JP2011510828A - 研磨粒粉末 - Google Patents
研磨粒粉末 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011510828A JP2011510828A JP2010545535A JP2010545535A JP2011510828A JP 2011510828 A JP2011510828 A JP 2011510828A JP 2010545535 A JP2010545535 A JP 2010545535A JP 2010545535 A JP2010545535 A JP 2010545535A JP 2011510828 A JP2011510828 A JP 2011510828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- powder
- particle size
- grains
- fraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
- B24B27/0633—Grinders for cutting-off using a cutting wire
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/2927—Rod, strand, filament or fiber including structurally defined particulate matter
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
・10%<Δ3−10−20<60%、および/または
・15%<Δ10−20−40<60%、および/または
・10%<Δ20−40−60<30%、および/または
・15%<Δ40−60−80<40%、および/または
・17%<Δ60−80−97<50%、
「Δn−m−p」は、比(S(Dn〜Dm)−S(Dm〜Dp))/S(Dm〜Dp)をパーセンテージで表したものであり、「S(Di〜Dj)」は、粒度分析画分Di〜Dj中の、真円度が0.85未満である粒を体積パーセンテージで表したものである
ような、研磨粒粉末を提示する。
・10%<Δ20−40−60<30%、および/または
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%、好ましくは
・10%<Δ20−40−60<30%、および
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%
である。
・15%<Δ10−20−90<60%、またはさらにΔ1O−20−40<50%
である。
・15%<Δ10−20−40<60%、またはさらにΔ1O−20−40<50%、および
・15%<Δ40−60−80<60%、またはさらにΔ40−60−80<40%
である。
・10%<Δ3−10−20<60%、および
・15%<Δ10−20−40<60%、および
・10%<Δ20−40−60<30%、および
・15%<Δ40−60−80<40%、および
・17%<Δ60−80−97<50%
である。
・D20〜D40粒度分析画分は、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に10%超、および/または60%未満、50%未満、またはさらに40%未満含むことができ、
・D20〜D40粒度分析画分および/またはD40〜D60粒度分析画分は、真円度が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超、20%超、および/または35%未満含むことができ、
・メジアン径D50は、60μm、30μm、または20μm未満、および/または3μm超、5μm超、8μm超、12μm超、または15μm超であってもよい。メジアン径D50は、12μm未満であってもよい。この場合、特に、D20〜D40粒度分析画分は、真円度が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超、またはさらに20%超含んでいてもよく、
・研磨粒の材料は、7GPa[ギガパスカル]よりも高い、ビッカースHV0.5タイプ微小硬度を有していてもよい。この微小硬度は、スクエアベースおよび136°に等しい面同士のピーク角を有するダイヤモンドポイントを、粒のサンプルに適用することによって作製された圧痕の、少なくとも10個の測定値の平均を用いて決定することができ、
・研磨粒は特に、重量パーセンテージで表した場合に炭化シリコンSiCを95%超含むことができ、
・D40〜D60粒度分析画分中の、真円度が0.85未満である粒の体積パーセンテージS(D40〜D60)を、メジアン径D50で割った比、即ち「R40〜60比」は、0.85超であり、0.9超であり、1.0超であり、1.1超であり、1.2超であり、1.3超であり、および/または3.5未満であり、好ましくは2未満であり、好ましくは1.5未満である。
−「粒」という用語は、粉末中のまたは支持体に固定化された、個別化された固体物質を意味する。
−明確にするために、「細長い粒」という用語は、本明細書では、真円度が0.85未満の粒に適用し、「丸い粒」は、真円度が0.85以上である粒に使用する。
−粒の「サイズ」Dpという用語は、その最大寸法dMとその最小寸法dmとの平均値: (dM+dm)/2に適用される。
−粒の「真円度」は、従来から下記の通り決定される。粒の凝集沈殿、即ち集塊が全く生じないような手法で、粒を流体中の懸濁液に取り込む。例として、本発明者らは、水酸化ナトリウム、NaOHを使用して、SiC粉末を水中に分散させた懸濁液を生成した。
−従来、「粉末の粒度の累積粒度分析分布曲線」という用語は、下記を条件として粒度分析分布曲線に適用され、
−縦座標の上方に向かって、p%というパーセンテージは、より大きなサイズの粒をp体積%有する粉末の画分を表すようなパーセンテージであり、
