JP5929942B2 - カーボン担持触媒 - Google Patents
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Description
特許文献1には、パラジウムを含むコア部と、当該コア部を被覆する白金シェル部を備える、カーボン担持コアシェル型触媒微粒子の製造方法が開示されている。
本発明は、上記実状を鑑みて成し遂げられたものであり、RDE活性から期待される活性が、MEA形成後も維持されるカーボン担持触媒を提供することを目的とする。
酸性溶液中で、導電性材料からなる測定用電極に塗布した前記カーボン担持触媒を測定することにより得られるサイクリックボルタモグラムにおいて、還元電流領域に現れる水素吸蔵領域と水素吸着領域との総面積中に占める、当該水素吸着領域の面積の割合が、29%〜36%であり、
前記サイクリックボルタモグラムは、掃引速度が50mV/sであり、かつ、前記酸性溶液が液温25℃かつ不活性ガスによりバブリングされている0.1M過塩素酸水溶液であるという条件下におけるサイクリックボルタンメトリーにより得られることを特徴とする。
このような測定環境の差により、RDE測定では触媒活性が高いにもかかわらず、MEA測定では低電流密度領域のセル電圧(すなわちMEA活性)が低くなることがあった。パラジウムによる上記悪影響の証明として、カーボン担持白金コバルト合金触媒とカーボン担持パラジウムとを質量比にして1:1で含むMEAは、カーボン担持白金コバルト合金触媒のみを含むMEAと比較して、白金コバルト合金の活性が1/2〜1/3まで低下することが、本発明者らの検討により明らかとなっている。
パラジウム含有粒子の平均粒径は、特に限定されないが、7nm以下であることが好ましい。パラジウム含有粒子の平均粒径が7nmを超える場合、白金の質量あたり表面積が小さくなり、必要な活性を得るには多くの白金が必要となるためコストがかかる。パラジウム含有粒子の平均粒径が小さ過ぎると、パラジウム自体が溶けやすくなり触媒の耐久性が低下するため、パラジウム含有粒子の平均粒径は3nm以上、特に4nm以上であることがより好ましい。
白金含有最外層は、白金のみを含んでいてもよいし、白金以外にイリジウム、ルテニウム、ロジウム、又は金を含んでいてもよい。白金含有最外層に白金合金を用いる場合には、当該白金合金には白金の他に金属が1種類のみ含まれていてもよいし、2種類以上含まれていてもよい。
なお、触媒微粒子の平均粒径は、その下限が好適には2.5nm以上、より好適には3nm以上であり、その上限が好適には40nm以下、より好適には10nm以下である。
触媒微粒子を担持する担体として使用できる材料の具体例としては、ケッチェンブラック(商品名:ケッチェン・ブラック・インターナショナル社製)、バルカン(商品名:Cabot社製)、ノーリット(商品名:Norit社製)、ブラックパール(商品名:Cabot社製)、アセチレンブラック(商品名:Chevron社製)、OSAB(電気化学工業社製)、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー等の炭素粒子や炭素繊維等の導電性炭素材料、金属粒子や金属繊維等の金属材料、ペリレンレッド等の有機顔料等の非導電性材料が挙げられる。
本発明におけるサイクリックボルタモグラムは、掃引速度が50mV/sかつ上記酸性溶液の条件下におけるサイクリックボルタンメトリーにより得られることが好ましい。
まず、カーボン担持触媒の粉末を、少なくとも水を含む溶媒に加え、分散させる。この分散液を、電気化学セルの作用極に塗布し、自然乾燥させる。
なお、分散液は、電解質、例えば、Nafion(登録商標:デュポン株式会社製)等のパーフルオロカーボンスルホン酸ポリマー系電解質をバインダーにして、作用極上に接着してもよい。分散液には、適宜、水やアルコール等の溶媒を加えてもよい。
作用極としては、グラッシーカーボン電極等の、導電性材料からなる測定用電極を用いることができる。
参照極としては、白金に水素を吹き込み使用する可逆水素電極(reversible hydrogen electrode;以下RHEと称することがある)、あるいは銀−塩化銀電極が用いられる。銀−塩化銀電極の測定値を可逆水素電極へ変換する場合は、事前にRHEと銀−塩化銀電極の電位差を測定しておき、後に補正する。
対極としては、白金電極等を用いることができる。
図9は、サイクリックボルタンメトリーを行う電気化学装置を示した斜視模式図である。電気化学装置100は、ガラスセル1に、電解液2を加え、さらに分散液3が塗布された作用極4を備える。ガラスセル1中には、作用極4と、参照極5と、対極6とを電解液2に十分に浸かるように配置し、これら3つの電極をポテンショスタット/ガルバノスタットと電気的に接続する。また、気体の導入管7を電解液2に浸かるように配置し、セル外部に設置された不活性ガス供給源(図示せず)から不活性ガスを一定時間電解液2に室温下でバブリングさせ、電解液2中に不活性ガスを飽和させた状態とする。気泡8は不活性ガスの気泡を示す。不活性ガスとしては、窒素若しくはアルゴン、又はこれらの混合気体が使用できる。そして、サイクリックボルタンメトリーを行う。
作用極としてRDEを用いてカーボン担持触媒のサイクリックボルタンメトリーを行う場合、電位の安定性の観点から、RDEを電解液に浸漬させ、電解液中でRDEを回転させ、浸漬から数分後に回転を停止してからサイクリックボルタンメトリーを行うことが好ましい。
サイクリックボルタンメトリーの条件は、触媒微粒子の劣化や、担体であるカーボンの劣化が生じない条件であることが好ましい。RDEを用いたサイクリックボルタンメトリーの具体的な条件の一例を下記に示す。
・電解液:0.1M HClO4aq(不活性ガスをバブリングさせる)
・雰囲気:不活性ガス雰囲気下
