型ドーパント源から前記基板の内部に向けてドライブインさせる工程を更に備える請求項4に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 前記多孔質層を前記基板の前記表面に形成する工程は、前記基板の前記表面に前記溶液を受容し、前記溶液の横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、前記複数の空隙のそれぞれの空隙を形成することを含む請求項1から5のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  7. 前記溶液を分配する工程は、前記基板に対する電荷キャリア不純物原子のN型ドーパント源を含む前記溶液を分配することを含み、
    前記方法が、
    第2の溶液を前記多孔質層の他の1つ又は複数の領域に分配し、二重にパターニングされた複合層を提供する工程
    を更に備え、
    前記第2の溶液が、前記基板に対する電荷キャリア不純物原子のP型ドーパント源を含み、
    前記多孔質層を前記基板の前記表面に形成する工程は、前記基板の前記表面に前記溶液及び前記第2の溶液をそれぞれ受容し、前記溶液が前記第2の溶液を含む前記1つ又は複数の領域に向かう横方向への拡散を制限し、前記2の溶液が前記溶液を含む前記1つ又は複数の領域に向かう横方向への拡散を制限するのに適した寸法を有するように、前記複数の空隙のそれぞれの空隙を形成することを含む請求項1から4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  8. 前記溶液を分配する工程は、インクジェット処理を用いることを含み、
    前記溶液の粘度は、0.01Pa・sである請求項1から7のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  9. 前記多孔質層を前記基板の表面に形成する工程は、
    前記基板の表面の凹凸と対応した形状を有する前記多孔質層を形成することを含み、前記多孔質層の厚みは、0.5〜20ミクロンの範囲とする請求項1から8のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  10. 前記溶液を含む前記1つ又は複数の領域を除く、前記溶液を含まない前記多孔質層の全ての部分を除去する工程は、前記溶液を含む前記1つ又は複数の領域を除く、前記溶液を含まない前記多孔質層の前記全ての部分をエッチングする工程を有し、
    前記多孔質層を前記基板の前記表面に形成する工程は、前記複数の粒子を前記基板の前記表面に堆積することを含み、前記複数の粒子は、前記エッチングで用いられるエッチング溶液に対して化学的に反応性を有する請求項1から9のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  11. 前記多孔質層の1つ又は複数の領域に溶液を分配し、パターニングされた複合層を提供する工程は、前記多孔質層の複数の領域に前記溶液を分配し、前記溶液を含む前記多孔質層の複数の領域と前記溶液を含まない前記多孔質層の1つ又は複数の領域とを含む前記パターニングされた複合層を提供することを含む請求項1から10のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140166093A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Paul Loscutoff Solar cell emitter region fabrication using n-type doped silicon nano-particles
US9082925B2 (en) * 2013-03-13 2015-07-14 Sunpower Corporation Methods for wet chemistry polishing for improved low viscosity printing in solar cell fabrication
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
RU2662254C1 (ru) * 2017-06-13 2018-07-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина" Способ изготовления полупроводниковой структуры, содержащей p-n-переход под пленкой пористого кремния для реализации фотоэлектрического преобразователя
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
CN111129217B (zh) * 2019-12-20 2021-05-18 浙江爱旭太阳能科技有限公司 用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6096124A (en) * 1999-04-27 2000-08-01 Xerox Corporation Ink compositions
JP4244549B2 (ja) * 2001-11-13 2009-03-25 トヨタ自動車株式会社 光電変換素子及びその製造方法
JP2004103736A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Ebara Corp 太陽電池の製造方法
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
JP2006156646A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JP5118805B2 (ja) * 2005-03-29 2013-01-16 シャープ株式会社 色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池モジュール
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
KR20070099840A (ko) * 2006-04-05 2007-10-10 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US7705237B2 (en) * 2006-11-27 2010-04-27 Sunpower Corporation Solar cell having silicon nano-particle emitter
EP2654089A3 (en) * 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
JP4948458B2 (ja) * 2008-03-19 2012-06-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP5329861B2 (ja) * 2008-07-16 2013-10-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 色素増感型太陽電池およびその製造方法
WO2010050936A1 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Innovalight, Inc. Methods of forming multi-doped junctions on a substrate
JP2010161317A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池

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