JP5666354B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5666354B2 JP5666354B2 JP2011054903A JP2011054903A JP5666354B2 JP 5666354 B2 JP5666354 B2 JP 5666354B2 JP 2011054903 A JP2011054903 A JP 2011054903A JP 2011054903 A JP2011054903 A JP 2011054903A JP 5666354 B2 JP5666354 B2 JP 5666354B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- resistor
- diameter contact
- insulating film
- sidewall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
まず、抵抗体を有する半導体装置であって、前記抵抗体は上層電極と下層電極によって上下挟まれたコンタクトホール内に形成され、前記抵抗体の両端は前記上層電極および下層電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置とした。
また、前記抵抗体の材質がタングステンシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、ニクロム、チタン、多結晶シリコンのいずれかからなることを特徴とする半導体装置とした。
図1は本発明の実施例である二層の金属配線を有するN型MOSトランジスタおよび抵抗体の模式断面図を表したものである。
従来技術では、横長に配置された抵抗体が一般的であるが、本発明においては、抵抗体は縦長の構造となっており、その上下に電極を取る構成となっている。
2 フィールド酸化膜
3 ゲート酸化膜
4 ゲート電極
5 導電性多結晶シリコン層
6 ソース領域
7 ドレイン領域
8 第一の絶縁膜
9 導電性プラグ材料
9a 導電性金属ビア
9b メタルサイドウォール
10 シリコン酸化膜
11 抵抗体
12 第一および第二の電極
13 第二の絶縁膜
14 第三および第四の電極
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置されたフィールド酸化膜と、
前記フィールド酸化膜の上面に配置された導電性多結晶シリコン層と、
前記フィールド酸化膜によって囲まれたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域内に設けられた高濃度不純物領域と、
前記導電性多結晶シリコン層および前記高濃度不純物領域の上を覆って設けられた絶縁膜と、
前記導電性多結晶シリコン層の上の前記絶縁膜に設けられた大口径コンタクトホールと、
前記高濃度不純物領域の上の前記絶縁膜に設けられた小口径コンタクトホールと、
前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に配置された導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールと、
前記メタルサイドウォールを覆って前記大口径コンタクトホールの内部に設けられた絶縁体のサイドウォールと、
前記絶縁体のサイドウォールを覆って、前記大口径コンタクトホールの内部を充填している抵抗体と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める前記導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第一および第二の電極と、からなる半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた第一の絶縁膜と、
前記第一の絶縁膜の表面に配置された第一および第二の電極と、
前記第一および第二の電極の上を覆って設けられた第二の絶縁膜と、
前記第一の電極の上の前記第二の絶縁膜に設けられた大口径コンタクトホールと、
前記第二の電極の上の前記第二の絶縁膜に設けられた小口径コンタクトホールと、
前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に配置された導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールと、
前記メタルサイドウォールを覆って前記大口径コンタクトホールの内部に設けられた絶縁体のサイドウォールと、
前記絶縁体のサイドウォールを覆って、前記大口径コンタクトホールの内部を充填している抵抗体と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める前記導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第3および第4の電極と、からなる半導体装置。 - 前記絶縁体がシリコン酸化膜である請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記抵抗体の材質がタングステンシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、ニクロム、チタン、多結晶シリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面にアクティブ領域を設けるために、フィールド酸化膜を形成する工程と、
前記アクティブ領域の内部に高濃度不純物領域を設ける工程と、
前記フィールド酸化膜の上面に導電性多結晶シリコン層を形成する工程と、
前記導電性多結晶シリコン層および前記高濃度不純物領域の上を覆う絶縁膜を設ける工程と、
大口径コンタクトホールを前記導電性多結晶シリコン層の上の前記絶縁膜に、小口径コンタクトホールを前記高濃度不純物領域の上の前記絶縁膜に、同時に形成する工程と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に前記導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールを同時に形成する工程と、
前記メタルサイドウォールを覆って、絶縁体のサイドウォールを前記大口径コンタクトホールの内部に設ける工程と、
抵抗体により前記絶縁体のサイドウォールを覆うとともに、前記大口径コンタクトホールの内部を充填する工程と、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第一および第二の電極を形成する工程と、
からなる半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の表面に第一の絶縁膜を設ける工程と、
前記第一の絶縁膜の表面に第一および第二の電極を配置する工程と、
前記第一および第二の電極上を覆う第二の絶縁膜を設ける工程と、
大口径コンタクトホールを前記第一の電極の上の前記第二の絶縁膜に、小口径コンタクトホールを前記第二の電極の上の前記第二の絶縁膜に、同時に形成する工程と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に前記導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールを同時に形成する工程と、
前記メタルサイドウォールを覆って、絶縁体のサイドウォールを前記大口径コンタクトホールの内部に設ける工程と、
抵抗体により前記絶縁体のサイドウォールを覆うとともに、前記大口径コンタクトホールの内部を充填する工程と、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第3および第4の電極を形成する工程と、
からなる半導体装置の製造方法。 - 前記抵抗体の材質がタングステンシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、ニクロム、チタン、多結晶シリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054903A JP5666354B2 (ja) | 2011-03-13 | 2011-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054903A JP5666354B2 (ja) | 2011-03-13 | 2011-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012191092A JP2012191092A (ja) | 2012-10-04 |
JP2012191092A5 JP2012191092A5 (ja) | 2014-03-06 |
JP5666354B2 true JP5666354B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=47083908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011054903A Expired - Fee Related JP5666354B2 (ja) | 2011-03-13 | 2011-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5666354B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381345B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including resistor structure |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102274587B1 (ko) | 2014-07-16 | 2021-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6011A (en) * | 1849-01-09 | Tooth-extractor | ||
JPS63226054A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2947054B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1999-09-13 | ヤマハ株式会社 | 配線形成法 |
JP2000022085A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-13 JP JP2011054903A patent/JP5666354B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381345B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including resistor structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012191092A (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI451559B (zh) | Semiconductor device | |
US8772848B2 (en) | Circuit structures, memory circuitry, and methods | |
US8779492B2 (en) | Semiconductor device and method of forming the same | |
JP5616823B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5616720B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6356536B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20040014197A (ko) | 반도체 장치 | |
JP5666354B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013191808A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014022386A (ja) | 半導体装置 | |
US9178056B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2012004510A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI487009B (zh) | 金屬閘極和多晶矽電阻的製程與多晶矽電阻的結構 | |
JP4744103B2 (ja) | 抵抗素子を含む半導体装置及びその製造方法 | |
JP4887662B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5902004B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5266955B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI447861B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP5070751B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013179193A (ja) | 記憶装置及びその製造方法 | |
JP5566003B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017163013A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014216427A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008235749A (ja) | 半導体装置 | |
JP3650562B2 (ja) | 絶縁ゲート半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5666354 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |