JP5911038B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 193
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 242
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 81
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
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- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0911—Anamorphotic systems
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- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
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- G02B27/0922—Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers the semiconductor light source comprising an array of light emitters
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- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1086—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/12—Beam splitting or combining systems operating by refraction only
- G02B27/126—The splitting element being a prism or prismatic array, including systems based on total internal reflection
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
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- G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
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Description
図1はこの発明の実施の形態1に係る半導体レーザ装置を概略的に示す斜視図である。
図1において、半導体レーザ装置は、複数の発光点1を有する半導体レーザバー2と、発光点1に対向配置されたビーム発散角度補正光学系3と、ビーム発散角度補正光学系3に対向配置されたビーム回転光学系4と、ビーム発散角度補正光学系3およびビーム回転光学系4を介した複数のビーム11の集光位置に配置された波長分散光学素子5と、波長分散光学素子5からの反射ビームの光路に配置された部分反射鏡6と、を備えている。
複数の発光点1から出射された各ビーム11は、ビーム発散角度補正光学系3により発散角度が補正された後、ビーム回転光学系4に入射されて、各ビームの光軸に垂直な面内で約90度回転する。
波長分散光学素子5は、波長によって異なる回折特性および屈折角を有し、適切な波長分散値を選択することによって、互いに異なる波長および異なる入射角度を有する複数のビーム11を、ほぼ同軸に重畳することが可能となっている。
異なる波長で発振した各ビーム11を、波長分散光学素子5を介して、ほぼ同軸の1つのビームに重畳することにより、半導体レーザの輝度を向上させることができる。
半導体レーザバー2上の複数の発光点1の各々のY−X平面上の大きさは、数μm×数10μm〜数μm×数100μmである。
通常、数μmのY軸方向は、速軸方向と称され、数10μm〜数100μmのX軸方向は、遅軸方向と称される。
ビーム11の品質を示すビームプロダクトパラメータは、速軸方向(Y軸)では、ほぼ回折限界であるのに対し、遅軸方向(X軸)では、回折限界の10倍程度であるのが一般的である。
ビーム発散角度補正光学系3は、急速に発散する速軸方向(Y軸)のビーム11の発散角度を補正するための光学系であり、シリンドリカルレンズまたはシリンドリカルミラーにより構成される。ビーム発散角度補正光学系3を通すことにより、速軸方向(Y軸)のビーム発散角度は、ほぼ補正される。
上記アレイ構成からなるビーム回転光学系4を通すことにより、各発光点1から出射されたビーム11は、光軸に垂直な面内で約90度回転される。
図2は半導体レーザバー2上の複数の発光点1とビーム発散角度補正光学系3との位置関係を示す平面図であり、図1内の矢印A方向から見た両者の位置関係を示している。
なお、図3〜図8においては、説明を簡略化するために、単一の発光点1のみに注目した場合のビーム光路(グレー領域)のみを示している。
ここでは、発光点1とビーム発散角度補正光学系3との位置関係が同軸上である場合を考える。
続いて、図7、図8のように、ビーム発散角度補正光学系3から出射されたビーム11をビーム回転光学系4に入射すると、ビームは約90度回転(矢印D参照)する。
この結果、ビーム11の光軸も90度回転し、ビーム発散角度補正方向に対して垂直な面内で、半導体レーザバー2の出射面と垂直な方向から傾きθ(図8参照)を有する光軸となる。
すなわち、半導体レーザバー2上の発光点1とビーム発散角度補正光学系3との相対的な位置変化量δは、発光点1の配列方向(X軸方向)のピッチxに関して線形関数で表される。
図10は上記値での半導体レーザバー2上の発光点1とビーム発散角度補正光学系3との位置関係を示す平面図であり、前述の図2に対応している。
したがって、集光レンズを設置することなく、小型かつシンプルな構成で高輝度の半導体レーザ装置を得ることができる。
なお、上記実施の形態1(図2、図10)では、ビーム発散角度補正光学系3の平面形状を複数ピースで示したが、図11のように、たとえば、一体形状のシリンドリカルレンズからなるビーム発散角度補正光学系3Aを矢印E方向に微小回転させて、各発光点1に対する相対位置を順次に変化させてもよい。
この場合、ビーム発散角度補正光学系3Aの平面形状のみが前述と異なり、図示しない他の構成は、前述(図1)と同様である。
図11において、シリンドリカルレンズ形状のビーム発散角度補正光学系3Aは、半導体レーザバー2(図1参照)の発光点1に対して、半導体レーザバー2の出射端面に平行な面内で、矢印E方向に微小回転(傾斜)して配置されている。
また、半導体レーザバー2に対するビーム発散角度補正光学系3Aの回転角度を調整することにより、ビーム11が1点に集まる場所と半導体レーザバー2との距離Lを容易に調整することができる。
図12はこの発明の実施の形態3に係る半導体レーザ装置を概略的に示す平面図である。なお、図12において、後述するビーム100、110、120として表している直線は、ビーム100、110、120の光軸を示していることに注意が必要である。
図13は、この発明の実施の形態4に係る半導体レーザ装置を概略的に示す平面図である。
図14はこの発明の実施の形態5に係る半導体レーザ装置を概略的に示す平面図である。
図15Aはこの発明の実施の形態6に係る半導体レーザ装置を概略的に示す平面図であり、図15Bは図15Aの半導体レーザ10をX軸方向から見た側面図である。
Claims (10)
- 半導体レーザバーが有する複数の発光点から出射される複数のビームの波長重畳を行う半導体レーザ装置であって、
前記複数の発光点が配列される方向と直交する方向であるビーム発散角度補正方向での相対的な位置が前記複数の発光点の配列順に順次変化して配置され、前記ビーム発散角度補正方向において前記複数のビームの各々の発散角度を補正するビーム発散角度補正光学系と、
前記ビーム発散角度補正光学系により発散角度が補正された前記複数のビームの各々を光軸に対して回転させるビーム回転光学系と、
前記複数のビームが前記ビーム発散角補正光学系および前記ビーム回転光学系を介して前記ビーム発散角度補正方向と直交する面内で集光される集光位置に配置された波長分散光学素子と、
前記波長分散光学素子で回折されて同軸上に重畳された前記複数のビームの光路上に配置された部分反射鏡と、
を備えた半導体レーザ装置。 - 前記複数の発光点は、前記半導体レーザバー上に等しいピッチで配列され、
互いに隣接する2つの発光点に対する前記ビーム発散角度補正光学系の発散角度補正方向の相対的な位置変化量の違いは、それぞれ一定値に設定されている
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ビーム発散角度補正光学系から前記集光位置までの距離をL、前記ビーム発散角度補正光学系の焦点距離をF、前記複数の発光点が配列される間隔をx、前記複数の発光点のうち隣接する2つの発光点に対する前記ビーム発散角度補正光学系における前記ビーム発散角度補正方向での相対的な位置の変化量をそれぞれδ1、δ2とするとき、
L=F・x/|δ1−δ2|である
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ビーム発散角度補正光学系は、シリンドリカルレンズにより構成され、前記複数の発光点から出射される各ビームの光軸に垂直な面内で、前記複数の発光点の各々に対して相対的に斜めに設置されている
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザバーは、出射する前記複数のビームが、遅軸方向であるX軸と速軸方向であるY軸で規定されるXY平面に垂直なZ軸に対して傾斜して配置され、
前記ビーム発散角度補正光学系は、前記半導体レーザバーの中心に位置する発光点から出射されたビームが前記ビーム回転光学系を通過した後に前記Z軸に対して平行に進行するように、前記Y軸方向の位置が調整されている
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザバーと、前記ビーム発散角度補正光学系と、前記ビーム回転光学系とからなる光学系を複数備える
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記複数の光学系のそれぞれから出射されるビームが1点に集合し、ビーム重畳点を形成するように、前記複数の光学系のそれぞれが配置される
請求項6に記載の半導体レーザ装置。 - 前記光学系から出射されるビームを、前記波長分散光学素子の位置方向へ反射する反射光学素子をさらに備え、
前記複数の光学系のそれぞれから出射されるビームが1点に集合し、ビーム重畳点を形成するように、前記複数の光学系のそれぞれと、前記反射光学素子とが配置される
請求項6または請求項7に記載の半導体レーザ装置。 - 焦点距離が第1焦点距離である第1レンズと、焦点距離が第2焦点距離である第2レンズとをさらに備え、
前記第1レンズは、前記ビーム重畳点から前記第1焦点距離だけ離れた位置に配置され、
前記第2レンズは、前記第1レンズの位置から前記第1焦点距離および前記第2焦点距離の和に相当する距離だけ離れた位置に配置される
請求項7または請求項8に記載の半導体レーザ装置。 - 焦点距離が第1焦点距離である第1レンズと、焦点距離が第2焦点距離である第2レンズとをさらに備え、
前記第1レンズは、前記ビーム重畳点から前記第1焦点距離だけ離れた位置に配置され、
前記第2レンズは、前記第1レンズの位置から前記第1焦点距離および前記第2焦点距離の和に相当する距離よりも短い距離または長い距離だけ離れた位置に配置され、
前記波長分散光学素子と、前記部分反射鏡との間に配置される第3レンズをさらに備えるか、または前記部分反射鏡の鏡面を凹面形状とする
請求項7または請求項8に記載の半導体レーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012263980 | 2012-12-03 | ||
JP2012263980 | 2012-12-03 | ||
PCT/JP2013/076681 WO2014087726A1 (ja) | 2012-12-03 | 2013-10-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5911038B2 true JP5911038B2 (ja) | 2016-04-27 |
JPWO2014087726A1 JPWO2014087726A1 (ja) | 2017-01-05 |
Family
