JP5947090B2 - 絶縁基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第1のAl層の前記Ti板配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第2のAl層と、前記第2のAl層の前記第1のAl層配置側とは反対側に配置されたセラミック層と、をろう付けによって積層状に一括接合し、これにより、前記積層材と前記第2のAl層と前記セラミック層とを有する接合体を得るろう付け接合工程と、を備え、
前記第2のAl層は、A1100又はA3003のAl合金板から形成されるとともに、前記Al合金板の両面にはそれぞれろう材層が前記ろう付け接合工程の前に予め接合されていることを特徴とする絶縁基板の製造方法。
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、を積層方向に加圧した状態でろう付けによって一括接合するものであり、
前記ろう付け接合工程の後で前記接合体を、前記積層方向の加圧を解除した状態で焼き鈍しする焼き鈍し工程を備えている前項1記載の絶縁基板の製造方法。
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、前記セラミック層の前記第2のAl層配置側とは反対側に配置された金属応力緩和層と、前記金属応力緩和層の前記セラミック層配置側とは反対側に配置された放熱部材と、をろう付けによって一括接合する前項1〜4のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
本実施例1では、図2に示した構成の絶縁基板1を上記実施形態の絶縁基板の製造方法に従って製造した。その具体的な製造方法は以下のとおりである。
・Ti層5 :長さ25mm×幅25mm×厚さ20μmの純Ti板
・第1のAl層6 :長さ25mm×幅25mm×厚さ80μmのAl合金板
・第2のAl層7 :長さ25mm×幅25mm×厚さ600μmのAl合金板
・セラミック層8 :長さ29mm×幅29mm×厚さ0.6mmのAlN板
・金属応力緩和層9:長さ25mm×幅25mm×厚さ1.6mmの高純度Al製パンチングメタル板
・放熱部材10 :長さ50mm×幅50mm×厚さ5mmのAl合金板。
本実施例2では、第2のAl層7を形成するAl合金板の材質がA1100であることを除いて、上記実施例1と同様に絶縁基板1を製造した。
本比較例1では、図7に示した構成の絶縁基板101を製造した。その具体的な製造方法は以下のとおりである。
・セラミック層108 :長さ29mm×幅29mm×厚さ0.6mmのAlN板
・金属応力緩和層109:長さ25mm×幅25mm×厚さ1.6mmの高純度Al製パンチングメタル板
・放熱部材110 :長さ50mm×幅50mm×厚さ5mmのAl合金板。
本比較例2では、Al層107を形成するAl合金板の材質がA1100であることを除いて、上記比較例1と同様に絶縁基板101を製造した。
2:積層材
3:Ni層
4:Ni−Ti系超弾性合金層
5:Ti層
6:第1のAl層
7:第2のAl層
8:セラミック層
9:金属応力緩和層
10:放熱部材
12a〜12d:ろう材層
15:接合体
20:半導体モジュール
21:半導体素子
30:クラッド圧延装置
40:放電プラズマ焼結装置
Claims (6)
- 表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の裏面側に配置されたTi又はTi合金で形成されたTi層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第1のAl層と、が積層状に接合一体化された積層材を製造する積層材製造工程と、
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第1のAl層の前記Ti層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第2のAl層と、前記第2のAl層の前記第1のAl層配置側とは反対側に配置されたセラミック層と、をろう付けによって積層状に一括接合し、これにより、前記積層材と前記第2のAl層と前記セラミック層とを有する接合体を得るろう付け接合工程と、を備え、
前記第2のAl層は、A1100又はA3003のAl合金板から形成されるとともに、前記Al合金板を心材としてその両面にそれぞれろう材層が前記ろう付け接合工程の前に予め接合されることにより前記Al合金板がブレージングシート化されており、
前記ろう付け接合工程では、
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、を積層方向に加圧した状態で真空中にてろう付けによって一括接合するものであり、
前記ろう付け接合工程の後で前記接合体を、前記積層方向の加圧を解除した状態で焼き鈍しする焼き鈍し工程を備えており、
前記積層材製造工程は、前記Ni層と前記Ti層とを拡散接合によって接合し、これにより、前記Ni層と前記Ti層との接合界面に前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化したNi−Ti系超弾性合金層を形成する第1拡散接合工程を含んでいる、絶縁基板の製造方法。 - 前記積層材製造工程は、前記第1拡散接合工程の後で前記Ti層と前記第1のAl層とを拡散接合によって接合する第2拡散接合工程を含んでいる請求項1記載の絶縁基板の製造方法。
- 前記第1のAl層の厚さは、前記第2のAl層を形成する前記Al合金板の両面のうち前記第1のAl層側の面に接合された前記ろう材層の厚さ以上に設定されている請求項1又は2記載の絶縁基板の製造方法。
- 前記第2のAl層の厚さは、100〜1000μmの範囲に設定されており、
前記第2のAl層を形成する前記Al合金板の両面のうち前記第1のAl層側の面に接合された前記ろう材層の厚さは、10〜100μmの範囲に設定されており、
前記第1のAl層の厚さは、前記第2のAl層を形成する前記Al合金板の両面のうち前記第1のAl層側の面に接合された前記ろう材層の厚さ以上で且つ30〜100μmの範囲に設定されている請求項1又は2記載の絶縁基板の製造方法。 - 前記ろう付け接合工程では、
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、前記セラミック層の前記第2のAl層配置側とは反対側に配置された金属応力緩和層と、前記金属応力緩和層の前記セラミック層配置側とは反対側に配置された放熱部材と、を真空中にてろう付けによって一括接合する請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法により製造された絶縁基板のNi層の表面に、半導体素子をはんだ付けによって接合する、半導体モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012092109A JP5947090B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 絶縁基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012092109A JP5947090B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 絶縁基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013222758A JP2013222758A (ja) | 2013-10-28 |
JP5947090B2 true JP5947090B2 (ja) | 2016-07-06 |
Family
ID=49593548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012092109A Expired - Fee Related JP5947090B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 絶縁基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5947090B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6422294B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2018-11-14 | 昭和電工株式会社 | 電子モジュール用基板の製造方法及び電子モジュール用基板 |
JP6383670B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2018-08-29 | 昭和電工株式会社 | アルミニウムと炭素粒子との複合材の製造方法及び絶縁基板の製造方法 |
JP6645271B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-02-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP6774252B2 (ja) * | 2016-08-02 | 2020-10-21 | 昭和電工株式会社 | 絶縁基板の製造方法及び絶縁基板 |
CN114930528A (zh) * | 2020-01-16 | 2022-08-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3928488B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2007-06-13 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006049567A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の使用方法及び半導体装置 |
JP2008294280A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
JP5359644B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-12-04 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
JP5515947B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-06-11 | 株式会社豊田自動織機 | 冷却装置 |
JP5829403B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-12-09 | 昭和電工株式会社 | 放熱用絶縁基板及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-04-13 JP JP2012092109A patent/JP5947090B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013222758A (ja) | 2013-10-28 |
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