JP5877818B2 - 光走査装置、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、光束により被走査体を走査する光走査装置、及びそれを備えた画像形成装置に関する。

例えば、電子写真方式の画像形成装置では、感光体（被走査体）表面を均一に帯電させてから、光束により感光体表面を走査して、静電潜像を感光体表面に形成し、トナーにより感光体表面の静電潜像を現像して、感光体表面にトナー像を形成し、トナー像を感光体から記録用紙に転写している。

光束による感光体表面の走査は、光走査装置により行われる。この光走査装置では、光束を出射する半導体レーザ等の発光素子、光束を反射するポリゴンミラーや複数の反射ミラー、及び光束を偏向するｆθレンズ等の複数のレンズを備え、半導体レーザの光束をポリゴンミラー、反射ミラー、及び各レンズ等の光学部材により感光体表面へと導き、光束により感光体表面を走査して、感光体表面に静電潜像を形成する。

このような光走査装置において、発光素子から出射される光束が直線偏光である場合は、ポリゴンミラーや反射ミラーの反射面に対して光束がＰ偏光成分を多く含むことがあり、また反射面に対する光束の入射角及び反射角に応じてＰ偏光の反射率が大きく変化するため、感光体表面における光束の入射光量分布に片寄りが生じることがある。

また、直線偏光であるそれぞれの光束を出射する複数の発光点を有する発光素子、所謂マルチビームを出射する発光素子を採用している場合は、発光素子を回転させることにより感光体表面上の各光束の入射間隔を調節しているが、発光素子の回転により各光束の直線偏光の偏光方向（電場の振動方向）が変化するため、ポリゴンミラーや反射ミラーの反射面に対する各光束のＰ偏光成分の割合が増大して、感光体表面における各光束の入射光量分布の片寄りがより大きくなることがある。

例えば、特許文献１では、マルチビームを出射する発光素子を用い、発光素子を回転させて、各光束の直線偏光の偏光方向を変化させ、光学部材の面を経由した各光束のＳ偏光成分とＰ偏光成分との比率を変化させて、各光束の光量を調節している。

しかしながら、ここでも、発光素子を単に回転させているだけなので、光束の直線偏光の偏光方向が変化し、光学部材の面に対する光束のＰ偏光成分の割合が増大して、感光体表面における光束の入射光量分布の片寄りがより大きくなることがある。

特開２００２−３１１３６０号公報

このように発光素子から出射された光束が直線偏光である場合は、ポリゴンミラーや反射ミラーの反射面に対する光束の入射角及び反射角に応じてＰ偏光の反射率が大きく変化するため、感光体表面における光束の入射光量分布に片寄りが生じることがある。

また、マルチビームを出射する発光素子を回転させて、感光体表面上の各光束の入射間隔を調節したり、特許文献１のように発光素子を回転させて、光束の直線偏光の偏光方向を意図的に変化させたりすると、ポリゴンミラーや反射ミラーの反射面に対する光束のＰ偏光成分が増大して、各光束の反射率がより大きく変化し、感光体表面における光束の入射光量分布の片寄りがより大きくなることがある。

一方、そのような感光体表面における光束の入射光量分布の片寄りは、発光素子の制御により補正したり、あるいは光束が透過するガラス板を設け、ガラス板の透過率を光束の走査方向の位置に応じて変更したりすることにより補正可能である。しかしながら、そのような制御やガラス板は、光走査装置の構造の複雑化及びコスト上昇をもたらす。

そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、直線偏光を含む光束を出射する発光素子を回転させても、被走査体表面における光束の入射光量分布の片寄りを抑えることが可能な光走査装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の光走査装置は、それぞれの光束を出射する複数の発光点を有する第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から出射された各光束を反射して偏向させる偏向部と、前記偏向部で反射されて偏向された前記各光束を反射するそれぞれの反射ミラーとを備え、前記第１発光素子及び前記各反射ミラーの一方と前記第２発光素子及び前記各反射ミラーの他方とを前記偏向部の回転軸を通る仮想配置中心線の両側に振り分けて配置し、前記偏向部及び前記各反射ミラーを経由した前記各光束によりそれぞれの被走査体を走査する光走査装置であって、前記第１発光素子および前記第２発光素子から出射される各光束は、前記偏向部および前記反射ミラーの反射面と直交する入射面に対して、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とを含み、前記各反射ミラー別に、前記各光束による前記被走査体の走査期間において前記偏向部により偏向される前記各光束の走査偏向範囲を、前記偏向部に対する前記各光束の反射角が小さい方の第１偏向範囲と前記反射角が大きい方の第２偏向範囲とに区分すると、前記各光束のＰ偏光の反射率は、前記第１偏向範囲で大きくなり、前記第２偏向範囲で小さくなり、前記各光束のＳ偏光の反射率は、前記第１偏向範囲および前記第２偏向範囲のいずれにおいても略一定となり、前記各反射ミラーのいずれについても、前記第１偏向範囲で偏向されている前記各光束を反射するときよりも、前記第２偏向範囲で偏向されている前記各光束を反射するときに、前記反射ミラーの反射率がより大きくなるように設定され、前記第１発光素子から出射される前記各光束の偏光方向と前記第２発光素子から出射される前記各光束の偏光方向とは、前記偏向部の回転軸および前記仮想配置中心線で示される平面に対して、互いに逆向きに傾斜するように対称に設定されていることを特徴とする。

このような本発明の光走査装置では、偏向部や反射ミラーの反射面に対して入射して反射される光束を含む入射面（反射面と直交する面）を定義すると、光束の偏光方向が入射面に対して垂直である場合は、偏向部や反射ミラーの反射面に対して光束がＳ偏光成分のみとなる。また、光束の偏光方向が入射面に対して傾斜している場合は、偏向部や反射ミラーの反射面に対して光束がＳ偏光成分及びＰ偏光成分を含む。そして、Ｓ偏光の反射率は、反射面に対する光束の入射角及び反射角にかかわらず略一定であり、またＰ偏光の反射率は、反射面に対する光束の入射角及び反射角に応じて大きく変化する。

また、第１偏向範囲では、偏向部に対する各光束の反射角が小さく、また第２偏向範囲では、偏向部に対する各光束の反射角が大きくなる。このため、偏向部の反射面と直交する入射面に対して光束がＳ偏光成分及びＰ偏光成分を含む場合は、各光束のＰ偏光の反射率は、反射角が小さな第１偏向範囲で大きくなり、反射角が大きな第２偏向範囲で小さくなる。また、各光束のＳ偏光の反射率は、第１及び第２偏向範囲のいずれにおいても略一定となる。従って、偏向部での各光束の反射率は、第１偏向範囲で大きくなり、第２偏向範囲で小さくなる。

一方、本発明の光走査装置では、第１偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときよりも第２偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときに反射ミラーの反射率がより大きくなるように、各光束の偏光方向を設定している。従って、反射ミラーの各光束の反射率は、第１偏向範囲で小さくなり、第２偏向範囲で大きくなる。

この結果、偏向部の反射率分布の片寄りと反射ミラーの反射率分布の片寄りとが相殺され、被走査体表面における各光束の入射光量分布が概ね均一となる。

さらに、偏向部の回転軸を通る仮想配置中心線に対して、第１発光素子及び各反射ミラーの一方と第２発光素子及び各反射ミラーの他方とを対称配置していることから、各反射ミラーのいずれについても、第１偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときよりも第２偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときに反射ミラーの反射率がより大きくなるように、第１及び第２発光素子を回転させて、各光束の偏光方向を設定すると、第１発光素子の各光束の偏光方向と第２発光素子の各光束の偏光方向とが偏向部の回転軸に対して互いに対称となる。

例えば、前記第１発光素子から出射される前記各光束の偏光方向と前記第２発光素子から出射される前記各光束の偏光方向とが前記偏向部の回転軸に対して互いに逆向きに傾斜する。

また、本発明の光走査装置においては、前記反射ミラーに対して入射する前記光束と反射される該光束とのなす角度が鈍角である。

この場合は、各光束を反射するときに反射ミラーの反射率がより大きく低下するので、本発明の適用がより有効となる。

また、本発明の光走査装置においては、前記第１発光素子の各発光点の光束の偏光方向が同一であり、前記第２発光素子の各発光点の光束の偏光方向が同一である。更に、前記第１発光素子および前記第２発光素子の少なくとも一方が回転されて、前記少なくとも一方の各発光点の配列方向が前記偏向部の回転軸に対して傾斜されることにより、前記被走査体上の前記少なくとも一方の各発光点の光束の入射間隔が設定される。

例えば、前記各発光点の光束の入射間隔は、前記被走査体上において前記各光束の偏光方向と直交する方向の間隔である。

それぞれの光束を出射する複数の発光点を有する発光素子を用いる場合は、発光素子を回転させることにより被走査体上の各光束の入射間隔を調節するため、発光素子を回転させても、被走査体表面における各光束の入射光量分布が概ね均一となる本発明の適用が有効である。

一方、本発明の画像形成装置は、上記本発明の光走査装置を備え、前記光走査装置により被走査体上に潜像を形成し、前記被走査体上の潜像を可視像に現像して、前記可視像を前記被走査体から用紙に転写形成する。

このような本発明の画像形成装置でも、上記本発明の光走査装置と同様の作用効果を奏する。

本発明によれば、第１偏向範囲では、偏向部に対する各光束の反射角が小さく、また第２偏向範囲では、偏向部に対する各光束の反射角が大きくなる。このため、偏向部の反射面と直交する入射面に対して光束がＳ偏光成分及びＰ偏光成分を含む場合は、各光束のＰ偏光の反射率は、反射角が小さな第１偏向範囲で大きくなり、反射角が大きな第２偏向範囲で小さくなる。また、各光束のＳ偏光の反射率は、第１及び第２偏向範囲のいずれにおいても略一定となる。従って、偏向部での各光束の反射率は、第１偏向範囲で大きくなり、第２偏向範囲で小さくなる。

一方、本発明の光走査装置では、第１偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときよりも第２偏向範囲で偏向されている各光束を反射するときに反射ミラーの反射率がより大きくなるように、発光素子を回転させて、各光束の偏光方向を設定している。従って、反射ミラーの各光束の反射率は、第１偏向範囲で小さくなり、第２偏向範囲で大きくなる。

この結果、偏向部の反射率分布の片寄りと反射ミラーの反射率分布の片寄りとが相殺され、被走査体表面における各光束の入射光量分布が概ね均一となる。

本発明の光走査装置を備えた画像形成装置を示す断面図である。 光走査装置の筐体の内部を斜め上方から視て示す斜視図であって、上蓋を外した状態を示している。 光走査装置の複数の光学部材を抽出して示す斜視図であり、図２の背面側から視た状態を示している。 光走査装置の複数の光学部材を抽出して示す平面図である。 光走査装置の複数の光学部材を抽出して示す側面図である。 半導体レーザを概念的に示す斜視図である。 反射面、反射面に対して入射して反射される光束を含む入射面を模式的に示す斜視図である。 反射面に対する光束の入射角又は反射角に応じて変化するＳ偏光及びＰ偏光の反射率特性を示すグラフである。 半導体レーザから出射された光束、ポリゴンミラー、及び反射ミラーを模式的に示す平面図である。 半導体レーザから出射された光束、ポリゴンミラー、及び反射ミラーを模式的に示す側面図である。 第１実施形態における半導体レーザの発光面の回転位置、光束の偏光方向、ポリゴンミラーの反射面、ポリゴンミラーの反射面の反射率分布、反射ミラーの反射面、反射ミラーの反射面の反射率分布、及び感光体ドラムの表面の入射光量分布等を示す図表である。 半導体レーザの回転方向を逆にした場合について、図１１と同様の項目を示す図表である。 第２実施形態における他の半導体レーザについて、図１１と同様の項目を示す図表である。 各半導体レーザの光束の偏光方向を模式的に示す平面図である。 第３実施形態における各半導体レーザの光束の偏光方向の変形例を模式的に示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき説明する。

図１は、本発明の光走査装置を備えた画像形成装置を示す断面図である。この画像形成装置１においては、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各色を用いたカラー画像、又は単色（例えばブラック）を用いたモノクロ画像を記録用紙に印刷する。このため、現像装置１２、感光体ドラム１３、ドラムクリーニング装置１４、及び帯電装置１５等は、各色に応じた４種類のトナー像を形成するためにそれぞれ４個ずつ設けられ、それぞれがブラック、シアン、マゼンタ、及びイエローに対応付けられて、４つの画像ステーションＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄが構成されている。

各画像ステーションＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄのいずれにおいても、ドラムクリーニング装置１４により感光体ドラム１３表面の残留トナーを除去及び回収した後、帯電装置１５により感光体ドラム１３の表面を所定の電位に均一に帯電させ、光走査装置１１により感光体ドラム１３表面を露光して、その表面に静電潜像を形成し、現像装置１２により感光体ドラム１３表面の静電潜像を現像して、感光体ドラム１３表面にトナー像を形成する。これにより、各感光体ドラム１３表面に各色のトナー像が形成される。

引き続いて、中間転写ベルト２１を矢印方向Ｃに周回移動させつつ、ベルトクリーニング装置２２により中間転写ベルト２１の残留トナーを除去及び回収した後、各感光体ドラム１３表面の各色のトナー像を中間転写ベルト２１に順次転写して重ね合わせ、中間転写ベルト２１上にカラーのトナー像を形成する。

中間転写ベルト２１と２次転写装置２３の転写ローラ２３ａとの間にはニップ域が形成されており、Ｓ字状の用紙搬送経路Ｒ１を通じて搬送されて来た記録用紙をそのニップ域に挟み込んで搬送しつつ、中間転写ベルト２１表面のカラーのトナー像を記録用紙上に転写する。そして、定着装置１７の加熱ローラ２４と加圧ローラ２５との間に記録用紙を挟み込んで加熱及び加圧し、記録用紙上のカラーのトナー像を定着させる。

一方、記録用紙は、ピックアップローラ３３により給紙カセット１８から引出されて、用紙搬送経路Ｒ１を通じて搬送され、２次転写装置２３や定着装置１７を経由し、排紙ローラ３６を介して排紙トレイ３９へと搬出される。この用紙搬送経路Ｒ１には、記録用紙を一旦停止させて、記録用紙の先端を揃えた後、中間転写ベルト２１と転写ローラ２３ａ間のニップ域でのトナー像の転写タイミングに合わせて記録用紙の搬送を開始するレジストローラ３４、及び記録用紙の搬送を促す搬送ローラ３５等が配置されている。

次に、光走査装置１１の構成を、図２乃至図５を用いて詳細に説明する。図２は、図１の光走査装置１１の筐体４１の内部を斜め上方から視て示す斜視図であって、上蓋を外した状態を示している。また、図３は、光走査装置１１の複数の光学部材を抽出して示す斜視図であり、図２の背面側から視た状態を示している。更に、図４及び図５は、光走査装置１１の複数の光学部材を抽出して示す平面図及び側面図である。尚、図５には、光走査装置１１外側に配置された各感光体ドラム１３も示されている。

筐体４１は、矩形状の底板４１ａ及び底板４１ａを囲む４つの側板４１ｂ、４１ｃを有している。底板４１ａの略中央には、平面視すると正方形のポリゴンミラー４２が配置されている。また、底板４１ａの略中央にポリゴンモータ４３が固定され、ポリゴンモータ４３の回転軸にポリゴンミラー４２の回転中心が接続固定され、ポリゴンモータ４３によりポリゴンミラー４２が回転される。

