JP5836678B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図5は隣接するショット領域(部分露光領域)間の接続部分の位置ズレ状況を示す説明図である。同図(b) に示すように、理想的には、配線パターン用のレチクル部分31a,31bを有する(パターニングされた)レチクル31と、配線パターン用のレチクル部分32a,32bを有するレチクル32とを用いて、境界線33を挟んでレチクル部分31a,32a及びレチクル部分31b,32bがそれぞれ連続的に繋がる状態で露光処理を行う必要がある。すなわち、レチクル31を用いた第1の部分露光領域を得るための第1の露光処理とレチクル32を用いた第2の部分露光領域を得るための第2の露光処理との組合せによって配線用パターンの露光処理を行っている。
以下、液晶表示装置のTFT基板を製造対象の半導体装置として場合の製造プロセスの一例として、ゲート配線、半導体層、ソース配線、コンタクト、及び画素電極をそれぞれパターニングして順次形成する場合、所謂5枚マスクプロセスを用いて行うことになる。
図1は実施の形態1のTFT基板におけるゲート配線(形成層)のパターニング用のレジストパターンを模式的に示す説明図である。図2は図1で示したレジストパターンを得るために用いたレチクルにおける位置補正用パターン形成用領域及びその周辺を模式的に示す説明図である。
図3は実施の形態2のTFT基板におけるゲート配線(形成層)のパターニング用のレジストパターンを模式的に示す説明図である。図4は図3で示したレジストパターンを得るために用いたレチクルにおける位置補正用パターン形成用領域及びその周辺を模式的に示す説明図である。
Claims (3)
- 基板上における所定の形成層をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
(a) 第1及び第2のレチクルを用いて、前記所定の形成層上に塗布された所定のレジスト上の第1及び第2の部分露光領域を露光した後、現像することにより所定のレジストパターンを得るステップと、
(b) 前記所定のレジストパターンを用いて前記所定の形成層をパターニングするステップとを含み、
前記第1及び第2の部分露光領域は互いに共通する重複領域を含み、
前記所定のレジストパターンは、互いに異なる第1及び第2の方向に関する前記第1及び第2の部分露光領域間の位置ズレが検出可能な位置補正用パターンを前記重複領域内に有し、
前記位置補正用パターンは内部に貫通部分を有することなく形成される、
半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記位置補正用パターンは、前記重複領域内に形成され、他の領域に対し異なる段差を有する段差パターンを含み、
前記第1及び第2のレチクルは前記段差パターンに対応する領域に、他の領域と異なる透過率を有する透過率変更領域を有する、
半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記位置補正用パターンは前記第1及び第2の方向に延びて形成される輪郭形状パターンを含み、
前記第1及び第2のレチクルのうち、一方は前記輪郭形状パターンをポジパターンとして規定し、他方は前記輪郭形状パターンをネガパターンとして規定する、
半導体装置の製造方法。
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