JP2014216427A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】受動素子のサイズを小さくしたり、その個数を減らしたりしなくても、チップサイズを小さくできるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1層間絶縁膜20と、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40を介してMIMキャパシタ30の直上に形成された金属薄膜抵抗体50と、を備える。MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが断面視で縦方向に重ねて配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】
半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1層間絶縁膜20と、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40を介してMIMキャパシタ30の直上に形成された金属薄膜抵抗体50と、を備える。MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが断面視で縦方向に重ねて配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、受動素子(例えば、金属抵抗体やキャパシタなど)のサイズを小さくしたり、その個数を減らしたりしなくても、チップサイズを小さくできるようにした半導体装置及びその製造方法に関する。
特許文献1には、MIM(Metal:金属、Insulator:絶縁体、Metal:金属)の連続層によって形成されたキャパシタと、薄膜抵抗器とを同じレベル(層)に形成する方法が開示されている。
特許文献1に開示されている方法では、MIMキャパシタと薄膜抵抗器とを同じレベル(層)で配置する。つまり、MIMキャパシタや薄膜抵抗器などの受動素子を断面視で横方向に並べて配置する。このため、半導体装置のチップサイズは大面積となり、受動素子のサイズを小さくしたり、その個数を減らしたりすることなくチップサイズを小さくする(即ち、シュリンクする)ことは困難であった。
そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、受動素子のサイズを小さくしたり、その個数を減らしたりしなくても、チップサイズを小さくできるようにした半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された第1受動素子と、前記第1層間絶縁膜上に形成されて前記第1受動素子を覆う第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜を介して前記第1受動素子の直上に形成された、前記第1受動素子とは異なる機能の第2受動素子と、を備えることを特徴とする。
また、上記の半導体装置において、前記半導体基板に形成されたトランジスタをさらに備え、前記トランジスタの直上に第1層間絶縁膜を介して前記第1受動素子が配置されていることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記第1受動素子はキャパシタ及び、金属膜からなる金属抵抗体のうちの一方であり、前記第2受動素子は前記キャパシタ及び前記金属抵抗体のうちの他方であり、前記金属抵抗体の表面を覆うキャップ絶縁膜をさらに備えることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記第1受動素子はキャパシタ及び、金属膜からなる金属抵抗体のうちの一方であり、前記第2受動素子は前記キャパシタ及び前記金属抵抗体のうちの他方であり、前記金属抵抗体の表面を覆うキャップ絶縁膜をさらに備えることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記第2層間絶縁膜を貫いて前記キャパシタと前記金属抵抗体との間に配置され、一端が前記キャパシタの上部電極と電気的に接続し、他端が前記金属抵抗体と電気的に接続するプラグ電極、をさらに備えることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記金属膜は窒化タンタルまたはニッケルクロムまたはシリコンクロムまたは窒化チタンまたはタングステンシリサイドいずれかの膜であることを特徴としてもよい。
また、上記の半導体装置において、前記金属膜は窒化タンタルまたはニッケルクロムまたはシリコンクロムまたは窒化チタンまたはタングステンシリサイドいずれかの膜であることを特徴としてもよい。
本発明の別の態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1層間絶縁膜上に第1受動素子を形成する工程と、前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成して前記第1受動素子を覆う工程と、前記第1受動素子の直上に前記第2層間絶縁膜を介して、前記第1受動素子とは異なる機能の第2受動素子を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、第1受動素子の直上に第2層間絶縁膜を介して第2受動素子が配置されている。即ち、第1受動素子と第2受動素子とが断面視で縦方向(即ち、厚さ方向)に重ねて配置されている。これにより、第1受動素子と第2受動素子を断面視で横方向(即ち、水平方向)に並べて配置する場合と比べて、チップ面積を低減することができる。よって、受動素子のサイズを小さくしたり、その個数を減らしたりしなくても、半導体装置のチップサイズを縮小化することが可能となる。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
<第1実施形態>
(構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。
図1に示すように、この半導体装置100は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、複数個のMOSトランジスタ10のうちの隣接する一方と他方との間に形成され、これら一方と他方との間を素子分離する素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10と素子分離層3とを覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
(構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。
図1に示すように、この半導体装置100は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、複数個のMOSトランジスタ10のうちの隣接する一方と他方との間に形成され、これら一方と他方との間を素子分離する素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10と素子分離層3とを覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置100は、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40上に形成された金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第2層間絶縁膜40上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
さらに、この半導体装置100は、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40とを貫いてMIMキャパシタ30の上部電極33に電気的に接続するプラグ電極71と、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40と絶縁体32とを貫いてMIMキャパシタ30の下部電極31に電気的に接続するプラグ電極72と、第3層間絶縁膜60とキャップ絶縁膜53とを貫いて金属薄膜抵抗体50に電気的に接続するプラグ電極73、74と、第3層間絶縁膜60上に形成されてプラグ電極71〜74の少なくとも一つ以上と電気的に接続する配線部81〜83と、を備える。
半導体基板1は、例えば単結晶のシリコン(Si)基板である。また、MOSトランジスタ10は、n型MOSトランジスタ又はp型MOSトランジスタである。MOSトランジスタ10は、半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜11と、ゲート絶縁膜11上に形成されたゲート電極(G)12と、ゲート電極の両側下の半導体基板1に形成されたソース(S)13、ドレイン(D)14を有する。
素子分離層3は、例えばLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で形成されたLOCOS層であり、シリコン酸化膜(SiO2)からなる。或いは、素子分離層3は、STI(Shallow Trench Isolation)層でもよい。第1層間絶縁膜20、第2層間絶縁膜40、第3層間絶縁膜60は、例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜(Si3N4)、或いは、これらを積層した絶縁膜からなる。
MIMキャパシタ30は、MIMの連続層によって形成されたキャパシタであり、下部電極31と、下部電極31上に形成された絶縁体32と、絶縁体32上に形成された上部電極33とを有する。下部電極31及び上部電極33は、例えば、アルミニウム(Al)又はAlを含む合金等からなる。また、絶縁体32は、例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等からなる。
金属薄膜抵抗体50は、例えば、窒化タンタル(TaN)等の金属薄膜からなる。金属薄膜抵抗体50の厚さは、例えば10〜30nmである。金属薄膜抵抗体50がTaNからなる場合、キャップ絶縁膜53は例えばシリコン窒化膜からなる。プラグ電極71〜74は、例えば、Al又はAlを含む合金、或いは、タングステン(W)等の金属からなる。配線部81〜83は、例えば、Al又はAlを含む合金からなる。
図1に示すように、この半導体装置100では、少なくとも一個以上のMOSトランジスタ10の直上に第1層間絶縁膜20を介してMIMキャパシタ30が配置され、且つ、MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介してTaN等からなる金属薄膜抵抗体50が配置されている。
(製造方法)
次に、図1に示した半導体装置100の製造方法について説明する。
図2(a)〜図3(d)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法を工程順に示す断面図である。図2(a)に示すように、まず始めに、例えばLOCOS法を用いて、半導体基板1に素子分離層3を形成する。また、素子分離層3の形成工程と前後して、半導体基板1にウェル拡散層(図示せず)を形成する。
次に、図1に示した半導体装置100の製造方法について説明する。
図2(a)〜図3(d)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法を工程順に示す断面図である。図2(a)に示すように、まず始めに、例えばLOCOS法を用いて、半導体基板1に素子分離層3を形成する。また、素子分離層3の形成工程と前後して、半導体基板1にウェル拡散層(図示せず)を形成する。
次に、周知のCMOSプロセスを用いて、半導体基板1にMOSトランジスタ10を形成する。例えば、半導体基板1を熱酸化してゲート絶縁膜11を形成し、このゲート絶縁膜11上に不純物をドープしたポリシリコン膜からなるゲート電極12を形成する。次に、ゲート電極12をマスクに用いて半導体基板1にp型又はn型の不純物をイオン注入し、続いて、半導体基板1にアニール処理を施す。これにより、半導体基板1にp型又はn型のソース13、ドレイン14を形成し、MOSトランジスタ10が完成する。
次に、図2(b)に示すように、半導体基板1上に第1層間絶縁膜20を形成して、MOSトランジスタ10を覆う。第1層間絶縁膜20の形成は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法で行う。そして、第1層間絶縁膜20の表面を平坦化する。平坦化は、例えばCMP(Chemical Mechanical Polish)で行う。
次に、図示しないが、第1層間絶縁膜20を貫いて、MOSトランジスタ10のソース13、ドレイン14に電気的に接続するプラグ電極を形成する。その後、第1層間絶縁膜20上に下部電極用の金属膜(以下、下部電極膜)31´を形成する。この下部電極膜31´は例えばAl又はAlを含む合金からなり、その形成は例えばスパッタ法で行う。
次に、下部電極膜31´上に絶縁膜を形成する。絶縁膜の形成は、例えばCVD法で行う。続いて、この絶縁膜上に上部電極用の金属膜(以下、上部電極膜)を形成する。この上部電極膜は例えばTi又はTiを含む合金からなり、その形成は例えばスパッタ法で行う。
次に、下部電極膜31´上に絶縁膜を形成する。絶縁膜の形成は、例えばCVD法で行う。続いて、この絶縁膜上に上部電極用の金属膜(以下、上部電極膜)を形成する。この上部電極膜は例えばTi又はTiを含む合金からなり、その形成は例えばスパッタ法で行う。
そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、上部電極膜をパターニングして、図2(c)に示すように、上部電極33を形成する。上部電極33を形成した後で、レジストパターン(図示せず)を除去する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、上部電極33下から露出している絶縁膜と下部電極膜とをパターニングする。これにより、絶縁膜から絶縁体32を形成する。また、下部電極膜から下部電極31を形成する。さらに、下部電極膜を用いて、下部電極31と同一層(レイヤー)に配置された中継配線部(図示せず)を形成してもよい。
次に、図2(d)に示すように、第1層間絶縁膜20上に第2層間絶縁膜40を形成してMIMキャパシタ30や、図示しない中継配線部を覆う。第2層間絶縁膜40の形成は、例えばCVD法で行う。そして、第2層間絶縁膜40の表面を平坦化する。平坦化は、例えばCMPで行う。次に、第2層間絶縁膜40上に、金属薄膜抵抗体50を形成するための金属薄膜と絶縁膜とを形成する。上述したように、金属薄膜は例えばTaNである。TaNは高抵抗膜であり、その形成は例えばスパッタ法で行う。また、絶縁膜は例えばシリコン窒化膜であり、その形成は例えばCVD法で行う。そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁膜と金属薄膜とをパターニングする。これにより、図2(d)に示すように、金属薄膜抵抗体50と、その上面を覆うキャップ絶縁膜53とを形成する。
次に、図3(a)に示すように、第2層間絶縁膜40上に第3層間絶縁膜60を形成して、金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う。第3層間絶縁膜60の形成は、例えばCVD法で行う。そして、第3層間絶縁膜60の表面を平坦化する。平坦化は、例えばCMPで行う。