また、筐体４１の１つの側板４１ｂの外側には、２個の第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び２個の第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ（合計４個の半導体レーザ）を搭載した駆動基板４６が固定されている。各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂは、側板４１ｂに形成されたそれぞれの孔を通じて筐体４１の内側を臨む。

各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂと各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂとは、ポリゴンミラー４２の回転中心を通って主走査方向Ｘに延びる仮想配置中心線Ｍを想定すると、仮想配置中心線Ｍを中心にして対称に配置されている。尚、主走査方向Ｘと直交する方向を副走査方向Ｙとし、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙと直交する方向（ポリゴンモータ４３の回転軸の長手方向）を高さ方向Ｚとする。

駆動基板４６は、平板状のプリント基板であって、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂを駆動する回路を有している。各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂは、平板状のプリント基板に搭載されることにより概ね同一の平面（ＹＺ平面）上に配置され、またその平面に対しては垂直方向（主走査方向Ｘ）にかつ筐体４１の内側向きにそれぞれの光束Ｌ１〜Ｌ４を出射する。

図２乃至図５においては、各光束Ｌ１〜Ｌ４がそれぞれ１本の一点鎖線で示されているが、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂからは直線偏光である２本の光束（マルチビーム）が出射される。従って、各光束Ｌ１〜Ｌ４を示すそれぞれの一点鎖線別に、一点鎖線と平行な２本の光束が存在する。

駆動基板４６（ＹＺ平面）上では、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂが副走査方向Ｙ及び高さ方向Ｚにおいて互いに異なる位置に配置され、同様に各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂも副走査方向Ｙ及び高さ方向Ｚにおいて互いに異なる位置に配置されている。

また、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの光束Ｌ１、Ｌ２をポリゴンミラー４２へと導く第１入射光学系５１と、各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの光束Ｌ３、Ｌ４をポリゴンミラー４２へと導く第２入射光学系５２とを設けている。第１入射光学系５１は、２個のコリメータレンズ５３ａ、５３ｂ、２個のアパーチャー５４、第１半導体レーザ４４ａと同一高さに配置された２個のミラー５５ａ、５５ｂ、及びシリンドリカルレンズ５６等からなる。同様に、第２入射光学系５２は、２個のコリメータレンズ５７ａ、５７ｂ、２個のアパーチャー５８、第２半導体レーザ４５ｂと同一高さに配置された２個のミラー５９ａ、５９ｂ、及びシリンドリカルレンズ５６等からなる。第１入射光学系５１の各コリメータレンズ５３ａ、５３ｂ、各アパーチャー５４、及び各ミラー５５ａ、５５ｂと、第２入射光学系５２の各コリメータレンズ５７ａ、５７ｂ、各アパーチャー５８、及び各ミラー５９ａ、５９ｂとは、仮想配置中心線Ｍを中心にして対称に配置されている。また、仮想配置中心線Ｍは、シリンドリカルレンズ５６の中心を通っており、仮想配置中心線Ｍにより区分されるシリンドリカルレンズ５６の片側半分が第１入射光学系５１に配置され、シリンドリカルレンズ５６の他の片側半分が第２入射光学系５２に配置されている。

更に、ポリゴンミラー４２で反射された各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの光束Ｌ１、Ｌ２をブラック及びシアンに対応する２つの感光体ドラム１３へと導く第１結像光学系６１と、ポリゴンミラー４２で反射された各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの光束Ｌ３、Ｌ４をマゼンタ及びイエローに対応する２つの感光体ドラム１３へと導く第２結像光学系６２とを設けている。第１結像光学系６１は、ｆθレンズ６３及び４つの各反射ミラー６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ等からなる。同様に、第２結像光学系６２は、ｆθレンズ６５及び４つの各反射ミラー６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ等からなる。第１結像光学系６１のｆθレンズ６３及び各反射ミラー６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄと、第２結像光学系６２のｆθレンズ６５及び各反射ミラー６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄとは、仮想配置中心線Ｍを中心にして対称に配置されている。

また、第１結像光学系６１側にＢＤミラー７１、及びＢＤセンサ７２を搭載したＢＤ基板７３を設け、第２結像光学系６２側にもＢＤミラー７４、及びＢＤセンサ７５を搭載したＢＤ基板７６を設けている。第１結像光学系６１側のＢＤミラー７１及びＢＤセンサ７２と、第２結像光学系６２側のＢＤミラー７４及びＢＤセンサ７５とは、仮想配置中心線Ｍを中心にして対称に配置されている。

次に、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの光束Ｌ１、Ｌ２がそれぞれの感光体ドラム１３に入射するまでの各光路、及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの光束Ｌ３、Ｌ４がそれぞれの感光体ドラム１３に入射するまでの各光路について説明する。

まず、第１入射光学系５１において、第１半導体レーザ４４ａの光束Ｌ１は、コリメータレンズ５３ａを透過して平行光にされ、アパーチャー５４で絞られて、各ミラー５５ａ、５５ｂに入射して反射され、シリンドリカルレンズ５６を透過してポリゴンミラー４２の反射面４２ａに入射する。また、第１半導体レーザ４４ｂの光束Ｌ２は、コリメータレンズ５３ｂを透過して平行光にされ、アパーチャー５４で絞られて、ミラー５５ｂの下方（高さ方向Ｚの下向き）の空きスペースＥを通過し、シリンドリカルレンズ５６を透過してポリゴンミラー４２の反射面４２ａに入射する。シリンドリカルレンズ５６は、高さ方向Ｚのみについて、各光束Ｌ１、Ｌ２をポリゴンミラー４２の反射面４２ａで略収束するように集光して出射する。

ここで、駆動基板４６（ＹＺ平面）上では各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂが高さ方向Ｚにおいて互いに異なる位置に配置されているものの、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの光束Ｌ１、Ｌ２の出射方向又は各ミラー５５ａ、５５ｂの向きの設定により、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａ上で各光束Ｌ１、Ｌ２の入射スポットが略重なるようにされている。このため、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの光束Ｌ１、Ｌ２が斜め上方向及び斜め下方向からポリゴンミラー４２の反射面４２ａへと入射する。また、高さ方向Ｚに視ると、各光束Ｌ１、Ｌ２が同一直線上に概ね重なった状態で反射面４２ａへと入射する。

そして、第１結像光学系６１においては、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射された各光束Ｌ１、Ｌ２が斜め下方向及び斜め上方向へと互いに離れて行く。一方の光束Ｌ１は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで斜め下方向に反射され、ｆθレンズ６３を透過して１つの反射ミラー６４ａで反射され、ブラックのトナー像が形成される感光体ドラム１３に入射する。また、他方の光束Ｌ２は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで斜め上方向に反射され、ｆθレンズ６３を透過して３つの反射ミラー６４ｂ、６４ｃ、６４ｄで順次反射され、シアンのトナー像が形成される感光体ドラム１３に入射する。

また、ポリゴンミラー４２は、ポリゴンモータ４３により等角速度で回転されて、各反射面４２ａで各光束Ｌ１、Ｌ２を逐次反射し、各光束Ｌ１、Ｌ２を主走査方向Ｘに繰り返し等角速度で偏向させる。ｆθレンズ６３は、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙのいずれについても各光束Ｌ１、Ｌ２をそれぞれの感光体ドラム１３の表面で所定のビーム径となるように集光して出射し、かつポリゴンミラー４２により主走査方向Ｘに等角速度で偏向されている各光束Ｌ１、Ｌ２をそれぞれの感光体ドラム１３上の主走査線に沿って等線速度で移動するように変換する。これにより、各光束Ｌ１、Ｌ２がそれぞれの感光体ドラム１３の表面を主走査方向Ｘに繰返し走査する。