・掃引速度:50mV/sec
・電位掃引範囲:−0.05V〜1V(vs.RHE)
・参照極:可逆水素電極(RHE)
本発明における水素吸蔵領域とは、触媒微粒子表面に露出したパラジウムが水素を吸蔵する際に流れる電流に対応する領域である。ここでいう「触媒微粒子表面に露出したパラジウム」とは、白金含有最外層が被覆していないパラジウム含有粒子の表面、及び触媒微粒子表面の白金原子間の隙間から覗くパラジウムの両方を含む。水素吸蔵領域の面積は、原則として触媒微粒子表面に露出したパラジウムの量に対応する。
サイクリックボルタモグラムは、低電位側から高電位側の電位走査後、ある電位で低電位方向へ走査し、またある電位で高電位方向へ走査するというように電位をサイクルさせる。電位を高電位側から低電位側へ走査した場合に現れる曲線を還元波という。本発明におけるサイクリックボルタモグラムの還元波においては、0.3〜0.4V(vs.RHE)の電位の範囲内に、還元波の接線の傾きが1.0×10−5〜0(A/V)、すなわちほぼ0(A/V)と見なせる部分が存在する。この部分においては、触媒金属表面における電気化学反応が生じず、カーボン担体において充放電が起きると考えられる。この掃引初期の部分の直後に、還元波の接線の傾きがある所定の傾きとなる電位を、開始電位E0と決定することができる。ここで、所定の傾きとは、例えば、5.0×10−4〜1.0×10−4(A/V)の範囲の傾きである。
開始電位E0は、例えば、0.35V(vs.RHE)としてもよい。
電位E1は、例えば、0.075V(vs.RHE)としてもよい。
終了電位E2は、例えば、0V(vs.RHE)としてもよい。
図1のCV中、菱形(◇)は開始電位E0に対応する部分を、白三角形(△)は電位E1に対応する部分を、黒三角形(▲)は終了電位E2に対応する部分を、それぞれ指している。
図1において、水素吸着領域の面積は、始点(◇)から終点(△)までの電流値を電位について積分し、さらに当該積分値(電気量)から当該電位範囲の電気二重層容量を差し引いた部分として示される(網かけで示した領域)。一方、図1において、水素吸蔵領域の面積は、始点(△)から終点(▲)までの電流値を電位について積分し、さらに当該積分値(電気量)から電気二重層容量を差し引いた部分として示される(斜線で示した領域)。なお、図1中において、電気二重層容量を縦縞で示す。
白金とパラジウムの上記性質により、水素吸着領域の面積は、白金及びパラジウムを含む触媒微粒子の総表面積に対応する一方、水素吸蔵領域の面積は、触媒微粒子の表面に存在するパラジウムの他、触媒微粒子内部のパラジウムにも関わる。したがって、水素吸着領域の面積割合が高いほど触媒活性に優れるというわけではない。
一方、水素吸着領域の面積割合が29%以上であるということは、水素のような小さな原子が触媒微粒子内部に吸蔵されにくいことを意味する。その場合、水素すら触媒微粒子内部に自由に入り込めないのであるから、パラジウム含有粒子中のパラジウムが外部に溶出することもないといえる。
以上より、白金含有最外層の厚さ及び重なりの状態、並びに当該最外層における白金原子の配列の状態につき、パラジウムが触媒微粒子の表面に存在しないような条件が整った場合において、水素吸着領域の面積割合の上記数値範囲の条件が満たされることとなる。
被覆率とは、触媒微粒子表面における白金含有最外層の存在比を意味する。したがって、被覆率を触媒微粒子評価の指標としたとしても、白金含有最外層における重なりや原子配列の状態を評価することは難しい。
したがって、白金含有最外層における重なりや原子配列の情報を含み得ない被覆率からは、RDE活性を予測することはできたとしても、白金含有最外層の不具合がより厳しく影響するMEA活性を予測することは困難である。
図10に示すカーボン担持触媒の製造方法は、(1)酸化物除去工程、(2)銅析出工程、(3)置換工程、(4)洗浄工程、(5)酸処理工程、(6)乾燥工程を有する。
本発明のカーボン担持触媒の製造方法は、(2)銅析出工程、及び、(3)置換工程を有し、必要に応じ、銅析出工程の前に(1)酸化物除去工程、置換工程の後に(4)洗浄工程、(5)酸処理工程、(6)乾燥工程等を有する。
以下、各工程について、順に説明する。
酸化物除去工程は、銅析出工程の前に、パラジウム含有粒子の表面から不純物であるパラジウム酸化物を除去する工程である。酸化物除去処理により、パラジウム含有粒子に対し、均一に白金含有最外層を被覆することができる。
酸化物除去は、例えば、パラジウム含有粒子を含む電解液中において、パラジウム含有粒子に所定の電位を印加することにより行うことができる。
パラジウム含有粒子に電位を印加する方法、電位制御装置は、後述する銅析出工程で行われる方法、装置と同様とすることができる。
酸化物除去工程に使用できる電解液としては、当該電解液中において適宜電位を掃引することにより酸化パラジウムを溶出することができる溶液であれば、特に限定されない。
電解液の具体例としては、酸溶液が挙げられる。酸化物除去工程に使用できる酸としては、具体的には、後述する銅イオン含有電解液に使用できる酸と同様の酸が使用できる。
なお、酸化物除去工程と、後述する銅析出工程とを、同じ反応容器内で行う場合には、酸化物除去工程に使用した電解液に、銅イオン含有電解液を加えてもよい。例えば、酸化物除去工程の電解液として硫酸を使用した場合には、使用後の硫酸に硫酸銅水溶液を加えて、銅析出工程を行ってもよい。なお、酸化物除去工程において用いる電解液中の対アニオンと、銅析出工程において用いる銅イオン含有電解液の対アニオンとは、同一であってもよく、異なっていてもよい。
電解液中の酸素を可能な限り除去し、酸化物除去を速やかに進行させることができるという点から、電解液中には、窒素をバブリングさせることが好ましい。
酸化物除去を速やかに進行させるという観点から、一定の電位範囲において、電位を複数回往復させることが好ましい。電位印加信号パターンは、矩形波、三角波、台形波等がある。
電位範囲は、特に限定されないが、0.05〜1.2V(vs.RHE)であることが好ましい。
電位のサイクル数は、電位印加信号パターンが矩形波の場合は、特に限定されないが、0.05V(vs.RHE)で15〜60秒ホールド、1.2V(vs.RHE)で15〜60秒ホールドを1サイクルとし、1000〜2500サイクル行うことが好ましい。
また、電位印加信号パターンが三角波の場合の電位のサイクル数は、特に限定されないが、800〜3000サイクルであることが好ましく、電位の掃引速度は、例えば、5〜100mV/秒とすることができる。
酸化物除去工程における反応系内の温度は、特に限定されないが、酸化物除去工程と、銅析出工程及び置換工程とを、同じ反応容器内で行う場合には、置換工程における反応系内の温度を速やかに−3℃以上10℃以下にする観点から、−3℃以上10℃以下に維持することが好ましい。
本工程に使用されるパラジウム含有粒子は、上述した担体に担持されていることが好ましい。
銅析出工程は、銅イオン含有電解液中において、パラジウム含有粒子に銅の酸化還元電位よりも貴な電位を印加することによって、前記パラジウム含有粒子の表面に銅を析出させる工程である。
銅イオン含有電解液に用いられる溶媒としては、水、有機溶媒が挙げられるが、パラジウム含有粒子の表面への銅の析出を妨げないという観点から、水が好ましい。
銅イオン含有電解液に用いられる銅塩としては、具体的には、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、亜塩素酸銅、過塩素酸銅、シュウ酸銅等が挙げられる。
電解液中において、銅イオン濃度は、特に限定されないが、10〜1000mMであることが好ましい。
銅イオン含有電解液には、上記溶媒及び銅塩の他にも、例えば、酸等を含んでいてもよい。銅イオンを含有する電解液に添加できる酸としては、具体的には、硫酸、硝酸、塩酸、亜塩素酸、過塩素酸、シュウ酸等が挙げられる。なお、銅イオン含有電解液中の対アニオンと、酸中の対アニオンとは、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、電解液は、予め、不活性ガスをバブリングしておくことが好ましい。パラジウム含有粒子の酸化を抑制し、白金含有シェルによる均一な被覆が可能となるからである。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等を用いることができる。
また、導電性基材上や作用極上にパラジウム含有粒子を固定し、導電性基材や作用極のパラジウム含有粒子固定面を、電解液に浸漬してもよい。パラジウム含有粒子を固定する方法としては、例えば、電解質樹脂(例えばナフィオン(登録商標)等)と、水やアルコール等の溶媒とを用いて、パラジウム含有粒子ペーストを調製し、導電性基材や作用極の表面に塗布する方法が挙げられる。
作用極としては、例えば、チタン、白金メッシュ、白金板、金板等の金属材料、グラッシーカーボン、カーボン板等の導電性炭素材料等の導電性が担保できる材料を用いることができる。なお、反応容器を上記導電性材料で形成し、作用極としても機能させることもできる。金属材料の反応容器を作用極として用いる場合、反応容器の内壁には、腐食を抑制する観点から、RuO2をコーティングすることが好ましい。炭素材料の反応容器を作用極として用いる場合は、コーティング無しでそのまま使用することが可能である。
対極としては、例えば、白金メッシュに白金黒をめっきしたもの及び導電性炭素繊維等を用いることができる。
参照極としては、可逆水素電極(RHE)、銀−塩化銀電極、及び銀−塩化銀−塩化カリウム電極等を用いることができる。
電位制御装置としては、ポテンショスタット及びポテンショガルバノスタット等を用いることができる。
電位を印加する時間は、特に限定されないが、60分以上行うことが好ましく、反応電流が定常となり、ゼロに近づくまで行うことがより好ましい。
電位の印加は、上記電位範囲を含む範囲において電位を掃引することによって行ってもよい。掃引する電位範囲としては、具体的には、0.3〜0.8V(vs.RHE)であることが好ましい。
電位掃引のサイクル数は、特に限定されないが、1〜10000サイクルであることが好ましい。また、電位の掃引速度は、例えば、0.01〜100mV/秒である。
また、銅析出工程において、銅イオン含有電解液は、必要に応じて適宜攪拌することが好ましい。例えば、作用極を兼ねる反応容器を用い、該反応容器内の電解液にパラジウム含有粒子を浸漬、分散させた場合、電解液を攪拌することで、各パラジウム含有粒子を作用極である反応容器の表面に接触させ、各パラジウム含有粒子に均一に電位を印加させることができる。この場合、攪拌は、銅析出工程中、連続的に行ってもよいし、断続的に行ってもよい。
銅析出工程における、反応系内の温度は、特に限定されないが、銅析出工程と後述する置換工程とを、同じ反応容器内で行う場合には、置換工程における反応系内の温度を速やかに−3℃以上10℃以下にする観点から、−3℃以上10℃以下に維持することが好ましい。
置換工程は、銅析出工程後、−3℃以上10℃以下に維持された反応系内において、前記パラジウム含有粒子の表面に析出した前記銅に、白金イオン及び前記銅と白金との置換反応を抑制する反応抑制剤を含有する白金イオン含有溶液を接触させることによって、前記パラジウム含有粒子の表面に析出した前記銅を白金に置換することによって前記シェルを形成する工程である。
置換工程において、反応系内の温度は、−3℃以上10℃以下に維持されていればよく、パラジウム含有粒子の表面に対し均一にシェルを形成させる観点から、3℃以上9℃以下、特に5℃以上8℃以下に維持されていることが好ましい。−3℃未満であると、溶液が凍結して反応が進行しなくなる恐れがあり、10℃を超えると十分な白金質量活性が得られなくなる恐れがあるからである。
反応系内の温度を維持する方法としては、特に限定されず、循環冷却装置(チラー)、冷却管等を用いる方法が挙げられる。
白金イオン含有溶液は、少なくとも白金イオン及び反応抑制剤を含有するものであれば特に限定されない。
反応抑制剤は、銅と白金との置換反応を抑制することができるものであれば、特に限定されない。反応抑制剤としては、白金、パラジウム含有粒子表面に析出した銅、パラジウム含有粒子表面に露出したパラジウム等と溶液中において錯体を形成する錯体形成剤等が挙げられる。
錯体形成剤としては、クエン酸、クエン酸のナトリウム塩、クエン酸のカリウム塩、エチレンジアミン四酢酸(以下、EDTAと称する場合がある)、EDTAのナトリウム塩、及びEDTAのカリウム塩等が挙げられ、クエン酸が好ましい。上記錯体形成剤は、1種類のみ用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。これらの錯体形成剤は、溶液中において白金、銅と錯体を形成するため、銅と白金との置換反応を抑制し、その結果、パラジウム含有粒子の表面に対し均一に白金含有シェルを被覆することができる。
白金イオン含有溶液中における反応抑制剤の濃度は特に限定されないが、白金イオン濃度の1〜10倍であることが好ましい。
白金イオン含有溶液に用いられる白金塩は、例えば、K2PtCl4、K2PtCl6等を用いることができ、また、([PtCl4][Pt(NH3)4])等のアンモニア錯体を用いることもできる。
白金イオン含有溶液中において白金イオン濃度は特に限定されないが、0.01〜100mMであることが好ましい。
白金イオン含有溶液に用いることができる溶媒は、上述した銅イオンを含有する電解液に用いられる溶媒と同様とすることができる。
また、白金イオン含有溶液には、上記溶媒、反応抑制剤及び白金塩の他にも、例えば、酸等を含んでいてもよい。酸としては、上述した銅イオンを含有する電解液に用いられる酸と同様とすることができる。
白金イオン含有溶液は、反応系内の温度を−3℃以上10℃以下に維持する観点から、事前に−3℃以上10℃以下に調整しておくことが好ましく、また、十分に攪拌し、パラジウム含有粒子の表面の酸化防止や、銅の酸化防止の観点から、当該溶液中には予め窒素をバブリングさせることが好ましい。
置換時間(白金イオン含有溶液とパラジウム含有粒子との接触時間)は、特に限定されないが、10分以上行うことが好ましく、白金イオン含有溶液を加えていくと、反応溶液の電位が上昇していくため、そのモニター電位が変化しなくなるまで置換させることがより好ましい。
パラジウム含有粒子の表面に析出した銅に白金イオン含有溶液を接触させる方法は特に限定されない。銅析出工程と置換工程とを、同じ反応容器内で行う場合には、銅析出工程に使用した電解液に、白金イオン含有溶液を加えてもよい。例えば、銅析出工程後、電位制御を停止し、銅析出工程において使用した銅イオン含有電解液に、白金イオン含有溶液を添加することで、銅が析出したパラジウム含有粒子を白金イオン含有溶液に接触させてもよい。
洗浄工程は、置換工程後、銅が白金に置換されたパラジウム含有粒子を水により洗浄する工程である。洗浄工程は、担体表面に物理吸着している反応抑制剤を溶出する観点から、酸処理工程前に行うことが好ましい。
洗浄工程においては、水として冷水を用いてもよいし、温水を用いてもよい。また、冷水と温水を組み合わせて洗浄に用いてもよい。具体的には、パラジウム含有粒子を30℃未満の冷水により洗浄した後に、温水により洗浄してもよい。
温水は、担体表面に物理吸着している反応抑制剤を溶出する観点から、その温度が30℃以上100℃以下であることが好ましい。
洗浄工程は、パラジウム含有粒子を水中、好ましくは温水中に分散させて洗浄する工程であることが好ましい。パラジウム含有粒子を水中に分散させる方法は特に限定されず、例えば、超音波による分散法や、ボールミルにより粉砕した後に水中に加える方法、ナノマイザー等のせん断力を用いた装置により分散する方法等が挙げられる。これらの中でも、パラジウム含有粒子の構造を比較的傷つけにくいという観点から、超音波による分散法を用いることが好ましい。
洗浄工程は、洗浄に使用された水(以下、洗浄水と称する場合がある)の伝導度が、10μS/cm以下となるまで、繰り返すことが好ましい。洗浄水の伝導度が高い場合には、担体表面に物理吸着している反応抑制剤の量が未だ多いものと判定することができるからである。洗浄水とは、具体的には、容器中に水1L当たりパラジウム含有粒子10gを加えて分散させた後に得られる上澄み液を指す。
酸処理工程は、置換工程後、銅が白金に置換されたパラジウム含有粒子に、酸溶液を接触させる工程である。酸処理により、露出したパラジウム含有粒子を選択的に溶出し、パラジウム含有粒子が小さくなることにより白金含有最外層の欠陥部位が修復され、触媒微粒子の白金質量活性を向上させることができる。
酸溶液としては、例えば、硝酸、硫酸、過塩素酸、塩酸、次亜塩素酸等が挙げられ、パラジウムを溶解できるのに十分な酸化力を持つという観点から、硝酸が好ましい。
酸溶液の濃度は、例えば、酸溶液として硝酸を用いる場合には、硝酸の濃度は、1.0×10−4〜2mol/L、特に1.0×10−3〜1mol/L、さらに1.0×10−2〜1.0×10−1mol/Lであることが好ましい。
また、酸溶液として硫酸を用いる場合には、硫酸の濃度は、1.0×10−4〜2mol/L、特に1.0×10−3〜1mol/L、さらに1.0×10−2〜1.0×10−1mol/Lであることが好ましい。