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40及び絶縁体32をそれぞれ部分的に除去する。これにより、上部電極33上にビアホール(接続孔)91を形成すると共に、下部電極31上にビアホール92を形成する。また、このとき、下部電極31と同一層に配置された中継配線部(図示せず)上にビアホールを形成してもよい。
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40及び絶縁体32をそれぞれ部分的に除去する。これにより、上部電極33上にビアホール(接続孔)91を形成すると共に、下部電極31上にビアホール92を形成する。また、このとき、下部電極31と同一層に配置された中継配線部(図示せず)上にビアホールを形成してもよい。
次に、図3(b)に示すように、ビアホール91、92内にそれぞれプラグ電極71、72を形成する。プラグ電極71、72は、例えば、第3層間絶縁膜60上に金属膜をスパッタ法で形成し、形成した金属膜をCMPで平坦化して、ビアホール91、92内に金属膜を残し、それ以外の領域上から金属膜を除去することにより形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60とキャップ絶縁膜53をそれぞれ部分的に除去する。これにより、図3(c)に示すように、金属薄膜抵抗体50上にビアホール93、94を形成する。次に、図3(d)に示すように、ビアホール93、94内にプラグ電極73、74を形成する。プラグ電極73、74は、例えば、プラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60とキャップ絶縁膜53をそれぞれ部分的に除去する。これにより、図3(c)に示すように、金属薄膜抵抗体50上にビアホール93、94を形成する。次に、図3(d)に示すように、ビアホール93、94内にプラグ電極73、74を形成する。プラグ電極73、74は、例えば、プラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、第3層間絶縁膜60上に導電膜を形成する。導電膜は、例えばAl、又はAlを含む合金であり、その形成は例えばスパッタ法で行う。そして、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて導電膜をパターニングする。これにより、図1に示した配線部81〜83を形成する。以上の工程を経て、図1に示した半導体装置100が完成する。
この第1実施形態では、MIMキャパシタ30が本発明の「第1受動素子」に対応し、金属薄膜抵抗体50が本発明の「第2受動素子」に対応している。また、MOSトランジスタ10が本発明の「トランジスタ」に対応している。
この第1実施形態では、MIMキャパシタ30が本発明の「第1受動素子」に対応し、金属薄膜抵抗体50が本発明の「第2受動素子」に対応している。また、MOSトランジスタ10が本発明の「トランジスタ」に対応している。
(第1実施形態の効果)
本発明の第1実施形態は、以下の効果を奏する。
(1)MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介して金属薄膜抵抗体50が配置されている。即ち、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが断面視で縦方向(即ち、厚さ方向)に重ねて配置されている。これにより、MIMキャパシタ30や金属薄膜抵抗体50を断面視で横方向(即ち、水平方向)に並べて配置する場合と比べて、チップ面積を低減することができる。よって、MIMキャパシタ30や金属薄膜抵抗体50のサイズを小さくしたり、個数を減らしたりしなくても、半導体装置のチップサイズを縮小化することが可能となる。
本発明の第1実施形態は、以下の効果を奏する。
(1)MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介して金属薄膜抵抗体50が配置されている。即ち、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが断面視で縦方向(即ち、厚さ方向)に重ねて配置されている。これにより、MIMキャパシタ30や金属薄膜抵抗体50を断面視で横方向(即ち、水平方向)に並べて配置する場合と比べて、チップ面積を低減することができる。よって、MIMキャパシタ30や金属薄膜抵抗体50のサイズを小さくしたり、個数を減らしたりしなくても、半導体装置のチップサイズを縮小化することが可能となる。
(2)また、MOSトランジスタ10の直上に第1層間絶縁膜20を介してMIMキャパシタ30が配置されている。即ち、MOSトランジスタ10とMIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが断面視で縦方向に重ねて配置されている。これにより、半導体装置のチップサイズをさらに縮小化することが可能となる。
(3)また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50は、例えばプラグ電極71と配線部81とプラグ電極74とを介して、直列に接続されている。これにより、半導体装置はRC回路を構成することができる。
(4)また、金属薄膜抵抗体50は、窒化タンタル(TaN)膜からなる。これにより、金属薄膜抵抗体50のよりいっそうの高抵抗化に寄与することができる。
(3)また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50は、例えばプラグ電極71と配線部81とプラグ電極74とを介して、直列に接続されている。これにより、半導体装置はRC回路を構成することができる。
(4)また、金属薄膜抵抗体50は、窒化タンタル(TaN)膜からなる。これにより、金属薄膜抵抗体50のよりいっそうの高抵抗化に寄与することができる。
(変形例)
(1)第1実施形態では、金属薄膜抵抗体50がTaNからなる場合について説明した。しかしながら、本発明において、金属薄膜抵抗体50はTaNからなる抵抗体に限定されるものではなく、例えば窒化チタン、シリコンクロム、ニッケルクロム、タングステンシリサイド、金属サーメットなど、他の金属からなる抵抗体であってもよい。このような場合であっても、第1実施形態の効果(1)〜(4)を奏する。
(2)また、第1実施形態では、図1に示したように、MOSトランジスタ10の直上に第1層間絶縁膜20を介してMIMキャパシタ30が配置され、MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介してTaN等からなる金属薄膜抵抗体50が配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、MIMキャパシタ30及び金属薄膜抵抗体50は、MOSトランジスタ10の直上に配置されていなくてもよい。即ち、MIMキャパシタ30の直下にはMOSトランジスタ10が配置されていなくてもよい。このような構成であっても、第1実施形態の効果(1)(3)(4)を奏する。
(1)第1実施形態では、金属薄膜抵抗体50がTaNからなる場合について説明した。しかしながら、本発明において、金属薄膜抵抗体50はTaNからなる抵抗体に限定されるものではなく、例えば窒化チタン、シリコンクロム、ニッケルクロム、タングステンシリサイド、金属サーメットなど、他の金属からなる抵抗体であってもよい。このような場合であっても、第1実施形態の効果(1)〜(4)を奏する。
(2)また、第1実施形態では、図1に示したように、MOSトランジスタ10の直上に第1層間絶縁膜20を介してMIMキャパシタ30が配置され、MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介してTaN等からなる金属薄膜抵抗体50が配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、MIMキャパシタ30及び金属薄膜抵抗体50は、MOSトランジスタ10の直上に配置されていなくてもよい。即ち、MIMキャパシタ30の直下にはMOSトランジスタ10が配置されていなくてもよい。このような構成であっても、第1実施形態の効果(1)(3)(4)を奏する。
<第2実施形態>
上記の第1実施形態では、金属薄膜抵抗体50と配線部81との電気的接続をプラグ電極71を介して行う場合を図1に示した。しかしながら、本発明の実施形態において、金属薄膜抵抗体と配線部との接続関係はこれに限定されない。例えば、ビアホールを埋め込むように配線部を形成して、金属薄膜抵抗体と配線部とを(プラグ電極を介さずに)直接接続するようにしてもよい。
上記の第1実施形態では、金属薄膜抵抗体50と配線部81との電気的接続をプラグ電極71を介して行う場合を図1に示した。しかしながら、本発明の実施形態において、金属薄膜抵抗体と配線部との接続関係はこれに限定されない。例えば、ビアホールを埋め込むように配線部を形成して、金属薄膜抵抗体と配線部とを(プラグ電極を介さずに)直接接続するようにしてもよい。
(構成)
図4は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。
図4に示すように、この半導体装置200は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置200は、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40上に形成された金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第2層間絶縁膜40上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
図4は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。
図4に示すように、この半導体装置200は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置200は、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40上に形成された金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第2層間絶縁膜40上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
さらに、この半導体装置200は、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40とを貫いてMIMキャパシタ30の上部電極33に電気的に接続するプラグ電極71と、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40と絶縁体32とを貫いてMIMキャパシタ30の下部電極31に電気的に接続するプラグ電極72と、第3層間絶縁膜60上に形成された配線部81〜83と、を備える。
この半導体装置200において、配線部81は、例えば、その一方の端部がプラグ電極ではなく、金属薄膜抵抗体50上に形成されたビアホールに埋め込まれており、金属薄膜抵抗体50に直接接続している。また、配線部83も、金属薄膜抵抗体50上に形成されたビアホールに埋め込まれており、金属薄膜抵抗体50に直接接続している。
そして、第1実施形態に係る半導体装置100と同様、第2実施形態に係る半導体装置200においても、少なくとも一個以上のMOSトランジスタ10と、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが縦方向に重ねて配置されている。
そして、第1実施形態に係る半導体装置100と同様、第2実施形態に係る半導体装置200においても、少なくとも一個以上のMOSトランジスタ10と、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50とが縦方向に重ねて配置されている。
(製造方法)
次に、図4に示した半導体装置200の製造方法について説明する。
図5(a)及び(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の製造方法を工程順に示す断面図である。図5(a)において、ビアホール93、94を形成する工程までは第1実施形態と同様である。ビアホール93、94を形成した後、図5(b)に示すように、第3層間絶縁膜60上に導電膜80を形成してビアホール93、94を埋め込む。導電膜80は、例えばAl、又はAlを含む合金であり、その形成は例えばスパッタ法で行う。そして、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて導電膜80をパターニングする。これにより、図4に示した配線部81〜83を形成する。以上の工程を経て、図4に示した半導体装置200が完成する。
この第2実施形態において、半導体装置200を構成する各部と本発明との対応関係は第1実施形態と同じである。
次に、図4に示した半導体装置200の製造方法について説明する。
図5(a)及び(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の製造方法を工程順に示す断面図である。図5(a)において、ビアホール93、94を形成する工程までは第1実施形態と同様である。ビアホール93、94を形成した後、図5(b)に示すように、第3層間絶縁膜60上に導電膜80を形成してビアホール93、94を埋め込む。導電膜80は、例えばAl、又はAlを含む合金であり、その形成は例えばスパッタ法で行う。そして、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて導電膜80をパターニングする。これにより、図4に示した配線部81〜83を形成する。以上の工程を経て、図4に示した半導体装置200が完成する。
この第2実施形態において、半導体装置200を構成する各部と本発明との対応関係は第1実施形態と同じである。
(第2実施形態の効果)
本発明の第2実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。
また、ビアホール93、94にプラグ電極ではなく、配線部83、81をそれぞれ埋め込んで、配線部83、81と金属薄膜抵抗体50とをそれぞれ電気的に接続している。ビアホール93、94に配線部83、81を隙間無く埋め込むために、第1実施形態と比べて、ビアホール93、94のアスペクト比の制約が厳しくなる(即ち、ビアホールの径を大きくし、且つ、その深さを浅くする必要がある)が、一方で、図3(d)に示したプラグ電極73、74の形成工程が不要であるため、半導体装置の製造工程数を少なくすることができる。
(変形例)
第2実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
本発明の第2実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。
また、ビアホール93、94にプラグ電極ではなく、配線部83、81をそれぞれ埋め込んで、配線部83、81と金属薄膜抵抗体50とをそれぞれ電気的に接続している。ビアホール93、94に配線部83、81を隙間無く埋め込むために、第1実施形態と比べて、ビアホール93、94のアスペクト比の制約が厳しくなる(即ち、ビアホールの径を大きくし、且つ、その深さを浅くする必要がある)が、一方で、図3(d)に示したプラグ電極73、74の形成工程が不要であるため、半導体装置の製造工程数を少なくすることができる。
