JP5938725B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
1a,1b 駆動入力端子
2,3 フォトダイオードアレイ
2a ダイオード
4 第1の半導体スイッチ
4a エンハンスメント型MOSFET
4b バイポーラトランジスタ
5 第2の半導体スイッチ
5a ダイオード
6 第3の半導体スイッチ
6a ダイオード
7 充放電回路
7a,7b 充放電回路入力端子
8 出力用MOSFET
8a,8b 出力端子
9,10,11 抵抗
12 フォトダイオードアレイ
13a エンハンスメント型MOSFET
14a,15a,16a ダイオード
Claims (9)
- 出力用MOSFETのオン/オフを制御する半導体装置であって、
駆動入力端子に接続された発光素子と、
各々前記発光素子からの光を受けて光起電力を発生する第1及び第2のフォトダイオードアレイと、
前記第1のフォトダイオードアレイのカソードと前記第2のフォトダイオードアレイのアノードとの間に接続されたノーマリオフ型の第1の半導体スイッチと、
前記第1のフォトダイオードアレイのカソードと前記第2のフォトダイオードアレイのカソードとの間に接続されたノーマリオン型の第2の半導体スイッチと、
前記第1のフォトダイオードアレイのアノードと前記第2のフォトダイオードアレイのアノードとの間に接続されたノーマリオン型の第3の半導体スイッチと、
前記第1のフォトダイオードアレイのアノードと前記第2のフォトダイオードアレイのカソードとの間に接続されて、前記出力用MOSFETのゲートへの電荷の充放電を制御する充放電回路とを備え、
前記出力用MOSFETをオンさせる際に、
前記第1のフォトダイオードアレイのアノードと前記第2のフォトダイオードアレイのカソードとの間の電圧が低い間は、前記第1の半導体スイッチがオフ状態であり、かつ前記第2及び第3の半導体スイッチがそれぞれオン状態であることにより、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイが互いに並列接続され、
前記第1のフォトダイオードアレイのアノードと前記第2のフォトダイオードアレイのカソードとの間の電圧が所定の電圧まで上昇した時点で、前記第1の半導体スイッチがオン状態へ移行し、かつ前記第2及び第3の半導体スイッチがそれぞれオフ状態へ移行することにより、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイが互いに直列接続されるように構成されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体スイッチは、電界効果トランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記第1の半導体スイッチは、エンハンスメント型MOSFETであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記エンハンスメント型MOSFETのゲートは、前記第1のフォトダイオードアレイを構成するように互いに直列接続された複数のフォトダイオードの接続点のうちのいずれかの電圧を受け取ることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記第1のフォトダイオードアレイのアノードと前記第2のフォトダイオードアレイのカソードとの間に接続された抵抗分圧回路を更に備え、
前記エンハンスメント型MOSFETのゲートは、前記抵抗分圧回路からの電圧を受け取ることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体スイッチは、バイポーラトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記バイポーラトランジスタは、前記第2のフォトダイオードアレイのアノードに接続されたエミッタと、前記第1のフォトダイオードアレイのカソードに接続されたコレクタと、抵抗を介して前記第2のフォトダイオードアレイのカソードに接続されたベースとを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2及び第3の半導体スイッチは、それぞれダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記発光素子からの光を受けて光起電力を発生する第3のフォトダイオードアレイを更に備え、
前記第3のフォトダイオードアレイは、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに対して並列又は直列に接続されることを特徴とする半導体装置。
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JP2012197576A JP5938725B2 (ja) | 2012-09-07 | 2012-09-07 | 半導体装置 |
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