JP6008544B2 - 絶縁基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第1のAl層の前記Ti層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第2のAl層と、前記第2のAl層の前記第1のAl層配置側とは反対側に配置されたセラミック層と、を積層方向に加圧した状態でろう付けによって一括接合し、これにより、前記積層材と前記第2のAl層と前記セラミック層とを有する接合体を得るろう付け接合工程と、
前記接合体を、前記積層方向の加圧を解除した状態で焼き鈍しする焼き鈍し工程と、を備えていることを特徴とする絶縁基板の製造方法。
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、前記セラミック層の前記第2のAl層配置側とは反対側に配置された金属応力緩和層と、前記金属応力緩和層の前記セラミック層配置側とは反対側に配置された放熱部材と、を積層方向に加圧した状態でろう付けによって一括接合する前項1〜3のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
前記第1のAl層と、前記第1のAl層の前記Ti層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第2のAl層と、前記第2のAl層の前記第1のAl層配置側とは反対側に配置されたセラミック層と、がろう付けによって積層状に接合一体化されてなる接合体を備えており、
前記接合体が焼き鈍しされていることを特徴とする絶縁基板。
本実施例では、図2に示した構成の絶縁基板1を上記実施形態の絶縁基板の製造方法に従って製造した。その具体的な製造方法は以下のとおりである。
・Ti層5 :長さ25mm×幅25mm×厚さ20μmの純Ti板
・第1のAl層6 :長さ25mm×幅25mm×厚さ80μmのAl合金板
・第2のAl層7 :長さ25mm×幅25mm×厚さ600μmの高純度Al板
・セラミック層8 :長さ29mm×幅29mm×厚さ0.6mmのAlN板
・金属応力緩和層9:長さ25mm×幅25mm×厚さ1.6mmの高純度Al製パンチングメタル板
・放熱部材10 :長さ50mm×幅50mm×厚さ5mmのAl合金板。
本比較例では、上記実施例における焼き鈍し工程S5を行わないで絶縁基板を製造した。その他の工程は上記実施例と同様に行った。
2:積層材
3:Ni層
4:Ni−Ti系超弾性合金層
5:Ti層
6:第1のAl層
7:第2のAl層
8:セラミック層
9:金属応力緩和層
10:放熱部材
12a〜12d:ろう材層
15:接合体
20:半導体モジュール
21:半導体素子
30:クラッド圧延装置
40:放電プラズマ焼結装置
Claims (5)
- 表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の裏面側に配置されたTi又はTi合金で形成されたTi層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第1のAl層と、が積層状に接合一体化された積層材を製造する積層材製造工程と、
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第1のAl層の前記Ti層配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成された第2のAl層と、前記第2のAl層の前記第1のAl層配置側とは反対側に配置されたセラミック層と、を積層方向に加圧した状態でろう付けによって一括接合し、これにより、前記積層材と前記第2のAl層と前記セラミック層とを有する接合体を得るろう付け接合工程と、
前記接合体を、前記積層方向の加圧を解除した状態で所定の焼き鈍し条件で焼き鈍しする焼き鈍し工程と、を備え、
前記焼き鈍し工程は、前記半導体素子が前記接合体の前記Ni層の表面に接合される前に行われ、
前記所定の焼き鈍し条件は、焼き鈍し温度が275〜580℃、前記焼き鈍し温度の保持時間が3〜120minである絶縁基板の製造方法。 - 前記積層材製造工程は、前記Ni層と前記Ti層とを拡散接合によって接合し、これにより、前記Ni層と前記Ti層との接合界面に前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化したNi−Ti系超弾性合金層を形成する第1拡散接合工程を含んでいる請求項1記載の絶縁基板の製造方法。
- 前記積層材製造工程は、前記第1拡散接合工程の後で前記Ti層と前記第1のAl層とを拡散接合によって接合する第2拡散接合工程を含んでいる請求項2記載の絶縁基板の製造方法。
- 前記ろう付け接合工程では、
前記積層材の前記第1のAl層と、前記第2のAl層と、前記セラミック層と、前記セラミック層の前記第2のAl層配置側とは反対側に配置された金属応力緩和層と、前記金属応力緩和層の前記セラミック層配置側とは反対側に配置された放熱部材と、を積層方向に加圧した状態でろう付けによって一括接合する請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法により製造された絶縁基板のNi層の表面に、半導体素子をはんだ付けによって接合することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
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