JP5847901B2 - 高熱伝導率材料用の半田付け電極 - Google Patents

高熱伝導率材料用の半田付け電極 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、概して、ハードディスクドライブに関し、より詳細には、高熱伝導率を有する材料に半田付けを行うための電極設計に関する。
ハードディスクドライブ(HDD)は、保護筐体内に収納される不揮発性ストレージデバイスであり、磁気面を有する1つ又は複数の円形ディスク(ディスクは、プラッタとも呼ばれ得る)にデジタルコード化したデータを保存する。HDDの動作時には、各磁気記録ディスクは、スピンドルシステムによって急速に回転される。データは、アクチュエータによってディスクの特定の位置上部に配置された読み取り/書き込みヘッドを用いて、磁気記録ディスクから読み取られる、及び磁気記録ディスクに書き込まれる。
読み取り/書き込みヘッドは、磁気記録ディスクの表面からデータを読み取る、及び磁気記録ディスクの表面にデータを書き込むために磁場を用いる。双極子磁場は、磁極から離れるに従って急速に減少するので、スライダ内に収納される読み取り/書き込みヘッドと、磁気記録ディスクの表面との距離は、厳密に制御される必要がある。アクチュエータは、磁気記録ディスクの回転中に読み取り/書き込みヘッドと磁気記録ディスクの表面との適切な距離(「浮上高」)を提供するために、部分的にスライダに対するサスペンションの力及びスライダの空気軸受面(ABS)の空気力学特性に依存する。従って、スライダは、磁気記録ディスクの表面上部に「浮上」していると言われる。
面密度(ディスク面の一定領域に保存可能な情報ビット量の尺度)の向上は、ハードディスクドライブの設計進化の絶えず存在する至高の目標の1つであり、1ビットの情報を記録するために必要とされるディスク領域を減少させるための様々な手段の必要な展開形態及び実装形態をもたらした。ビットサイズを最小化する際の大きな課題の1つは、十分に小さなナノ粒子において、温度の影響を受けて、磁化が方向をランダムに反転させる超常磁性効果によって課せられる制約に基づくことであると認識されている。
エネルギーアシスト磁気記録(EAMR)[この形態は、熱(heat)アシスト磁気記録(HAMR)又は熱(thermal)アシスト磁気記録(TAR)、及びマイクロ波アシスト磁気記録(MAMR)とも呼ばれる場合がある]は、例えば最初に材料を加熱するレーザ熱アシストを用いて、高安定性媒体にデータを磁気的に記録する公知の技術である。HAMRは、ハードディスクドライブストレージに使用される現在の技術を制限する同じ超常磁性効果によって制限されることなく、単一ビットをはるかに小さな領域に保存可能な鉄白金合金等の高安定性の高保磁力磁性化合物を上手く利用する。しかしながら、能力のある点で、ビットサイズが小さ過ぎ、且つそれに応じて保磁力が高過ぎるため、データの書き込みに使用される磁場をデータに永久的に影響を与えるほど十分に強くできず、最早データをディスクに書き込むことができない。HAMRは、温度をキュリー温度より上に上げることによって(その温度で媒体は効果的に保磁力を失い、現実的に達成可能な書き込み磁場がデータを媒体に書き込むことができる)磁気ストレージ媒体の保磁力を一時的及び局所的に変更することにより、この問題を解決する。
HAMR設計に対するアプローチの1つは、レーザダイオードを利用して、その保磁力を低下させるために媒体を加熱することである。しかしながら、効果的となるように磁気書き込みヘッドに十分近づけてレーザダイオードを導入することは、それ自体の課題をもたらす。
米国特許第8184507号明細書
本発明の実施形態は、ハードディスクドライブ(HDD)に関して、半導体レーザモジュールと、ヘッドスライダを収納するサスペンションとを電気的に接続することに向けられる。
ある実施形態によれば、エネルギーアシスト磁気記録(EAMR)アセンブリは、サスペンションに結合された半導体レーザモジュールを含み、サスペンション及び半導体レーザサブマウントの各々は、電導性半田継手を作製するために使用されるそれぞれの電気コンタクトを含む。特に、サブマウント電気コンタクトは、電極層の下に金属バリア層を含み、バリア層材料は、サブマウント材料よりも低い熱伝達係数を有する。その結果、半田付けプロセス中に、サブマウントへの熱の拡散が抑制及び低減され、半田の濡れ性が向上し、それによって、構成要素間のより強固で効果的な接着が可能となる。