(変形例)
第2実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
<第3実施形態>
上記の第1実施形態では、MIMキャパシタ30の上部電極33と金属薄膜抵抗体50との電気的接続を、プラグ電極71と、配線部81と、プラグ電極74とを介して行う場合を図1に示した。しかしながら、本発明の実施形態において、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体との接続関係はこれに限定されない。例えば、MIMキャパシタの上部電極と金属薄膜抵抗体とをプラグ電極のみを介して接続するようにしてもよい。
上記の第1実施形態では、MIMキャパシタ30の上部電極33と金属薄膜抵抗体50との電気的接続を、プラグ電極71と、配線部81と、プラグ電極74とを介して行う場合を図1に示した。しかしながら、本発明の実施形態において、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体との接続関係はこれに限定されない。例えば、MIMキャパシタの上部電極と金属薄膜抵抗体とをプラグ電極のみを介して接続するようにしてもよい。
(構成)
図6(a)及び(b)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の構成例を示す断面図と、半導体装置300の一部を示す回路図である。
図6(a)に示すように、この半導体装置300は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置300は、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40を貫いてMIMキャパシタ30の上部電極33に電気的に接続するプラグ電極271と、第2層間絶縁膜40上に形成されてプラグ電極271と電気的に接続する金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第2層間絶縁膜40上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
図6(a)及び(b)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の構成例を示す断面図と、半導体装置300の一部を示す回路図である。
図6(a)に示すように、この半導体装置300は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置300は、第1層間絶縁膜20上に形成されたMIMキャパシタ30と、第1層間絶縁膜20上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40を貫いてMIMキャパシタ30の上部電極33に電気的に接続するプラグ電極271と、第2層間絶縁膜40上に形成されてプラグ電極271と電気的に接続する金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第2層間絶縁膜40上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
また、この半導体装置300は、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40と絶縁体32とを貫いてMIMキャパシタ30の下部電極31に電気的に接続するプラグ電極272と、第3層間絶縁膜60とキャップ絶縁膜53とを貫いて金属薄膜抵抗体50に電気的に接続するプラグ電極273と、第3層間絶縁膜60上に形成されてプラグ電極272、273と電気的に接続する配線部282、283と、を備える。プラグ電極271〜273は、例えば、Al又はAlを含む合金、或いは、タングステン(W)等の金属からなる。また、配線部282、283は、例えば、Al又はAlを含む合金からなる。
この半導体装置300において、プラグ電極271は、その一端がMIMキャパシタ30の上部電極33に電気的に接続し、(一方の反対側に位置する)他端が金属薄膜抵抗体50に電気的に接続している。また、第1実施形態に係る半導体装置100と同様、第3実施形態に係る半導体装置300においても、MOSトランジスタ10とMIMキャパシタ30及び金属薄膜抵抗体50は縦方向に重ねて配置されている。
(製造方法)
図7(a)〜図8(c)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の製造方法を工程順に示す断面図である。図7(a)において、第2層間絶縁膜40を形成する工程までは第1実施形態と同様である。第2層間絶縁膜40を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第2層間絶縁膜40を部分的に除去する。これにより、上部電極33上にビアホール291を形成する。次に、図7(b)に示すように、ビアホール291内にプラグ電極271を形成する。プラグ電極271は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
図7(a)〜図8(c)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置300の製造方法を工程順に示す断面図である。図7(a)において、第2層間絶縁膜40を形成する工程までは第1実施形態と同様である。第2層間絶縁膜40を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第2層間絶縁膜40を部分的に除去する。これにより、上部電極33上にビアホール291を形成する。次に、図7(b)に示すように、ビアホール291内にプラグ電極271を形成する。プラグ電極271は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、図7(c)に示すように、第2層間絶縁膜40上に金属薄膜抵抗体50及びキャップ絶縁膜53を形成する。そして、図8(a)に示すように、第2層間絶縁膜40上に第3層間絶縁膜60を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60と第2層間絶縁膜40と絶縁体32とを部分的に除去する。これにより、下部電極31上にビアホール292を形成する。そして、図8(b)に示すように、ビアホール292内にプラグ電極272を形成する。プラグ電極272は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60とキャップ絶縁膜53とを部分的に除去する。これにより、金属薄膜抵抗体50上にビアホール293を形成する。そして、図8(c)に示すように、ビアホール293内にプラグ電極273を形成する。プラグ電極273は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、第3層間絶縁膜60上に導電膜を形成し、これをパターニングして、図6(a)に示した配線部282、283を形成する。以上の工程を経て、図6(a)に示した半導体装置300が完成する。
この第3実施形態では、プラグ電極271が本発明のプラグ電極に対応している。その他の対応関係は、第1実施形態と同じである。
この第3実施形態では、プラグ電極271が本発明のプラグ電極に対応している。その他の対応関係は、第1実施形態と同じである。
(第3実施形態の効果)
本発明の第3実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50は、配線部を介さずにプラグ電極271を介して接続されている。
