JP2009026834A - 外部共振器型の波長可変光源 - Google Patents
外部共振器型の波長可変光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009026834A JP2009026834A JP2007186400A JP2007186400A JP2009026834A JP 2009026834 A JP2009026834 A JP 2009026834A JP 2007186400 A JP2007186400 A JP 2007186400A JP 2007186400 A JP2007186400 A JP 2007186400A JP 2009026834 A JP2009026834 A JP 2009026834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- diffraction grating
- prism
- semiconductor laser
- external resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/143—Littman-Metcalf configuration, e.g. laser - grating - mirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体レーザからの光を回折格子を用いて波長選択する外部共振器型の波長可変光源に改良を加えたものである。本装置は、半導体レーザと回折格子との間に設けられ、半導体レーザからのビーム形状を回折格子の溝の配列方向に拡大して回折格子に出射し、回折格子からの回折光を反射して出力光とするプリズムを設けたことを特徴とするものである。
【選択図】図1
Description
半導体レーザ1の一方の端面1aから出射された光が、レンズ2によって平行光になり、ビームスプリッタ5を透過してビーム拡大器6によってビーム整形(水平方向にビーム形状を拡大)される。そして、ビーム整形された光を、回折格子3が波長分散してミラー4に出射する。さらに、ミラー4で所望の波長の光のみが回折格子3に反射され、この反射光を再度回折格子3が波長選択する。
半導体レーザからの光を回折格子を用いて波長選択する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザと前記回折格子との間に設けられ、前記半導体レーザからのビーム形状を前記回折格子の溝の配列方向に拡大して前記回折格子に出射し、前記回折格子からの回折光を反射して出力光とするプリズムを設けたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、
前記回折格子からの回折光を前記回折格子に反射するミラーを設け、
プリズムは、前記回折格子と前記ミラーの間から前記出力光を出力することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、
プリズムは、前記回折格子の0次光に対して略平行に前記出力光を出力することを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、請求項1記載の発明において、
プリズムは、温度上昇によって前記回折格子への入射角を小さくすることを特徴とするものである。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明において、
プリズムは、前記半導体レーザからの光がブリュースター角で入射されることを特徴とするものである。
請求項6記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の発明において、
前記プリズムは、アナモルフィックプリズムであることを特徴とするものである。
半導体レーザと回折格子との間(外部共振器内の光路上)に設けられた単一のプリズムが、半導体レーザからの光をビーム整形し、かつ、回折格子からの回折光の一部を反射して出力光として出力するので、外部共振器内の屈折媒体の部品点数を減少させることができる。これにより、外部共振器長の増加を少なくすることができ、モード間隔が狭くなることを抑えられ、波長選択性を向上することができる。さらに、屈折媒体の部品点数の減少により、光パワーの損失を抑えることができる。従って、波長選択性を改善するとともに出力光を効率よく出力することができる。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例を示した構成図である。ここで、図4と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。図1において、ビームスプリッタ5、ビーム拡大器6の代わりに、プリズム7が設けられる。
半導体レーザ1の一方の端面(無反射端)1aから出射された光が、レンズ2によってコリメートされて平行光になり、プリズム7に入射する。この際、レンズ2からのコリメート光が、プリズム7の入射面7aで反射されることなくプリズム7に入射する。
[第2の実施例]
図2は、本発明の第2の実施例を示した構成図であり、周囲温度が変動しても、選択される波長の変動を抑えた実施例を示している。ここで、図1と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。
半導体レーザ1、ミラー4で外部共振器を形成してレーザ発振したり、プリズム8でビーム整形する点は図1に示す装置とほぼ同様なので説明を省略し、異なる点を主に説明する。
回折格子3に入射した光の波長分散の関係は、下記式(1)で表される。
α:プリズム8から回折格子3への入射角
β:回折格子3からの出射角
N:1[mm]あたりのスリット数(つまり、回折格子3の溝本数であり、回折格子周期の逆数)
m:回折光の次数(m=0,±1,±2,±3…)
λ:波長
(1)プリズム7の出射面7bには、反射防止膜、部分反射膜を設けない構成を示したが、プリズム7の出射面7bが戻り光を反射する割合は、プリズム7の屈折率と空気の屈折率との屈折率差、戻り光の出射面7bへの入射角等に影響される。
3 回折格子
4 ミラー
7、8 プリズム
Claims (6)
- 半導体レーザからの光を回折格子を用いて波長選択する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザと前記回折格子との間に設けられ、前記半導体レーザからのビーム形状を前記回折格子の溝の配列方向に拡大して前記回折格子に出射し、前記回折格子からの回折光を反射して出力光とするプリズムを設けたことを特徴とする外部共振器型の波長可変光源。 - 前記回折格子からの回折光を前記回折格子に反射するミラーを設け、
プリズムは、前記回折格子と前記ミラーの間から前記出力光を出力することを特徴とする請求項1記載の外部共振器型の波長可変光源。 - プリズムは、前記回折格子の0次光に対して略平行に前記出力光を出力することを特徴とする請求項2記載の外部共振器型の波長可変光源。
- プリズムは、温度上昇によって前記回折格子への入射角を小さくすることを特徴とする請求項1記載の外部共振器型の波長可変光源。
- プリズムは、前記半導体レーザからの光がブリュースター角で入射されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の外部共振器型の波長可変光源。
- 前記プリズムは、アナモルフィックプリズムであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の外部共振器型の波長可変光源。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007186400A JP4947367B2 (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 外部共振器型の波長可変光源 |
EP08011376A EP2017929A2 (en) | 2007-07-18 | 2008-06-23 | Wavelength tunable light source of external resonator type |
US12/146,592 US20090022184A1 (en) | 2007-07-18 | 2008-06-26 | Wavelength tunable light source of external resonator type |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007186400A JP4947367B2 (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 外部共振器型の波長可変光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009026834A true JP2009026834A (ja) | 2009-02-05 |
JP4947367B2 JP4947367B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=39832295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007186400A Active JP4947367B2 (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 外部共振器型の波長可変光源 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090022184A1 (ja) |
EP (1) | EP2017929A2 (ja) |
JP (1) | JP4947367B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013105813A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Sony Corp | 半導体レーザ装置組立体 |
JP2014127651A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Sony Corp | レーザ射出装置及びレーザ射出装置の製造方法 |
KR101570249B1 (ko) | 2009-03-17 | 2015-11-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 광학계 및 레이저 가공 장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6182988B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 分光デバイス及び波長選択スイッチ |