発明の概要のセクションに記載される実施形態は、本明細書に記載される全ての実施形態を提案、説明、又は教示するものではない。従って、本発明の実施形態は、このセクションに記載されたもの以外の追加的特徴又は異なる特徴を含み得る。
本発明の実施形態を、限定としてではなく、例として、同様の参照符号が類似の要素を指す添付の図面の図に示す。
本発明のある実施形態によるHDDの平面図である。 本発明のある実施形態による、サスペンション上に搭載された半導体レーザモジュールの部分斜視図である。 本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。 本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。 本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。 本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。
ハードディスクドライブのエネルギーアシスト磁気記録アセンブリに関して、半導体レーザサブマウントの電気コンタクトの構成及び使用に対するアプローチを説明する。以下の説明では、説明目的で、本明細書に記載の本発明の実施形態の十分な理解を提供するために、多数の具体的な詳細を記載する。しかしながら、本明細書に記載の本発明の実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることが明白となるであろう。他の例では、本明細書に記載の本発明の実施形態を不必要に分かり難くすることを回避するために、周知の構造及びデバイスは、ブロック図形式で示される。
[本発明の例示的実施形態の物理的説明]
本発明の実施形態は、ハードディスクドライブ(HDD)に関して用いられ得る。本発明のある実施形態によれば、HDD100の平面図が図1に示される。図1は、磁気読み取り/記録ヘッド110aを含むスライダ110bを含むHDDの構成要素の機能的配置を示す。総称して、スライダ110b及びヘッド110aは、ヘッドスライダと呼ばれる場合がある。HDD100は、ヘッドスライダ、ヘッドスライダに取り付けられたリードサスペンション110c、及びリードサスペンション110cに取り付けられたロードビーム110dを含む少なくとも1つのヘッドジンバルアセンブリ(HGA)110を含む。HDD100は、スピンドル124に回転可能に搭載された少なくとも1つの磁気記録ディスク120、及びディスク120を回転させるためにスピンドル124に取り付けられた駆動モータ(不図示)も含む。ヘッド110aは、HDD100のディスク120上に保存される情報をそれぞれ書き込む及び読み取るための書き込み素子及び読み取り素子を含む。ディスク120又は複数(不図示)のディスクは、ディスククランプ128によってスピンドル124に取り付けてもよい。
HDD100は、HGA110に取り付けられたアーム132と、キャリッジ134と、キャリッジ134に取り付けられたボイスコイル140を含むアーマチャ136を含むボイスコイルモータ(VCM)と、ボイスコイルマグネット(不図示)を含むステータ144とをさらに含む。VCMのアーマチャ136は、キャリッジ134に取り付けられ、介在させたピボット軸受アセンブリ152を用いてピボットシャフト148に搭載されたディスク120の部分にアクセスするためにアーム132及びHGA110を移動させるように構成される。複数のディスク又はプラッタ(当該分野においてディスクは時にこのように呼ばれる)を有するHDDの場合、キャリッジが櫛の外観を生じさせるアームの連動アレイを保持するように構成されるので、キャリッジ134は、「Eブロック」又は櫛と呼ばれる。
図1をさらに参照して、本発明のある実施形態によれば、電気信号、例えばVCMのボイスコイル140への電流、ヘッド110aへの書き込み信号及びヘッド110aからの読み取り信号は、可撓性相互接続ケーブル156(「フレックスケーブル」)によって供給される。フレックスケーブル156とヘッド110aとの間の相互接続は、読み取り信号用のオンボードプリアンプ並びに他の読み取りチャネル及び書き込みチャネル電子構成要素を有し得るアーム・エレクトロニクス(AE)モジュール160によって提供され得る。AE160は、図示されるように、キャリッジ134に取り付けられてもよい。フレックスケーブル156は、HDDハウジング168によって提供される電気フィードスルー(不図示)によって電気通信を提供する電気コネクタブロック164に結合される。HDDハウジングが鋳造物であるかどうかに基づいて鋳物とも呼ばれるHDDハウジング168は、HDDカバー(不図示)と併せて、HDD100の情報ストレージ構成要素の密封保護筐体を提供する。
図1をさらに参照して、本発明のある実施形態によれば、ディスクコントローラ及びデジタル信号プロセッサ(DSP)を含むサーボ電子機器を含む他の電子構成要素(不図示)は、駆動モータ、VCMのボイスコイル140、及びHGA110のヘッド110aに電気信号を供給する。駆動モータに供給された電気信号は、駆動モータがスピンすることを可能にし、スピンドル124にトルクを与え、次にこれがディスククランプ128によってスピンドル124に取り付けられたディスク120に伝達され、その結果、ディスク120が方向172にスピンする。スピンするディスク120は、情報が記録されるディスク120の薄い磁気記録媒体と接触することなくスライダ110bがディスク120の表面上部に浮上できるように、スライダ110bの空気軸受面(ABS)が上に乗る空気軸受として機能するエアクッションを生じさせる。
VCMのボイスコイル140に供給された電気信号は、情報が記録されるトラック176にHGA110のヘッド110aがアクセスすることを可能にする。従って、VCMのアーマチャ136は、弧180を描いてスイングし、それによって、アーム132によってアーマチャ136に取り付けられたHGA110がディスク120上の様々なトラックにアクセスすることが可能となる。情報は、ディスク120上で、ディスク120上のセクタ、例えばセクタ184に配置された複数の積層トラック(不図示)に保存される。それに応じて、各トラックは、複数のセクタ化トラック部、例えばセクタ化トラック部188から構成される。各セクタ化トラック部188は、記録されたデータ及びサーボバースト信号パターン、例えばABCDサーボバースト信号パターンを含むヘッダ、トラック176を識別する情報、及び誤り訂正符号情報から構成される。トラック176にアクセスする際に、HGA110のヘッド110aの読み取り素子は、ヘッド110aがトラック176をたどることを可能にする、VCMのボイスコイル140に供給される電気信号を制御するサーボ電子機器に位置誤差信号(PES)を供給するサーボバースト信号パターンを読み取る。トラック176を見つけ、特定のセクタ化トラック部188を識別すると、ヘッド110aは、例えばコンピュータシステムのマイクロプロセッサである外部エージェントからディスクコントローラが受信した命令に応じて、トラック176からデータを読み取る、又はトラック176にデータを書き込む。
[導入部]
以上のように、HAMR設計に対するアプローチは、半導体レーザを利用して媒体を加熱することにより、その保磁力を低下させて記録/書き込みプロセスをアシストすることである。半導体レーザモジュール(すなわち、サブマウント構造上に搭載された半導体レーザ)と、半導体レーザモジュールが上に搭載されるサスペンションとの電気接合を行うために、一般的に、半田ボールジェット法を用いて半田接合を形成する。しかしながら、サブマウント材料の熱伝達係数は、一般的に、比較的大きく、従って、サスペンションへのサブマウントの半田付けは、以下のような幾つかの課題をもたらす。
半田電気接合の場合、溶融半田が電極と接触し、それによって、金(又は他の電極材料)が溶融半田に溶け、合金を形成することによって半田継手が形成される。サブマウントが半導体レーザによって動作中に生成された熱を放出するためには、AlN又はSi等の高熱伝達係数を有する材料を使用すればよい。従って、溶融半田の温度は、高熱伝達サブマウント材料への大幅な熱伝達により、最初の期間は低下し、その結果、半田が凝固する傾向がある。その結果、合金層が完全に形成されない、又は全く形成されず、この状況は、半田の濡れ性不良として特徴付けられる。
