JP5902004B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、抵抗素子を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に下層電極を形成する工程と、前記下層電極上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜内に前記下層電極に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを埋めない膜厚で抵抗体薄膜を堆積する工程と、前記抵抗体薄膜をエッチバックして前記コンタクトホール底面の前記抵抗体薄膜を除去する工程と、前記コンタクトホール内の空隙に第二絶縁膜を埋める工程と、前記第二絶縁膜と第一絶縁膜と前記抵抗体薄膜をCMP研磨して縦型抵抗体を形成する工程と、前記縦型抵抗体上部に接続された上層電極を形成する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記抵抗体薄膜を除去する工程終了後、サイドウォール状の抵抗体薄膜が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記CMP研磨工程にて、前記サイドウォール状抵抗体薄膜の上部が除去され、均一な膜厚となる高さまで第二の絶縁膜9を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、角柱の側面と異なりで円柱の側面に抵抗体を作成するため、円周上で同じ厚さで形成することが可能なため、薄く形成することで温度変化に対して抵抗値の変化が少ない縦型抵抗体として使用できる。
図1は本発明の第一の実施形態を示す抵抗体構造を有するMOS型トランジスタの模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、半導体シリコン基板の表面にMOSトランジスタと縦型抵抗体からなる抵抗素子を有する構造である。
まず、図2に示すように、例えば濃度が1×1016cm-3程度のP型導電性の半導体シリコン基板1の表面をLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法によって選択的に酸化し、膜厚1000〜5000Å程度の厚さのフィールド酸化膜2を形成する。次に、基板全面を酸化し膜厚50〜1000Å程度のゲート酸化膜3を形成する。この上にCVDを用いて膜厚2000〜3000Å程度のポリシリコンを堆積し、例えばリンのプリデポにより不純物濃度を高濃度にして導電性を持たせてゲート電極4を作製する。ここで、プリデポに代えて、イオン注入法を利用しても良いし、多結晶シリコン堆積時に不純物が既に含まれているドープト多結晶シリコンを堆積しても良い。
次に、図8に示すように、CMP法を用いて、第三の絶縁膜15と第二の絶縁膜9を研磨し除去する。抵抗体薄膜10の上部の細い部分がなくなり、均一な膜厚となる高さまで第二の絶縁膜9を削り、縦長の縦型抵抗体10a、10bを形成する。
2 フィールド酸化膜
3 ゲート酸化膜
4 ゲート電極
5 ソース領域
6 ドレイン領域
7 第一の絶縁膜
8 第一の導電性金属配線
9 第二の絶縁膜
10 抵抗体薄膜
10a、10b 縦型抵抗体
11a、11b、11c 第二の金属配線
12 多結晶シリコン薄膜抵抗
15 第三の絶縁膜
Claims (4)
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に下層電極を形成する工程と、
前記下層電極上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜内に前記下層電極に達する複数のコンタクトホールを形成する工程と、
前記複数のコンタクトホールを完全に充填しない膜厚で抵抗体薄膜を堆積する工程と、
前記抵抗体薄膜をエッチバックして前記複数のコンタクトホール底面の前記抵抗体薄膜を除去する工程と、
前記複数のコンタクトホール内の空隙に第3の絶縁膜を充填する工程と、
前記第3の絶縁膜と第2の絶縁膜と前記抵抗体薄膜をCMP法により研磨して複数の縦型抵抗体を形成する工程と、
前記複数の縦型抵抗体上部にそれぞれ接続された上層電極を形成する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記抵抗体薄膜の堆積膜厚は、前記複数のコンタクトホールの直径の半分未満であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記抵抗体薄膜を除去する工程の終了後に、サイドウォール状の抵抗体薄膜が形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の縦型抵抗体を形成する工程は、前記サイドウォール状の抵抗体薄膜を上部から除去し、前記サイドウォール状の抵抗体薄膜が均一な膜厚となっている高さまで前記第2の絶縁膜を研磨することを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2013187326A JP2013187326A (ja) | 2013-09-19 |
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JP (1) | JP5902004B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102274587B1 (ko) | 2014-07-16 | 2021-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140854A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Hitachi Ltd | 高抵抗素子 |
US6611039B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-08-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Vertically oriented nano-fuse and nano-resistor circuit elements |
JP5566776B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | 抵抗変化メモリ |
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2012
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Publication number | Publication date |
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JP2013187326A (ja) | 2013-09-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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