JP5839994B2 - 基板中にホール又は凹部又はくぼみを発生させる方法、該方法を実行するためのデバイス及び該デバイスで用いる高周波高電圧源 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 86
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 11
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
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- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
- B23K26/389—Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
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- B26D7/08—Means for treating work or cutting member to facilitate cutting
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Description
(a)室温で、電気的絶縁性である又は半導体である基板を供する基板供与工程、
(b)熱源を使用して前記基板の材料のボリューム(volume)を熱することにより、前記基板の材料の前記ボリュームを溶融する工程であって、前記ボリュームは、前記基板の第1の表面から前記基板の第2の表面へと伸び、前記第2の表面は、前記第1の表面の反対側にある、溶融工程、及び
(c)電圧源に接続され、前記基板の両側で、前記基板から隔てて配置された2つの電極を使用して、前記基板に亘って電圧を印加することにより、前記工程(b)の結果である材料の溶融した前記ボリュームを除去する、除去工程、
を含む、電気的絶縁性である又は半導体である基板中にホール又は凹部又はくぼみを発生させる方法により解決される。
(a)室温で、電気的絶縁性である又は半導体である基板を供する基板供与工程、
(b1)レーザーのような、熱源を使用して、ホールが形成されるであろう前記基板の領域を予熱する、予熱工程、
(b2)前記領域に高周波数高電圧を印加し、それにより、前記領域の材料のボリュームを溶融する、溶融工程、
(c1)前記領域にレーザーパルスを印加する、印加工程及び
(c2)前記領域にDC電圧を印加し、それにより、前記基板から、前記材料の溶融した前記ボリュームを除去する、除去工程、
を含む。
1次LC回路及び2次LC回路を含むテスラ変圧器で、前記1次LC回路と2次LC回路は結合され、前記1次LC回路は、1−20巻き、好ましくは1−10巻きのワイヤ又は伝導ループを含む1次コイルを有し、前記2次LC回路は、10μHから1000μHまでの範囲内のインダクタンスを有する2次コイルを有し、前記2次コイルは、レジスタを介してアース端子(ground)に接続される、テスラ変圧器、
コンパレータ、
MOSFETドライバ、
MOSFET、
を含み、
前記コンパレータは、前記2次コイル及び前記MOSFETドライバに接続され、前記MOSFETドライバは、前記1次LC回路に接続される前記MOSFETに接続され、操作の間、前記2次コイルのアイゲンシュヴィングングに比例した電圧が、レジスタに亘って得られ、かつ、前記MOSFETドライバを駆動する前記コンパレータを使用してデジタル化(digitized)され、さらに、前記MOSFETドライバは、前記MOSFETを駆動し、したがって、前記2次LC回路と前記1次LC回路との間のフィードバックを供し、前記1次LC回路を、前記2次LC回路のアイゲンシュヴィングングで振動させる。
Claims (46)
- (a)室温で電気的絶縁性である又は半導体である基板を供する、基板供与工程、
(b)第1の熱源を使用して前記基板の材料のボリュームを加熱することにより、前記基板の材料の前記ボリュームを溶融する工程であって、前記ボリュームは前記基板の第1の表面から前記基板の第2の表面へと、完全に又は部分的に伸び、前記第2の表面は前記第1の表面と反対側にある、溶融工程、及び
(c)電圧源に接続され、前記基板の両側で、前記基板から隔てて配置された2つの電極を使用して、前記基板に亘って電圧を印加することにより、前記工程(b)の結果である材料の溶融した前記ボリュームを除去する、除去工程、
を含む、
電気的絶縁性である又は半導体である基板中に、ホール若しくは凹部若しくはくぼみ又はそれらの配列を作り出す方法。 - 前記工程(b)の前記ボリュームは、管状形又は柱形又は円錐形を有し、
前記ボリュームは、前記第1の表面から前記基板を通って前記第2の表面へと伸び、かつ、前記基板の厚みの長さを有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記工程(b)の前記ボリュームは、管状形又は柱形又は円錐形を有し、前記第1の表面から前記第2の表面へと完全には伸びず、
前記工程(c)は、ブラインドホール、凹部又はくぼみをもたらす、
