JP2017195150A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 少なくとも一つの発光素子を含む第１光源と少なくとも一つの発光素子を含み前記第１光源に直列接続される第２光源とを前記第１光源が短絡されていないときに駆動し、前記第１光源が短絡されているときに前記２光源を駆動し、且つ電圧変換部と、前記電圧変換部から出力される電圧を平滑化する出力コンデンサと、を有する発光素子駆動装置の少なくとも一部を構成する発光素子駆動用半導体集積回路であって、
   前記第１光源及び前記第２光源に直列接続される第１抵抗の両端電圧に応じて、可変抵抗の抵抗値を制御する制御部を有し、
   前記制御部は、前記第１光源及び前記第２光源によって構成される直列接続体のアノード電圧を調整し、
   前記可変抵抗は、前記第１抵抗と前記直列接続体のアノードとの間に接続され、
   前記可変抵抗の抵抗値は、前記可変抵抗に電流が流れているときに前記第１抵抗の両端電圧に応じて可変し、
   前記第１抵抗は、前記可変抵抗と、前記電圧変換部及び前記出力コンデンサの接続ノードとの間に接続されることを特徴とする発光素子駆動用半導体集積回路。
2. 前記可変抵抗は、ＭＯＳトランジスタである請求項１に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
3. 前記可変抵抗は、前記第１抵抗に接続される第１端子と、前記直列接続体のアノードに接続される第２端子と、を有する請求項１または請求項２に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
4. 前記可変抵抗は、前記可変抵抗と前記直列接続体のアノードとの間における他の素子なしに前記直列接続体のアノードに接続される請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
5. 少なくとも一つの発光素子を含む第１光源と少なくとも一つの発光素子を含み前記第１光源に直列接続される第２光源とを前記第１光源が短絡されていないときに駆動し、前記第１光源が短絡されているときに前記２光源を駆動し、且つ出力コンデンサを有し、前記第１光源に並列接続される短絡経路を有し、前記短絡経路は、前記第１光源のアノードに接続される第１端子と、前記第１光源のカソードに接続される第２端子とを有する発光素子駆動装置の少なくとも一部を構成する発光素子駆動用半導体集積回路であって、
   前記第１光源及び前記第２光源に直列接続される第１抵抗の両端電圧に応じて、可変抵抗の抵抗値を制御する制御部を有し、
   前記可変抵抗は、前記短絡経路に設けられ
   前記可変抵抗の抵抗値は、前記可変抵抗に電流が流れているときに前記第１抵抗の両端電圧に応じて可変することを特徴とする発光素子駆動用半導体集積回路。
6. 前記可変抵抗は、前記第１光源のアノードに接続される請求項５に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
7. 前記可変抵抗に直列接続されるスイッチが前記短絡経路に設けられる請求項５または請求項６に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
8. 前記スイッチは、前記短絡経路の導通状態と遮断状態とを切り替える請求項７に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
9. 前記可変抵抗は、ＭＯＳトランジスタである請求項５〜８のいずれか一項に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
10. 電源電圧を受けるカソードと、第２光源のカソードに接続されるアノードとを有するダイオードと、
    前記第２光源のカソードに接続される第３端子と、前記電源電圧よりも低い電圧を受ける第４端子とを有するスイッチング素子と、をさらに備え、
    前記スイッチング素子は、前記第１光源が短絡された状態から前記第１光源が短絡されない状態に切り替わる前にオン状態からオフ状態に切り替えられる請求項５〜９のいずれか一項に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
11. 少なくとも一つの発光素子を含む第１光源と少なくとも一つの発光素子を含み前記第１光源に直列接続される第２光源とを前記第１光源が短絡されていないときに駆動し、前記第１光源が短絡されているときに前記２光源を駆動し、且つ出力コンデンサを有する発光素子駆動装置の少なくとも一部を構成する発光素子駆動用半導体集積回路であって、
    第１端子と、
    前記第１端子に供給される信号と前記第１光源及び前記第２光源に直列接続される第１抵抗の両端電圧とに基づいて、可変抵抗の抵抗値を制御する制御部と、
    を有し、
    前記可変抵抗は、前記第１光源のアノードに接続される第２端子と、前記第１光源のカソードに接続される第３端子とを有し、
    前記可変抵抗の抵抗値は、前記可変抵抗に電流が流れているときに前記第１抵抗の両端電圧に応じて可変することを特徴とする発光素子駆動用半導体集積回路。
12. 前記制御部は、
    前記第１光源を短絡させないことを指示する信号が前記第１端子に供給された場合に、前記第１抵抗の両端電圧に応じて前記可変抵抗の抵抗値を制御し、
    前記第１光源を短絡させることを指示する信号が前記第１端子に供給された場合に、前記可変抵抗の抵抗値を前記短絡経路が前記可変抵抗によって遮断状態になる値に制御する請求項１１に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
13. 前記可変抵抗は、ＭＯＳトランジスタである請求項１１または請求項１２に記載の発光素子駆動用半導体集積回路。
14. 少なくとも一つの発光素子を含む第１光源と、
    少なくとも一つの発光素子を含み前記第１光源に直列接続される第２光源と、
    請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光素子駆動用半導体集積回路と、を有することを特徴とする発光装置。
15. 請求項１４に記載の発光装置を有し、前記発光装置がヘッドライトとして用いられることを特徴とする車両。