図2は、本発明のある実施形態による、サスペンション上に搭載された半導体レーザモジュールの部分斜視図である。図2は、半導体レーザ202a及びサブマウント202bを含む半導体レーザモジュール202がサスペンション204に取り付けられたアセンブリ200を示す。
HDDは、読み取り/書き込みヘッドを収納するスライダと、サスペンション204等のサスペンションとを含む少なくとも1つのヘッドジンバルアセンブリ(HGA)を含む。各スライダは、サスペンションの自由端に取り付けられ、このサスペンションは、一方でアクチュエータの剛性アームから片持ち支持されている。幾つかの半剛性アームを組み合わせて、リニア軸受又は回転ピボット軸受システムを有する単一の可動ユニットであるヘッドスタックアセンブリ(HSA)を形成してもよい。サスペンション204は、一般的に、ベース端にマウントプレートを有する比較的硬いロードビーム206を含み、これは、後にアクチュエータアームに取り付けられ、この自由端は、スライダ及びその読み取り/書き込みヘッドを保持する湾曲部を搭載する。
HAMR設計の場合、レーザサブマウント202bは、サスペンション204の一部に結合される。ある実施形態によれば、レーザサブマウント202bは、電導性半田接合によって、例えば、当該分野で公知の半田ボールジェット法を用いて、サスペンション204に電気的に接続される。そのため、サブマウント202bは、サスペンション204上の電気コンタクトと半田接合される電気コンタクトを含む。しかしながら、レーザサブマウント202bを作製するために使用された材料の高熱伝達係数及びそれに伴う電気コンタクトパッドから離れた高熱伝達によって良好な半田接合を抑制する傾向のため、強固で効果的な半田接合を保証するために、非従来的な電気コンタクトパッド(電極とも呼ばれる)が利用される。
[高熱伝導率材料用の半田付け電極]
図3は、本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。図3は、電気コンタクト304を含む、半導体レーザモジュール202(図2)のサブマウント202b(図2)等の半導体レーザモジュールのサブマウント302を含むアセンブリ300を示す。
サブマウント電気コンタクト304は、その上に電極層304bがあるバリア層304aを含む。半田付けプロセス中に溶融半田ボールからの熱の伝達を抑制又は低減するために、バリア層304aは、サブマウント302の材料の熱伝達係数と比較して比較的低い熱伝達係数を有する材料を含む。例えば、サブマウント302は、AlNを含んでいてもよく、ある実施形態によれば、バリア層304aは、SiOを含んでいてもよい。さらに、バリア層304aは、サブマウント302の材料と、電極層304bの材料(例えば、Ti、Pt、Auの内の1つ又は複数を含み得る)との間に形成される。ある実施形態によれば、バリア層304aは、図3に示されるように、サブマウント302と直接接触している。
ある実施形態によれば、バリア層304aは、金属を含む。さらに、複数の実施形態によれば、バリア層304aは、TaN、SiO、又はAlの内の1つを含む。なおさらに、複数の実施形態によれば、バリア層304aは、TaN、SiO、又はAlの内の1つからそれぞれ成る。
図3の平面図(下側の図)は、バリア層304aの概略形状及び寸法を示す。ある実施形態によれば、バリア層304aは、概して略四辺形状で、詳細には略長方形状である。バリア層304aの以下の寸法は、サブマウント202b(図2)等の半導体レーザサブマウントをサスペンション204(図2)等のサスペンションに半田付けする状況において、半田付けプロセス中に半田及び電気コンタクト材料の有効温度を維持するため、良好な電気半田接合、例えば良好な半田濡れ性を生じさせることが分かっている。しかしながら、この形状及びこれらの寸法は、例えば、使用されるバリア層材料、電極層材料、サブマウント材料、及び半田材料、並びに他の設計に固有の特徴及び条件に基づいて実装形態ごとに異なり得る。
ある実施形態によれば、バリア層304aの幅306及びバリア層304aの高さ308は、半導体レーザモジュール202(図2)をサスペンション204(図2)に電気的に接続する半田継手を生じさせるために使用される半田ボールの直径(例えば最大値)の0.6〜1.6倍の範囲にある。このようなバリア層304aのサイズは、半田付けプロセス中に半田及び電気コンタクト材料の有効温度を維持するため良好な半田濡れ性を提供する。