請求項1に記載の方法。 - 前記工程(c)は、材料の前記ボリュームが溶融された時点で開始される、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(c)は、前記工程(b)の開始からある時間間隔tで開始され、
前記時間間隔は、0msから10sまでの範囲内である、
請求項4に記載の方法。 - 前記工程(c)で印加される前記電圧は、定電圧又は単極電圧である、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記電圧は、1kVから250kVまでの範囲内にあるDC電圧を印加することにより印加される、
請求項6に記載の方法。 - 前記電圧は、0.1msから10sまでの範囲内にある時間周期で印加される、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記電圧は、10kHzより大きい周波数を有する交流(AC)電圧で、前記工程(c)の全て又は一部で、重ねあわされる、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の熱源は、1つのレーザー又は複数のレーザー、高周波高電圧源又はテスラ変圧器である高周波数でAC電圧を供することができるデバイス、加熱要素、加熱フィラメント、加熱電極、ガスの炎、又はそのような熱源の組み合わせから選択される、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の熱源は1つのレーザーである、請求項10に記載の方法。
- 前記レーザーは、1−10000Wの出力を有する、
請求項11に記載の方法。 - 前記レーザーは、前記基板上への照射時に、前記基板の材料を貫通することができる光を放ち、前記光は、前記基板上への照射時に、前記基板の表面に完全には吸収されない又は反射されず、前記表面下部の基板領域においても貫通する、
請求項11又は12に記載の方法。 - 前記レーザーは、前記基板上への照射時に、前記基板の表面で完全に吸収され、
材料の前記ボリュームは、内部熱伝導により加熱される、
請求項11又は12に記載の方法。 - 前記レーザーは、表面上に光を放つとき、1μmから15000μmまでの範囲内の径を有するフォーカルスポットを有する、
請求項11乃至14のいずれか一項に記載の方法。 - 前記レーザーは、前記工程(b)の間、前記基板の材料の前記ボリュームを、1msから10sまでの時間周期で、照射する、
請求項11乃至15のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の熱源は、高周波数でAC電圧を供することがデバイス、又は高周波高電圧源(HF−HV源)であり、
前記工程(b)は、前記基板に亘って高周波数高電圧の印加により実行され、
前記高周波数高電圧は、工程(c)で使用される前記電極を使用して印加される、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記高周波数高電圧は、100Vから100kVまでの範囲内の振幅を有し、
前記高周波数高電圧は、50kHzから1GHzまでの範囲内の周波数を有し、
前記高周波数高電圧は、0.1msから5sまでの範囲内の時間周期で印加される、
請求項17に記載の方法。 - 前記工程(b)は、第1のサブ工程(b1)及び第2のサブ工程(b2)を含み、
前記サブ工程(b2)において、前記高周波数高電圧は、前記基板のある領域に前記基板に亘って、請求項17又は請求項18で定義されたような方法により印加され、
前記サブ工程(b1)において、前記領域は、当該領域にレーザーパルスを印加することにより、当該領域を予熱することで定義される、
請求項17又は18に記載の方法。 - 前記予熱することは、0.1msから100msまでの範囲内の時間周期で起こる、
請求項19に記載の方法。 - 前記サブ工程(b1)及び前記サブ工程(b2)は、0.001msから100msまで、重複する、
請求項19又は20に記載の方法。 - 前記工程(c)は、第1のサブ工程(c1)及び第2のサブ工程(c2)を含み、前記サブ工程(c2)において、前記DC電圧は、前記基板のある領域に前記基板に亘って、
請求項7又は8で定義されたような方法により印加され、
前記サブ工程(c1)において、前記領域は、当該領域にレーザーパルスを印加することによって定義される、
請求項17乃至21のいずれか一項に記載の方法。 - 前記サブ工程(c1)で印加されるレーザーパルスは、予め前記サブ工程(b1)で定義されている同じ領域に印加される、
請求項22に記載の方法。 - 前記サブ工程(c1)は、前記サブ工程(b1)後すぐに、又は、サブ工程(b1)の終わりから、0.1msから5000msまでの範囲内の時間間隔で、実行される、
請求項22又は23に記載の方法。 - 前記サブ工程(c2)は、前記基板に亘る電流の増加、前記基板に亘る電圧振幅の減少、
前記高周波高電圧源の出力電流の増加、前記高周波高電圧源の入力電流の増加又は前記高周波高電圧源の出力電圧の減少、の検出で開始される、
請求項22乃至24のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ホール又は凹部又はくぼみは、50μmより大きい、直径を有する、