酸溶液の温度は、白金含有最外層の欠陥部位の補修を効果的に且つ効率良く実施できることから、40℃以上、特に50℃以上であることが好ましく、また、パラジウム含有粒子の凝集等を防止する観点から、90℃以下、特に80℃以下であることが好ましい。
また、パラジウム含有粒子を酸溶液に接触させる時間は、酸溶液の種類、濃度、温度等に応じて、適宜調節することができ、例えば30分間〜2時間程度でよい。
パラジウム含有粒子を酸溶液に接触させる方法は特に限定されない。十分に酸処理が進行するという観点から、パラジウム含有粒子を酸溶液中に浸漬させる方法が好ましい。浸漬の際、酸溶液は、超音波ホモジナイザー、マグネチックスターラー、攪拌羽つきモーター等を用いて、分散及び攪拌することが好ましい。
乾燥工程は、置換工程後、得られたカーボン担持触媒を乾燥させる工程である。
カーボン担持触媒の乾燥は、溶媒等を除去できる方法であれば特に限定されず、例えば、不活性ガス雰囲気下、50〜100℃の温度を6〜12時間保持する方法等が挙げられる。
カーボン担持触媒は必要に応じて粉砕してもよい。粉砕方法は、固形物を粉砕できる方法であれば特に限定されない。当該粉砕の例としては、不活性ガス雰囲気下、或いは大気下における乳鉢等を用いた粉砕や、ボールミル、ターボミル等のメカニカルミリングが挙げられる。
アノード触媒層及びカソード触媒層はいずれも、触媒、導電性材料及び高分子電解質を含有する触媒インクを用いて形成することができる。高分子電解質としては、上述した高分子電解質膜同様の材料を用いることができる。触媒としては、本発明に係る触媒微粒子が用いられる。
本発明に係るカーボン担持触媒は、アノード触媒層のみに用いられてもよく、カソード触媒層のみに用いられてもよく、アノード触媒層及びカソード触媒層の両方に用いられてもよい。本発明に係るカーボン担持触媒をアノード触媒層のみに用いる場合には、カソード触媒層には他の触媒が用いられる。また、本発明に係るカーボン担持触媒をカソード触媒層のみに用いる場合には、アノード触媒層には他の触媒が用いられる。
他の触媒としては、通常、触媒成分を導電性粒子に担持させたものが用いられる。触媒成分としては、アノード電極に供給される燃料の酸化反応又はカソード電極に供給される酸化剤の還元反応に対して触媒活性を有しているものであれば、特に限定されず、固体高分子型燃料電池に一般的に用いられているものを使用することができる。例えば、白金、又はルテニウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルト、銅等の金属と白金との合金等を用いることができる。触媒担体である導電性粒子としては、カーボンブラック等の炭素粒子や炭素繊維のような導電性炭素材料、金属粒子や金属繊維等の金属材料も用いることができる。導電性材料は、触媒層に導電性を付与する役割も担っている。
上記方法によって触媒層を形成した高分子電解質膜及びガス拡散シートは、適宜、重ね合わせて熱圧着等し、互いに接合することで、膜・電極接合体が得られる。
[実施例1]
(酸化物除去工程)
まず、パラジウム粒子がカーボン粒子に担持されたパラジウム担持カーボン(Pd/C)1gを、反応容器に入れ、さらに0.05M硫酸水溶液を1.0L加え、Pd/Cを懸濁させた。
続いて、上記反応容器に、作用極(グラッシーカーボン)、対極(白金メッシュ)、参照極(銀−塩化銀)を硫酸水溶液に浸るように設置した。
反応容器を密閉し、Pd/Cを懸濁させた硫酸水溶液を窒素ガスで180分間バブリングし、酸素を脱気した。
次に、ポテンショスタットを作用極、対極及び参照極に接続し、作用極に対して0.05V(vs.RHE)で15秒ホールド、1.2V(vs.RHE)で15秒ホールドを1サイクルとする矩形波信号パターンの電位印加を2,500サイクル実施し、パラジウム粒子表面の不純物や酸化物の除去を行った。なお、銀−塩化銀電極の電位はRHEへ換算して記載した。
酸化物除去工程における、反応系内の温度は5℃に維持した。
反応容器内の硫酸水溶液を窒素でバブリングしながら、硫酸銅5水和物を反応容器に入れ、銅イオン濃度が0.05mol/Lになるように調製した。そして、作用極の電位を0.35V(vs.RHE)に固定し、銅をパラジウム粒子上に析出させた。電位の印加は、反応電流が定常となり、ゼロに近づくまで行った。
銅析出工程における、反応系内の温度は5℃に維持した。
電位制御を止め、K2PtCl4440mgと反応抑制剤として錯体形成剤であるクエン酸1.5gを酸素脱気済みの0.05M硫酸水溶液100mLに溶解させた白金含有溶液を、反応容器内に徐々に加えた。添加終了後、反応容器内の自然電位がプラトーになるまで(すなわち、自然電位の変動が無くなるまで)攪拌し続け、パラジウム粒子表面の銅を白金に置換した。置換工程において、パラジウム幾何表面に対して135%の白金を析出させた。
置換工程における反応系内の温度は、循環冷却装置(チラー)を用いて5℃に維持した。
置換工程後、反応容器内の溶液をろ過し、ろ過物を純水4Lにより洗浄した。
純水で洗浄したろ過物を、純水1L中に投入した。超音波ホモジナイザーにより純水中に固体を十分分散させた後、分散液を攪拌しながら60℃まで昇温させた。その分散液の上澄み液40mLを回収し、フィルター付シリンジを用いてろ過し、以下に示す条件下で伝導度を測定した。
測定装置:導電率計(CONDUCTIVITY METER AOL−40、DKK社製)
測定温度:25℃
上澄み液の伝導度が10μS/cmを超えた場合には、分散液をろ過した後、ろ過物を再度純水1L中に投入し、温水洗浄を繰り返した。一方、洗浄水の伝導度が10μS/cm以下となった場合には、分散液をろ過し、触媒ケーキを得た。
温水洗浄後の触媒ケーキを、純水中に投入して超音波ホモジナイザーにより分散させた後、硝酸を加え、1mol/L硝酸分散液を調製した。なお、硝酸分散媒中の固形分濃度は1g/mLとなるよう調製した。硝酸分散液を、50℃で、30分間攪拌した。その後、硝酸分散液をろ過し、ろ液が中性になるまで純水による洗浄を繰返した。