バリア層の厚さに対する半田接触角(半田ボールの外面がサブマウントと接触する点における)を濡れ半田を可能にする90度以下の半田接触角と比較した研究は、ある範囲のバリア層厚さが濡れ半田を提供することを示した。従って、ある実施形態によれば、バリア層304aの厚さは、0.35μm〜10μmの範囲にあり、それによって、半田付けプロセス中に半田及び電気コンタクト材料の有効温度を維持するため良好な半田濡れ性を提供する。
全体的に見て、図3に関連して説明したEAMR電極構成は、サブマウント構造への熱の拡散を効果的に制御し、半田の濡れ性を向上させ、従って、HDDにおいて、半導体レーザモジュールをサスペンションに電気的に接続する半田継手を向上させる。
[高伝導率材料用の半田付け電極の代替実施形態]
図4Aは、本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。図4Aは、電気コンタクト404を含む、半導体レーザモジュール202(図2)のサブマウント202b(図2)等の半導体レーザモジュールのサブマウント402を含むアセンブリ401を示す。
図3に示された実施形態と同様に、サブマウント電気コンタクト404は、その上に電極層404bがあるバリア層404aを含む。バリア層404a及び電極層404bの性質及び目的は、図3のバリア層304a及び電極層304bと同じである。従って、半田付けプロセス中に溶融半田ボールからの熱の伝達を抑制又は低減させるために、バリア層404aは、サブマウント402の材料の熱伝達係数と比較して比較的低い熱伝達係数を有する材料を含む。バリア層404aは、サブマウント402の材料と、電極層404bの材料との間に形成されるが、この実施形態では、バリア層404aとサブマウント402との間に位置する電極接着層404cが存在する。ある実施形態によれば、接着層404cは、図4Aに示されるように、サブマウント402と直接接触している。さらに、ある実施形態によれば、接着層404cは、Tiから成る。
図4の平面図(下側の図)は、バリア層404aの概略形状及び寸法を示す。バリア層304aと同様に、ある実施形態によれば、バリア層404aは、概して略四辺形状で、詳細には略長方形状である。図3のバリア層304aと同じ理由から、バリア層404aの幅406及び高さ408は、半導体レーザモジュール202(図2)をサスペンション204(図2)に電気的に接続する半田継手を生じさせるために使用される半田ボールの直径(例えば最大値)の0.6〜1.6倍の範囲にある。さらに、バリア層404aの厚さは、0.35μm〜10μmの範囲にあり、それによって、半田付けプロセス中に半田及び電気コンタクト材料の有効温度を維持するため良好な半田濡れ性を提供する。
図4Bは、本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。図4Bは、電気コンタクト414を含む、半導体レーザモジュール202(図2)のサブマウント202b(図2)等の半導体レーザモジュールのサブマウント402を含むアセンブリ411を示す。
図3に示された実施形態と同様に、サブマウント電気コンタクト414は、その上及びその下に電極層414bがあるバリア層414aを含む。バリア層414a及び電極層414bの性質及び目的は、図3のバリア層304a及び電極層304bと同じである。従って、半田付けプロセス中に溶融半田ボールからの熱の伝達を抑制又は低減させるために、バリア層414aは、サブマウント402の材料の熱伝達係数と比較して比較的低い熱伝達係数を有する材料を含む。
この実施形態では、バリア層414aは、限定されることはないが電極層414bと同じ材料等の追加の導体材料で充填された四辺形状開口部415を有し、それによって、バリア層414aを挟んで存続可能な電気接続がさらに可能となる。
図4Cは、本発明のある実施形態による電気コンタクトを示す側面図及び平面図のブロック図である。図4Cは、電気コンタクト424を含む、半導体レーザモジュール202(図2)のサブマウント202b(図2)等の半導体レーザモジュールのサブマウント402を含むアセンブリ421を示す。