−横座標に沿って、粒度Dpであり、Dpは、この横座標に沿ってパーセンテージp%で表された、粉末画分中の最小の、可能性ある粒度である。
−「Dp〜Dq」という用語は、Dq以上およびDp以下のサイズを有する粒の集合を含む粒度分析画分を示す。
−「S(Dp〜Dq)」という用語は、粒度分析画分Dp〜Dq中の細長い粒の体積パーセンテージを示す。
−「Δn−m−p」という用語は、比(S(Dn〜Dm)−S(Dm〜Dp))/S(Dm〜Dp)をパーセンテージとして示す。例として、Δ3−10−20=(S(D3〜D10)−S(D10〜D20))/S(D10〜D20)である。このようにΔn−m−pは、粒度分析画分Dm〜Dpに対する粒度分析画分Dn〜Dmの細長い粒の割合が増大することを示す。
研磨粒を生成する任意の公知の方法を、丸い粒および細長い粒を生成するために使用してもよい。細長い粒を生成するには、特許文献5を特に参照すべきである。
a)好ましくは少なくともミリメートルの固形物、即ちその寸法の全てが少なくとも1mm[ミリメートル]を超えている固形物を、好ましくは反応によって、特に炭素還元、例えば炭化シリコン(SiC)を生成するためのシリカの炭素還元、静水圧プレス成形(「IP」)、高温静水圧プレス成形(「HIP」)、SPS(「スパークプラズマ焼結」)、または融合、特に電気融合によって合成するステップと、
b)前記固形物を、おそらくは破砕によって、一組の粒子に任意選択で縮小するステップと、
c)好ましくは、生成される粉末の最大粒度D0.5超であるサイズを有する粒子を、一例としてスクリーニングにより選択し、好ましくは、前記最大サイズの少なくとも2倍および/または前記最大サイズの4倍未満のサイズを有する粒子を選択するステップと、
d)ステップa)で得られた固形物、またはステップb)もしくはステップc)で得られた粒子を、好ましくは剪断応力に好ましい条件下で、特にローラ粉砕ミルを使用してミリング処理するステップと、
e)適切な場合には、ステップd)から得られ、かつ得られた粉末が本発明によるものになるように所定の粒度分析範囲内に包含される粒を、選択するステップと、
f)ステップd)で実施されたミリング処理中に導入された、全ての磁性粒子を排除するために、任意選択で磁気的に分離するステップと、
g)望ましくない化学種、例えばシリカまたは過剰な炭素を、炭化シリコン粉末(SiC)と共に排除するために、任意選択で熱または化学処理するステップと、
h)任意選択で、粉末の品質を、好ましくはサンプリングによって検証するステップと
を含む方法を使用して生成してもよい。
主な実施形態のどれを想定するかに関わらず、本発明の粒の粉末は、以下に記述する特徴の1つまたは複数、即ち前記特徴が問題となっている主な実施形態と相反することがない限り、その特徴の1つまたは複数を有していてもよい。
本発明の粉末は、特に、スラリーを生成するのに使用してもよい。
シリコンインゴットを切断するために、スラリーは従来、例えば0.06mmから0.25mmの範囲の厚さで支持ワイヤ上に配置される。
従来の切断法では、導入部で説明したように、ローラ上に案内される研磨ワイヤは連続ループ状にされ、研磨粒を再充填するためにスラリー内を通過する。このワイヤは、インゴットのスライスまたは「ウエハ」を切り取るために、典型的には長さおよび直径が200mm程度の切断されるインゴットの表面を、ラビング処理する。
炭化シリコン粒の様々な混合物について、試験をした。
得られた結果を、以下のTable 4(表4)にまとめる。
Claims (19)
- シリコンインゴットの機械加工が特に意図される研磨粒粉末であって、前記粉末は、D40〜D60粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージを単位とした場合に15%超および80%未満含むようなものであり、D40およびD60のパーセンタイルは、体積パーセンテージを単位とした場合にそれぞれ40%および60%で構成された粉末画分をより大きなサイズを有する粉末の粒から分離する粒度に対応した、粉末の粒度の累積粒度分析分布曲線のパーセンタイルである、研磨粒粉末。
- D40〜D60粒度分析画分中の、真円度が0.85未満である粒の体積パーセンテージS(D40〜D60)を、メジアン径D50で割った比、R40〜60が、0.85超および3.5未満である、請求項1に記載の粉末。
- D40〜D60粒度分析画分中の、真円度が0.85未満である粒の体積パーセンテージS(D40〜D60)を、メジアン径D50で割った比、R40〜60が、0.85超および2.0未満である、請求項2に記載の粉末。
- 10%<Δ20−40−60<30%、または
15%<Δ40−60−80<60%であり、
Δn−m−pが、比(S(Dn〜Dm)−S(Dm〜Dp))/S(Dm〜Dp)をパーセンテージで表したものであり、
S(Di〜Dj)が、粒度分析画分Di〜Dj中の、真円度が0.85未満である粒を体積パーセンテージで表したものである、
請求項1から3のいずれか一項に記載の粉末。 - 10%<Δ20−40−60<30%、および
15%<Δ40−60−80<60%である、
請求項1から3のいずれか一項に記載の粉末。 - D20〜D40粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に15%超含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の粉末。
- D20〜D40粒度分析画分および/またはD40〜D60粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に20%超含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の粉末。
- D20〜D40粒度分析画分および/またはD40〜D60粒度分析画分が、真円度が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に30%未満含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の粉末。
- メジアン径D50が30μm未満である、請求項1から8のいずれか一項に記載の粉末。
- メジアン径D50が20μm未満である、請求項9に記載の粉末。
- メジアン径D50が3μm超である、請求項1から10のいずれか一項に記載の粉末。
- メジアン径D50が5μm超である、請求項11に記載の粉末。
- 研磨粒が、7GPa超であるビッカース硬度、HV0.5を有する材料から形成される、請求項1から12のいずれか一項に記載の粉末。
- 研磨粒が、重量パーセンテージで表した場合に炭化シリコンSiCを95%超含む、請求項13に記載の粉末。
- D40〜D60粒度分析画分が、真円度(S)が0.85未満である粒を、体積パーセンテージで表した場合に50%未満含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の粉末。
- ブロック、特にシリコンのブロックを切断するための研磨ワイヤであって、支持ワイヤと、請求項1から15のいずれか一項に記載の粉末と、前記粉末の粒を前記支持ワイヤに強固にまたはその他の手法で固定する結合剤とを含む、研磨ワイヤ。
- 前記切断が完了したときに200μm未満の厚さを有するウエハが得られるように適合させた、請求項16に記載の研磨ワイヤを用いて、シリコンをベースにするブロックを切断する方法。
- 前記切断が完了したときに150μm未満の厚さを有するウエハが得られるように適合させた、請求項17に記載の方法。
- ウエハの厚さが100μm以下である、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0850776A FR2927272B1 (fr) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | Poudre de grains abrasifs. |
PCT/FR2009/050186 WO2009101339A2 (fr) | 2008-02-07 | 2009-02-06 | Poudre de grains abrasifs |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015014079A Division JP5882508B2 (ja) | 2008-02-07 | 2015-01-28 | 研磨粒粉末 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011510828A true JP2011510828A (ja) | 2011-04-07 |
Family
ID=39832485
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545535A Pending JP2011510828A (ja) | 2008-02-07 | 2009-02-06 | 研磨粒粉末 |
JP2015014079A Active JP5882508B2 (ja) | 2008-02-07 | 2015-01-28 | 研磨粒粉末 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015014079A Active JP5882508B2 (ja) | 2008-02-07 | 2015-01-28 | 研磨粒粉末 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8002861B2 (ja) |
EP (1) | EP2252432B1 (ja) |
JP (2) | JP2011510828A (ja) |
KR (1) | KR101553291B1 (ja) |
CN (1) | CN101939137B (ja) |
CA (1) | CA2715053C (ja) |
ES (1) | ES2417204T3 (ja) |
FR (1) | FR2927272B1 (ja) |
MY (1) | MY157494A (ja) |
RU (1) | RU2481187C2 (ja) |
UA (1) | UA100256C2 (ja) |
WO (1) | WO2009101339A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012533172A (ja) * | 2009-07-09 | 2012-12-20 | サン−ゴバン サントル ド レシェルシュ エ デテュド ユーロペアン | 砥粒の懸濁物 |
JP2019119663A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-22 | 太平洋セメント株式会社 | SiC粉末及びこれを用いたSiC単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8088699B2 (en) * | 2008-02-13 | 2012-01-03 | Saint-Gobain Centre De Recherches Et D'etudes Europeen | BSAS powder |
TWI453273B (zh) * | 2011-11-07 | 2014-09-21 | Uwiz Technology Co Ltd | 研漿組成物及其用途 |
CN102528957A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-04 | 常州天合光能有限公司 | 回收砂浆质量的判断方法 |
CN103387795B (zh) * | 2012-05-11 | 2015-04-29 | 协鑫阿特斯(苏州)光伏科技有限公司 | 抛光膏及硅锭的抛光方法 |
TWI546158B (zh) * | 2013-12-20 | 2016-08-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 低磁性化學機械研磨修整器 |
CN106271898A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-04 | 广西华银铝业有限公司 | 一种石英片的清洁方法 |
JP6604313B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2019-11-13 | 株式会社Sumco | 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 |
CN115533770A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 圣戈班磨料磨具有限公司 | 磨料制品及其形成方法 |
WO2023130051A1 (en) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive articles and methods of forming same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005039174A (ja) * | 2002-11-28 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 砥粒およびそれを用いた半導体ブロックのスライス方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1689089A1 (ru) * | 1989-04-04 | 1991-11-07 | Черновицкое Отделение Института Проблем Материаловедения Ан Усср | Способ струнной резки полупроводниковых кристаллов |
US5103598A (en) * | 1989-04-28 | 1992-04-14 | Norton Company | Coated abrasive material containing abrasive filaments |
BR9408041A (pt) * | 1993-11-12 | 1996-12-24 | Minnesota Mining & Mfg | Processo para preparação de grão abrasivo à base de alumina alfa cerâmico cristalino grão abrasivo e artigo abrasivo |
MY120514A (en) | 1996-03-26 | 2005-11-30 | Shinetsu Handotai Kk | Wire saw and method of slicing a cylindrical workpiece |
JPH10180608A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | ワイヤソ−装置用スラリ−およびスラリ−用砥粒 |
RU2155131C2 (ru) * | 1998-09-11 | 2000-08-27 | Ульяновский государственный технический университет | Способ резки монокристаллов кремния |
US6110241A (en) * | 1999-08-06 | 2000-08-29 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Abrasive grain with improved projectability |
JP2003041240A (ja) * | 2001-05-23 | 2003-02-13 | Fujimi Inc | 切断砥粒およびそれを含む切断用組成物、ならびにその組成物を用いたシリコンウェーファーの製造法 |
US7306508B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-wire saw |
KR20070004073A (ko) | 2004-03-30 | 2007-01-05 | 솔라익스 인코퍼레이티드 | 초박형 실리콘 웨이퍼 절단방법 및 장치 |
CN1739915A (zh) * | 2005-09-08 | 2006-03-01 | 大连理工大学 | 化学机械抛光用抛光垫的制备方法 |
KR20110076924A (ko) * | 2008-09-16 | 2011-07-06 | 다이아몬드 이노베이션즈, 인크. | 특유의 형태를 갖는 연마제 입자 |
JPWO2013047678A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | 株式会社安永 | 微細粒子製造方法 |
TWI483803B (zh) * | 2012-06-29 | 2015-05-11 | Saint Gobain Abrasives Inc | 在工件上進行切割操作之方法 |
-
2008
- 2008-02-07 FR FR0850776A patent/FR2927272B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-06 CA CA2715053A patent/CA2715053C/fr active Active
- 2009-02-06 MY MYPI2010003714A patent/MY157494A/en unknown
- 2009-02-06 RU RU2010136169/02A patent/RU2481187C2/ru active
- 2009-02-06 ES ES09710857T patent/ES2417204T3/es active Active
- 2009-02-06 EP EP09710857.5A patent/EP2252432B1/fr active Active
- 2009-02-06 CN CN200980104262XA patent/CN101939137B/zh active Active
- 2009-02-06 US US12/865,554 patent/US8002861B2/en active Active
- 2009-02-06 KR KR1020107019628A patent/KR101553291B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-06 JP JP2010545535A patent/JP2011510828A/ja active Pending
- 2009-02-06 WO PCT/FR2009/050186 patent/WO2009101339A2/fr active Application Filing
- 2009-06-02 UA UAA201009814A patent/UA100256C2/uk unknown
-
2015
- 2015-01-28 JP JP2015014079A patent/JP5882508B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005039174A (ja) * | 2002-11-28 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 砥粒およびそれを用いた半導体ブロックのスライス方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012533172A (ja) * | 2009-07-09 | 2012-12-20 | サン−ゴバン サントル ド レシェルシュ エ デテュド ユーロペアン | 砥粒の懸濁物 |
JP2019119663A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-22 | 太平洋セメント株式会社 | SiC粉末及びこれを用いたSiC単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015110267A (ja) | 2015-06-18 |
RU2010136169A (ru) | 2012-03-20 |
CN101939137A (zh) | 2011-01-05 |
JP5882508B2 (ja) | 2016-03-09 |
EP2252432A2 (fr) | 2010-11-24 |
KR101553291B1 (ko) | 2015-09-15 |
FR2927272B1 (fr) | 2010-05-21 |
CN101939137B (zh) | 2013-09-18 |
US20110100346A1 (en) | 2011-05-05 |
CA2715053A1 (fr) | 2009-08-20 |
UA100256C2 (uk) | 2012-12-10 |
CA2715053C (fr) | 2016-05-24 |
MY157494A (en) | 2016-06-15 |
US8002861B2 (en) | 2011-08-23 |
WO2009101339A2 (fr) | 2009-08-20 |
WO2009101339A3 (fr) | 2009-10-15 |
FR2927272A1 (fr) | 2009-08-14 |
ES2417204T3 (es) | 2013-08-06 |
RU2481187C2 (ru) | 2013-05-10 |
KR20100111316A (ko) | 2010-10-14 |
EP2252432B1 (fr) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5882508B2 (ja) | 研磨粒粉末 | |
CN112334434B (zh) | 多晶立方氮化硼及其制造方法 | |
CA2675959A1 (en) | Cutting tool | |
RU2529856C2 (ru) | Суспензия абразивных зерен | |
EP3369717B1 (en) | Composite polycrystal and method for manufacturing same | |
EP1615746B1 (en) | Multi-carbide material manufacture and use | |
TWI690488B (zh) | 鑽石多晶體及具備其之工具 | |
CN105324458A (zh) | 基于共晶氧化铝氧化锆的磨粒 | |
JP6164796B2 (ja) | 融解アルミナ/ジルコニア粒子混合物 | |
KR20230067658A (ko) | 다이아몬드 소결체, 및 다이아몬드 소결체를 구비하는 공구 | |
JP2015030816A (ja) | 砥粒、研磨用スラリー、ワイヤーソー、結合体および砥粒の製造方法 | |
Clauß et al. | Influence of SiC particle volume fraction and texture on the surface properties in milling of AMCs with MCD-tipped tools | |
dos Passos et al. | Influence of the addition of niobium oxide on the properties of fused aluminum oxide used in abrasive tools | |
KR20230117413A (ko) | 알루미나 기반 융합된 그레인 | |
JPH05311313A (ja) | Wc基超硬合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140422 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141006 |