また、一方の光束Ｌ１は、各光束Ｌ１、Ｌ２による各感光体ドラム１３の主走査が開始される直前に、ＢＤミラー７１で反射されてＢＤセンサ７２に入射する。ＢＤセンサ７２は、各感光体ドラム１３の主走査が開始される直前のタイミングで光束Ｌ１を受光して、この主走査開始直前のタイミングを示すＢＤ信号を出力する。このＢＤ信号に基づき各光束Ｌ１、Ｌ２による各感光体ドラム１３の主走査開始時点が設定され、ブラック及びシアンの各画像データに応じた各光束Ｌ１、Ｌ２の変調が開始される。

その一方で、ブラック及びシアンのトナー像が形成される各感光体ドラム１３が回転駆動されて、各光束Ｌ１、Ｌ２により該各感光体ドラム１３の２次元表面（周面）が走査され、該各感光体ドラム１３の表面にそれぞれの静電潜像が形成される。

次に、第２入射光学系５２において、第２半導体レーザ４５ａの光束Ｌ３は、コリメータレンズ５７ａを透過して平行光にされ、アパーチャー５８で絞られて、ミラー５９ａの下方（高さ方向Ｚの下向き）の空きスペースＥを通過し、シリンドリカルレンズ５６を透過してポリゴンミラー４２の反射面４２ａに入射する。また、第２半導体レーザ４５ｂの光束Ｌ４は、コリメータレンズ５７ｂを透過して平行光にされ、アパーチャー５８で絞られて、各ミラー５９ａ、５９ｂに入射して反射され、シリンドリカルレンズ５６を透過してポリゴンミラー４２の反射面４２ａに入射する。

また、駆動基板４６（ＹＺ平面）上では各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂが高さ方向Ｚにおいて互いに異なる位置に配置されているものの、各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの光束Ｌ３、Ｌ４の出射方向又は各ミラー５９ａ、５９ｂの向きの設定により、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａ上で各光束Ｌ３、Ｌ４の入射スポットが略重なるようにされている。このため、各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの光束Ｌ３、Ｌ４が斜め下方向及び斜め上方向からポリゴンミラー４２の反射面４２ａへと入射する。また、高さ方向Ｚに視ると、各光束Ｌ３、Ｌ４が同一直線上に概ね重なった状態で反射面４２ａへと入射する。

そして、第２結像光学系６２においては、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射された各光束Ｌ３、Ｌ４が斜め上方向及び斜め下方向へと互いに離れて行く。一方の光束Ｌ３は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで斜め上方向に反射され、ｆθレンズ６５を透過して３つの反射ミラー６６ｂ、６６ｃ、６６ｄで順次反射されて、マゼンタのトナー像が形成される感光体ドラム１３に入射する。また、他方の光束Ｌ４は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで斜め下方向に反射され、ｆθレンズ６５を透過して１つの反射ミラー６６ａで反射されて、イエローのトナー像が形成される感光体ドラム１３に入射する。

また、他方の光束Ｌ４は、各光束Ｌ３、Ｌ４による各感光体ドラム１３の主走査が開始される直前に、ＢＤミラー７４で反射されてＢＤセンサ７５に入射し、ＢＤセンサ７５からは各光束Ｌ３、Ｌ４による各感光体ドラム１３の主走査開始直前のタイミングを示すＢＤ信号が出力され、このＢＤ信号に応じてシアン及びブラックのトナー像が形成される各感光体ドラム１３の主走査の開始タイミングが判定され、シアン及びブラックの各画像データに応じた各光束Ｌ３、Ｌ４の変調が開始される。

その一方で、マゼンタ及びイエローのトナー像が形成される各感光体ドラム１３が回転駆動されて、各光束Ｌ３、Ｌ４により該各感光体ドラム１３の２次元表面（周面）が走査され、該各感光体ドラム１３の表面にそれぞれの静電潜像が形成される。

このような構成の光走査装置１１においては、筐体４１の底板４１ａの略中央にポリゴンミラー４２を配置し、ポリゴンミラー４２の回転中心を通る仮想配置中心線Ｍを中心にして、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂと各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂとを対称に配置し、第１入射光学系５１と第２入射光学系５２とを対称に配置し、第１結像光学系６１と第２結像光学系６２とを対称に配置しているので、側方から視ると、ポリゴンミラー４２、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ、各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ、第１入射光学系５１、及び第２入射光学系５２等を小さなスペースに集約させて、光走査装置１１を小型化することができる。

ところで、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂは、直線偏光である２本の光束（マルチビーム）を出射する。図６は、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂを概念的に示す斜視図である。図６に示すように各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの一端面が発光面８１となっており、この発光面８１に２つの発光点８２、８３が形成され、各発光点８２、８３から２本の光束Ｌａ、Ｌｂが出射される。各光束Ｌａ、Ｌｂは、直線偏光であり、それらの偏光方向Ｊが同一となっている。

図２乃至図５においては、それぞれの光束Ｌ１〜Ｌ４が２本の光束Ｌａ、Ｌｂに対応する。また、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂのいずれについても、発光面８１の各発光点８２、８３が高さ方向Ｚ（又はＹＺ方向）に並び、各光束Ｌａ、Ｌｂが高さ方向Ｚ（又はＹＺ方向）に間隔を開けて発光面８１から出射されてポリゴンミラー４２の反射面４２ａに入射する。そして、各光束Ｌａ、Ｌｂは、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射され、更に各反射ミラー６４ａ〜６４ｄ、６６ａ〜６６ｄで高さ方向Ｚに反射されて、それぞれの感光体ドラム１３の表面に副走査方向Ｙ（又はＸＹ方向）に間隔を開けて入射し、それぞれの感光体ドラム１３の表面で２本の主走査ラインを同時に走査する。

このため、感光体ドラム１３の表面においては、各光束Ｌａ、Ｌｂの入射位置に副走査方向Ｙの間隔が生じ、また各光束Ｌａ、Ｌｂの入射位置が主走査方向Ｘにずれることがある。各光束Ｌａ、Ｌｂの入射位置の副走査方向Ｙの間隔（２本の主走査ラインの間隔）は、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ別に、発光面８１を回転させて、高さ方向Ｚにおける発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節することにより一定間隔に設定される。また、各光束Ｌａ、Ｌｂの入射位置の主走査方向Ｘのずれは、各光束Ｌａ、Ｌｂの変調開始タイミングを調節して、各光束Ｌａ、Ｌｂによる感光体ドラム１３表面の各主走査ラインの書き込み開始位置を合わせることにより補正される。

ここで、図７に示すようにポリゴンミラー４２の反射面４２ａや各反射ミラー６４ａ〜６４ｄ、６６ａ〜６６ｄの反射面を反射面９１とし、この反射面９１に対して入射して反射される光束Ｌａ又はＬｂを含む平面を入射面９２とする。反射面９１と入射面９２とは直交する。この入射面９２に対して直線偏光である各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（電場の振動方向）が垂直となる場合は、反射面９１に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光となり、反射面９１に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角にかかわらず、反射面９１の反射率が略一定となる。また、入射面９２に対して各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊが平行となる場合は、反射面９１に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＰ偏光となり、反射面９１に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角に応じて反射面９１の反射率が大きく変化する。

図８は、反射面に対する光束の入射角又は反射角に応じて変化するＳ偏光及びＰ偏光の反射率特性ｆｓ、ｆｐを示すグラフである。Ｓ偏光の反射率特性ｆｓから明らかなように、Ｓ偏光の反射率は、光束の入射角又は反射角に応じて僅かに変化するものの概ね一定に維持される。また、Ｐ偏光の反射率特性ｆｐから明らかなように、Ｐ偏光の反射率は、光束の入射角又は反射角に応じて大きく変化する。

更に、入射面９２に対して各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向Ｊが傾斜している場合は、入射面９２に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊの傾斜角度に応じて、反射面９１に対する各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分とＰ偏光成分との比率が変化する。そして、反射面９１に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角又は反射角に応じてＰ偏光の反射率が大きく変化することから、Ｐ偏光成分の割合が大きくなるほど各光束Ｌａ、Ｌｂの反射率が大きく変化する。例えば、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａや各反射ミラー６４ａ〜６４ｄ、６６ａ〜６６ｄの反射面に各光束Ｌａ、Ｌｂが入射するとき、それらの反射面と直交する各入射面に対して各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊが傾斜している場合は、それらの入射面に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊの傾斜角度によっては、それらの反射面に対する各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が増大し、それらの反射面に対する入射角及び反射角に応じて各光束Ｌａ、Ｌｂの反射率が大きく変化する。

また、それらの反射面に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角は、ポリゴンミラー４２による各光束Ｌａ、Ｌｂの偏向に伴って変化することから、各光束Ｌａ、Ｌｂによる感光体ドラム１３の走査位置に応じて変化する。そして、Ｐ偏光の反射率は、それらの反射面に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角に応じて変化することから、各光束Ｌａ、Ｌｂによる感光体ドラム１３の走査位置に応じて変化する。このため、それらの反射面に対する各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が増大した場合は、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの走査方向の入射光量分布に片寄りが生じる。

更に、先に述べたように各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ別に、発光面８１を回転させて、高さ方向Ｚにおける発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節しているので、発光面８１の回転により各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向Ｊが変化する。このため、それらの反射面に対する各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合がより増大して、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布の片寄りがより大きくなることがある。

そこで、光走査装置１１では、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ別に、発光面８１を回転させて、高さ方向Ｚにおける発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節するときに、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａにおける各光束Ｌａ、Ｌｂの反射率分布の片寄りと各反射ミラー６４ａ〜６４ｄ、６６ａ〜６６ｄの反射面における各光束Ｌａ、Ｌｂの反射率分布の片寄りとが相殺されるような発光面８１の回転方向を設定して、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布を均一化させている。

次に、そのような発光面８１の回転方向について詳しく説明する。まず、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａ、各反射ミラー６４ａ、６６ａの反射面、これらの反射面と直交するそれぞれの入射面等について説明する。図９は、第１及び第２半導体レーザ４５ｂ、４４ａ、各光束Ｌ１、Ｌ４、ポリゴンミラー４２、及び各反射ミラー６４ａ、６６ａ等を模式的に示す平面図であり、他の光学部材を省略して示している。図９において、光束Ｌ４（又はＬ１）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射されることにより概ね扇形の範囲で繰り返し偏向される。この概ね扇形の範囲に、感光体ドラム１３の有効走査領域Ｈの走査開始から走査終了までの走査期間においてポリゴンミラー４２により偏向される光束Ｌ４（又はＬ１）の走査偏向範囲αが含まれる。有効走査領域Ｈとは、光束Ｌ４（又はＬ１）により走査される感光体ドラム１３上の領域であって、静電潜像の形成領域を含む領域である。実際には、感光体ドラム１３の有効走査領域Ｈが反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の上方に位置するが、有効走査領域Ｈを２次元平面に展開して示している。

ポリゴンミラー４２が高さ方向Ｚの回転軸を中心にして回転し、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａが高さ方向Ｚと常に平行に維持され、光束Ｌ４（又はＬ１）が反射面４２ａに対して主走査方向Ｘに入射してＹ方向又はＸＹ方向に反射されるので、反射面４２ａに対して入射して反射される光束Ｌ４（又はＬ１）を含む入射面９２ａ（図１０に示す）がＸＹ平面となる。

また、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射され偏向されて、光束Ｌ４（又はＬ１）の偏光方向における反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面の中心へと入射する光束Ｌ４（又はＬ１）に沿った線を仮想偏向中心Ｑとし、仮想偏向中心線Ｑにより走査偏向範囲αを２分して、その一方を第１偏向範囲α１とし、他方を第２偏向範囲α２として定義する。第１偏向範囲α１は、仮想偏向中心線Ｑよりも第２半導体レーザ４５ｂ（又は第１半導体レーザ４４ａ）に近く、よって光束Ｌ４（又はＬ１）の入射側にあり、また第２偏向範囲α２は、仮想偏向中心線Ｑよりも第２半導体レーザ４５ｂ（又は第１半導体レーザ４４ａ）から遠く離れ、よって光束Ｌ４（又はＬ１）の入射側とは反対側にある。このため、第２偏向範囲α２よりも第１偏向範囲α１の方で、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対する光束Ｌ４（又はＬ１）の反射角γ１が小さくなる。例えば、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対する光束Ｌ４（又はＬ１）の反射角γ１が概ね１０°〜６０°である。

図１０は、各光束Ｌ１、Ｌ４、ポリゴンミラー４２、及び各反射ミラー６４ａ、６６ａを模式的に示す側面図であり、他の光学部材を省略して示している。図１０において、光束Ｌ４（又はＬ１）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射されて反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面に入射し、更に反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面で高さ方向Ｚに反射されて感光体ドラム１３の表面に入射する。ポリゴンミラー４２により光束Ｌ４（又はＬ１）が主走査方向Ｘに偏向されると、反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面で反射された光束Ｌ４（又はＬ１）により感光体ドラム１３の有効走査領域Ｈが主走査方向Ｘに走査される。一方の反射ミラー６６ａの反射面に対する光束Ｌ４の反射角γ２は、例えば４５°よりも大きく、反射ミラー６６ａの反射面に対して入射する光束Ｌ４と反射される光束Ｌ４とのなす角度（γ２の２倍の角度）が鈍角（＞９０°）である。

光束Ｌ４（又はＬ１）は、反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面に対して副走査方向Ｙ又はＸＹ方向に入射して高さ方向Ｚに反射されるので、反射ミラー６６ａ（又は６４ａ）の反射面に対して入射して反射される光束Ｌ４（又はＬ１）を含む入射面９２ｂ（図９に示す）が、ＹＺ平面又はＹＺ平面に対して傾斜した平面となる。仮想偏向中心線Ｑ上では、その入射面９２ｂがＹＺ平面となってＸＹ平面と直交する。また、第１偏向範囲α１での入射面９２ｂと第２偏向範囲α２での入射面９２ｂとは、仮想偏向中心線Ｑ上のＹＺ平面に対して互いに対称に傾斜してＸＹ平面と交差する。

次に、第１実施形態における第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１の回転方向と感光体ドラム１３の表面における光束の入射光量分布との関係を、図１１の図表を参照して説明する。図１１は、第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１の回転位置、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａ、反射面４２ａにおける主走査方向Ｘの反射率分布、反射ミラー６６ａの反射面、反射ミラー６６ａの反射面における主走査方向Ｘの反射率分布、及び感光体ドラム１３の表面における主走査方向Ｘの入射光量分布等を示す図表である。

図１１のＡ欄の（イ）では、第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１の各発光点８２、８３が高さ方向Ｚに沿って並ぶように第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１を回転させ、各発光点８２、８３から出射される各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向を高さ方向Ｚと平行に設定している。

この場合は、図１１のＡ欄の（ロ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（高さ方向Ｚ）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対して入射して反射される各光束Ｌａ、Ｌｂを含む入射面９２ａ（ＸＹ平面）と垂直になる。尚、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊは、第２半導体レーザ４５ｂの側からポリゴンミラー４２の反射面４２ａを視たときの方向である。

このため、図１１のＡ欄の（ハ）、（ニ）に示すように反射面４２ａに対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分だけとなり、反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角にかかわらず、よって光束Ｌ４が第１及び第２偏向範囲α１、α２のいずれで偏向されているかにかかわらず、反射面４２ａの反射率分布が略一定となる。従って、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａの反射率は、主走査方向Ｘのいずれの位置でも略一定となる。

また、図１１のＡ欄の（ホ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（高さ方向Ｚ）は、反射ミラー６６ａの反射面に対して入射して反射される光束Ｌａ又はＬｂを含む入射面９２ｂとは垂直にならない。尚、反射ミラー６６ａの反射面に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊは、ポリゴンミラー４２の側から反射ミラー６６ａの反射面を視たときの方向である。

仮想偏向中心線Ｑ上では、各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊが入射面９２ｂと平行となり、よって反射ミラー６６ａの反射面に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＰ偏光成分だけとなる。また、第１偏向範囲α１と第２偏向範囲α２とでは、それぞれの入射面９２ｂが仮想偏向中心線Ｑ上のＹＺ平面に対して互いに対称に傾斜することから、それぞれの入射面９２ｂに対して各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊが互いに逆向きのそれぞれの傾斜角度で傾斜し、よって反射ミラー６６ａの反射面に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分及びＰ偏光成分を共に含み、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど各傾斜角度が大きくなり、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が減少して、各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分の割合が増大する。

また、図１０から明らかなように反射ミラー６６ａの反射面に対して入射する各光束Ｌａ、Ｌｂと反射される各光束Ｌａ、Ｌｂとのなす角度は、鈍角（入射角及び反射角γ２が４５°を越える）でありかつ第１及び第２偏向範囲α１、α２のいずれでも概ね一定に維持されることから、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分については、反射ミラー６６ａの反射面の反射率が大きく低下する。そして、図１１のＡ欄の（ヘ）、（ト）に示すように仮想偏向中心線Ｑ上では、各光束Ｌａ、ＬｂがＰ偏光成分だけになるから、反射ミラー６６ａの反射面の反射率が最も低くなり、また第１及び第２偏向範囲α１、α２では、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分が減少して、各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分が増大することから、反射ミラー６６ａの反射面の反射率が徐々に上昇する。従って、反射ミラー６６ａの反射面の反射率は、主走査方向Ｘの中心で最も小さく、その中心から離れるほど徐々に増大する。

ここで、各光束Ｌａ、Ｌｂは、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａと反射ミラー６６ａの反射面とで反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射する。ポリゴンミラー４２の反射面４２ａが図１１のＡ欄の（ニ）に示す反射率分布を有し、反射ミラー６６ａの反射面が図１１のＡ欄の（ト）に示す反射率分布を有することから、各光束Ｌａ、Ｌｂは、それらの反射率分布を合成した図１１のＡ欄の（チ）に示す反射率分布を有する仮想反射面で反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射することと等価である。そして、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａの反射率分布が略一定であることから、図１１のＡ欄の（チ）に示す反射率分布は、反射ミラー６６ａの反射面の反射率分布と同様に、仮想偏向中心線Ｑ上で最も低くなり、第１及び第２偏向範囲α１、α２では仮想偏向中心線Ｑから離れるほど徐々に上昇する。従って、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布は、主走査方向Ｘの中心で最も低くなり、その中心から離れるほど徐々に増大する。

次に、図１１のＢ欄の（イ）では、発光面８１の上側の発光点８２が仮想配置中心線Ｍに近づきかつ下側の発光点８３が仮想配置中心線Ｍから離れるように第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１をＦ１方向に回転させて、各発光点８２、８３から出射される各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向をＹＺ方向に傾斜させている。

この場合は、図１１のＢ欄の（ロ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対して入射して反射される各光束Ｌａ、Ｌｂを含む入射面９２ａ（ＸＹ平面）に対し傾斜する。このため、反射面４２ａに対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分及びＰ偏光成分を共に含む。また、図１１のＢ欄の（ハ）、（ニ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が徐々に大きくなって、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々に低下し、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が滑らかに変化して、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率も滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が徐々により大きくなって、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々により低下する。従って、反射面４２ａの反射率は、第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて徐々に低下する。

また、図１１のＢ欄の（ホ）に示すように第１偏向範囲α１、仮想偏向中心線Ｑ上、及び第２偏向範囲α２のいずれにおいても、各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、反射ミラー６６ａの反射面に対して入射して反射される光束Ｌａ又はＬｂを含む入射面９２ｂに対して同じ向きに傾斜する。このため、反射ミラー６６ａの反射面に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分及びＰ偏光成分を共に含む。

また、発光面８１をＦ１方向に回転させたことから、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度が、各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度よりも小さくなる。そして、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々に大きくなり、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、偏光方向Ｊの傾斜角度が滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々により大きくなって行く。このため、図１１のＢ欄の（ヘ）、（ト）に示すように第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が徐々に減少して、各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分の割合が徐々に増大する。

また、反射ミラー６６ａの反射面に対して入射する各光束Ｌａ、Ｌｂと反射される各光束Ｌａ、Ｌｂとのなす角度は、概ね一定の鈍角（入射角及び反射角γ２が４５°を越える）であることから、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分については、反射ミラー６６ａの反射面の反射率が大きく低下する。従って、反射ミラー６６ａの反射面の反射率は、第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて徐々に増大する。

更に、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａが図１１のＢ欄の（ニ）に示す反射率分布を有し、反射ミラー６６ａの反射面が図１１のＢ欄の（ト）に示す反射率分布を有することから、これらの反射率分布の片寄りが相殺し合う。このため、各光束Ｌａ、Ｌｂは、それらの反射率分布を合成した図１１のＢ欄の（チ）に示す略一定の反射率分布を有する仮想反射面で反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射することと等価である。従って、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布も略一定となる。

このように第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１をＦ１方向に回転させると、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａの反射率分布の片寄りと反射ミラー６６ａの反射面の反射率分布の片寄りとが相殺されて、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布が略一定となる。このため、高さ方向Ｚにおける第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節するときに、発光面８１をＦ１方向に回転させれば、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布の片寄りを抑えることができる。

特に、図１０に示すように反射ミラー６６ａの反射面に対して入射する各光束Ｌａ、Ｌｂと反射される各光束Ｌａ、Ｌｂとのなす角度が概ね一定の鈍角（入射角及び反射角γ２が４５°を越える）である場合には、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が大きく低下し、これが感光体ドラム１３の表面における入射光量分布の片寄りの原因となるが、発光面８１をＦ１方向に回転させるだけで、そのような入射光量分布の片寄りを抑えることができる。

次に、比較例として、発光面８１をＦ１方向とは逆の方向に回転させたときの入射光量分布の片寄りについて、図１２の図表を参照して説明する。図１２は、図１１と同様の各項目を示す図表である。

図１２の（イ）では、発光面８１の上側の発光点８２が仮想配置中心線Ｍから離れかつ下側の発光点８３が仮想配置中心線Ｍに近づくように第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１をＦ１方向とは逆のＦ２方向に回転させて、各発光点８２、８３から出射される各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向をＹＺ方向に傾斜させている。

この場合は、図１２の（ロ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対して入射して反射される各光束Ｌａ、Ｌｂを含む入射面９２ａ（ＸＹ平面）に対し傾斜する。このため、反射面４２ａに対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分及びＰ偏光成分を共に含む。そして、図１２の（ハ）、（ニ）に示すように発光面８１をＦ２方向に回転させた場合も、Ｆ１方向に回転させた場合と同様に、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々に低下し、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々により低下する。従って、反射面４２ａの反射率は、第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて徐々に低下する。

また、図１２の（ホ）に示すように第１偏向範囲α１、仮想偏向中心線Ｑ上、及び第２偏向範囲α２のいずれにおいても、各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、反射ミラー６６ａの反射面に対して入射して反射される光束Ｌａ又はＬｂを含む入射面９２ｂに対し同じ向きに傾斜する。このため、反射ミラー６６ａの反射面に対して各光束Ｌａ、ＬｂがＳ偏光成分及びＰ偏光成分を共に含む。

また、発光面８１をＦ１方向とは逆のＦ２方向に回転させたことから、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度が、各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度よりも大きくなる。そして、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々に小さくなり、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、偏光方向Ｊの傾斜角度が滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々により小さくなって行く。このため、図１２の（ヘ）、（ト）に示すように第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が増大して、各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分の割合が減少し、反射ミラー６６ａの反射面の反射率が徐々に低下する。従って、反射ミラー６６ａの反射面の反射率は、第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて徐々に低下する。

更に、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａが図１２の（ニ）に示す反射率分布を有し、反射ミラー６６ａの反射面が図１２の（ト）に示す反射率分布を有することから、これらの反射率分布の変化が相乗し合う。このため、各光束Ｌａ、Ｌｂは、それらの反射率分布を合成した図１２の（チ）に示すような反射率分布、つまり第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて大きく減少して行く反射率分布を有する仮想反射面で反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射することと等価である。このため、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布が大幅に片寄る。

従って、第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１を回転させて、高さ方向Ｚにおける発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節するときには、発光面８１をＦ２方向に回転させるのは好ましくない。

次に、第１半導体レーザ４４ａの発光面８１の回転方向について説明する。第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１についてはＦ１方向に回転させることにより感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布の片寄りを抑えることができるが、第１半導体レーザ４４ａの発光面８１についてはＦ１方向とは逆の方向に回転させる必要がある。

これは、第１半導体レーザ４４ａ、第１入射光学系５１、及び第１結像光学系６１と、第２半導体レーザ４５ｂ、第２入射光学系５２、及び第２結像光学系６２とが、仮想配置中心線Ｍに対して対称に配置されており、第１半導体レーザ４４ａの光束Ｌ１の偏光方向と第２半導体レーザ４５ｂの光束Ｌ４の偏光方向とが仮想配置中心線Ｍに対して鏡像の関係になるためである。

尚、第１半導体レーザ４４ａの光束Ｌ１は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射されて、まず第２偏向範囲α２で偏向され、仮想偏向中心線Ｑに重なり、更に第１偏向範囲α１で偏向される。従って、光束Ｌ１による感光体ドラム１３表面の走査方向と光束Ｌ４による感光体ドラム１３表面の走査方向とが互いに逆方向となる。

図１３は、第２実施形態における第１半導体レーザ４４ａの発光面８１の回転位置、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａ、反射面４２ａにおける主走査方向Ｘの反射率分布、反射ミラー６４ａの反射面、反射ミラー６４ａの反射面における主走査方向Ｘの反射率分布、及び感光体ドラム１３の表面における主走査方向Ｘの入射光量分布等を示す図表である。

図１３の（イ）では、発光面８１を図１１のＢ欄の（イ）のＦ１方向とは逆のＦ２方向に回転させて、各発光点８２、８３から出射される各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向を傾斜させている。

この場合は、図１３の（ロ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂ（直線偏光）の偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対して入射して反射される各光束Ｌａ、Ｌｂを含む入射面９２ａ（ＸＹ平面）に対し傾斜し、図１１のＢ欄の（ロ）の傾斜方向とは逆方向に傾斜する。尚、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊは、第１半導体レーザ４４ａの側からポリゴンミラー４２の反射面４２ａを視たときの方向である。

そして、図１３の（ハ）、（ニ）に示すように各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が徐々に小さくなって、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々に増大し、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が滑らかに変化して、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率も滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど反射面４２ａに対する各光束Ｌａ、Ｌｂの入射角及び反射角が徐々により小さくなって、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の反射率が徐々により増大する。従って、反射面４２ａの反射率は、第２偏向範囲α２から第１偏向範囲α１にかけて徐々に増大し、図１１のＢ欄の（ニ）の反射率と同様に変化する。

また、図１３の（ホ）に示すように第２偏向範囲α２、仮想偏向中心線Ｑ上、及び第１偏向範囲α１のいずれにおいても、各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊ（ＹＺ方向）は、反射ミラー６４ａの反射面に対して入射して反射される光束Ｌａ又はＬｂを含む入射面９２ｂに対し同じ向きに傾斜し、図１１のＢ欄の（ホ）の傾斜方向とは逆方向に傾斜する。尚、反射ミラー６４ａの反射面に対する各光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊは、ポリゴンミラー４２の側から反射ミラー６４ａの反射面を視たときの方向である。

また、発光面８１をＦ２方向に回転させたことから、各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度が、各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときの入射面９２ｂに対する偏光方向Ｊの傾斜角度よりも大きくなる。そして、各光束Ｌａ、Ｌｂが第２偏向範囲α２で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑに近づくほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々に小さくなり、引き続いて各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑ上にあるときには、偏光方向Ｊの傾斜角度が滑らかに変化し、更に各光束Ｌａ、Ｌｂが第１偏向範囲α１で偏向されているときには、各光束Ｌａ、Ｌｂが仮想偏向中心線Ｑから離れるほど偏光方向Ｊの傾斜角度が徐々により小さくなって行く。このため、図１３の（ヘ）、（ト）に示すように第２偏向範囲α２から第１偏向範囲α１にかけて、各光束Ｌａ、ＬｂのＰ偏光成分の割合が徐々に増大して、各光束Ｌａ、ＬｂのＳ偏光成分の割合が徐々に減少する。従って、反射ミラー６４ａの反射面の反射率は、第２偏向範囲α２から第１偏向範囲α１にかけて徐々に減少し、図１１のＢ欄の（ト）の反射率と同様に変化する。

更に、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａが図１３の（ニ）に示す反射率分布を有し、反射ミラー６４ａの反射面が図１３の（ト）に示す反射率分布を有することから、これらの反射率分布の片寄りが相殺し合う。このため、各光束Ｌａ、Ｌｂは、それらの反射率分布を合成した図１３の（チ）に示す略一定の反射率分布を有する仮想反射面で反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射することと等価である。従って、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布も略一定となる。

このように第１半導体レーザ４４ａについては発光面８１をＦ２方向に回転させると、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａの反射率分布の片寄りと反射ミラー６４ａの反射面の反射率分布の片寄りとが相殺されて、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布が略一定となる。

また、第２半導体レーザ４５ｂの発光面８１をＦ１方向に回転させ、第１半導体レーザ４４ａの発光面８１をＦ１方向とは逆のＦ２方向に回転させるので、第２半導体レーザ４５ｂの各光束Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向と第１半導体レーザ４４ａの各光束Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向とがポリゴンミラー４２の回転軸に対して互いに対称に設定されることになる。

次に、第２半導体レーザ４５ａの発光面８１の回転方向について説明する。第２半導体レーザ４５ａの光束Ｌ３は、ポリゴンミラー４２の反射面４２ａで反射され、引き続いて３つの反射ミラー６６ｂ、６６ｃ、６６ｄで反射されてから感光体ドラム１３の表面に入射する。従って、第２半導体レーザ４５ａの光束Ｌ３は、第２半導体レーザ４５ｂの光束Ｌ４と比較すると、より多くの反射ミラーで反射される。

ただし、第２半導体レーザ４５ａの光束Ｌ３は、反射ミラー６６ｂで高さ方向Ｚに反射された後、引き続く２枚の反射ミラー６６ｃ、６６ｄで副走査方向Ｙ又は高さ方向Ｚに反射されることから、各反射ミラー６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ別に定義されるそれぞれの入射面が概ねＹＺ平面となって、これらの入射面に対する光束Ｌ３（各光束Ｌａ、Ｌｂ）の偏光方向の傾きが反射ミラー６６ａで定義された入射面９２ｂに対する光束Ｌ４（各光束Ｌａ、Ｌｂ）の偏光方向の傾きと概ね一致する。このため、第２半導体レーザ４５ａの発光面８１がＦ１方向に回転されると、各反射ミラー６６ｂ、６６ｃ、６６ｄの反射率が、反射ミラー６６ａの反射率と概ね同様に第１偏向範囲α１から第２偏向範囲α２にかけて徐々に増大する。従って、高さ方向Ｚにおける第２半導体レーザ４５ａの発光面８１の各発光点８２、８３間の距離を調節するときには、第２半導体レーザ４５ａの発光面８１をＦ１方向に回転させれば、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布の片寄りを抑えることができる。

同様の理由で、第１半導体レーザ４４ｂの発光面８１の回転方向についても、第１半導体レーザ４４ｂの光束Ｌ２が３枚の反射ミラー６４ｂ、６４ｃ、６４ｄで反射されるが、第１半導体レーザ４４ｂの発光面８１がＦ２方向に回転されると、各反射ミラー６４ｂ、６４ｃ、６４ｄの反射率が、反射ミラー６４ａの反射率と概ね同様に第２偏向範囲α２から第１偏向範囲α１にかけて徐々に減少する。このため、第１半導体レーザ４４ｂの発光面８１をＦ２方向に回転させれば、感光体ドラム１３の表面における各光束Ｌａ、Ｌｂの入射光量分布の片寄りを抑えることができる。

従って、第１半導体レーザ４４ｂの発光面８１の回転方向と第２半導体レーザ４５ａの回転方向とが互いに逆方向になり、第１半導体レーザ４４ｂの各光束Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向と第２半導体レーザ４５ａの各光束Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向とがポリゴンミラー４２の回転軸に対して互いに対称に設定される。

図１４は、第１及び第２実施形態における各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂから出射される各Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂから出射される各Ｌａ、Ｌｂの直線偏光の偏光方向を模式的に示す平面図である。図１４から明らかなように各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂは、台形の各頂点位置に配置されている。各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの発光面８１がＦ２方向に回転され、各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの発光面８１がＦ１方向に回転されており、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂから出射される合計４本の光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊと各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂから出射される合計４本の光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊとがポリゴンミラー４２の回転軸４２ｂに対して対称に設定されている。

尚、上記光走査装置１１では、第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂが台形の各頂点位置に配置されているが、それらの配置位置を変更しても構わない。例えば、図１５に示す第３実施形態では、第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂを矩形の各頂点位置に配置している。この場合も、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂの発光面８１の回転方向と各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂの発光面８１の回転方向とが互いに逆方向にされて、各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂから出射される合計４本の光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊと各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂから出射される合計４本の光束Ｌａ、Ｌｂの偏光方向Ｊとがポリゴンミラー４２の回転軸４２ｂに対して対称に設定される。

また、上記光走査装置１１は、第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ、第１入射光学系５１、及び第１結像光学系６１と、第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂ、第２入射光学系５２、及び第２結像光学系６２とを仮想配置中心線Ｍに対して対称に配置した構成であるが、他の構成の光走査装置であっても、直線偏光成分を含む光束を出射する発光素子を備えるものであれば、本発明を適用することができる。また、上記光走査装置１１は、カラー画像の各色に対応する各第１半導体レーザ４４ａ、４４ｂ及び各第２半導体レーザ４５ａ、４５ｂを備えているが、モノクロに対応する少なくとも１個の発光素子を備える光走査装置であっても、本発明を適用することができる。

更に、第１乃至第３実施形態では、偏光方向が同一の２本の光束を出射する半導体レーザを例示しているが、偏光方向が同一の３本以上の光束を出射する半導体レーザを適用した光走査装置であっても、本発明を適用することができる。また、１つの半導体レーザにおいて、各光束の偏光方向が同一であれば、各光束を出射する各発光点が直線状に並ばなくてもよい。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態及び変形例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと解される。

１ 画像形成装置
１１ 光走査装置
１２ 現像装置
１３ 感光体ドラム（被走査体）
１４ ドラムクリーニング装置
１５ 帯電装置
１７ 定着装置
２１ 中間転写ベルト
２２ ベルトクリーニング装置
２３ ２次転写装置
３３ ピックアップローラ
３４ レジストローラ
３５ 搬送ローラ
３６ 排紙ローラ
４１ 筐体
４２ ポリゴンミラー（偏向部）
４３ ポリゴンモータ
４４ａ、４４ｂ 第１半導体レーザ（発光素子）
４５ａ、４５ｂ 第２半導体レーザ（発光素子）
４６ 駆動基板
５１ 第１入射光学系
５２ 第２入射光学系
５３ａ、５３ｂ、５７ａ、５７ｂ コリメータレンズ
５５ａ、５５ｂ、５９ａ、５９ｂ ミラー
５６ シリンドリカルレンズ
６１ 第１結像光学系
６２ 第２結像光学系
６３、６５ ｆθレンズ
６４ａ〜６４ｄ、６６ａ〜６６ｄ 反射ミラー
７１、７４ ＢＤミラー
７２、７５ ＢＤセンサ

Claims (6)

1. それぞれの光束を出射する複数の発光点を有する第１発光素子及び第２発光素子と、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から出射された各光束を反射して偏向させる偏向部と、前記偏向部で反射されて偏向された前記各光束を反射するそれぞれの反射ミラーとを備え、前記第１発光素子及び前記各反射ミラーの一方と前記第２発光素子及び前記各反射ミラーの他方とを前記偏向部の回転軸を通る仮想配置中心線の両側に振り分けて配置し、前記偏向部及び前記各反射ミラーを経由した前記各光束によりそれぞれの被走査体を走査する光走査装置であって、
   前記第１発光素子および前記第２発光素子から出射される各光束は、前記偏向部および前記反射ミラーの反射面と直交する入射面に対して、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とを含み、
   前記各反射ミラー別に、前記各光束による前記被走査体の走査期間において前記偏向部により偏向される前記各光束の走査偏向範囲を、前記偏向部に対する前記各光束の反射角が小さい方の第１偏向範囲と前記反射角が大きい方の第２偏向範囲とに区分すると、
   前記各光束のＰ偏光の反射率は、前記第１偏向範囲で大きくなり、前記第２偏向範囲で小さくなり、
   前記各光束のＳ偏光の反射率は、前記第１偏向範囲および前記第２偏向範囲のいずれにおいても略一定となり、
   前記各反射ミラーのいずれについても、前記第１偏向範囲で偏向されている前記各光束を反射するときよりも、前記第２偏向範囲で偏向されている前記各光束を反射するときに、前記反射ミラーの反射率がより大きくなるように設定され、
   前記第１発光素子から出射される前記各光束の偏光方向と前記第２発光素子から出射される前記各光束の偏光方向とは、前記偏向部の回転軸および前記仮想配置中心線で示される平面に対して、互いに逆向きに傾斜するように対称に設定されていること
   を特徴とする光走査装置。
2. 請求項１に記載の光走査装置であって、
   前記反射ミラーに対して入射する前記光束と反射される該光束とのなす角度が鈍角であることを特徴とする光走査装置。
3. 請求項１に記載の光走査装置であって、
   前記第１発光素子の各発光点の光束の偏光方向が同一であり、前記第２発光素子の各発光点の光束の偏光方向が同一であることを特徴とする光走査装置。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか１つに記載の光走査装置であって、
   前記第１発光素子および前記第２発光素子の少なくとも一方が回転されて、前記少なくとも一方の各発光点の配列方向が前記偏向部の回転軸に対して傾斜されることにより、前記被走査体上の前記少なくとも一方の各発光点の光束の入射間隔が設定されることを特徴とする光走査装置。
5. 請求項４に記載の光走査装置であって、
   前記各発光点の光束の入射間隔は、前記被走査体上において前記各光束の偏光方向と直交する方向の間隔であることを特徴とする光走査装置。
6. 請求項１から請求項５までのいずれか１つに記載の光走査装置を備え、前記光走査装置により被走査体上に潜像を形成し、前記被走査体上の潜像を可視像に現像して、前記可視像を前記被走査体から用紙に転写形成する画像形成装置。

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