図3に示した実施形態と同様に、サブマウント電気コンタクト424は、その上及びその下に電極層424bがあるバリア層424aを含む。バリア層424a及び電極層424bの性質及び目的は、図3のバリア層304a及び電極層304bと同じである。従って、半田付けプロセス中に溶融半田ボールからの熱の伝達を抑制又は低減させるために、バリア層424aは、サブマウント402の材料の熱伝達係数と比較して比較的低い熱伝達係数を有する材料を含む。
この実施形態では、バリア層424aは、電極層424bと同じ材料等の追加の電極材料で充填された円形状開口部425を有し、それによって、バリア層424aを挟んで存続可能な電気接続がさらに可能となる。
開口部415(図4Bの実施形態)の形状及び開口部425(図4Cの実施形態)の形状は、実装形態ごとに異なり得る。例えば、414b(図4B)の上部及び下部が開口部415を介して電気的に接続される、又は424b(図4C)の上部及び下部が開口部425を介して電気的に接続される限り、開口部415及び425に関して実装される正確な形状は異なってもよい。
上記の明細書では、実装形態ごとに異なり得る多数の具体的な詳細に関連して本発明の実施形態を説明した。従って、何が本発明であるか及び本発明であると本出願人らが意図するものの唯一かつ排他的な指標は、後の補正を含む、クレームが公表される特定の形式で、本出願から公表される一連のクレームである。当該クレームに含まれる用語に関して本明細書に明確に記載された定義は、クレームに使用される当該用語の意味を決定するものとする。従って、クレームに明確に記載されない限定、要素、特性、特徴、利点、又は特質は、当該クレームの範囲を決して限定しないものとする。従って、明細書及び図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味で捉えられるものである。
100 HDD
110a 磁気読み取り/記録ヘッド
110b スライダ
110c、204、204 サスペンション
110d、206 ロードビーム
120 磁気記録ディスク
124 スピンドル
128 ディスククランプ
132 アーム
134 キャリッジ
136 アーマチャ
140 ボイスコイル
144 ステータ
148 ピボットシャフト
152 ピボット軸受アセンブリ
156 フレックスケーブル
160 アーム・エレクトロニクス・モジュール
164 電気コネクタブロック
168 HDDハウジング
176 トラック
184 セクタ
188 セクタ化トラック
200、300、401、411、421 アセンブリ
202 半導体レーザモジュール
202a 半導体レーザ
202b、302、402 サブマウント
302 アセンブリマウント
304、404、414、424 サブマウント電気コンタクト
304b、404b、414b、424b 電極層
304a、404a、414a、424a バリア層
404c 電極接着層
308、408 長さ
306、406 幅
415、425 開口部

Claims (16)

  1. 磁気書き込みヘッドを含むヘッドスライダと、
    前記ヘッドスライダを支持するように構成され、サスペンション電気コンタクトを含むサスペンションと、
    前記サスペンションに結合されたレーザモジュールであって、
    レーザと、
    前記レーザが上に搭載されるサブマウントであって、サブマウント電気コンタクトを含み、且つ前記サスペンション電気コンタクト及び前記サブマウント電気コンタクトを電気的に接続する半田継手を介して前記サスペンションに電気的に接続されるサブマウントと、
    を含むレーザモジュールと、
    を含む、エネルギーアシスト磁気記録(EAMR)アセンブリであって、
    前記サブマウント電気コンタクトは、バリア層上に電極層を含み、
    前記バリア層は、前記サブマウントの熱伝達係数よりも低い熱伝達係数を有し、
    Ti電極接着層が、前記バリア層と前記サブマウントとの間に位置する、
    EAMRアセンブリ。
  2. 磁気書き込みヘッドを含むヘッドスライダと、
    前記ヘッドスライダを支持するように構成され、サスペンション電気コンタクトを含むサスペンションと、
    前記サスペンションに結合されたレーザモジュールであって、
