JP5882508B2 - 研磨粒粉末 - Google Patents
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Description
・10%<Δ3−10−20<60%、および/または
・15%<Δ10−20−40<60%、および/または
・10%<Δ20−40−60<30%、および/または
・15%<Δ40−60−80<40%、および/または
・17%<Δ60−80−97<50%、
「Δn−m−p」は、比(S(Dn〜Dm)−S(Dm〜Dp))/S(Dm〜Dp)をパーセンテージで表したものであり、「S(Di〜Dj)」は、粒度分析画分Di〜Dj中の、真円度が0.85未満である粒を体積パーセンテージで表したものである
ような、研磨粒粉末を提示する。
・10%<Δ20−40−60<30%、および/または
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%、好ましくは
・10%<Δ20−40−60<30%、および
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%
である。
・15%<Δ10−20−90<60%、またはさらにΔ1O−20−40<50%
である。
・15%<Δ10−20−40<60%、またはさらにΔ1O−20−40<50%、および
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%
である。
・10%<Δ3−10−20<60%、および
・15%<Δ10−20−40<60%、および
・10%<Δ20−40−60<30%、および
・15%<Δ40−60−80<40%、および
・17%<Δ60−80−97<50%
である。
・D20〜D40粒度分析画分は、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に10%超、および/または60%未満、50%未満、またはさらに40%未満含むことができ、
・D20〜D40粒度分析画分および/またはD40〜D60粒度分析画分は、真円度が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超、20%超、および/または35%未満含むことができ、
・メジアン径D50は、60μm、30μm、または20μm未満、および/または3μm超、5μm超、8μm超、12μm超、または15μm超であってもよい。メジアン径D50は、12μm未満であってもよい。この場合、特に、D20〜D40粒度分析画分は、真円度が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超、またはさらに20%超含んでいてもよく、
・研磨粒の材料は、7GPa[ギガパスカル]よりも高い、ビッカースHV0.5タイプ微小硬度を有していてもよい。この微小硬度は、スクエアベースおよび136°に等しい面同士のピーク角を有するダイヤモンドポイントを、粒のサンプルに適用することによって作製された圧痕の、少なくとも10個の測定値の平均を用いて決定することができ、
・研磨粒は特に、重量パーセンテージで表した場合に炭化シリコンSiCを95%超含むことができ、
・D40〜D60粒度分析画分中の、真円度が0.85未満である粒の体積パーセンテージS(D40〜D60)を、メジアン径D50で割った比、即ち「R40〜60比」は、0.85超であり、0.9超であり、1.0超であり、1.1超であり、1.2超であり、1.3超であり、および/または3.5未満であり、好ましくは2未満であり、好ましくは1.5未満である。
−「粒」という用語は、粉末中のまたは支持体に固定化された、個別化された固体物質を意味する。
−明確にするために、「細長い粒」という用語は、本明細書では、真円度が0.85未満の粒に適用し、「丸い粒」は、真円度が0.85以上である粒に使用する。
−粒の「サイズ」Dpという用語は、その最大寸法dMとその最小寸法dmとの平均値: (dM+dm)/2に適用される。
−粒の「真円度」は、従来から下記の通り決定される。粒の凝集沈殿、即ち集塊が全く生じないような手法で、粒を流体中の懸濁液に取り込む。例として、本発明者らは、水酸化ナトリウム、NaOHを使用して、SiC粉末を水中に分散させた懸濁液を生成した。
−従来、「粉末の粒度の累積粒度分析分布曲線」という用語は、下記を条件として粒度分析分布曲線に適用され、
−縦座標の上方に向かって、p%というパーセンテージは、より大きなサイズの粒をp体積%有する粉末の画分を表すようなパーセンテージであり、
−横座標に沿って、粒度Dpであり、Dpは、この横座標に沿ってパーセンテージp%で表された、粉末画分中の最小の、可能性ある粒度である。
−「Dp〜Dq」という用語は、Dq以上およびDp以下のサイズを有する粒の集合を含む粒度分析画分を示す。
−「S(Dp〜Dq)」という用語は、粒度分析画分Dp〜Dq中の細長い粒の体積パーセンテージを示す。
−「Δn−m−p」という用語は、比(S(Dn〜Dm)−S(Dm〜Dp))/S(Dm〜Dp)をパーセンテージとして示す。例として、Δ3−10−20=(S(D3〜D10)−S(D10〜D20))/S(D10〜D20)である。このようにΔn−m−pは、粒度分析画分Dm〜Dpに対する粒度分析画分Dn〜Dmの細長い粒の割合が増大することを示す。
研磨粒を生成する任意の公知の方法を、丸い粒および細長い粒を生成するために使用してもよい。細長い粒を生成するには、特許文献5を特に参照すべきである。
a)好ましくは少なくともミリメートルの固形物、即ちその寸法の全てが少なくとも1mm[ミリメートル]を超えている固形物を、好ましくは反応によって、特に炭素還元、例えば炭化シリコン(SiC)を生成するためのシリカの炭素還元、静水圧プレス成形(「IP」)、高温静水圧プレス成形(「HIP」)、SPS(「スパークプラズマ焼結」)、または融合、特に電気融合によって合成するステップと、
b)前記固形物を、おそらくは破砕によって、一組の粒子に任意選択で縮小するステップと、
c)好ましくは、生成される粉末の最大粒度D0.5超であるサイズを有する粒子を、一例としてスクリーニングにより選択し、好ましくは、前記最大サイズの少なくとも2倍および/または前記最大サイズの4倍未満のサイズを有する粒子を選択するステップと、
d)ステップa)で得られた固形物、またはステップb)もしくはステップc)で得られた粒子を、好ましくは剪断応力に好ましい条件下で、特にローラ粉砕ミルを使用してミリング処理するステップと、
e)適切な場合には、ステップd)から得られ、かつ得られた粉末が本発明によるものになるように所定の粒度分析範囲内に包含される粒を、選択するステップと、
f)ステップd)で実施されたミリング処理中に導入された、全ての磁性粒子を排除するために、任意選択で磁気的に分離するステップと、
g)望ましくない化学種、例えばシリカまたは過剰な炭素を、炭化シリコン粉末(SiC)と共に排除するために、任意選択で熱または化学処理するステップと、
h)任意選択で、粉末の品質を、好ましくはサンプリングによって検証するステップと
を含む方法を使用して生成してもよい。
主な実施形態のどれを想定するかに関わらず、本発明の粒の粉末は、以下に記述する特徴の1つまたは複数、即ち前記特徴が問題となっている主な実施形態と相反することがない限り、その特徴の1つまたは複数を有していてもよい。
本発明の粉末は、特に、スラリーを生成するのに使用してもよい。
シリコンインゴットを切断するために、スラリーは従来、例えば0.06mmから0.25mmの範囲の厚さで支持ワイヤ上に配置される。
従来の切断法では、導入部で説明したように、ローラ上に案内される研磨ワイヤは連続ループ状にされ、研磨粒を再充填するためにスラリー内を通過する。このワイヤは、インゴットのスライスまたは「ウエハ」を切り取るために、典型的には長さおよび直径が200mm程度の切断されるインゴットの表面を、ラビング処理する。
炭化シリコン粒の様々な混合物について、試験をした。
得られた結果を、以下のTable 4(表4)にまとめる。
Claims (10)
- シリコンインゴットの機械加工が特に意図される研磨粒粉末であって、前記粉末は、
D40〜D60粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージを単位とした場合に15%超および80%未満含み、且つ、
10%<Δ 20−40−60 <30%であるようなものであり、
D 20 、D40およびD60のパーセンタイルは、体積パーセンテージを単位とした場合にそれぞれ20%、40%および60%で構成された粉末画分をより大きなサイズを有する粉末の粒から分離する粒度に対応した、粉末の粒度の累積粒度分析分布曲線のパーセンタイルであり、且つ、Δ n−m−p が、比(S(D n 〜D m )−S(D m 〜D p ))/S(D m 〜D p )をパーセンテージで表したものであり、S(D i 〜D j )が、粒度分析画分D i 〜D j 中の、真円度が0.85未満である粒を体積パーセンテージで表したものである、研磨粒粉末。 - 前記粉末は、D 40 〜D 60 粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージを単位とした場合に35%未満含むようなものである、請求項1に記載の粉末。
- D40〜D60粒度分析画分中の、真円度が0.85未満である粒の体積パーセンテージS(D40〜D60)を、メジアン径D50で割った比、R40〜60が、0.85超および3.5未満である、請求項1又は2に記載の粉末。
- 15%<Δ 40−60−80 <60%である、請求項1から3のいずれか一項に記載の粉末。
- D20〜D40粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超および/または60%未満含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の粉末。
- D20〜D40粒度分析画分および/またはD40〜D60粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に20%超および/または30%未満含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の粉末。
- メジアン径D50が30μm未満および/または3μm超である、請求項1から6のいずれか一項に記載の粉末。
- 研磨粒が、7GPa超であるビッカース硬度、HV0.5を有する材料から形成され、および/または重量パーセンテージで表した場合に炭化シリコンSiCを95%超含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の粉末。
- ブロック、特にシリコンのブロックを切断するための研磨ワイヤであって、支持ワイヤと、請求項1から8のいずれか一項に記載の粉末と、前記粉末の粒を前記支持ワイヤに強固にまたはその他の手法で固定する結合剤とを含む、研磨ワイヤ。
- 前記切断が完了したときに200μm未満の厚さを有するウエハが得られるように適合させた、請求項9に記載の研磨ワイヤを用いて、シリコンをベースにするブロックを切断する方法。
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