(乾燥工程)
得られた触媒ケーキを60℃で8時間以上、減圧状態で乾燥させることにより、実施例1のカーボン担持触媒を得た。
置換工程において、パラジウム幾何表面に対して110%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2のカーボン担持触媒を製造した。
置換工程において、パラジウム幾何表面に対して120%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3のカーボン担持触媒を製造した。
置換工程において、パラジウム幾何表面に対して100%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4及び実施例5のカーボン担持触媒を製造した。
酸化物除去工程における矩形波信号パターンの電位の範囲を0.05V〜1.2V(vs.RHE)から0.4V〜0.45V(vs.RHE)に変え、かつ、銅析出工程及び置換工程の温度をいずれも5℃から25℃(室温)に変え、かつ、置換工程において、パラジウム幾何表面に対して100%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1のカーボン担持触媒を製造した。
銅析出工程及び置換工程を交互に2回繰り返し、最終的にパラジウム幾何表面に対して220%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2のカーボン担持触媒を製造した。
酸化物除去工程における反応系内の温度を5℃から50℃に変え、かつ、置換工程において、パラジウム幾何表面に対して100%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例3のカーボン担持触媒を製造した。
置換工程において、酸処理工程を行わなかったこと以外は、実施例4と同様にして、比較例4のカーボン担持触媒を製造した。
置換工程において、パラジウム幾何表面に対して90%の白金が析出するようにK2PtCl4の添加量を調整したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例5及び比較例6のカーボン担持触媒を製造した。
以下、実施例1〜実施例5及び比較例1〜比較例6のカーボン担持触媒について、(1)RDE評価、(2)RDE活性(MA)測定、(3)誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS)測定、(4)電気化学的表面積(ECSA)測定、及び(5)MEA活性(MA)測定を行った。
カーボン担持触媒サンプル30mgを、5%ナフィオン(登録商標)分散液(DuPont社製:DE521)130μL、純水30mL、及び2−プロパノール7.5mLの混合溶液に添加し、ホモジナイザーで16分間分散処理を施し触媒インクを作製した。当該触媒インク10μLを回転ディスク電極(RDE)(北斗電工株式会社製)のグラッシーカーボン電極上に塗布して乾燥させた。
アルゴンを予めバブリングさせた0.1M過塩素酸水溶液中にて、サイクリックボルタンメトリーを実施した。サイクリックボルタンメトリーの条件は以下の通りである。面積算出には2サイクル目のサイクリックボルタモグラムを用いた。
・電解液:0.1M 過塩素酸水溶液(事前にアルゴン飽和したもの)
・雰囲気:アルゴン雰囲気下
・掃引速度:50(mV/sec)
・電位掃引範囲:−0.05〜1.0(V vs.RHE)
・サイクル数:2
水素吸着領域の面積は以下の通り求めた。まず、水素吸着領域の始点(上記各図中の◇)から終点(上記各図中の△)までの電流値を、電位について積分した。次に、当該積分値(電気量)から当該電位範囲の電気二重層容量を差し引いた値を水素吸着領域の面積とした。図1〜図5及び図12〜図15において、水素吸着領域の面積を網かけで示す。
一方、水素吸蔵領域の面積は以下の通り求めた。まず、水素吸蔵領域の始点(上記各図中の△)から終点(上記各図中の▲)までの電流値を、電位について積分した。次に、当該積分値(電気量)から当該電位範囲の電気二重層容量を差し引いた値を水素吸蔵領域の面積とした。図1〜図5及び図12〜図15において、水素吸蔵領域の面積を斜線で示す。なお、これら図中において、電気二重層容量を縦縞で示す。
下記式(1)より水素吸着領域の面積割合を求め、RDE評価の指標とした。
[式(1)]
水素吸着領域の面積割合(%)={(水素吸着領域の面積)/(水素吸着領域の面積+水素吸蔵領域の面積)}×100
上記「(1)RDE評価」と同様の電極を用いて酸素還元反応(ORR)測定を行った。ORR測定条件を下記に示す。
・電解液:0.1M 過塩素酸水溶液(事前に酸素飽和したもの)
・雰囲気:酸素雰囲気下
・掃引速度:10(mV/sec)
・電位掃引範囲:0.1〜1.05V(vs.RHE)
・回転ディスク電極回転数:1,600rpm
ORR測定により得られた酸素還元波からカーボン担持触媒における白金の単位質量当たりの触媒活性(MA)を測定した。
なお、カーボン担持触媒における白金の単位質量当たりの触媒活性は、ORR測定により得られた酸素還元波において、2サイクル目の0.9V(vs.RHE)の電流値を酸素還元電流(I0.9)、0.4V(vs.RHE)の電流値を拡散限界電流(Ilim)とし、次式(2)から活性化支配電流(Ik)を求め、グラッシーカーボン電極上に塗布したカーボン担持触媒に含まれる白金量(g)でIk(A)を除して白金の単位質量当たりの触媒活性(A/g−Pt)を測定した。
[式(2)]
Ik=(Ilim×I0.9)/(Ilim−I0.9)
上記式(2)において各符号の意味は次の通りである。
Ik:活性化支配電流(A)