    レーザと、
    前記レーザが上に搭載されるサブマウントであって、サブマウント電気コンタクトを含み、且つ前記サスペンション電気コンタクト及び前記サブマウント電気コンタクトを電気的に接続する半田継手を介して前記サスペンションに電気的に接続されるサブマウントと、
    を含むレーザモジュールと、
    を含む、エネルギーアシスト磁気記録(EAMR)アセンブリであって、
    前記サブマウント電気コンタクトは、バリア層上に電極層を含み、
    前記バリア層は、前記サブマウントの熱伝達係数よりも低い熱伝達係数を有し、
    前記バリア層は、導体材料で充填された開口部を有する、
    EAMRアセンブリ。
  3. 前記バリア層は、前記サブマウントと直接接触する、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  4. 前記バリア層は金属を含む、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  5. 前記バリア層はSiOを含む、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  6. 前記バリア層はTaNを含む、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  7. 前記バリア層はAlを含む、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  8. 前記バリア層は、SiO、TaN、及びAlから成る群の1つから成る、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  9. 前記バリア層の長さ及び幅の各々は、前記半田継手を生じさせるのに使用された半田ボールの直径の0.6〜1.6倍の範囲にある、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  10. 前記バリア層の厚さは、0.35μm〜10μmの範囲にある、
    請求項1又は2に記載のEAMRアセンブリ。
  11. 磁気書き込みヘッドを含むヘッドスライダと、
    前記ヘッドスライダを支持するように構成され、サスペンション電気コンタクトを含むサスペンションと、
    スピンドルに回転可能に搭載された磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスクの部分にアクセスするために前記サスペンション及び前記ヘッドスライダを移動させるように構成されたボイスコイルモータ(VCM)と、
    前記サスペンションに結合されたレーザモジュールであって、
    レーザと、
    前記レーザが上に搭載されるサブマウントであって、サブマウント電気コンタクトを含み、且つ前記サスペンション電気コンタクト及び前記サブマウント電気コンタクトを電気的に接続する半田継手を介して前記サスペンションに電気的に接続されるサブマウントと、
    を含むレーザモジュールと、
    を含む、ハードディスクドライブ(HDD)であって、
    前記サブマウント電気コンタクトは、バリア層上に電極層を含み、
    前記バリア層は、前記サブマウントの熱伝達係数よりも低い熱伝達係数を有し、
    前記バリア層は、導体材料で充填された開口部を有する、
    HDD。
  12. 前記バリア層は、前記サブマウントと直接接触する、
    請求項11に記載のHDD。
  13. 前記バリア層は、SiO、TaN、及びAlから成る群の少なくとも1つを含む、
    請求項11に記載のHDD。
  14. 前記バリア層は、SiO、TaN、及びAlから成る群の1つから成る、
    請求項11に記載のHDD。
  15. 前記バリア層の長さ及び幅の各々は、前記半田継手を生じさせるのに使用された半田ボールの直径の0.6〜1.6倍の範囲にある、
    請求項11に記載のHDD。
  16. 前記バリア層の厚さは、0.35μm〜10μmの範囲にある、
    請求項11に記載のHDD。
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