請求項1乃至25のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ホール又は凹部又はくぼみは、5mmより小さい直径を有する、
請求項26に記載の方法。 - 前記ホール又は凹部又はくぼみは、50μmから3mmまでの、範囲内の直径を有する、
請求項26又は27に記載の方法。 - 前記基板は、ガラス、石英、ダイヤモンド、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ジルコニア及びスピネルから選択される、電気的絶縁性である材料で作られる、又は、ドープシリコン及び結晶シリコンを含む元素シリコン、ゲルマニウム、化合物半導体、ガリウム砒素、並びにリン化インジウムから選択される、電気的に半導体である材料で作られる、
請求項1乃至28のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(b)での前記加熱すること及び前記工程(c)での前記電圧を印加することの期間は、1つのタイマーリレー/スイッチ又は2つの独立したタイマーリレー/スイッチにより決定かつユーザー制御され、
前記期間の各々は、各々独立して制御され、又は、特定の基板電流、前記基板の温度、前記基板に亘る電圧振幅、前記電圧源の出力電流、又は前記電圧源の出力電圧から選択される、到達するあるプロセス条件で始動するトリガーデバイスにより両方制御される、
請求項1乃至29のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の熱源は、前記工程(c)における前記ホール又は凹部又はくぼみ形成の後、完全には停止されず、
前記第1の熱源は、前記基板の冷却挙動を調整し、それにより前記基板内の熱ストレスの形成を制御/妨げるように、当該第1の熱源の加熱作動を減らされる、
請求項1乃至30のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(c)の実行の前、間及び/又は後、100℃から800℃までの範囲内の温度に加熱されるガスのフローが、前記基板で、前記工程(c)が実行される領域に方向付けられる、
請求項1乃至31のいずれか一項に記載の方法。 - 前記電極の一方は、第2の熱源又は加熱フィラメント、により形成され又は囲まれ、
前記第2の熱源又は前記加熱フィラメントは、50℃から900℃までの範囲内の温度で、前記基板を加熱及び維持する、
請求項1乃至32のいずれか一項に記載の方法。 - 前記電極は、前記電圧源に接続された、50から200000pFまでのキャパシタンスを有するキャパシタに接続される、
請求項1乃至33のいずれか一項に記載の方法。 - 前記基板は、0.1mmから10mmまでの厚さを有する、
請求項1乃至34のいずれか一項に記載の方法。 - 前記電極の各々は、前記基板から0.2mmから25mmまでの距離で配置される、
請求項1乃至35のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(b)及び/又は前記工程(c)の間若しくは前記工程(c)の後、前記基板は、前記電極及び前記第1の熱源に対して、所定の距離だけ動かされる、
請求項1乃至36のいずれか一項に記載の方法。 - 前記基板の前記移動の後、前記工程(b)及び前記工程(c)が繰り返される、
請求項37に記載の方法。 - 前記基板の前記移動及び前記工程(b)及び前記工程(c)は、n回繰り返され、
n+1は、形成される配列中の、ホール又は凹部又はくぼみ又はブラインドホールの数を意味する、
請求項37又は38に記載の方法。 - 第1の電極及び第2の電極、
スイッチ、
高周波高電圧源、
DC源
タイミング及び制御ユニット、及び
基板を保持するための手段、
を含み、
前記第1の電極は接地又は参照電極であり、
前記第2の電極は、前記基板に電圧を印加するための電圧電極であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記基板を保持するための手段の両側で設置され、
前記第2の電極は、前記スイッチに接続され、
前記スイッチは、前記高周波高電圧源及び前記DC源に並列に接続され、
前記高周波高電圧源、前記DC源、前記スイッチ及び前記第1の電極は、前記タイミング及び制御ユニットに接続される、
請求項1乃至39のいずれか一項に記載の方法を実行するためのデバイス。 - 前記スイッチは、DC電圧及び高周波数AC電圧を、前記第1の電極及び前記第2の電極に送り、
前記第2の電極に関する前記高周波高電圧源への、直接の又はキャパシタを通じてのいずれかの接続を含み、
前記第2の電極に関する前記DC源への、リレー及びスパークギャップを通じた接続を含み、
前記リレー及び前記スパークギャップは、連続して接続される、
請求項40に記載のデバイス。 - 前記リレーは、10kVより大きいスイッチング電圧を有するリードリレーであり、
前記スパークギャップは、500Vから25000Vまでの範囲内の点火電圧を有し、
前記スイッチは、前記第2の電極に関する前記高周波高電圧源への、0.1pFから10000pFまでの範囲内のキャパシタンスを有するキャパシタを通じた接続を有する、
請求項41に記載のデバイス。 - 前記タイミング及び制御ユニットに接続され、所定の位置で前記基板を保持するための手段により保持される前記基板を加熱することができる、レーザー又は加熱フィラメント又は加熱板である、第1の熱源をさらに含む、
