JP7053993B2 - 光源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、波長ビーム結合(WBC:Wavelength Beam Combining)により高出力なレーザ光を出射する光源装置に関する。
レーザ溶接などレーザ加工をはじめとする様々な分野において、高出力レーザを出射する光源装置の需要が高まっている。高出力レーザを出射する光源装置としては、波長ビーム結合による光源装置(以下、「WBC装置」ともいう)がある。特許文献1はWBC装置の一例を開示している。特許文献1が開示したWBC装置は、主に、所定の利得スペクトル幅の光を出射する複数のレーザ光源(レーザダイオード(LD)等)が配列された光源部(LDバー等)、レーザ光源から出射されたレーザビームをコリメートするコリメートレンズ、コリメートレンズを通過したレーザビームを集光する集光レンズ、集光レンズによって集光されたレーザビームが入射する回折格子、回折格子の回折ビームの光路に配置された部分反射ミラー等を含む。複数のレーザ光源と部分反射ミラーがそれぞれ外部共振器を形成し、外部共振したそれぞれの光が部分反射ミラー透過後に結合される。
米国特許第6,192,062号
WBC装置において、回折格子からの回折ビームの一部が部分反射ミラーによって反射され、レーザ光源に帰還する。しかし、このような構造の光源装置では、レーザ光源から部分反射ミラーまでの外部共振器長が長い。例えば、外部共振器長が約1mになる例がある。外部共振器長が長いと、外部共振器を構成する光学素子が振動によって僅かにずれても、光ビームの大きなずれをもたらすので、外部共振ができなくなり、WBC装置が成り立たないことがある。
本発明は、外部共振器長を短くすることが可能な光源装置を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するために、本発明の一実施形態にかかる光源装置は、350-550nmの間にピーク波長を有し、所定の利得スペクトル幅(以下「ゲイン幅」ともいう)を有する光を出射する複数のレーザ光源と、各前記レーザ光源から出射された光を略平行光とするコリメート部と、各前記コリメート部を通過して異なる入射角から入射する光を同じ回折角の方向に回折して合成する合波回折格子と、前記コリメート部から前記合波回折格子までの光路に配置され、前記合波回折格子に入射する光の波長を選択する透過型表面型回折格子と、を備える。前記透過型表面型回折格子は、前記レーザ光源から出射された光の一部を前記レーザ光源側へ回折して戻すことによって、前記レーザ光源と前記透過型表面型回折格子との間で外部共振をさせる。
本発明の他の実施形態にかかる光源装置は、350-550nmの間にピーク波長を有し、所定のゲイン幅を有する光を出射する複数のレーザ光源と、各前記レーザ光源から出射された光を略平行光とするコリメート部と、各前記コリメート部を通過して異なる入射角から入射する光を同じ回折角の方向に回折して合成する合波回折格子と、前記レーザ光源から前記合波回折格子までの光路に配置され、前記合波回折格子に入射する光の波長を選択する体積型ホログラフィック回折格子と、を備える。前記体積型ホログラフィック回折格子は、前記レーザ光源から出射された光の一部を前記レーザ光源側へ回折して戻すことによって、前記レーザ光源と前記体積型ホログラフィック回折格子との間で外部共振をさせる。
なお、本発明の他の実施形態にかかる光源装置は、350-550nmの間にピーク波長を有し、所定のゲイン幅を有する光を出射する複数のレーザ光源と、入射した光を略平行光とするコリメート部と、各前記コリメート部を通過して異なる入射角から入射する光を同じ回折角の方向に回折して合成する合波回折格子と、前記レーザ光源から前記コリメート部までの光路に配置され、前記合波回折格子に入射する光の波長を選択するファイバブラッグ回折格子と、を備える。前記ファイバブラッグ回折格子は、前記レーザ光源から出射された光の一部を前記レーザ光源側へ回折して戻すことによって、前記レーザ光源と前記ファイバブラッグ回折格子との間で外部共振をさせる。
上記の実施形態によれば、光源装置の外部共振器長を短くすることが可能な光源装置を提供することができる。
なお、上述した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明によって明らかにされる。
本発明の第1実施形態にかかる光源装置の模式図である。 合波回折格子に入射する入射光の入射角及び回折光の回折角を示す模式図である。 本発明の第2実施形態にかかる光源装置の模式図である。 本発明の第3実施形態にかかる光源装置の模式図である。 本発明の第4実施形態にかかる光源装置の模式図である。 本発明の第5実施形態にかかる光源装置の模式図である。 本発明の第6実施形態にかかる光源装置の模式図である。 本発明の第7実施形態にかかる光源装置の模式図である。
以下、図面に基づき発明の実施形態を説明する。
<第1実施形態>
図1は本発明の第1実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置10は、複数の外部共振モジュール100及び合波回折格子110を備える。各外部共振モジュール100は、レーザ光源102、コリメート部104、透過型表面型回折格子106及びステージ108を含む。各外部共振モジュール100において、レーザ光源102、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106が、同じステージ108に設けられ、モジュール全体を一体的に移動させることができる。この場合、レーザ光源102をステージ108に接するように設置して、ステージ108を冷却することによってレーザ光源102を冷却できるように設置することが好ましい。
図1において、説明の便宜のため、互いに直交するx軸、y軸及びz軸を表示している。なお、図1において、破線で概略的に光のビームを表す。破線で示した光ビーム120は、レーザ光源102から出射され、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106を通過して、合波回折格子110に入射する。実際のビームは広がり角又は幅を持った光であるが、図1においては、説明の便宜上ビームの光軸のみを破線で示す。全ての光ビーム120の光軸が同じxz面上にある。
レーザ光源102は、350-550nmの間にピーク波長を有し、所定のゲイン幅を有する光を出射するレーザダイオード(以下、「LD」ともいう)であってよい。例えば、レーザ光源102は、中心波長が410nmで、ゲイン幅Δλが20nmである光を出射する窒化物半導体を含むLDであってよい。この場合、レーザ光源102から出射する光の波長範囲は400~420nmである。
レーザ光源102となるLDの光出射側をフロント側、その反対側をリア側とした場合、フロント側には反射防止コーティングをして、反射率を0%近くまで、例えば0.1~2.0%程度まで低減したほうが好ましい。なお、リア側のミラーはほぼ100%、例えば85~99.9%の反射率を有することが好ましい。350-550nmの波長範囲の光を出射するLDは大気中では劣化しやすいため、レーザ光源102は、気密封止されていることが好ましい。例えば、レーザ光源102は、CAN型パッケージのLDであってよい。CAN型パッケージとすることにより、更に、冷却効果、静電気及び電磁波を遮蔽する効果を有する。
コリメート部104は、レーザ光源102から出射された個々の光を略平行光とする。コリメート部104は、例えば、各々のレーザ光源102側に配置されるコリメートレンズであってよい。各レーザ光源102に対応するコリメート部104は、単一のレンズであってもよく、複数のレンズを組み合わせた組レンズであってもよい。
透過型表面型回折格子106は、同一外部共振モジュール100におけるコリメート部104から合波回折格子110までの光路に配置される。透過型表面型回折格子106は、同一外部共振モジュール100におけるレーザ光源102から出射された光の一部をレーザ光源102側へ回折して戻すことによって、レーザ光源102と透過型表面型回折格子106との間で外部共振をさせる。より正確に言うと、レーザ光源102となるLDのリア側と透過型表面型回折格子106との間で外部共振をさせる。すなわち、一組のレーザ光源102、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106によって一つの外部共振器が形成される。当該外部共振器の共振器長は、レーザ光源102と透過型表面型回折格子106との距離で決まる。当該外部共振器はリトロー型配置であってよい。リトロー型配置とは、回折角と入射角が同じになり、反射される回折光が入射光と同じルートを辿ってレーザダイオードにフィードバックされる配置をいう。
透過型表面型回折格子106は、その格子溝方向が図1に示すy軸に平行になるように設置される。透過型表面型回折格子106は、y軸に平行する回転軸を有してステージ108に設けられ、当該回転軸を中心にステージ108に対して回転できる。透過型表面型回折格子106は、当該回転軸を中心に回転することによって、レーザ光源102から出射された光が透過型表面型回折格子106に入射する入射角を変更して、当該外部共振器で共振する光の波長を選択することができる。それは、透過型表面型回折格子106を透過して、合波回折格子110に入射する光の波長を選択することでもある。すなわち、透過型表面型回折格子106は、外部共振器の波長選択素子である。透過型表面型回折格子106の回転は、例えばステッピングモータ等当該分野で公知の駆動手段を用いて制御してもよい。
図1に示すように、各外部共振モジュール100の透過型表面型回折格子106を透過した光は、異なる入射角から合波回折格子110に入射する。当該光は、図1において、透過型表面型回折格子106から合波回折格子110までの破線で示した光ビーム120であり、記述の便宜上、本明細書において、それを外部共振モジュール100から出射される光ともいう。光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、外部共振を実現する外部共振器の設置角度によって定められる。具体的には、合波回折格子110に対する各外部共振モジュール100の位置および角度を設定することによって、光ビーム120の入射角を設定し調整することができる。例えば、ステージ108を回転することによって、当該外部共振モジュール100全体の角度を調整して、合波回折格子110に入射する入射角を調整することができる。その調整手段として、例えばステッピングモータ等当該分野で公知の手段を用いることができる。
合波回折格子110は、その格子溝方向が図1に示すy軸に平行になるように設置される。合波回折格子110は、各外部共振モジュール100のコリメート部104及び透過型表面型回折格子106を通過して異なる入射角から入射する光ビーム120を同じ回折角の方向に回折して合成し、合成ビーム130を形成する。合成ビーム130の光軸も光ビーム120と同じxz面上にある。次に、合波回折格子110の回折過程について、図2を用いて説明する。