この構造により、図6(b)の破線で囲む部分、即ち、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間で配線部は不要であるため、配線部を配置するための面積を低減することができる。これにより、半導体装置のチップサイズをさらに小さくすることが可能となる。また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間で、配線部の抵抗や、配線部とプラグ電極との接触抵抗をゼロにすることができる。これにより、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間に生じる意図しない抵抗(即ち、寄生抵抗)を低減することができる。
(変形例)
第3実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
本発明の第3実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50は、配線部を介さずにプラグ電極271を介して接続されている。
この構造により、図6(b)の破線で囲む部分、即ち、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間で配線部は不要であるため、配線部を配置するための面積を低減することができる。これにより、半導体装置のチップサイズをさらに小さくすることが可能となる。また、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間で、配線部の抵抗や、配線部とプラグ電極との接触抵抗をゼロにすることができる。これにより、MIMキャパシタ30と金属薄膜抵抗体50との間に生じる意図しない抵抗(即ち、寄生抵抗)を低減することができる。
(変形例)
第3実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
<第4実施形態>
上記の第1〜第3実施形態では、MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介して金属薄膜抵抗体50が配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明の実施形態において、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体との位置関係はこれに限定されない。即ち、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体の上下の位置関係は逆でもよい。
上記の第1〜第3実施形態では、MIMキャパシタ30の直上に第2層間絶縁膜40を介して金属薄膜抵抗体50が配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明の実施形態において、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体との位置関係はこれに限定されない。即ち、MIMキャパシタと金属薄膜抵抗体の上下の位置関係は逆でもよい。
(構成)
図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の構成例を示す断面図である。
図9に示すように、この半導体装置400は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の構成例を示す断面図である。
図9に示すように、この半導体装置400は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置400は、第1層間絶縁膜20上に形成された金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第1層間絶縁膜20上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40とキャップ絶縁膜53とを貫いて金属薄膜抵抗体50と電気的に接続するプラグ電極373、374と、第2層間絶縁膜40上に形成されてプラグ電極373、374と電気的に接続するMIMキャパシタ30と、第2層間絶縁膜40上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
さらに、この半導体装置400は、第3層間絶縁膜60を貫いてMIMキャパシタ30の上部電極に電気的に接続するプラグ電極371と、第3層間絶縁膜60と絶縁体32とを貫いてMIMキャパシタ30の下部電極31に電気的に接続するプラグ電極372と、第3層間絶縁膜60上に形成されてプラグ電極371、372と電気的に接続する配線部381、382と、を備える。
プラグ電極371〜374は、例えば、Al又はAlを含む合金、或いは、タングステン(W)等の金属からなる。また、配線部381、382は、例えば、Al又はAlを含む合金からなる。そして、第4実施形態に係る半導体装置400においても、少なくとも一個以上のMOSトランジスタ10と、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30とが縦方向に重ねて配置されている。
(製造方法)
図10(a)〜図11(c)は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の製造方法を工程順に示す断面図である。図10(a)において、第1層間絶縁膜20を形成する工程までは第1実施形態と同様である。第1層間絶縁膜20を形成した後、第1層間絶縁膜20上に金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを形成する。次に、図10(b)に示すように、第1層間絶縁膜20上に第2層間絶縁膜40を形成して金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う。そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第2層間絶縁膜40とキャップ絶縁膜53とを部分的に除去する。これにより、金属薄膜抵抗体50上にビアホール393、394を形成する。次に、図10(c)に示すように、ビアホール393、394内にプラグ電極373、374を形成する。プラグ電極373、374は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
図10(a)〜図11(c)は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置400の製造方法を工程順に示す断面図である。図10(a)において、第1層間絶縁膜20を形成する工程までは第1実施形態と同様である。第1層間絶縁膜20を形成した後、第1層間絶縁膜20上に金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを形成する。次に、図10(b)に示すように、第1層間絶縁膜20上に第2層間絶縁膜40を形成して金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う。そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第2層間絶縁膜40とキャップ絶縁膜53とを部分的に除去する。これにより、金属薄膜抵抗体50上にビアホール393、394を形成する。次に、図10(c)に示すように、ビアホール393、394内にプラグ電極373、374を形成する。プラグ電極373、374は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。
