JP5906264B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態を説明する前に本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図1は関連技術の配線基板を示す断面図である。
図2〜図4は本発明の第1実施形態の配線基板を示す断面図、図5〜図10は同じく配線基板の製造方法を示す断面図である。
図3に示すように、第1実施形態の第1変形例の配線基板1aでは、図2(a)の配線基板1の接続パッドCとは逆に、接続パッドCの中間金属層22は第1金属層20及び第2金属層24より小さい面積(径)でそれらの中央部に配置されており、第1金属層20及び第2金属層24の外周部の位置が中間金属層22の外周部の位置より外側に配置されている。
第1実施形態の配線基板の第1の製造方法では、図5(a)に示すように、まず、支持基板として銅板10を用意する。支持基板として銅板10を例示するが、電解めっきのめっき給電経路として機能し、かつウェットエッチングなどで容易に除去できる部材であればよく、各種の金属板や金属箔などの導電材料を使用できる。以下の他の実施形態においても同様である。
図9は第1実施形態の配線基板の第2の製造方法を示す断面図である。
図10は第1実施形態の配線基板の第3の製造方法を示す断面図である。
第2実施形態の配線基板の特徴は、第1実施形態の図2(a)の配線基板1において、接続パッドCの接続面Cxが絶縁層30の外面30xと同一面を構成するように同一の高さに配置されることにある。
図11は本発明の第2実施形態の配線基板の第1の製造方法を示す断面図である。
図14〜図15は第2実施形態の配線基板の第2の製造方法を示す断面図である。第2実施形態の配線基板の第2の製造方法の特徴は、銅板10を除去する際のエッチングストップ層として銅板10上の全体にわたってニッケル層を形成し、かつポケットめっき層14及び表面処理層16を省略することにある。
第3実施形態の配線基板の特徴は、第1実施形態の図2(a)の配線基板1において、接続パッドCが絶縁層30の外面30xから外側に突出するバンプ電極として形成されることにある。
図16〜図17は本発明の第3実施形態の配線基板の第1の製造方法を示す断面図である。
図21〜図23は本発明の第3実施形態の配線基板の第2の製造方法を示す断面図である。第3実施形態の配線基板の第2の製造方法の特徴は、前述した第3実施形態の配線基板の第1の製造方法において、レジスト12の開口部12a内の銅板10の凹部10aに表面処理層16の代わりにエッチングストップ用ニッケル層を形成することにある。
Claims (6)
- 絶縁層と配線層とが積層されて形成された配線基板であって、
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた配線層と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記配線層に接続されると共に、前記絶縁層の外面側に側面の全体が埋め込まれた接続パッドであって、前記接続パッドの接続面が前記絶縁層の外面と同一位置、又は前記絶縁層の外面から内層側に沈み込む位置に配置された前記接続パッドとを有し、
前記接続パッドは、外層側に配置されて銅から形成された第1金属層と、前記第1金属層の内層側の面に配置されて、ニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成された中間金属層と、前記中間金属層の内層側の面に配置されて銅から形成された第2金属層とを含み、
前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面に、前記接続パッドの前記第1金属層側の面が露出しており、
前記接続パッドの側面と前記第2金属層側の面が、前記配線基板の表面となる前記絶縁層に被覆されて、前記接続パッドは一層からなる前記絶縁層の中に埋め込まれており、かつ、前記第2金属層に前記ビア導体が接続されており、
前記第1金属層及び第2金属層の周縁部は、前記中間金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっており、かつ、
前記中間金属層の硬度は、前記第1金属層及び第2金属層の硬度より高いことを特徴とする配線基板。 - 前記接続パッドは前記第1金属層の外層側の面に形成された表面処理層を含み、
前記表面処理層は、外側から順に金層/ニッケル層、外側から順に金層/パラジウム層/ニッケル層、外側から順に金層/パラジウム層、金層、錫層、及び酸化防止剤のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記配線基板はコア基板をもたないコアレス配線基板であり、前記絶縁層が基板として機能することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板。
- 支持基板の上に、開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
電解めっきにより、前記レジストの開口部に、下から順に、第1金属層、中間金属層及び第2金属層を含む金属積層部を形成する工程であって、前記中間金属層の硬度が前記第1金属層及び第2金属層の硬度より高く設定される工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記中間金属層を前記第1金属層及び第2金属層に対して選択的にウェットエッチングすることにより、前記第1金属層及び第2金属層の周縁部を前記中間金属層の外周部から外側に突き出る突出部とする工程と、
前記金属積層部を埋め込む一層からなる絶縁層を前記支持基板の上に形成する工程と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記第2金属層に接続される配線層を前記絶縁層の上に形成する工程と、
前記支持基板を除去することにより、前記第1金属層、前記中間金属層及び前記第2金属層を含む接続パッドを得る工程とを有し、
前記第1金属層及び第2金属層は銅から形成され、前記中間金属層はニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記金属積層部を形成する工程において、
前記第1金属層を形成する前に、前記レジストの開口部にめっき層を形成し、
前記支持基板を除去する工程は、前記支持基板を除去した後に、前記めっき層を除去することを含み、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドは前記絶縁層の外面から内層側に沈み込んで形成されることを特徴とする請求項4に記載の配線基板の製造方法。 - 前記開口部が設けられたレジストを形成する工程の後に、
前記レジストの開口部内の前記支持基板に凹部を形成する工程をさらに有し、
前記金属積層部を形成する工程において、
前記第1金属層は前記凹部を埋め込んで形成され、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドの第1金属層は前記絶縁層から外側に突出して形成されることを特徴とする請求項4に記載の配線基板の製造方法。
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