図2は合波回折格子110に入射する入射光の入射角及び回折光の回折角を示す模式図である。図2に示した実線N-Nは、合波回折格子110の法線を示している。合波回折格子110に入射する光ビーム120の入射角をαとし、合波回折格子110によって回折される回折ビーム(合成ビーム130)の回折角をβとすると、数式1の関係を有する。
[数1]
sinα + sinβ = N・m・λ
但し、αは入射角、βは回折角、Nは合波回折格子の1mmあたりの溝数、mは回折次数、λはビーム波長をそれぞれ表す。
例えば、各レーザ光源102から中心波長が410nmであり波長範囲が400~420nmであるレーザビームを出射し、合波回折格子の1mmあたりの溝数が2222本であるとして、1次回折について考える場合、表1に示した波長のビームをそれぞれ対応する入射角αで合波回折格子に入射させると、同じ回折角βで回折され、結合した合成ビームが形成される。
Figure 0007053993000001
すなわち、透過型表面型回折格子106によって、図1に示した各外部共振モジュール100から出射される光の波長がそれぞれ表1の波長λ欄に示した400.53nm、405.30nm、410.00nm、414.63nm、419.19nmになるように選択する。そして、それぞれの光が合波回折格子110に入射する入射角が、表1の入射角αの欄に示した43.32度、44.16度、45.00度、45.84度、46.68度になるように、各外部共振モジュール100の位置を調整する。そうすると、全ての外部共振モジュール100から出射された光が、合波回折格子110によって、同じ11.77度の回折角で回折され、高出力の合成ビーム130を形成する。
図1においては、合波回折格子110として反射型回折格子を使用した例を挙げたが、合波回折格子110は、透過型回折格子であってもよい。透過型回折格子は、反射型回折格子と比べて光の吸収が少ないので、損傷を受けにくい。なお、反射型回折格子は、反射0次光と回折1次光しか存在しないため、迷光成分を抑制できる。
本実施形態は、各外部共振モジュール100において、レーザ光源102と透過型表面型回折格子106との間で外部共振器が形成され、選択された波長で縦モードシングルの発振が得られる。なお、当該外部共振器の共振器長は、レーザ光源102と透過型表面型回折格子106との距離で決まる。その距離が短いので、外部共振器を構成する光学素子の位置ずれに対する許容度が大きくなり、光源装置10の耐振動性が高い。例えば、高出力化に伴って、光源装置に水冷機構が必要であるが、冷却水の脈動で外部共振器が不安定になることがある。また、外部共振器長が長いと、初期組み立て時に精度の高い調整が必要となり、組み立てが困難になる。本実施形態によれば、初期組み立て時に精度の高い調整が不要となり、光源装置の組み立てが容易となる。
<第2実施形態>
図3は本発明の第2実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置20は光源装置10の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
光源装置20は、光源装置10と同じく、複数のレーザ光源102を有する。各レーザ光源102に対応して、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106が設けられている。各透過型表面型回折格子106は、対応するレーザ光源102から出射された光の一部をレーザ光源102側へ回折して戻すことによって、レーザ光源102と透過型表面型回折格子106との間で外部共振をさせる。すなわち、レーザ光源102、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106によって外部共振器が形成される。
光源装置10に比して、光源装置20の主な相違は次のような点にある。外部共振器から合波回折格子110までの光路に、偏向用集光レンズ210が配置されている。透過型表面型回折格子106を透過して、各外部共振器から出射された光ビーム120が、図3に示すz軸方向に偏向用集光レンズ210まで互いに平行に進行する。光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、偏向用集光レンズ210によって定められる。すなわち、各外部共振器から出射された光ビーム120は、偏向用集光レンズ210によって適切な入射角が付与され、合波回折格子110に入射する。入射した光は合波回折格子110によって同じ回折角に回折され結合する。
第1実施形態と同様に、レーザ光源102は、気密封止されていることが好ましい。例えば、レーザ光源102は、CAN型パッケージのLDであってよい。なお、第1実施形態のように、同じ組に属するレーザ光源102、コリメート部104及び透過型表面型回折格子106を同じステージに設けてモジュールにしてもよい。その他、本実施形態では、複数のレーザ光源102が、図3に示したx軸方向に並列するので、全てのレーザ光源102を同じステージに設置してもよい。その場合、コリメート部104として、レーザ光源102の並びに対応するレンズアレイを使用してもよい。なお、複数のレーザ光源102として、複数のLDが同じ半導体基板に形成されたLDバーを使ってもよい。本実施形態も第1実施形態と同様、外部共振器の共振器長が短いので、光源装置20は耐振動性が高い。また、光源装置の組み立てが容易となる。
<第3実施形態>
図4は本発明の第3実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置30は第2実施形態の光源装置20の変形である。本実施形態において、第2実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第2の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
光源装置20に比して、光源装置30の主な相違は、偏向用集光レンズ210の代わりに、プリズム310が使用されたことである。図4に示すように、5つの外部共振器のうち、真中の外部共振器を除き、各外部共振器に対応して一つのプリズム310が設けられている。外部共振器から出射された光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、外部共振器から合波回折格子110までの光路に配置されたプリズム310によって定められる。すなわち、外部共振器から出射された光ビーム120は、プリズム310によって適切な入射角が付与され、合波回折格子110に入射する。真中の外部共振器から出射された光ビーム120は、合波回折格子110までの光路の向きが変更される必要がないので、その光路上にはプリズム310が設けられていない。各入射角から入射した光は合波回折格子110によって同じ回折角に回折され結合する。
本実施形態では、各外部共振器(真中の外部共振器を除き)に対応して、それぞれ一つずつプリズム310が設けられるので、外部共振器の設置に位置ずれなどが発生した場合、それに対応するプリズムによって個別に調整して補正することができる。例えば、1つの外部共振器の設置位置が予定した位置からx軸方向で少しずれが発生した場合、そのままにすると、その外部共振器から出射された光ビーム120が合波回折格子に入射する位置がずれてしまい、合波回折格子110によって回折され結合する合成ビーム130のBPP(Beam Parameter Product)が大きくなり、合成ビーム130の品質が低下する。この場合、対応するプリズム310の位置をz軸方向で調整すれば、プリズム310によって屈折された光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角を維持したまま、合波回折格子110に入射する位置を調整できるので、光ビーム120の入射位置のずれを補正することができる。
<第4実施形態>
図5は本発明の第4実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置40は第2実施形態の光源装置20の変形である。本実施形態において、第2実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第2の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
光源装置20に比して、光源装置40の主な相違は、外部共振器から合波回折格子110までの光路に、更に集光レンズ402、絞り404及びコリメートレンズ406がこの順に設けられたことである。集光レンズ402、絞り404及びコリメートレンズ406によって、一つのアフォーカル光学系が形成される。本実施形態では、具体的に、そのアフォーカル光学系が透過型表面型回折格子106と偏向用集光レンズ210の間に設けられている。そのアフォーカル光学系の効果を説明するために、図5において、光ビーム120を幅のあるビームで表示した。なお、図5において、f1はコリメート部104の焦点距離を表し、f2は偏向用集光レンズ210の焦点距離を表し、f3は集光レンズ402及びコリメートレンズ406の焦点距離を表す。
図5に示すように、レーザ光源102からf1だけ離れた位置にコリメート部104が設置され、コリメート部104からf1だけ離れた位置に透過型表面型回折格子106が設置され、透過型表面型回折格子106からf2だけ離れた位置に偏向用集光レンズ210が設置され、更に偏向用集光レンズ210からf2だけ離れた位置に合波回折格子110が設置される。集光レンズ402等から構成されるアフォーカル光学系は、偏向用集光レンズ210の前側焦点距離(f2)の範囲内に設けられる。
レーザ光源102から出射される光はある範囲の広がり角をもつ。コリメート部104は、レーザ光源102から出射された光を略平行光にする。それを実現するために、z軸方向において、レーザ光源102からコリメート部104までの距離を正確に制御する必要がある。但し、前述したように、レーザ光源102として350-550nmの間にピーク波長を有し、所定のゲイン幅を有する光を出射するLDを使用する場合、レーザ光源102は気密封止されることが好ましい。そのため、例えばCAN型パッケージを用いて、そのパッケージにコリメート部104となるレンズを接合するなどの方法によって、コリメート部104を設置するが、レーザ光源102との距離を正確に制御することが難しい。したがって、コリメート部104の位置ずれによって、コリメート部104を透過した後の光ビーム120が所望の状態にならない場合がある。
コリメート部104と偏向用集光レンズ210の間にアフォーカル光学系を設けることによって、コリメート部104を透過した光ビーム120の状態を補正することができる。すなわち、コリメート部104を透過した光ビーム120が所望の状態ではなくても、アフォーカル光学系によって光ビーム120を所望の状態にすることができる。それによって、より品質が高い合成ビーム130が得られる。言い換えれば、当該アフォーカル光学系を設けることによって、コリメート部104の設置位置の許容度を広げることができる。
当該アフォーカル光学系において、集光レンズ402によって光ビーム120が後側焦点で一旦集光される。その焦点位置に絞り404が設けられる。絞り404は、集光レンズ402によって上手く集光できない光を遮断して、アフォーカル光学系を通過した光ビーム120の質を高めることができる。それによって、BPPが小さく、品質がより高い合成ビーム130が得られる。絞り404は、ピンホールに代えても良い。
<第5実施形態>
図6は本発明の第5実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置50は、第2実施形態の光源装置20の変形である。本実施形態において、第2実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第2の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
光源装置20に比して、光源装置50の主な相違は、透過型表面型回折格子106の代わりに、体積型ホログラフィック回折格子506が波長選択素子として使用されたことである。記述上の便宜のため、本明細書において、「体積型ホログラフィック回折格子」を「VHG」ともいう。VHG506は、レーザ光源102から合波回折格子110までの光路に配置される。具体的には、VHG506は、コリメート部104から偏向用集光レンズ210までの光路に配置される。VHG506は、レーザ光源102から出射された光の一部をレーザ光源102側へ回折して戻すことによって、レーザ光源102とVHG506との間で外部共振をさせる。すなわち、一組のレーザ光源102、コリメート部104及びVHG506によって一つの外部共振器が形成される。当該外部共振器の共振器長は、レーザ光源102とVHG506との距離で決まる。
VHG506が設計波長の光だけを回折するので、当該外部共振器で共振する光の波長、及びVHG506を透過して合波回折格子110に入射する光の波長は、VHG506によって選択され、VHG506の設計波長となる。各外部共振器から出射された光ビーム120は、偏向用集光レンズ210を通過して、異なる入射角から合波回折格子110に入射する。前述したように、合波回折格子110によって入射した全ての光を同じ回折角に回折させるために、各外部共振器から出射された光ビーム120は、それぞれの入射角に対応する波長を有する必要がある(表1参照)。したがって、各外部共振器にはそれぞれ必要な設計波長を有するVHG506を設ける。本実施形態も前述した実施形態と同様、外部共振器の共振器長が短いので、光源装置50は耐振動性が高い。また、初期組み立て時に精度の高い調整が不要となり、光源装置の組み立てが容易となる。
<第6実施形態>
図7は本発明の第6実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置60は、第5実施形態の光源装置50の変形である。本実施形態において、第5実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第5の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
光源装置50に比して、光源装置60の主な相違は、VHG506がレーザ光源102とコリメート部104の間に設置されることである。本実施形態も前述した実施形態と同様、外部共振器の共振器長が短いので、光源装置60は耐振動性が高い。なお、光源装置50に比して、VHG506とレーザ光源102との距離が更に近くなったので、xz面上におけるレーザ光源102の角度ずれに対する許容度がさらに大きくなる。
<第7実施形態>
図8は本発明の第7実施形態にかかる光源装置の模式図である。本実施形態の光源装置70は、第6実施形態の光源装置60の変形である。本実施形態において、第6実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第6の実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。なお、説明の便宜のため、図8において、光ビーム120を幅のあるビームで表示する。
光源装置60に比して、光源装置70の主な相違は、体積型ホログラフィック回折格子506の代わりに、ファイバブラッグ回折格子706が波長選択素子として使用されることである。記述上の便宜のため、本明細書において、「ファイバブラッグ回折格子」を「FBG」ともいう。FBG706は、レーザ光源102からコリメート部104までの光路に配置される。なお、レーザ光源102とFBG706との間には、集光レンズ702が設けられる。
集光レンズ702は、レーザ光源102から出射された光を集光して、FBG706に入射させる。FBG706は、レーザ光源102から出射された光の一部をレーザ光源102側へ回折して戻すことによって、レーザ光源102とFBG706との間で外部共振をさせる。すなわち、一組のレーザ光源102、集光レンズ702及びFBG706によって一つの外部共振器が形成される。当該外部共振器の共振器長は、レーザ光源102とFBG706との距離で決まる。