次に、図10(d)に示すように、第2層間絶縁膜40上に下部電極膜31´を形成する。続いて、下部電極上に絶縁膜と上部電極膜とを形成する。そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、上部電極膜と絶縁膜、下部電極膜31´を順次パターニングする。これにより、図11(a)に示すように、上部電極33と、絶縁体32と、下部電極31とを形成する。また、このとき、下部電極膜から中継配線部(図示せず)を形成してもよい。
次に、図11(b)に示すように、第2層間絶縁膜40上に第3層間絶縁膜60を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第3層間絶縁膜60及び絶縁体32をそれぞれ部分的に除去する。これにより、上部電極33上と、下部電極上にそれぞれビアホール391、392を形成する。また、このとき、下部電極31と同一層に配置された中継配線部(図示せず)上にビアホールを形成してもよい。
次に、図11(c)に示すように、ビアホール391、392内にプラグ電極371、372を形成する。プラグ電極371、372は、例えば、第1実施形態で説明したプラグ電極71、72と同様の方法により形成する。次に、第3層間絶縁膜60上に導電膜を形成し、これをパターニングして、図9に示した配線部381、382を形成する。以上の工程を経て、図9に示した半導体装置400が完成する。
この第4実施形態では、金属薄膜抵抗体50が本発明の「第1受動素子」に対応し、MIMキャパシタ30が本発明の「第2受動素子」に対応している。また、MOSトランジスタ10が本発明の「トランジスタ」に対応している。
(第4実施形態の効果)
本発明の第4実施形態によれば、金属薄膜抵抗体50の直上に第2層間絶縁膜40を介してMIMキャパシタ30が配置されている。即ち、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30とが断面視で縦方向に重ねて配置されている。従って、第1実施形態の効果(1)と同様の効果を奏する。また、本発明の第4実施形態によれば、第1実施形態の効果(2)〜(4)と同様の効果も奏する。
(変形例)
第4実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
本発明の第4実施形態によれば、金属薄膜抵抗体50の直上に第2層間絶縁膜40を介してMIMキャパシタ30が配置されている。即ち、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30とが断面視で縦方向に重ねて配置されている。従って、第1実施形態の効果(1)と同様の効果を奏する。また、本発明の第4実施形態によれば、第1実施形態の効果(2)〜(4)と同様の効果も奏する。
(変形例)
第4実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
<第5実施形態>
上記の第4実施形態では、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30との電気的接続をプラグ電極373、374を介して行う場合について説明した。しかしながら、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、金属薄膜抵抗体上のビアホールを埋め込むように下部電極膜を形成して、金属薄膜抵抗体とMIMキャパシタとを直接接続するようにしてもよい。
上記の第4実施形態では、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30との電気的接続をプラグ電極373、374を介して行う場合について説明した。しかしながら、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、金属薄膜抵抗体上のビアホールを埋め込むように下部電極膜を形成して、金属薄膜抵抗体とMIMキャパシタとを直接接続するようにしてもよい。
(構成)
図12は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置500の構成例を示す断面図である。図12に示すように、この半導体装置500は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
図12は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置500の構成例を示す断面図である。図12に示すように、この半導体装置500は、例えば半導体基板1と、半導体基板1に形成された複数個のMOSトランジスタ10と、半導体基板1に形成された素子分離層3と、半導体基板1上に形成されてMOSトランジスタ10及び素子分離層3を覆う第1層間絶縁膜20と、を備える。
また、この半導体装置500は、第1層間絶縁膜20上に形成された金属薄膜抵抗体50と、金属薄膜抵抗体50の上面を覆うキャップ絶縁膜53と、第1層間絶縁膜20上に形成されて金属薄膜抵抗体50とキャップ絶縁膜53とを覆う第2層間絶縁膜40と、第2層間絶縁膜40上に形成されたMIMキャパシタ30と、第2層間絶縁膜40上に形成されてMIMキャパシタ30を覆う第3層間絶縁膜60と、を備える。
さらに、この半導体装置500は、第3層間絶縁膜60を貫いてMIMキャパシタ30の上部電極に電気的に接続するプラグ電極371と、第3層間絶縁膜60と絶縁体32とを貫いてMIMキャパシタ30の下部電極31に電気的に接続するプラグ電極372と、第3層間絶縁膜60上に形成されてプラグ電極371、372と電気的に接続する配線部381、382と、を備える。
この半導体装置500において、下部電極31は、金属薄膜抵抗体50上に形成されたビアホールに埋め込まれており、金属薄膜抵抗体50に直接接続している。即ち、下部電極31は、プラグ電極を介して金属薄膜抵抗体50に接続しているわけではない。また、第4実施形態に係る半導体装置400と同様、第5実施形態に係る半導体装置500においても、少なくとも一個以上のMOSトランジスタ10と、金属薄膜抵抗体50とMIMキャパシタ30とが縦方向に重ねて配置されている。
(製造方法)
次に、図12に示した半導体装置の製造方法について説明する。
図13(a)〜(d)は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図13(a)において、第2層間絶縁膜40にビアホール392、393を形成する工程までは第4実施形態と同様である。ビアホール392、393を形成した後、第2層間絶縁膜40上に下部電極膜を形成してビアホール392、393を埋め込む。次に、下部電極膜上に絶縁膜、上部電極膜を順次形成し、これらをパターニングする。これにより、図13(b)に示すように、下部電極31が金属薄膜抵抗体50に直接接続した構造のMIMキャパシタ30が完成する。そして、これ以降の工程は、第4実施形態と同様である。
次に、図12に示した半導体装置の製造方法について説明する。
図13(a)〜(d)は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図13(a)において、第2層間絶縁膜40にビアホール392、393を形成する工程までは第4実施形態と同様である。ビアホール392、393を形成した後、第2層間絶縁膜40上に下部電極膜を形成してビアホール392、393を埋め込む。次に、下部電極膜上に絶縁膜、上部電極膜を順次形成し、これらをパターニングする。これにより、図13(b)に示すように、下部電極31が金属薄膜抵抗体50に直接接続した構造のMIMキャパシタ30が完成する。そして、これ以降の工程は、第4実施形態と同様である。
即ち、図13(c)に示すように、第2層間絶縁膜40上に第3層間絶縁膜60を形成し、ビアホール391、392を形成する。次に、図13(d)に示すように、ビアホール391、392内にプラグ電極371、372を形成する。そして、第3層間絶縁膜60上に図12に示した配線部381、382を形成する。以上の工程を経て、図12に示した半導体装置500が完成する。
この第5実施形態において、半導体装置500を構成する各部と本発明との対応関係は第4実施形態と同じである。
この第5実施形態において、半導体装置500を構成する各部と本発明との対応関係は第4実施形態と同じである。
(第5実施形態の効果)
本発明の第5実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。
また、ビアホール392、393にプラグ電極ではなく、下部電極31を埋め込んで、下部電極31と金属薄膜抵抗体50とを電気的に接続している。ビアホール392、393に下部電極31を隙間無く埋め込むために、第4実施形態と比べて、ビアホール392、393のアスペクト比の制約が厳しくなる。また、下部電極31の上面にはビアホール392、393の凹みに応じて段差が生じやすく、この段差に起因してMIMキャパシタの容量値にズレが生じる可能性がある。その一方で、図10(d)に示したプラグ電極373、374の形成工程が不要であるため、半導体装置の製造工程数を少なくすることができる。
(変形例)
第5実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
本発明の第5実施形態は、第1実施形態の効果(1)〜(4)と同様の効果を奏する。
また、ビアホール392、393にプラグ電極ではなく、下部電極31を埋め込んで、下部電極31と金属薄膜抵抗体50とを電気的に接続している。ビアホール392、393に下部電極31を隙間無く埋め込むために、第4実施形態と比べて、ビアホール392、393のアスペクト比の制約が厳しくなる。また、下部電極31の上面にはビアホール392、393の凹みに応じて段差が生じやすく、この段差に起因してMIMキャパシタの容量値にズレが生じる可能性がある。その一方で、図10(d)に示したプラグ電極373、374の形成工程が不要であるため、半導体装置の製造工程数を少なくすることができる。
(変形例)
第5実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例(1)(2)を適用してよい。
<その他>
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
1 半導体基板
3 素子分離層
10 MOSトランジスタ
11 ゲート絶縁膜
12 ゲート電極
13 ソース
14 ドレイン
20 第1層間絶縁膜
30 MIMキャパシタ
31 下部電極
31´ 下部電極膜
32 絶縁体
33 上部電極
40 第2層間絶縁膜
50 金属薄膜抵抗体
53 キャップ絶縁膜
60 第3層間絶縁膜
71〜74、271〜273、371〜373 プラグ電極
80 導電膜
81〜83、282、381 配線部
91〜93、291〜293、391〜393 ビアホール
100〜500 半導体装置
3 素子分離層
10 MOSトランジスタ
11 ゲート絶縁膜
12 ゲート電極
13 ソース
14 ドレイン
20 第1層間絶縁膜
30 MIMキャパシタ
31 下部電極
31´ 下部電極膜
32 絶縁体
33 上部電極
40 第2層間絶縁膜
50 金属薄膜抵抗体
53 キャップ絶縁膜
60 第3層間絶縁膜
71〜74、271〜273、371〜373 プラグ電極
80 導電膜
81〜83、282、381 配線部
91〜93、291〜293、391〜393 ビアホール
100〜500 半導体装置
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第1受動素子と、
前記第1層間絶縁膜上に形成されて前記第1受動素子を覆う第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜を介して前記第1受動素子の直上に形成された、前記第1受動素子とは異なる機能の第2受動素子と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板に形成されたトランジスタをさらに備え、
前記トランジスタの直上に第1層間絶縁膜を介して前記第1受動素子が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1受動素子はキャパシタ及び、金属膜からなる金属抵抗体のうちの一方であり、
前記第2受動素子は前記キャパシタ及び前記金属抵抗体のうちの他方であり、
前記金属抵抗体の表面を覆うキャップ絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2層間絶縁膜を貫いて前記キャパシタと前記金属抵抗体との間に配置され、一端が前記キャパシタの上部電極と電気的に接続し、他端が前記金属抵抗体と電気的に接続するプラグ電極、をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は窒化タンタルまたはニッケルクロムまたはシリコンクロムまたは窒化チタンまたはタングステンシリサイドいずれかの膜であることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1受動素子を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成して前記第1受動素子を覆う工程と、
前記第1受動素子の直上に前記第2層間絶縁膜を介して、前記第1受動素子とは異なる機能の第2受動素子を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013091538A JP2014216427A (ja) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013091538A JP2014216427A (ja) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
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ID=51941938
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JP2013091538A Pending JP2014216427A (ja) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2014216427A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106098684A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-11-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种静电防护电路 |
-
2013
- 2013-04-24 JP JP2013091538A patent/JP2014216427A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106098684A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-11-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种静电防护电路 |
CN106098684B (zh) * | 2016-08-16 | 2019-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种静电防护电路 |
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