請求項40乃至42のいずれか一項に記載のデバイス。 - 前記基板に加熱ガスのフローを方向付ける、手段をさらに含む、
請求項40乃至43のいずれか一項に記載のデバイス。 - 前記第1の電極は、参照電極であり、前記参照電極は、所定の温度又は所定の温度範囲に、前記基板全体又は前記基板の一部を加熱する、第2の熱源若しくは加熱フィラメントにより囲まれる又は第2の熱源若しくは加熱フィラメントを形成し、
前記第2の熱源は、加熱パワーサプライを有し、該加熱パワーサプライを通じて、前記タイミング及び制御ユニットに接続される、
請求項40乃至44のいずれか一項に記載のデバイス。 - 1次LC回路及び2次LC回路を含み、前記1次LC回路と2次LC回路は結合され、前記1次LC回路は、1−20巻きのワイヤ又は伝導ループを含む1次コイルを有し、前記2次LC回路は、10μHから1000μHまでの範囲内のインダクタンスを有する2次コイルを有し、前記2次コイルは、レジスタを介してアース端子に接続される、テスラ変圧器、
コンパレータ、
MOSFETドライバ、
MOSFET、
を含み、
前記コンパレータは、前記2次コイル及び前記MOSFETドライバに接続され、前記MOSFETドライバは、前記1次LC回路に接続される前記MOSFETに接続され、操作の間、前記2次コイルのアイゲンシュヴィングングに比例した電圧が、レジスタに亘って得られ、かつ、前記MOSFETドライバを駆動する前記コンパレータを使用してデジタル化され、さらに、前記MOSFETドライバは、前記MOSFETを駆動し、したがって、前記2次LC回路と前記1次LC回路との間のフィードバックを供し、前記1次LC回路を、前記2次LC回路のアイゲンシュヴィングングで振動させる、
請求項40乃至45のいずれか一項に記載のデバイスで使用するための、高周波高電圧源。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15612009P | 2009-02-27 | 2009-02-27 | |
US61/156,120 | 2009-02-27 | ||
PCT/EP2010/001249 WO2011038788A1 (en) | 2009-02-27 | 2010-03-01 | A method of generating a hole or recess or well in a substrate, a device for carrying out the method, and a high frequency high voltage source for use in such a device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012519090A JP2012519090A (ja) | 2012-08-23 |
JP5839994B2 true JP5839994B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=42199872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011551445A Active JP5839994B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-03-01 | 基板中にホール又は凹部又はくぼみを発生させる方法、該方法を実行するためのデバイス及び該デバイスで用いる高周波高電圧源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8736026B2 (ja) |
EP (1) | EP2411194A1 (ja) |
JP (1) | JP5839994B2 (ja) |
KR (1) | KR20110135947A (ja) |
CN (1) | CN102333623B (ja) |
WO (1) | WO2011038788A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012510721A (ja) * | 2008-12-02 | 2012-05-10 | ピコドリル・エス・アー | 基板内への構造の導入方法 |
US10292808B2 (en) | 2010-06-07 | 2019-05-21 | Q3 Medical Devices Limited | Device and method for management of aneurism, perforation and other vascular abnormalities |
EP2564996A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-03-06 | Asahi Glass Company, Limited | A method of generating a hole or recess or well in an electrically insulating or semiconducting substrate |