FBG706がそれ自体のグレーティング周期に対応するブラッグ波長の光だけを回折するので、当該外部共振器で共振する光の波長、及びFBG706を透過して合波回折格子110に入射する光の波長は、FBG706によって選択され、FBG706のブラッグ波長となる。各外部共振器から出射された光ビーム120は、偏向用集光レンズ210を通過して、異なる入射角から合波回折格子110に入射する。前述したように、合波回折格子110によって入射した全ての光を同じ回折角に回折させるために、各外部共振器から出射された光ビーム120は、それぞれの入射角に対応する波長を有する必要がある(表1参照)。したがって、各外部共振器にはそれぞれ必要なブラッグ波長を有するFBG706を設ける。本実施形態も前述した実施形態と同様、外部共振器の共振器長が短いので、光源装置70は耐振動性が高い。また、初期組み立て時に精度の高い調整が不要となり光源装置の組み立てが容易となる。
以上、実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態の記載の範囲に限定されるものではない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることができることは当業者にとって明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることは、特許請求の範囲の記載から明らかである。例えば、上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであるが、本発明は必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
なお、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。例えば、第4実施形態の光源装置40における集光レンズ402、絞り404及びコリメートレンズ406によって形成されたアフォーカル光学系(図5参照)は、他の実施形態に加えてもよい。例えば、光源装置10(図1参照)の各外部共振モジュール100と合波回折格子110との間に、当該アフォーカル光学系を設けてもよい。光源装置30(図4参照)の各外部共振器(真中の外部共振器を除き)とプリズム310との間に、当該アフォーカル光学系を設けてもよく、真中の外部共振器と合波回折格子110との間に当該アフォーカル光学系を設けてもよい。なお、光源装置50(図6参照)の各外部共振器と偏向用集光レンズ210との間に、当該アフォーカル光学系を設けてもよい。光源装置60(図7参照)のコリメート部104と偏向用集光レンズ210との間に、当該アフォーカル光学系を設けてもよい。更に、光源装置70(図8参照)のコリメート部104と偏向用集光レンズ210との間に、当該アフォーカル光学系を設けてもよい。
また、光源装置10の外部共振モジュール100のように、光源装置50における各外部共振器を構成するレーザ光源102、コリメート部104及びVHG506をモジュール化することができる。そして、偏向用集光レンズ210を使わず、各外部共振器から出射された光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、各外部共振器を含むモジュールの設置角度によって設定し調整することができる。言うまでもなく、光源装置60における各外部共振器を構成するレーザ光源102、VHG506及びコリメート部104についてもモジュール化することができる。そして、偏向用集光レンズ210を使わず、各外部共振器から出射された光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、各外部共振器を含むモジュールの設置角度によって設定し調整することができる。なお、光源装置70における各外部共振器を構成するレーザ光源102、集光レンズ702、FBG706及び対応するコリメート部104をモジュール化することができる。そして、偏向用集光レンズ210を使わず、各外部共振器から出射された光ビーム120が合波回折格子110に入射する入射角は、各外部共振器を含むモジュールの設置角度によって設定し調整することができる。
なお、光源装置50、光源装置60及び光源装置70における偏向用集光レンズ210の代わりに、プリズム310(図4参照)を使用してもよい。そうすれば、外部共振器の設置に位置ずれなどが発生した場合、それに対応するプリズムによって個別に調整して補正することができる。
10、20、30、40、50、60、70 光源装置
100 外部共振モジュール
102 レーザ光源
104 コリメート部
106 透過型表面型回折格子
108 ステージ
110 合波回折格子
120 光ビーム
130 合成ビーム
210 偏向用集光レンズ
310 プリズム
402 集光レンズ
404 絞り
406 コリメートレンズ
506 体積型ホログラフィック回折格子(VHG)
702 集光レンズ
706 ファイバブラッグ回折格子(FBG)

Claims (9)

  1. 350-550nmの間にピーク波長を有し、所定のゲイン幅を有する光を出射する複数のレーザ光源と、各前記レーザ光源から出射された光を略平行光とするコリメート部と、各前記コリメート部を通過して異なる入射角から入射する光を同じ回折角の方向に回折して合成する合波回折格子と、を含む光源装置において、
    前記コリメート部から前記合波回折格子までの光路に配置され、前記合波回折格子に入射する光の波長を選択する透過型表面型回折格子を備え、
    前記透過型表面型回折格子は、前記レーザ光源から出射された光の一部を前記レーザ光源側へ回折して戻すことによって、前記レーザ光源と前記透過型表面型回折格子との間で外部共振をさせる
    ことを特徴とする光源装置。
  2. 請求項1に記載の光源装置において、
    前記合波回折格子に入射する光の入射角は、前記外部共振を実現する外部共振器の設置角度によって定められる
    ことを特徴とする光源装置。
  3. 請求項1に記載の光源装置において、
    前記合波回折格子に入射する光の入射角は、前記外部共振を実現する外部共振器から前記合波回折格子までの光路に配置された偏向用集光レンズによって定められる
    ことを特徴とする光源装置。
  4. 請求項1に記載の光源装置において、
    前記合波回折格子に入射する光の入射角は、前記外部共振を実現する外部共振器から前記合波回折格子までの光路に配置されたプリズムによって定められる
    ことを特徴とする光源装置。
  5. 請求項1から4の何れか一項に記載の光源装置において、
    前記外部共振を実現する外部共振器から前記合波回折格子までの光路に、更に集光レンズ、絞り及びコリメートレンズがこの順に設けられた
    ことを特徴とする光源装置。
  6. 請求項1から5の何れか一項に記載の光源装置において、
    前記レーザ光源は窒化物半導体を含み、前記レーザ光源が気密封止されていることを特徴とする光源装置。
  7. 請求項1から6の何れか一項に記載の光源装置において、
    前記合波回折格子は、透過型回折格子である
    ことを特徴とする光源装置。
  8. 請求項1から請求項7の何れか一項に記載の光源装置において、
    前記複数のレーザ光源から発せられる複数のレーザ光、および前記合波回折格子によって合成される複数のレーザ光の波長のゲイン幅が18.66nm乃至20nmであることを特徴とする光源装置。
  9. 請求項1から請求項8の何れか一項に記載の光源装置において、
    前記複数のレーザ光源はそれぞれ、CAN型パッケージのレーザダイオードであることを特徴とする光源装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7142227B2 (ja) * 2018-05-24 2022-09-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 角度調節を有する交換可能レーザ共振器
CN111162454B (zh) * 2020-01-02 2021-03-12 中国科学院半导体研究所 一种宽波段调谐系统及调谐方法
JP7212274B2 (ja) 2020-02-25 2023-01-25 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置
CN111463649B (zh) * 2020-03-10 2021-02-12 清华大学 一种高功率光纤激光产生装置及其方法
CN111694082A (zh) * 2020-05-28 2020-09-22 昆明理工大学 一种利用石墨烯纳米带阵列光栅获取频率调制偏振激光的方法
CN113031140B (zh) * 2021-03-29 2023-04-18 奥提赞光晶(山东)显示科技有限公司 一种全息光栅的制备系统和方法
CN113258415B (zh) * 2021-05-28 2021-11-09 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 一种脉冲激光光谱时序合成系统及方法
CN114994934B (zh) * 2022-07-19 2022-10-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光谱合束装置及方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165639A1 (en) 2002-11-05 2004-08-26 Jds Uniphase Corporation, State Of Incorporation: Delaware Laser device
JP2008191649A (ja) 2007-01-12 2008-08-21 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置
JP2010171375A (ja) 2008-10-16 2010-08-05 Gigaphoton Inc レーザ装置および極端紫外光光源装置
WO2013080396A1 (ja) 2011-11-30 2013-06-06 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2013521666A (ja) 2010-03-05 2013-06-10 テラダイオード,インコーポレーテッド 波長ビーム結合システムおよび方法
WO2017134911A1 (ja) 2016-02-03 2017-08-10 古河電気工業株式会社 レーザ装置
JP2017532535A (ja) 2014-08-21 2017-11-02 シャープ株式会社 濃度を測定するためのセンサおよびシステム
JP2017204530A (ja) 2016-05-10 2017-11-16 三菱電機株式会社 外部共振半導体レーザ装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60108802A (ja) * 1983-11-18 1985-06-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光ビ−ム合成方法及び装置