Ilim:拡散限界電流(A)
I0.9:酸素還元電流(A)
下記表2には、限界電流補正を施したRDE活性を記載した。
カーボン担持触媒について、ICP−MSにより、触媒微粒子表面の白金量及びパラジウム量を定量し、以下の通り被覆率を算出した。まず、ICP−MSにより、触媒微粒子中の最外層金属含有量(A)を測定した。また、透過型電子顕微鏡(TEM)により、触媒微粒子の平均粒径を測定した。測定した平均粒径から、その粒径の粒子が表面に有する原子の数を推定し、粒子表面の1原子層が白金含有最外層に含まれる金属に置き換わった場合の最外層金属含有量(B)を推定した。最外層金属含有量(A)を最外層金属含有量(B)で除した値を、触媒微粒子表面の被覆率(パラジウム含有粒子に対する白金含有最外層の被覆率)とした。
アルゴンにより飽和させた0.1M過塩素酸水溶液中において得られたサイクリックボルタモグラム波形(CV波形)から水素吸着電荷量を算出した。水素吸着電荷量は、CV波形中の還元波における0.40−0.07Vの水素吸着波形から、二重層の電荷量を差し引くことにより算出した。水素吸着電荷量を理論的な係数(210μC/cm2)で除することにより、カーボン担持触媒中の触媒微粒子の表面積を算出した。
触媒微粒子の表面積を、RDE上の白金質量で除することにより、ECSAを算出した(下記式(3))。RDE上の白金質量は、RDEへの触媒微粒子の塗布量、及びICP分析により求めた触媒微粒子中の白金担持率より算出した。
[式(3)]
(ECSA)=(触媒微粒子の表面積)/(RDE上の白金質量)
={(水素吸着電荷量)/(210μC/cm2)}/(RDE上の白金質量)
各カーボン担持触媒についてそれぞれMEAを作製し、当該MEAのセル電圧を測定することによって、各カーボン担持触媒の触媒活性を評価した。
(a)MEAの作製
まず、各カーボン担持触媒0.9g及び水14.24gを遠心攪拌により混合し、カーボン担持触媒と水を馴染ませた。次に、当該混合物にエタノール8.16gを加え、同様に遠心攪拌により混合物全体を均一にした。さらに、当該混合物に電解質(デュポン社製、DE2020CS)1.9gを加え、同様に遠心攪拌により混合物を均一にし、触媒インク原料を得た。
乾燥雰囲気下、触媒インク原料20mL、及び破砕用PTFEボール(φ=2.4mm)60gを、PTFE製ポットに入れ、密閉した。その後、容器を遊星型ボールミル装置に取り付け、台盤回転数600rpm、20℃の温度条件下、処理時間1時間の条件でメカニカルミリングを行った。メカニカルミリング終了後、メッシュにより容器内の混合物を濾過してボールを除き、触媒インクを得た。
上記触媒インクをスプレーガン(Nordson社製、SpectrumS−920N)に充填し、電解質膜(デュポン社製、NR211)の一方の面(カソード側)に、触媒量300〜500μg/cm2塗布した。また、電解質膜の他方の面(アノード側)には、市販の白金担持カーボン(田中貴金属工業製)を、電極面積あたりの白金量を0.1mgとした以外は、カソード側と同様にインクを作成し、塗布した。このようにして、電極面積1cm2の膜・電極接合体を得た。
以下、説明の便宜のため、実施例1〜実施例5又は比較例1〜比較例6のカーボン担持触媒を原料とする膜・電極接合体を、それぞれ実施例1〜実施例5又は比較例1〜比較例6の膜・電極接合体と称する場合がある。
実施例1〜実施例5及び比較例1〜比較例6の膜・電極接合体について、以下の条件下でIV評価を実施した。
・燃料ガス:水素ガス(流量:0.5L/min、50kPa−G)
・酸化剤ガス:空気(流量:2.0L/min、50kPa−G)
・温度:60℃
・湿度:アノード/カソード露点55℃
・加湿度:80%
測定方法は以下の通りである。まず、触媒微粒子表面が一旦還元状態になる0.2V以下の電圧で数時間ホールドさせた後、0.1V、0.2V、0.3V・・・と0.1V刻みで各点3分間ずつホールドしながら0.9Vまで電位を上げていった。0.88Vにおける電流密度(A/cm2)を読み取り、カソード側の電極表面に存在する白金量で割ることによって、MEAでの質量活性(MA)[A/g−Pt]@0.88Vを算出した。下記表2には、限界電流補正を施していないMEA活性を記載した。
まず、比較例1について検討する。上記表1より、比較例1のカーボン担持触媒は、酸化物除去工程における電位の掃引範囲を0.4V〜0.45V(vs.RHE)と狭め、かつ、銅析出工程及び置換工程をいずれも室温下で行い製造されたものである。
上記表2より、比較例1に係る水素吸着領域の面積割合は26.2%と低い。一方、ICP組成比より求められる比較例1の被覆率は94.1%と高く、また、比較例1のECSAの値も140(m2/g−Pt)と、今回実験に供したサンプルの中では比較的高い。
しかし、比較例1に係る活性比は9.53%と低い。これは、酸化物除去工程の電位の掃引範囲が狭すぎたことと、銅析出及び白金置換を高すぎる温度で行ったことにより、触媒微粒子表面における白金含有最外層の被覆状態が不良となり、その結果水素吸着領域の面積割合が29%未満となったことによるものと考えられる。
上記表2より、比較例2に係る水素吸着領域の面積割合は38.2%と高い。ICP組成比より求められる比較例1の被覆率は212%と高い。また、比較例2に係る活性比は19.5%であり、特に問題は見られない。
これに対し、比較例2のECSAの値は85(m2/g−Pt)と、今回実験に供したサンプル中最も小さい。これは、白金をパラジウム表面に2層以上析出させたため、質量あたりの触媒反応に供される白金表面積が少なくなったことによるものと考えられる。
上記表2より、比較例3に係る水素吸着領域の面積割合は24.0%と低い。一方、ICP組成比より求められる比較例3の被覆率は83.5%であり、比較例3のECSAの値は95(m2/g−Pt)と、今回実験に供したサンプルの中でも比較的小さい。