EP2564999A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-03-06 | Asahi Glass Company, Limited | A method of generating a high quality hole or recess or well in a substrate |
JPWO2013058169A1 (ja) * | 2011-10-20 | 2015-04-02 | 旭硝子株式会社 | 絶縁基板に貫通孔を形成する方法およびインターポーザ用の絶縁基板を製造する方法 |
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WO2014022681A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Gentex Corporation | Assembly with laser induced channel edge and method thereof |
JP2014214036A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 旭硝子株式会社 | レーザを用いてガラス基板に貫通孔を形成する方法 |
JP2014223640A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 旭硝子株式会社 | 放電補助式レーザ孔加工方法および放電補助式レーザ孔加工装置 |
JP2016135491A (ja) * | 2013-05-17 | 2016-07-28 | 旭硝子株式会社 | 放電補助式レーザ孔加工方法 |
JP2016147266A (ja) * | 2013-06-14 | 2016-08-18 | 旭硝子株式会社 | 放電補助式レーザ孔加工装置および放電補助式レーザ孔加工方法 |
CN103639603A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-03-19 | 江苏大学 | 基于共振吸收的高效率高精度激光微纳加工新方法 |
JP6295897B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2018-03-20 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板に貫通孔を形成する装置および方法 |
JP2017081804A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 日本電気硝子株式会社 | 管ガラスの切断方法及び切断装置、並びに管ガラス製品の製造方法 |
JP2017088467A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板に孔を形成する装置および方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US2678373A (en) | 1951-02-10 | 1954-05-11 | John W Meaker | Method and apparatus for electrically perforating dielectric sheet materials |
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-
2010
- 2010-03-01 US US13/203,492 patent/US8736026B2/en active Active
- 2010-03-01 JP JP2011551445A patent/JP5839994B2/ja active Active
- 2010-03-01 WO PCT/EP2010/001249 patent/WO2011038788A1/en active Application Filing
- 2010-03-01 CN CN201080009790.XA patent/CN102333623B/zh active Active
- 2010-03-01 KR KR1020117022511A patent/KR20110135947A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-01 EP EP10707463A patent/EP2411194A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012519090A (ja) | 2012-08-23 |
US20110304023A1 (en) | 2011-12-15 |
KR20110135947A (ko) | 2011-12-20 |
WO2011038788A1 (en) | 2011-04-07 |
US8736026B2 (en) | 2014-05-27 |
CN102333623A (zh) | 2012-01-25 |
CN102333623B (zh) | 2015-01-07 |
EP2411194A1 (en) | 2012-02-01 |
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