JPH05206561A (ja) 1992-01-27 1993-08-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光帰還型光周波数オフセットロック装置
JP3203972B2 (ja) * 1994-09-16 2001-09-04 三菱電機株式会社 波面センサ
JPH11289130A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Furukawa Electric Co Ltd:The 外部共振器型レーザ
US6321001B1 (en) * 1999-06-18 2001-11-20 Trw Inc. Wavelength division multiplexed optical communication system
JP4083464B2 (ja) 2002-05-02 2008-04-30 富士通株式会社 波長可変光源装置およびそれを用いた光増幅器
JP4475501B2 (ja) * 2003-10-09 2010-06-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 分光素子、回折格子、複合回折格子、カラー表示装置、および分波器
JPWO2005085947A1 (ja) 2004-03-08 2008-01-24 株式会社ニコン レーザ光源装置、このレーザ光源装置を用いた露光装置及びマスク検査装置
US20070223554A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-27 Inphase Technologies, Inc. External cavity laser
JP5701618B2 (ja) 2010-03-04 2015-04-15 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6054028B2 (ja) 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
JP2012216769A (ja) 2011-03-29 2012-11-08 Gigaphoton Inc レーザシステム、レーザ光生成方法、および極端紫外光生成システム
JP2012216768A (ja) 2011-03-30 2012-11-08 Gigaphoton Inc レーザシステム、極端紫外光生成システム、およびレーザ光生成方法
CN104838550B (zh) 2012-12-03 2017-09-15 三菱电机株式会社 半导体激光器装置
US9214786B2 (en) * 2013-04-09 2015-12-15 Nlight Photonics Corporation Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides
CN105940577B (zh) 2014-01-30 2019-01-18 三菱电机株式会社 光束耦合装置以及光束耦合装置的输出恢复方法
JP2016054295A (ja) 2014-09-01 2016-04-14 三菱電機株式会社 波長結合外部共振器型レーザ装置
CN106154797B (zh) * 2016-09-09 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种全息显示面板、全息显示装置及其显示方法
JP6885184B2 (ja) * 2017-04-25 2021-06-09 日亜化学工業株式会社 レーザ装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165639A1 (en) 2002-11-05 2004-08-26 Jds Uniphase Corporation, State Of Incorporation: Delaware Laser device
JP2008191649A (ja) 2007-01-12 2008-08-21 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置
JP2010171375A (ja) 2008-10-16 2010-08-05 Gigaphoton Inc レーザ装置および極端紫外光光源装置
JP2013521666A (ja) 2010-03-05 2013-06-10 テラダイオード,インコーポレーテッド 波長ビーム結合システムおよび方法
WO2013080396A1 (ja) 2011-11-30 2013-06-06 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2017532535A (ja) 2014-08-21 2017-11-02 シャープ株式会社 濃度を測定するためのセンサおよびシステム
WO2017134911A1 (ja) 2016-02-03 2017-08-10 古河電気工業株式会社 レーザ装置
JP2017204530A (ja) 2016-05-10 2017-11-16 三菱電機株式会社 外部共振半導体レーザ装置

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