JP5637886B2 - 半導体リレー - Google Patents
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Description
図4は、従来例に係る半導体リレー100の回路図である。半導体リレー100は、発光ダイオードLDと、フォトダイオードPD1〜PDn(nは、n>1を満たす整数)と、NチャネルMOSFETで構成されるスイッチ素子Qと、放電用の抵抗R11と、を備える。
以上の構成を備える半導体リレー100は、端子P2を基準とした端子P1の電圧を制御して、スイッチ素子Qのオンオフを制御することで、端子P4を基準として端子P3から出力する電圧を制御する。
(1) 本発明は、発光素子(例えば、図1、2の発光ダイオードLDに相当)と、前記発光素子と対に設けられた受光素子(例えば、図1のフォトダイオードPDや、図2のフォトトランジスタPTに相当)と、前記受光素子の出力に応じてスイッチングするスイッチ素子(例えば、図1、2のスイッチ素子Qに相当)と、抵抗(例えば、図1、2の抵抗Rに相当)と、を備え、前記受光素子の入力端子(例えば、図1のフォトダイオードPDのアノードや、図2のフォトトランジスタPTのコレクタに相当)には、前記スイッチ素子の出力端子(例えば、図1、2のスイッチ素子Qのソースに相当)が接続され、前記受光素子の出力端子(例えば、図1のフォトダイオードPDのカソードや、図2のフォトトランジスタPTのエミッタに相当)には、前記スイッチ素子の制御端子(例えば、図1、2のスイッチ素子Qのゲートに相当)と、前記抵抗の一端(例えば、図1、2の抵抗Rの一端に相当)と、が接続され、前記抵抗の他端(例えば、図1、2の抵抗Rの他端に相当)には、前記スイッチ素子の入力端子(例えば、図1、2のスイッチ素子Qのドレインに相当)が接続されることを特徴とする半導体リレーを提案している。
[半導体リレー1の構成]
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体リレー1の回路図である。半導体リレー1は、図4に示した従来例に係る半導体リレー100とは、フォトダイオードPD1〜PDnの代わりにフォトダイオードPDおよび抵抗Rを備える点が異なる。なお、半導体リレー1において、半導体リレー100と同一構成要件については、同一符号を付し、その説明を省略する。
以上の構成を備える半導体リレー1は、端子P2を基準とした端子P1の電圧を制御して、スイッチ素子Qのオンオフを制御することで、端子P4を基準として端子P3から出力する電圧を制御する。
[半導体リレー1Aの構成]
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体リレー1Aの回路図である。半導体リレー1Aは、図1に示した本発明の第1実施形態に係る半導体リレー1とは、フォトダイオードPDの代わりにフォトトランジスタPTを備える点が異なる。なお、半導体リレー1Aにおいて、半導体リレー1と同一構成要件については、同一符号を付し、その説明を省略する。
[半導体リレー1Bの構成]
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体リレー1Bの回路図である。半導体リレー1Bは、図1に示した本発明の第1実施形態に係る半導体リレー1とは、スイッチ素子Qの代わりにスイッチ素子Q1〜Q3を備える点と、抵抗Rの代わりに抵抗R1〜R3を備える点と、が異なる。なお、半導体リレー1Bにおいて、半導体リレー1と同一構成要件については、同一符号を付し、その説明を省略する。
以上の構成を備える半導体リレー1Bは、半導体リレー1と同様に、端子P2を基準とした端子P1の電圧を制御して、スイッチ素子Q1〜Q3のオンオフを制御することで、端子P4を基準として端子P3から出力する電圧を制御する。
LD;発光ダイオード
PD;フォトダイオード
PT;フォトトランジスタ
Q、Q1〜Q3;スイッチ素子
R、R1〜R3、R11;抵抗
Claims (2)
- 発光素子と、
前記発光素子と対に設けられた受光素子と、
前記受光素子の出力に応じて開閉する複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子と対に設けられた複数の抵抗と、を備え、
前記複数のスイッチ素子は、直列接続されるとともに、前記受光素子および前記複数の抵抗は、直列接続され、当該複数のスイッチ素子を直列接続したものと、当該受光素子および複数の抵抗を直列接続したものとは、並列接続され、
前記受光素子の入力端子には、前記複数のスイッチ素子のうち端部に設けられたものの出力端子が接続され、
前記受光素子の出力端子には、前記複数のスイッチ素子のうち端部に設けられたものの制御端子が接続され、
前記複数の抵抗のそれぞれの一端には、当該抵抗と対に設けられたスイッチ素子の制御端子が接続されることを特徴とする半導体リレー。 - 前記受光素子は、PN接合を少なくとも1つ有する素子で構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体リレー。
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JP2011024691A JP5637886B2 (ja) | 2011-02-08 | 2011-02-08 | 半導体リレー |
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