これに対し、比較例3に係る活性比は3.74%であり、今回実験に供したサンプルの中では最も小さい。これは、酸化物除去工程を比較的高温で行ったことにより、パラジウム表面の不純物がかえって増え、その結果水素吸着領域の面積割合が29%未満となったことによるものと考えられる。
上記表2より、比較例4に係る水素吸着領域の面積割合は25.3%と低い。一方、ICP組成比より求められる比較例4の被覆率は84.7%であり、比較例4のECSAの値は150(m2/g−Pt)と、今回実験に供したサンプルの中では比較的大きい。
しかし、比較例4に係る活性比は7.76%と小さい。これは、酸処理を省略したことによって、カーボン担持触媒表面に不純物が多く残った結果、水素吸着領域の面積割合が29%未満となったことによるものと考えられる。
上記表2より、比較例5及び比較例6に係る水素吸着領域の面積割合はいずれも28.3%と低い。一方、ICP組成比より求められる比較例5及び比較例6の被覆率は77.6%又は74.1%と、今回実験に供したサンプルの中では最も低い結果を含むにもかかわらず、比較例5及び比較例6のECSAの値は155(m2/g−Pt)又は152(m2/g−Pt)と、今回実験に供したサンプルの中で最も大きい結果を含む。
しかし、比較例5及び比較例6に係る活性比は13.9%又は12.2%と小さい。これは、置換に供された白金の量が少なすぎた結果、水素吸着領域の面積割合が29%未満となったことによるものと考えられる。
図6から分かるように、実施例1のカーボン担持触媒は、電流密度のほぼ全ての範囲にわたって、比較例1及び比較例2のカーボン担持触媒よりも高い電圧を示す。特に、高電流密度条件下においてその差が顕著となり、例えば、電流密度が1.5(A/cm2)の条件下において、比較例1の電圧は0.45V、比較例2の電圧は0.1Vであるのに対し、実施例1の電圧は0.65Vと高い。また、電流密度が2(A/cm2)の条件下において、比較例1の電圧は0.2Vであるのに対し、実施例1の電圧は0.58Vと高い。
このように、実施例1の方が比較例1よりもI−V特性に優れる理由は、酸化物除去工程の電位の掃引範囲を十分広く取り、かつ銅析出及び白金置換を低温化で行い、さらに白金置換に用いる白金添加量を適度に増やすことにより、水素吸着領域の面積割合を29%以上としたことによるものと考えられる。
また、実施例1の方が比較例2よりもI−V特性に優れる理由は、銅析出工程及び置換工程をそれぞれ1回ずつ行い、置換に費やされる白金を適切な量に留めることにより、面積割合を36%以下としたことによるものと考えられる。
図16より、触媒微粒子の被覆率が75〜110%である範囲内に、3〜30%と幅広い活性比を有するカーボン担持触媒が分布していることが分かる。図16からは、被覆率の近い実施例2(被覆率:98.8%、活性比:28.6%)、実施例5(被覆率:94.1%、活性比:19.0%)、及び比較例1(被覆率:94.1%、活性比:9.53%)について、なぜ活性比がばらつくのか説明がつかない。
以上より、RDE活性に基づきMEA活性を予測するに当たり、触媒微粒子における被覆率はその指標とならないことが分かる。
図7において近似曲線により示す通り、水素吸着領域の面積割合が29%〜36%の範囲内において、実用化の観点から必要と思われる活性比(20%)と同程度かそれ以上の活性比が得られることが分かる。
図8において近似曲線により示す通り、水素吸着領域の面積割合が36%を超えると、実用化の観点から必要と思われるECSA(110(m2/g−Pt))が得られないことが分かる。
さらに、図7から分かる通り、水素吸着領域の面積割合が30%〜36%の範囲内の場合(実施例1〜実施例3)には、実用化の観点から必要と思われる活性比(20%)を超える。したがって、水素吸着領域の面積割合が30%〜36%の範囲内においては、従来の触媒よりも実用化の点でも優れることが分かる。
以上より、水素吸着領域の面積割合は、触媒微粒子表面近傍における白金及びパラジウムの組成比を忠実に反映した物性値であることが分かる。したがって、水素吸着領域の面積割合は、カーボン担持触媒の状態で比較的簡易に測定できる値であることに加え、上述した被覆率とは異なり、RDE活性に基づきMEA活性を予測するに当たり優れた指標となることが分かる。
2 電解液
3 分散液
4 作用極
5 参照極
6 対極
7 気体の導入管
8 気泡
11 高分子電解質膜
12 カソード触媒層
13 アノード触媒層
14,15 ガス拡散層
16 カソード電極
17 アノード電極
18 膜・電極接合体
19,20 セパレータ
21,22 ガス流路
100 電気化学装置
200 燃料電池の単セル
Claims (2)
- パラジウム含有粒子、及び当該パラジウム含有粒子の少なくとも一部を被覆する白金含有最外層を備える触媒微粒子、並びに、当該触媒微粒子を担持したカーボン担体を備えるカーボン担持触媒であって、
酸性溶液中で、導電性材料からなる測定用電極に塗布した前記カーボン担持触媒を測定することにより得られるサイクリックボルタモグラムにおいて、還元電流領域に現れる水素吸蔵領域と水素吸着領域との総面積中に占める、当該水素吸着領域の面積の割合が、29%〜36%であり、
前記サイクリックボルタモグラムは、掃引速度が50mV/sであり、かつ、前記酸性溶液が液温25℃かつ不活性ガスによりバブリングされている0.1M過塩素酸水溶液であるという条件下におけるサイクリックボルタンメトリーにより得られることを特徴とする、カーボン担持触媒。 - 前記触媒微粒子の平均粒径は3nm以上10nm以下である、請求項1に記載のカーボン担持触媒。
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