ID=50883156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014550978A Active JP5911038B2 (ja) | 2012-12-03 | 2013-10-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9331457B2 (ja) |
JP (1) | JP5911038B2 (ja) |
CN (1) | CN104838550B (ja) |
DE (2) | DE112013005773B4 (ja) |
WO (1) | WO2014087726A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8917989B2 (en) * | 2011-01-05 | 2014-12-23 | Verizon Patent And Licensing Inc. | Dynamic communication splitter |
US9746679B2 (en) | 2012-02-22 | 2017-08-29 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining laser systems utilizing lens roll for chief ray focusing |
JP6163398B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-07-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造装置、製造方法 |
JP2015153889A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 三菱電機株式会社 | レーザ合成光学装置 |
WO2015191451A1 (en) * | 2014-06-14 | 2015-12-17 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining laser systems utilizing lens roll for chief ray focusing |
JP2016054295A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 三菱電機株式会社 | 波長結合外部共振器型レーザ装置 |
US9391425B2 (en) * | 2014-10-17 | 2016-07-12 | Lumentum Operations Llc | Wavelength combined laser system |
US20180175590A1 (en) * | 2015-08-04 | 2018-06-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
JP6658025B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2020-03-04 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ光源装置 |
JP6390920B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2018-09-19 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ光源装置 |
GB2556197B (en) | 2016-09-30 | 2021-11-24 | Nichia Corp | Light source device |
CN108508617A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 中国科学院半导体研究所 | 激光器准直装置及准直方法 |
DE112018001247T5 (de) * | 2017-03-09 | 2019-12-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Wellenlängen kombinierende laservorrichtung |
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- 2013-10-01 WO PCT/JP2013/076681 patent/WO2014087726A1/ja active Application Filing
- 2013-10-01 US US14/441,091 patent/US9331457B2/en active Active
- 2013-10-01 DE DE112013005773.5T patent/DE112013005773B4/de active Active
- 2013-10-01 CN CN201380063301.2A patent/CN104838550B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-01 DE DE112013007759.0T patent/DE112013007759B3/de active Active
- 2013-10-01 JP JP2014550978A patent/JP5911038B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104838550B (zh) | 2017-09-15 |
JPWO2014087726A1 (ja) | 2017-01-05 |
DE112013007759B3 (de) | 2018-05-30 |
DE112013005773B4 (de) | 2018-03-01 |
DE112013005773T5 (de) | 2015-08-13 |
US9331457B2 (en) | 2016-05-03 |
US20150303656A1 (en) | 2015-10-22 |
CN104838550A (zh) | 2015-08-12 |
WO2014087726A1 (ja) | 2014-06-12 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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