US9563073B2 (en) | 2014-06-27 | 2017-02-07 | Lumentum Operations Llc | Combined splitter, isolator and spot-size converter |
CN105655870B (zh) * | 2015-12-11 | 2019-08-02 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种基于棱镜扩束的可调谐光栅外腔半导体激光器 |
JP6547072B2 (ja) | 2016-01-20 | 2019-07-17 | テラダイオード, インコーポレーテッド | ビーム品質改良および帯域幅低減のためのプリズムを利用する波長ビーム組み合わせレーザシステム |
US20220123523A1 (en) * | 2019-03-29 | 2022-04-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
CN112271550A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-26 | 北京凯普林光电科技股份有限公司 | 一种波长锁定的半导体激光器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216782A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Toshiba Corp | 狭帯域レーザ装置 |
JPH0426174A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Toshiba Corp | 狭帯域レーザ装置 |
JPH05198881A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-08-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 格子同調式レーザ装置 |
JP2000164979A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型光源 |
US20030063633A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Zhang Guangzhi Z. | Tunable laser with suppression of spontaneous emission |
JP2004264446A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Hitachi Cable Ltd | 回折格子、デマルチプレクサ及び波長多重光伝送モジュール |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9127241D0 (en) * | 1991-12-23 | 1992-02-19 | Crosfield Electronics Ltd | Light deflecting device |
US6801560B2 (en) * | 1999-05-10 | 2004-10-05 | Cymer, Inc. | Line selected F2 two chamber laser system |
US6693745B1 (en) * | 1999-09-14 | 2004-02-17 | Corning Incorporated | Athermal and high throughput gratings |
US6556297B1 (en) * | 2000-06-02 | 2003-04-29 | Digital Lightwave, Inc. | Athermalization and pressure desensitization of diffraction grating based spectrometer devices |
US7257288B1 (en) * | 2004-04-23 | 2007-08-14 | Nistica, Inc. | Tunable optical routing systems |
JP2007186400A (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Daisuke Maeda | 低圧の空隙を含む軽量な材料 |
-
2007
- 2007-07-18 JP JP2007186400A patent/JP4947367B2/ja active Active
-
2008
- 2008-06-23 EP EP08011376A patent/EP2017929A2/en not_active Withdrawn
- 2008-06-26 US US12/146,592 patent/US20090022184A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216782A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Toshiba Corp | 狭帯域レーザ装置 |
JPH0426174A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Toshiba Corp | 狭帯域レーザ装置 |
JPH05198881A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-08-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 格子同調式レーザ装置 |
JP2000164979A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型光源 |
US20030063633A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Zhang Guangzhi Z. | Tunable laser with suppression of spontaneous emission |
JP2004264446A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Hitachi Cable Ltd | 回折格子、デマルチプレクサ及び波長多重光伝送モジュール |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101570249B1 (ko) | 2009-03-17 | 2015-11-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 광학계 및 레이저 가공 장치 |
JP2013105813A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Sony Corp | 半導体レーザ装置組立体 |
US9906000B2 (en) | 2011-11-11 | 2018-02-27 | Sony Corporation | Semiconductor laser apparatus assembly |
JP2014127651A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Sony Corp | レーザ射出装置及びレーザ射出装置の製造方法 |
US9496685B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-11-15 | Sony Corporation | Laser emitting apparatus and master oscillator power amplifier system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2017929A2 (en) | 2009-01-21 |
US20090022184A1 (en) | 2009-01-22 |
JP4947367B2 (ja) | 2012-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4947367B2 (ja) | 外部共振器型の波長可変光源 | |
WO2017022142A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US9331457B2 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
JP6157194B2 (ja) | レーザ装置および光ビームの波長結合方法 | |
JP6818867B2 (ja) | 波長結合レーザ装置 | |
JP5775325B2 (ja) | 波長可変光源 | |
JP2008130805A (ja) | 外部共振器型波長可変光源 | |
JP2017204530A (ja) | 外部共振半導体レーザ装置 | |
EP3761463A1 (en) | Light resonator and laser processing machine | |
US6700904B2 (en) | Light source for an external cavity laser | |
JP2008071798A (ja) | レーザ光源装置 | |
JP5228616B2 (ja) | 波長可変光源 | |
JP6223650B1 (ja) | レーザ発振装置 | |
JP2004101512A (ja) | 位置測定装置 | |
JP2015056469A (ja) | 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール | |
JP6227216B1 (ja) | レーザ加工装置 | |
JPWO2018134966A1 (ja) | レーザ装置 | |
JP2006128656A (ja) | 外部共振型半導体レーザ | |
JP2005175049A (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
JP2005159000A (ja) | 半導体レーザ | |
WO2006104034A1 (ja) | 外部共振型半導体レーザ | |
CN115117732A (zh) | 一种外腔可调谐半导体激光器 | |
JP7390600B2 (ja) | 光共振器およびレーザ加工装置 | |
JP2011018779A (ja) | 波長可変光源 | |
JP2010225932A (ja) | 波長可変光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4947367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |